專利名稱：：光學(xué)信息記錄媒體及其制造方法、記錄及重放方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及能通過(guò)對(duì)基板上形成的薄膜照射激光束等高能量射束來(lái)記錄及重放信號(hào)質(zhì)量很高的信息信號(hào)的一次寫(write-once)光學(xué)信息記錄媒體及其制造方法、記錄及重放方法和記錄及重放裝置。
背景技術(shù)：
：在透明基板上形成薄膜、對(duì)該薄膜照射縮小成光點(diǎn)的激光來(lái)進(jìn)行信息信號(hào)的記錄及重放的技術(shù)是眾所周知的。已公開(kāi)了在基板上設(shè)置以Te和TeO2的混合物、即TeOx(0＜x＜2)為主要成分的材料薄膜作為在這樣的記錄及重放中使用的一次寫的記錄媒體(特開(kāi)昭50-46317號(hào)公報(bào))。這樣的記錄媒體在重放用的光束的照射下可得到大的反射率變化。以該TeOx為主要成分的記錄薄膜在成膜后的非晶質(zhì)狀態(tài)的原有狀態(tài)下不進(jìn)行激光退火等的初始化處理而能通過(guò)一邊對(duì)激光的強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)制一邊進(jìn)行照射以形成結(jié)晶的標(biāo)記來(lái)記錄信息信號(hào)，同時(shí)具備因該過(guò)程是非可逆過(guò)程故不能進(jìn)行由重寫(overwrite)進(jìn)行的修正或擦除等的作為一次寫的記錄媒體的重要的特性。此外，以TeOx為主要成分的記錄薄膜的耐濕性等的環(huán)境可靠性高、不需要介質(zhì)的保護(hù)層等，通常以單層薄膜作為記錄媒體來(lái)使用，在生產(chǎn)成本方面來(lái)說(shuō)，也是較為理想的。但是，在TeOx中，在記錄后信號(hào)達(dá)到飽和之前、即在記錄薄膜中的因激光照射引起的結(jié)晶化充分地進(jìn)行之前，需要若干的時(shí)間。這一點(diǎn)對(duì)于作為例如在盤上記錄數(shù)據(jù)、在旋轉(zhuǎn)一周后驗(yàn)證該數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)用數(shù)據(jù)文件的情況等那樣要求高速響應(yīng)性的記錄媒體來(lái)說(shuō)，是不適當(dāng)?shù)?。為了彌補(bǔ)該缺點(diǎn)，公開(kāi)了在TeOx中添加Pd或Au作為第3元素的記錄媒體(特開(kāi)昭60-203490號(hào)公報(bào)，特開(kāi)昭61-68296號(hào)公報(bào)，特開(kāi)昭62-88152號(hào)公報(bào))。可認(rèn)為，Pd或Au在TeOx薄膜中在激光照射時(shí)起到促進(jìn)Te的結(jié)晶生長(zhǎng)的作用。由此，高速地生成Te和Te-Pd合金或Te-Au合金的結(jié)晶粒。作為其結(jié)果，可進(jìn)行在高速下的結(jié)晶化記錄，可得到上述高速響應(yīng)性。再者，由于Pd或Au的高的耐氧化性，Pd或Au不會(huì)損害TeOx薄膜的耐濕性。此外，作為增加每1片媒體能處理的信息量用的基本的方法，有通過(guò)縮短激光的波長(zhǎng)或增加對(duì)激光進(jìn)行聚光的物鏡的數(shù)值孔徑來(lái)縮小激光的光點(diǎn)直徑以提高記錄面密度的方法。再者，為了提高圓周方向的記錄密度，發(fā)明并導(dǎo)入了記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度成為信息的標(biāo)記邊緣記錄，為了提高半徑方向的記錄密度，發(fā)明并導(dǎo)入了在激光引導(dǎo)用的槽(groove)和槽間表面(land)這兩者上進(jìn)行記錄的槽和槽間表面記錄。再者，為了提高每1片媒體能處理的信息量，提出了層疊多層對(duì)信息進(jìn)行記錄及重放的層的多層結(jié)構(gòu)媒體及其記錄及重放方法(特開(kāi)平9-212917號(hào)公報(bào)、特表平10-505188號(hào)公報(bào)及專利公開(kāi)2000-36130號(hào)公報(bào)等)和選擇這樣的多個(gè)信息層的某一層來(lái)進(jìn)行記錄及重放用的層識(shí)別裝置和層切換裝置(特表平10-505188號(hào)公報(bào)等)。為了適應(yīng)這樣的高密度記錄，提出了在TeOx中添加了Pd或Au作為第3元素的記錄材料的組成和改良了膜厚的記錄媒體(特開(kāi)平9-326135號(hào)公報(bào)，WO98/09823號(hào)公報(bào))。但是，伴隨近年來(lái)的信息的大容量化，要求進(jìn)一步提高記錄密度，必須開(kāi)發(fā)波長(zhǎng)更短、NA更高的光學(xué)系統(tǒng)、特別是能適應(yīng)使用了紫色激光的高密度記錄的記錄媒體。即使記錄及重放中使用的激光的波長(zhǎng)變化，記錄材料的熱特性也基本上相同，但存在光學(xué)特性、特別是光學(xué)常數(shù)隨材料變化較大的情況。特別是，與紅色波長(zhǎng)區(qū)域相比，在紫色波長(zhǎng)區(qū)域中，存在基于TeOx的記錄材料的反射率變化變小、能得到的信號(hào)振幅或C/N比變小的趨勢(shì)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供即使在使用紫色的激光的高密度的信息的記錄及重放中也能得到高C/N比的良好記錄及重放特性的的一次寫的光學(xué)信息記錄媒體及其制造方法、記錄及重放方法和記錄及重放裝置。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的特征在于在透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，上述介質(zhì)層的折射率n為1.5以上。其次，本發(fā)明的第1光學(xué)信息記錄媒體的制造方法是在透明基板上具備信息層、該信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成的光學(xué)信息記錄媒體的制造方法，其特征在于利用氣相薄膜淀積法在上述透明基板上形成記錄層和折射率n為1.5以上的介質(zhì)層，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，在60℃以上的條件下進(jìn)行保持5分鐘以上的退火處理。其次，本發(fā)明的第2光學(xué)信息記錄媒體的制造方法是在透明基板上具備信息層和在其上的保護(hù)層、上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成的光學(xué)信息記錄媒體的制造方法，其特征在于首先形成上述保護(hù)層，利用氣相薄膜淀積法在上述保護(hù)層上形成記錄層和折射率n為1.5以上的介質(zhì)層，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，形成上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下、M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下的信息層，在上述信息層上貼合上述透明基板之前或之后，在60℃以上的條件下進(jìn)行保持5分鐘以上的退火處理。其次，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的記錄或重放方法的特征在于對(duì)于光學(xué)信息記錄媒體，從透明基板一側(cè)照射波長(zhǎng)為500nm以下的光束來(lái)記錄或重放信息信號(hào)，其中，上述光學(xué)信息記錄媒體在上述透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，上述介質(zhì)層的折射率n為1.5以上。其次，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的記錄或重放裝置的特征在于具備為了對(duì)于光學(xué)信息記錄媒體進(jìn)行記錄及重放信息信號(hào)而照射波長(zhǎng)為500nm以下的光束的光束發(fā)生裝置、和在形成標(biāo)記時(shí)以由脈沖數(shù)隨上述標(biāo)記的長(zhǎng)度而不同的脈沖串構(gòu)成的脈沖波形對(duì)上述光束進(jìn)行調(diào)制的光束調(diào)制裝置，其中，上述光學(xué)信息記錄媒體在透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，上述介質(zhì)層的折射率n為1.5以上。按照本發(fā)明，可提供即使在使用紫色的激光的高密度的信息的記錄及重放中也能得到高C/N比的良好的記錄及重放特性的的一次寫的光學(xué)信息記錄媒體及其制造方法、記錄及重放方法和記錄及重放裝置。圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例中的光學(xué)信息記錄媒體的剖面圖。圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施例中的光學(xué)信息記錄媒體的剖面圖。圖3是本發(fā)明的又一實(shí)施例中的光學(xué)信息記錄媒體的剖面圖。圖4A-圖4D是示出本發(fā)明的一實(shí)施例中各波長(zhǎng)、各記錄層膜厚的反射率差與介質(zhì)層的折射率n的關(guān)系的圖。圖5是本發(fā)明的一實(shí)施例中的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放裝置的概略圖。圖6是能適用于本發(fā)明的記錄的脈沖波形的一實(shí)施例的波形圖。圖7是本發(fā)明的實(shí)施例3中的光學(xué)信息記錄媒體的剖面圖。具體實(shí)施例方式在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體中，能以單層來(lái)使用信息層，也能以多層來(lái)使用信息層。在以多層來(lái)使用的情況下，較為理想的是，在上述透明基板上經(jīng)各個(gè)分離層層疊n層(其中，n是2以上的整數(shù))的信息層，上述n層的信息層中的至少一層是本發(fā)明的信息層。作為上述n層，從單層(此時(shí)，不需要分離層)起，2-6層是實(shí)用的。此外，較為理想的是，對(duì)于上述記錄層，用波長(zhǎng)為500nm以下的光束進(jìn)行記錄及重放。此外，較為理想的是，上述記錄層的膜厚為5nm以上至70nm以下。此外，較為理想的是，上述介質(zhì)層由以從ZnS、TiO2、ZrO2、Si、SiC、Si3N4和GeN中選出的至少一種或混合了2種以上的介質(zhì)作為主要成分的材料構(gòu)成。在此，所謂主要成分，指的是上述化合物為80mol％以上，更為理想的是，在90mol％以上。此外，較為理想的是，上述介質(zhì)層的消光系數(shù)k為0以上至1.0以下。如果消光系數(shù)k小，則可層疊多層信息層。此外，較為理想的是，上述分離層為紫外線硬化樹(shù)脂，其厚度為1.0微米以上。此外，在本發(fā)明中，較為理想的是，在最外層還具備保護(hù)層。其次，在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法中，較為理想的是，在形成標(biāo)記時(shí)，以由脈沖數(shù)隨上述標(biāo)記的長(zhǎng)度而不同的脈沖串構(gòu)成的脈沖波形對(duì)上述光束進(jìn)行調(diào)制后進(jìn)行照射。此外，較為理想的是，在上述第2信息層的全部記錄區(qū)域上結(jié)束了記錄后，在上述第1信息層中進(jìn)行記錄。同樣，在具有n層信息層的情況下，較為理想的是，首先在最終層的第n信息層的全部記錄區(qū)域上結(jié)束了記錄后，朝向激光的照射側(cè)按順序在n-1信息層中進(jìn)行記錄。以下，一邊參照附圖，一邊具體地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。圖1和圖2是本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的一結(jié)構(gòu)例的局部剖面圖。如圖1和圖2中所示，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體，在透明基板1上設(shè)置介質(zhì)層2、記錄層3和保護(hù)層4而被構(gòu)成。介質(zhì)層2和記錄層3構(gòu)成了信息層21。對(duì)于該光學(xué)信息記錄媒體，從透明基板1一側(cè)用物鏡6對(duì)激光5進(jìn)行聚光、照射來(lái)進(jìn)行記錄及重放。此外，圖3是本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的一結(jié)構(gòu)例的局部剖面圖。如圖3中所示，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體，在透明基板1上設(shè)置第1信息層7、分離層8、第2信息層9和保護(hù)層4而被構(gòu)成。在此，第1信息層7和第2信息層9的至少某一方由介質(zhì)層2和記錄層3構(gòu)成。對(duì)于該光學(xué)信息記錄媒體，從透明基板1一側(cè)用物鏡6對(duì)激光5進(jìn)行聚光、照射來(lái)進(jìn)行記錄及重放。作為透明基板1的材料，最好在激光5的波長(zhǎng)下大致呈透明，可使用聚碳酸酯樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、降冰片烯系列樹(shù)脂、紫外線硬化性樹(shù)脂、玻璃或?qū)⑸鲜霾牧线m當(dāng)?shù)亟M合起來(lái)的材料等。此外，透明基板1的厚度不作特別限定，但可使用約0.05～1.5mm的厚度的材料。作為介質(zhì)層2的材料，可使用折射率n為1.5以上的材料，較為理想的是使用折射率n為2.0以上的材料，最理想的是使用折射率n為2.5以上的材料。具體地說(shuō)，例如以ZnS、TiO2、ZrO2、Si、SiC、Si3N4和GeN等為主要成分的材料是合適的。此外，關(guān)于介質(zhì)層2的膜厚，最好選擇能增加反射率變化的膜厚。上述膜厚由波長(zhǎng)和各層的光學(xué)常數(shù)來(lái)決定，但例如在將進(jìn)行記錄及重放的光束的波長(zhǎng)定為λ、將介質(zhì)層2的折射率定為n的情況下，上述膜厚最好在0.31λ/n以上至0.50λ/n以下。再有，消光系數(shù)k表示復(fù)數(shù)折射率的虛部。作為記錄層3的材料，可使用包含Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)的材料。作為M、特別是使用Pd或Au這一點(diǎn)，從得到充分的結(jié)晶化速度和高的環(huán)境可靠性的方面來(lái)看，是特別理想的。記錄層3的材料的較為理想的組成范圍為O原子為25原子％以上至60原子％以下，M原子為1原子％以上至35原子％以下。以下，說(shuō)明其原因。在記錄層3中的O原子不到25原子％的區(qū)域中，由于記錄層3的熱傳導(dǎo)率過(guò)高，故記錄標(biāo)記過(guò)分變大，即使提高記錄功率，C/N比也不提高。與此不同，在O原子超過(guò)60原子％的區(qū)域中，由于記錄層3的熱傳導(dǎo)率過(guò)分變低，故即使提高記錄功率，記錄標(biāo)記也不充分地變大，C/N比低，靈敏度也不夠。在記錄層3中的M原子不到1原子％的區(qū)域中，在激光照射時(shí)促進(jìn)Te的結(jié)晶生長(zhǎng)的作用相對(duì)地變小，記錄層3的結(jié)晶化速度不足，不能高速地形成標(biāo)記。與此不同，在記錄層3中的M原子超過(guò)35原子％的區(qū)域中，非晶質(zhì)-結(jié)晶間的反射率變化變小，C/N比變低。此外，在記錄層3中，在以上的說(shuō)明中，以使用了由Te、O、M構(gòu)成的材料作為記錄薄膜的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但為了調(diào)整熱傳導(dǎo)率、光學(xué)常數(shù)等、或提高耐熱性、環(huán)境可靠性等，也可根據(jù)需要在記錄層3整體的5原子％以內(nèi)的組成比例的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)靥砑訌腟、N、F、B、C選出的1種或多種元素。如果將記錄層3的膜厚定為5nm以上至70nm以下，則可得到充分的C/N比。在記錄層3的膜厚不到5nm的情況下，由于不能得到充分的反射率和反射率變化，故C/N比低，此外，在超過(guò)70nm的膜厚的情況下，由于記錄層3的薄膜面內(nèi)的熱擴(kuò)散大，故在高密度的記錄中，C/N比變低。作為保護(hù)層4的材料，可使用與作為透明基板1的材料已舉出的相同的材料，但可以是與透明基板1不同的材料，也可在激光5的波長(zhǎng)下不透明。此外，保護(hù)層4的厚度不作特別的限定，但可使用約0.05～3.0mm的厚度的材料。作為第1信息層7和第2信息層9，如上所述，至少某一方必須是由介質(zhì)層2和記錄層3構(gòu)成的信息層，但另一方可具有與本發(fā)明的記錄層3不同的記錄層，也可作成不是一次寫型、而是改寫(rewritable)型或重放專用(reproduction-only)型的某一信息層。作為分離層8，可使用紫外線硬化性樹(shù)脂等。分離層8的厚度必須是至少由物鏡6的數(shù)值孔徑NA和激光5的波長(zhǎng)λ決定的焦點(diǎn)深度ΔZ以上的厚度，以便在重放第1信息層7和第2信息層9的某一方時(shí)減小來(lái)自另一方的交擾(crosstalk)。在此，關(guān)于焦點(diǎn)深度ΔZ，如果將無(wú)像差的聚光點(diǎn)的強(qiáng)度的80％定為基準(zhǔn)，則一般可近似為ΔZ＝λ/{2(NA)2}。例如，在λ＝405nm、NA＝0.65的情況下，ΔZ＝0.479微米。因而，由于±0.5微米以內(nèi)為焦點(diǎn)深度內(nèi)，故在使用該光學(xué)系統(tǒng)的情況下，可將分離層8的厚度設(shè)定為至少超過(guò)1.0微米的值。此外，為了能在第1信息層7和第2信息層9這2個(gè)信息層中進(jìn)行高密度的信息的記錄、重放，分離層8的厚度與透明基板1的厚度合起來(lái)必須處于物鏡所能容許的基體材料厚度的公差內(nèi)，以便兩信息層間的距離處于物鏡6的能聚光的范圍內(nèi)。此外，通過(guò)使各自的保護(hù)層4的一側(cè)相對(duì)地貼合2片上述光學(xué)信息記錄媒體來(lái)作成兩面結(jié)構(gòu)，可進(jìn)而使在每1片媒體中能蓄積的信息量為2倍。可利用例如真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、CVD(化學(xué)汽相淀積)法、MBE(分子束外延)法等的通常的氣相薄膜淀積法形成介質(zhì)層2、記錄層3、第1信息層7和第2信息層9。在此，例如以保護(hù)層4為基板，在其上從激光5的入射側(cè)看、從遠(yuǎn)的層開(kāi)始按順序?qū)Φ?信息層9進(jìn)行成膜。與此不同，關(guān)于第1信息層7，例如可在透明基板1上從激光5的入射側(cè)看、從近的層開(kāi)始按順序進(jìn)行成膜，也可在分離層8上從激光5的入射側(cè)看、從遠(yuǎn)的層開(kāi)始按順序進(jìn)行成膜。此外，通過(guò)將本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體在高溫條件下保持一定時(shí)間以上作為退火工序，可得到更高的C/N比和更低的抖動(dòng)(jitter)值?？烧J(rèn)為，這是由于，隨機(jī)地?cái)U(kuò)散到記錄層3中的各原子的一部分利用退火工序適度地結(jié)合而形成微小的結(jié)晶核，通過(guò)在記錄時(shí)使結(jié)晶化更平穩(wěn)地進(jìn)行，可形成標(biāo)記邊緣更加對(duì)齊的、標(biāo)記形狀更一致的標(biāo)記。退火溫度隨記錄層3的組成不同而不同，但按照本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，在60℃以上是較為理想的，再有，退火溫度還必須在透明基板1等的軟化點(diǎn)或熔點(diǎn)以下，以免透明基板1等熱變形或熔融，例如在聚碳酸酯的情況下，退火溫度必須在120℃以下。此外，退火時(shí)間隨記錄層3的組成和退火溫度不同而不同，但按照本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，為了使因退火工序得到的C/N比提高等的效果達(dá)到飽和，至少需要5分鐘，在飽和后即使繼續(xù)保持幾小時(shí)，也未在記錄及重放特性方面看到變化。在此，敘述本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的光學(xué)設(shè)計(jì)和光學(xué)特性。如果對(duì)于多層膜決定各層的材料的折射率n、消光系數(shù)k和膜厚，則對(duì)于全部的界面，根據(jù)能量守恒規(guī)則建立各界面的光能量平衡的聯(lián)立方程式，通過(guò)解該方程式，可求出對(duì)于作為多層膜整體的入射的光束的反射率、透射率和各層的吸收率(久保田廣著「波動(dòng)光學(xué)」巖波書店，1971年等)。使用該方法，進(jìn)行了以下的光學(xué)計(jì)算、設(shè)計(jì)。首先，從激光入射側(cè)開(kāi)始，按順序?qū)τ诨?記錄層/基板的結(jié)構(gòu)a、基板/介質(zhì)層/記錄層/基板的結(jié)構(gòu)b、基板/記錄層/介質(zhì)層/基板的結(jié)構(gòu)c和基板/介質(zhì)層/記錄層/介質(zhì)層/基板的結(jié)構(gòu)d這樣的各種結(jié)構(gòu)，使各層的膜厚變化，進(jìn)行了在波長(zhǎng)405nm和660nm下的光學(xué)計(jì)算。在進(jìn)行計(jì)算時(shí)，基板的光學(xué)常數(shù)n-ik在任一波長(zhǎng)下都定為1.6-i0.0。關(guān)于介質(zhì)層的光學(xué)常數(shù)，為了研究其依存性，在n＝1.5～3.0的范圍內(nèi)使其變化，作為k＝0.0，進(jìn)行了計(jì)算。關(guān)于記錄層的光學(xué)常數(shù)，設(shè)想使用Te-O-Pd(原子數(shù)比Te∶O∶Pd＝42∶53∶5)，在波長(zhǎng)405nm下，在非晶質(zhì)的情況下為2.5-i0.6，在結(jié)晶的情況下為2.0-i1.6，在波長(zhǎng)660nm下，在非晶質(zhì)的情況下為2.5-i0.6，在結(jié)晶的情況下為3.0-i1.6。這些值都是用分光器對(duì)于在石英基板上已成膜的膜厚約20nm的樣品測(cè)定反射率和透射率、根據(jù)該值通過(guò)計(jì)算求出的。再有，關(guān)于結(jié)晶狀態(tài)的樣品，使用了在爐內(nèi)、在結(jié)晶化溫度附近的250℃下保持了2分鐘而使其結(jié)晶化了的樣品。在圖4A-圖4D中示出光學(xué)計(jì)算的結(jié)果。圖中，將記錄層在結(jié)晶時(shí)的反射率設(shè)為Rcry，將記錄層在非晶質(zhì)時(shí)的反射率設(shè)為Ramo，圖示了反射率差ΔR＝Rcry-Ramo。在此，對(duì)于記錄層的膜厚為20nm和40nm的情況進(jìn)行了計(jì)算，在結(jié)構(gòu)b、c、d中，計(jì)算并圖示了使介質(zhì)層的膜厚為最佳化以使ΔR為最大時(shí)的ΔR的值。從圖4A和圖4B可知，在波長(zhǎng)660nm下，與只是記錄層的結(jié)構(gòu)a相比，在附加了介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)b、c、d中，即使把介質(zhì)層的折射率n增大到3.0，ΔR至多只提高約30％。與此不同，從圖4C和圖4D可知，在波長(zhǎng)405nm下，與結(jié)構(gòu)a相比，結(jié)構(gòu)b、c、d中，折射率n越大，ΔR越顯著地增加，提高到幾倍?？烧J(rèn)為，該兩波長(zhǎng)下的介質(zhì)層的附加效果的差別起因于記錄層的結(jié)晶的折射率n的差別、即在波長(zhǎng)405nm下，與波長(zhǎng)660nm相比，結(jié)晶的折射率小到約1.0。一般來(lái)說(shuō)，非晶質(zhì)的光學(xué)常數(shù)的波長(zhǎng)依存性較小，但結(jié)晶的光學(xué)常數(shù)的波長(zhǎng)依存性較大的情況較多。以Te為主要成分的材料的該趨勢(shì)是顯著的，如果波長(zhǎng)變短，則結(jié)晶的折射率n變小。在紅色波長(zhǎng)區(qū)域中，由于結(jié)晶的折射率n大，故沒(méi)有必要附加介質(zhì)層，可得到足夠的ΔR。但是，在紫色波長(zhǎng)區(qū)域中，由于結(jié)晶的折射率n變小，故在只有記錄層的情況下，ΔR變小。但是，通過(guò)附加折射率n高的介質(zhì)層，可得到與紅色波長(zhǎng)區(qū)域同等以上的大的ΔR。具體地說(shuō)，例如在Te-O-Pd等的Te-O-M系列的材料中，由于在500nm以下的波長(zhǎng)下結(jié)晶的折射率n小到約2.0，故通過(guò)附加折射率n為1.5以上、較為理想的是折射率n為2.0以上、最理想的是折射率n為2.5以上的介質(zhì)層2，可得到大的ΔR。圖5是本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法和記錄及重放裝置的一例的概略圖。按照?qǐng)D5，從激光二極管10射出的激光5通過(guò)半反射鏡11和物鏡6，聚焦到由電機(jī)12使之旋轉(zhuǎn)的光盤13上，進(jìn)行信息信號(hào)的記錄及重放。在進(jìn)行信息信號(hào)的記錄時(shí)，使用圖6中示出的脈沖波形，對(duì)激光5的強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)制。即，使激光5的強(qiáng)度至少在P1、P2和P3之間進(jìn)行調(diào)制，其中，P1是在照射光的情況下在使照射部瞬時(shí)地熔融方面充分的功率電平，P2和P3是即使照射光也不能使照射部瞬時(shí)地熔融的功率電平(P1＞P2≥P3≥0)。再有，為了使激光強(qiáng)度如上述那樣來(lái)調(diào)制，對(duì)半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行調(diào)制來(lái)進(jìn)行即可，或也可使用電光調(diào)制器、音響光學(xué)調(diào)制器等的裝置。對(duì)于形成標(biāo)記的部分，可以用功率電平P1的單一矩形脈沖，但是在形成特別長(zhǎng)的標(biāo)記的情況下，為了節(jié)省過(guò)剩的熱、使標(biāo)記寬度變得均勻，使用由在功率電平P1、P2和P3之間被調(diào)制的多個(gè)脈沖的串構(gòu)成的記錄脈沖串。對(duì)于不形成標(biāo)記或擦除標(biāo)記的部分，以功率電平P2保持為恒定。再者，如果在上述多個(gè)脈沖串之后設(shè)置功率電平P4(其中，P2＞P4≥0)的冷卻區(qū)間，則能除去特別容易變得熱過(guò)剩的標(biāo)記后端部分的熱、在使標(biāo)記形狀變得整齊的方面是有效的。相反，在標(biāo)記前端部分，為了使標(biāo)記寬度與后端對(duì)齊，可只擴(kuò)展上述多個(gè)脈沖串中的開(kāi)頭的脈沖的寬度，或者也可使其功率電平比P1高。此外，如果上述多個(gè)脈沖串的各脈沖和脈沖間的長(zhǎng)度為恒定，則由于能以單一頻率來(lái)調(diào)制，故能簡(jiǎn)化調(diào)制裝置，是有利的。在此，存在下述情況由于標(biāo)記的長(zhǎng)度或其前后的空間的長(zhǎng)度、進(jìn)而是相鄰的標(biāo)記的長(zhǎng)度等的各圖形的緣故，在標(biāo)記邊緣的位置方面產(chǎn)生不對(duì)齊的現(xiàn)象，成為抖動(dòng)增大的原因。在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法中，為了防止這一點(diǎn)、改善抖動(dòng)，可根據(jù)需要調(diào)整、補(bǔ)償上述脈沖串的各脈沖的位置或長(zhǎng)度，以便在每個(gè)圖形中使邊緣位置對(duì)齊。在重放以這種方式記錄的信息信號(hào)的情況下，對(duì)光盤照射功率電平P5(其中，P2＞P5＞0)的連續(xù)光，使其反射光入射到光探測(cè)器14上，將其反射光量變化作為重放信號(hào)來(lái)檢測(cè)。在具備圖3中示出的那樣的多個(gè)信息層的光學(xué)信息記錄媒體中記錄、重放信息時(shí)，為了選擇多個(gè)信息層的某一層來(lái)記錄、重放信息，必須有層識(shí)別裝置和層切換裝置等，但這一點(diǎn)已在特表平10-505188號(hào)公報(bào)中進(jìn)行了記載，此外，已被安裝在實(shí)現(xiàn)了商品化的重放專用光盤DVD的記錄、重放裝置等中，可使用這些在技術(shù)方面已確立的裝置。此外，在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體中，在將記錄層3為非晶質(zhì)的情況的透射率設(shè)為Tamo和將結(jié)晶的情況的透射率設(shè)為Tcry的情況下，成為Tamo＞Tcry。因而，在將記錄層3應(yīng)用于第1信息層7的情況下，在第2信息層中進(jìn)行記錄時(shí)，第1信息層7在未記錄狀態(tài)下進(jìn)行了記錄的情況，與第1信息層7的至少一部分在記錄完的狀態(tài)下進(jìn)行了記錄的情況相比，到達(dá)第2信息層9的激光的強(qiáng)度變大，可減少在第2信息層9的記錄中所需要的激光功率。為此，較為理想的是，本發(fā)明的光學(xué)信息記錄媒體從第2信息層9起開(kāi)始記錄，在使用完第2信息層9的可記錄的全部區(qū)域后，在第1信息層7中開(kāi)始記錄。實(shí)施例以下，利用實(shí)施例更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不由以下的實(shí)施例來(lái)限定。在以下的實(shí)施例1～3中，示出了下述的例子。(1)實(shí)施例11層信息層，槽間表面和槽記錄，透明基板的厚度為0.6mm(數(shù)值孔徑NA0.65)(2)實(shí)施例22層信息層，槽間表面和槽記錄，透明基板的厚度為0.58mm(數(shù)值孔徑NA0.65)(3)實(shí)施例34層信息層，槽記錄，透明基板的厚度為0.085mm(數(shù)值孔徑NA0.85)(實(shí)施例1)作為基板，使用了由聚碳酸酯樹(shù)脂構(gòu)成的、直徑約12cm、厚度約0.6mm，設(shè)置了槽間距約0.70微米、深度約40nm的激光引導(dǎo)用槽(groove)的基板。利用濺射法，在該基板的形成了槽的表面上依次層疊了使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約60nm的ZnS介質(zhì)層、與使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約40nm的Te-O-Pd記錄層。都使用直徑100mm、厚度約6mm的靶，介質(zhì)層用500W的RF電源進(jìn)行成膜，記錄層用100W的DC電源進(jìn)行成膜，此外，介質(zhì)層在只有Ar的氣氛中進(jìn)行成膜、記錄層在Ar與O2的混合氣體(流量比45∶55)的氣氛中進(jìn)行成膜、該氣氛的氣壓都保持為0.2Pa。在這樣形成的膜的面上經(jīng)紫外線硬化性樹(shù)脂貼合虛設(shè)基板，照射紫外線，進(jìn)行了硬化、粘接。再者，將該盤在90℃下進(jìn)行約2小時(shí)的退火，作成成品盤。將該盤定為本實(shí)施例的盤A。如果用Auger電子分光法對(duì)該盤A的Te-O-Pd記錄層的組成進(jìn)行元素分析，則其原子數(shù)比為Te∶O∶Pd＝42∶53∶5。此外，Te-O-Pd記錄層的非晶質(zhì)狀態(tài)的光學(xué)常數(shù)n-ik在波長(zhǎng)405nm下且在非晶質(zhì)的情況下為2.5-i0.6，在結(jié)晶的情況下為2.0-i1.6，在聚碳酸酯的情況下為1.6-i0.0，在ZnS的情況下為2.5-i0.0。如果根據(jù)這些光學(xué)常數(shù)來(lái)計(jì)算，則本實(shí)施例的盤的反射率為，Ramo＝11.9％、Rcry＝24.9％，ΔR＝13.0％。此外，作為第1比較例，作成了除省略了退火工序外與本實(shí)施例相同的盤B，作為第2比較例，作成了除ZnS介質(zhì)層外與本實(shí)施例相同的盤C。如果進(jìn)行與本實(shí)施例的盤A相同的計(jì)算，則該比較例的盤B的反射率為，Ramo＝12.7％、Rcry＝18.9％，ΔR＝6.2％。對(duì)于上述盤，使用波長(zhǎng)405nm、數(shù)值孔徑NA0.65的光學(xué)系統(tǒng)，一邊使其以線速度8.6m/s旋轉(zhuǎn)，一邊記錄了14.6MHz的單一信號(hào)。記錄中使用的脈沖波形是在峰值功率P1與偏置功率P2之間被調(diào)制的單一的矩形脈沖，脈沖寬度定為17.5ns。P2定為1.0mW，重放功率P5也定為相同的1.0mW。在該條件下，在未記錄的光道上只進(jìn)行1次記錄，用頻譜分析儀測(cè)定了該信號(hào)的C/N比。其結(jié)果，在本實(shí)施例的盤A中，在槽中可得到P1＝6mW下52dB的C/N比，在槽間表面中可得到P1＝7mW下52dB的C/N比。與此不同，在比較例B的盤中，在槽中可得到P1＝6mW下47dB的C/N比，在槽間表面中可得到P1＝7mW下48dB的C/N比，在比較例C的盤中，在槽中可得到P1＝6mW下48dB的C/N比，在槽間表面中可得到P1＝7mW下44dB的C/N比。由此可知，通過(guò)設(shè)置ZnS層，ΔR變大，此外，通過(guò)進(jìn)行退火，作為實(shí)用的光學(xué)信息記錄媒體可得到充分的C/N比。(實(shí)施例2)作為基板，使用了由聚碳酸酯樹(shù)脂構(gòu)成的、直徑約12cm、厚度約0.58mm，設(shè)置了槽間距約0.70微米、深度約40nm的激光引導(dǎo)用槽(groove)的基板。作為第1信息層，利用濺射法在該基板的形成了槽的表面上依次層疊了使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約70nm的ZnS介質(zhì)層、與使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約20nm的Te-O-Pd記錄層。此外，作為第2信息層，利用濺射法在另一片相同的基板的形成了槽的表面上依次層疊了使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約40nm的Te-O-Pd記錄層、與使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約60nm的ZnS介質(zhì)層。都使用直徑100mm、厚度約6mm的靶，介質(zhì)層用500W的RF電源進(jìn)行成膜，記錄層用100W的DC電源進(jìn)行成膜，此外，介質(zhì)層在只有Ar的氣氛中進(jìn)行成膜、記錄層在Ar與O2的混合氣體(流量比45∶55)的氣氛中進(jìn)行成膜、該氣氛的氣壓都保持為0.2Pa。使這樣形成的膜面相互間相對(duì)，在其間作為分離層介入紫外線硬化性樹(shù)脂，使兩者貼合，照射紫外線，進(jìn)行了硬化、粘接。再者，將該盤在90℃下進(jìn)行約2小時(shí)的退火，作成成品盤。如果對(duì)該本實(shí)施例的盤的反射率進(jìn)行與實(shí)施例同樣的計(jì)算，則第1信息層的單獨(dú)的Ramo＝3.4％、Rcry＝15.1％，ΔR＝11.7％，第2信息層的單獨(dú)的Ramo＝11.9％、Rcry＝24.9％，ΔR＝13.0％。對(duì)于上述盤，使用波長(zhǎng)405nm、數(shù)值孔徑NA0.65的光學(xué)系統(tǒng)，一邊使其以線速度8.6m/s旋轉(zhuǎn)，一邊記錄了14.6MHz的單一信號(hào)。記錄中使用的脈沖波形是在峰值功率P1與偏置功率P2之間被調(diào)制的單一的矩形脈沖，脈沖寬度定為17.5ns。P2定為1.0mW，重放功率P5在重放第1信息層的情況下，定為1.0mW，在重放第2信息層的情況下，定為1.5mW。在該條件下，在未記錄的光道上只進(jìn)行1次記錄，用頻譜分析儀測(cè)定了該信號(hào)的C/N比。其結(jié)果，在本實(shí)施例的盤中，在第1信息層的槽中可得到P1＝7mW下49dB的C/N比，在槽間表面中可得到P1＝8mW下50dB的C/N比，在第2信息層的槽中可得到P1＝10mW下50dB的C/N比，在槽間表面中可得到P1＝12mW下50dB的C/N比?？芍?，作為實(shí)用的光學(xué)信息記錄媒體都具有充分的C/N比和靈敏度。(實(shí)施例3)圖7是本發(fā)明的實(shí)施例3中的光學(xué)信息記錄媒體的剖面圖。作為保護(hù)層4，使用了由聚碳酸酯樹(shù)脂構(gòu)成的、直徑約12cm、厚度約1.1mm，設(shè)置了槽間距約0.32微米、深度約30nm的激光引導(dǎo)用槽(groove)的基板。作為第4信息層34，利用濺射法在該保護(hù)層4的形成了槽的表面上依次層疊了使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約40nm的Te-O-Pd記錄層、與使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約60nm的ZnS介質(zhì)層。使用紫外線硬化樹(shù)脂并利用2P(光聚合)法，在該第4信息層34的表面上復(fù)制與保護(hù)層相同的槽圖形，形成了厚度約10微米的分離層8c。作為第3信息層33，利用濺射法在該分離層8c的表面上依次層疊了使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約20nm的Te-O-Pd記錄層、與使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約65nm的ZnS介質(zhì)層。使用紫外線硬化樹(shù)脂并利用2P法，在該第3信息層的表面上復(fù)制與保護(hù)層相同的槽圖形，形成了厚度約10微米的分離層8b。作為第2信息層32，利用濺射法在該分離層8b的表面上依次層疊了使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約20nm的Te-O-Pd記錄層、與使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約70nm的ZnS介質(zhì)層。使用紫外線硬化樹(shù)脂并利用2P法，在該第2信息層32的表面上復(fù)制與保護(hù)層相同的槽圖形，形成了厚度約10微米的分離層8a。作為第1信息層31，利用濺射法在該分離層8a的表面上依次層疊了使用Te-Pd(原子數(shù)比90∶10)靶來(lái)形成膜厚約15nm的Te-O-Pd記錄層、與使用ZnS靶來(lái)形成膜厚約70nm的ZnS介質(zhì)層。使用紫外線硬化樹(shù)脂，在該第1信息層31的表面上貼合聚碳酸酯片，作成厚度為0.085mm(數(shù)值孔徑0.85)的透明基板1。關(guān)于成膜，都使用直徑100mm、厚度約6mm的靶，介質(zhì)層用500W的RF電源進(jìn)行成膜，記錄層用100W的DC電源進(jìn)行成膜，此外，介質(zhì)層在只有Ar的氣氛中進(jìn)行成膜、記錄層在Ar與O2的混合氣體(流量比45∶55)的氣氛中進(jìn)行成膜、該氣氛的氣壓都保持為0.2Pa。再者，將該盤在90℃下進(jìn)行約2小時(shí)的退火，作成成品盤。對(duì)于上述盤的槽，使用波長(zhǎng)405nm、數(shù)值孔徑NA0.85的光學(xué)系統(tǒng)，用物鏡6使激光5聚光并照射，一邊使上述盤以線速度8.6m/s旋轉(zhuǎn)，一邊記錄了14.6MHz的單一信號(hào)。記錄中使用的脈沖波形是在峰值功率P1與偏置功率P2之間被調(diào)制的單一的矩形脈沖，脈沖寬度定為17.5ns。P2定為0.5mW，重放功率P5在重放第1信息層的情況下，定為0.5mW，在重放第2信息層的情況下，定為0.6mW，在重放第3信息層的情況下，定為0.8mW，在重放第4信息層的情況下，定為1.1mW。在該條件下，在未記錄的光道上只進(jìn)行1次記錄，用頻譜分析儀測(cè)定了該信號(hào)的C/N比。其結(jié)果，在本實(shí)施例的盤中，在第1信息層中可得到P1＝7mW下49dB的C/N比，在第2信息層中可得到P1＝8.5mW下49dB的C/N比，在第3信息層中可得到P1＝10.5mW下49dB的C/N比，在第4信息層中可得到P1＝13.0mW下48dB的C/N比。可知，作為實(shí)用的光學(xué)信息記錄媒體都具有充分的C/N比和靈敏度。權(quán)利要求1.一種光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于在透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，上述介質(zhì)層的折射率n為1.5以上。2.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于在上述透明基板上經(jīng)各個(gè)分離層層疊n層(其中，n是2以上的整數(shù))的信息層，上述n層的信息層中的至少一層是權(quán)利要求1中的信息層。3.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于對(duì)于上述記錄層，用波長(zhǎng)為500nm以下的光束進(jìn)行記錄及重放。4.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于上述記錄層的膜厚為5nm以上至70nm以下。5.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于上述介質(zhì)層由以從ZnS、TiO2、ZrO2、Si、SiC、Si3N4和GeN中選出的至少一種作為主要成分的材料構(gòu)成。6.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于上述介質(zhì)層的消光系數(shù)k為0以上至1.0以下。7.如權(quán)利要求2中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于上述分離層為紫外線硬化樹(shù)脂。8.如權(quán)利要求2中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于上述分離層的厚度為1.0微米以上。9.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于在最外層還具備保護(hù)層。10.如權(quán)利要求9中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于在上述保護(hù)層上形成了上述信息層后，在上述信息層上形成上述透明基板。11.如權(quán)利要求1中所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于對(duì)上述光學(xué)信息記錄媒體在60℃以上的條件下進(jìn)行了保持5分鐘以上的退火。12.一種光學(xué)信息記錄媒體的制造方法，上述光學(xué)信息記錄媒體在透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，其特征在于利用氣相薄膜淀積法在上述透明基板上形成記錄層和折射率n為1.5以上的介質(zhì)層，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，在60℃以上的條件下進(jìn)行保持5分鐘以上的退火處理。13.如權(quán)利要求12中所述的光學(xué)信息記錄媒體的制造方法，其特征在于在上述透明基板上經(jīng)各個(gè)分離層層疊n層(其中，n是2以上的整數(shù))的信息層，把上述n層的信息層中的至少一層作成權(quán)利要求11的記錄層。14.一種光學(xué)信息記錄媒體的制造方法，上述光學(xué)信息記錄媒體在透明基板上具備信息層和在其上的保護(hù)層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，其特征在于首先形成上述保護(hù)層，利用氣相薄膜淀積法在上述保護(hù)層上形成記錄層和折射率n為1.5以上的介質(zhì)層，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，形成上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下、M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下的信息層，在上述信息層上貼合上述透明基板之前或之后，在60℃以上的條件下進(jìn)行保持5分鐘以上的退火處理。15.如權(quán)利要求14中所述的光學(xué)信息記錄媒體的制造方法，其特征在于在上述透明基板上經(jīng)各個(gè)分離層層疊n層(其中，n是2以上的整數(shù))的信息層，把上述n層的信息層中的至少一層作成權(quán)利要求11的記錄層。16.一種光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法，其特征在于對(duì)于光學(xué)信息記錄媒體，從透明基板一側(cè)照射波長(zhǎng)為500nm以下的光束來(lái)記錄或重放信息信號(hào)，其中，上述光學(xué)信息記錄媒體在上述透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，上述介質(zhì)層的折射率n為1.5以上。17.如權(quán)利要求16中所述的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法，其特征在于在上述透明基板上經(jīng)各個(gè)分離層層疊n層(其中，n是2以上的整數(shù))的信息層，上述n層的信息層中的至少一層是權(quán)利要求13的記錄層。18.如權(quán)利要求16中所述的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法，其特征在于在形成標(biāo)記時(shí)，以由脈沖數(shù)隨上述標(biāo)記的長(zhǎng)度而不同的脈沖串構(gòu)成的脈沖波形對(duì)上述光束進(jìn)行調(diào)制后進(jìn)行照射。19.如權(quán)利要求17中所述的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放方法，其特征在于首先在上述n層的信息層中的最終層的第n信息層的全部記錄區(qū)域上結(jié)束了記錄后，朝向激光的照射側(cè)按順序在n-1信息層中進(jìn)行記錄。20.一種光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放裝置，其特征在于具備為了對(duì)于光學(xué)信息記錄媒體進(jìn)行記錄及重放信息信號(hào)而照射波長(zhǎng)為500nm以下的光束的光束發(fā)生裝置、和在形成標(biāo)記時(shí)以由脈沖數(shù)隨上述標(biāo)記的長(zhǎng)度而不同的脈沖串構(gòu)成的脈沖波形對(duì)上述光束進(jìn)行調(diào)制的光束調(diào)制裝置，其中，上述光學(xué)信息記錄媒體在透明基板上具備信息層，上述信息層由記錄層和介質(zhì)層構(gòu)成，上述記錄層含有Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，上述記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，上述介質(zhì)層的折射率n為1.5以上。21.如權(quán)利要求20中所述的光學(xué)信息記錄媒體的記錄及重放裝置，其特征在于在上述透明基板上經(jīng)各個(gè)分離層層疊n層(其中，n是2以上的整數(shù))的信息層，上述n層的信息層中的至少一層是權(quán)利要求20的記錄層。全文摘要一種光學(xué)信息記錄媒體，在透明基板1上具備信息層21，信息層21由記錄層3和介質(zhì)層2構(gòu)成，記錄層3含Te、O和M(其中，M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中選出的1種或多種元素)，記錄層中的O原子的含有比例為25原子％以上至60原子％以下，M原子的含有比例為1原子％以上至35原子％以下，介質(zhì)層2的折射率n為1.5以上。由此提供即使在使用紫色的激光的高密度的信息的記錄及重放中也能得到高C/N比的良好記錄及重放特性的一次寫的光學(xué)信息記錄媒體及其制造方法、記錄及重放方法和記錄及重放裝置。文檔編號(hào)G11B7/257GK1479287SQ01141248公開(kāi)日2004年3月3日申請(qǐng)日期2001年8月17日優(yōu)先權(quán)日2000年8月17日發(fā)明者北浦英樹(shù),山田升申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社