本實用新型實施例提供的一種集成觸控顯示面板膜層結構簡圖，第一 電極209可W與觸控電極205位于相同層并采用同一道工藝制作而成，例如，觸控電極205復 用作公共電極，即采用透明金屬電極氧化銅錫制作而成，第一電極209也可W與觸控電極 205-樣，采用同一道工藝、相同的氧化銅錫材料制作而成，運樣可W節(jié)省工藝步驟，降低制 作成本。另外，正如在圖3和圖4所對應實施例中描述的那樣，觸控電極可W作為觸控驅動電 極，運種情況下還包括與觸控驅動電極相禪合的觸控檢測電極，或者，觸控電極可W作為 觸控檢測電極，運種情況下還包括與觸控檢測電極相禪合的觸控驅動電極。在本實施例中， W觸控電極205復用作觸控驅動電極為例，觸控電極205接收由集成電路傳輸?shù)挠|控驅動信 號，第一電極209與觸控電極205-樣，也接收相同的觸控驅動信號。但是，觸控電極205除接 收觸控驅動信號W外，還與相對應的觸控檢測電極進行電容禪合，觸控檢測電極根據(jù)該禪 合電容的大小，將檢測到的禪合信號反饋回集成電路;而集成觸控顯示面板并不設置與第 一電極209相對應的觸控檢測電極，即，第一電極209只是執(zhí)行"空掃描"，通過采用運樣的設 計，第一電極209可W屏蔽周邊電路區(qū)203對顯示區(qū)201中觸控電極205的信號干擾，而且可 W使得最兩側觸控電極的狀態(tài)基本和顯示區(qū)內部的觸控電極相當，具備較好的背景噪聲處 理效果。需要說明的是，對于本實用新型實施例提出的集成觸控顯示面板的屏蔽結構的屏 蔽效果，對于顯示區(qū)中位于"最兩側的"觸控電極的效果尤為明顯，"最兩側的"觸控電極即 位于顯示區(qū)的所有觸控電極中最靠近左右兩邊的兩個條狀觸控電極。
[0027] 可選的，除前述情況W外，第一電極209也可W接地，運樣設計的好處是:使最兩側 觸控電極的顯示基本電位不受影響，減輕周邊區(qū)域線路帶來的干擾影響。
[0028] 可選的，周邊電路區(qū)203包括總線區(qū)（圖中未給出）和TFT元件區(qū)（圖中未給出），總 線區(qū)包括提供恒定高電位的第一總線（圖中未給出）W及提供恒定低電位的第二總線（圖中 未給出），除前述方案之外，第一電極209也可W與第一總線或所述第二總線電連接，從而屏 蔽周邊電路區(qū)帶來的信號干擾。
[0029] 可選的，除圖5所對應實施例中描述的那樣，第一電極209還可W與觸控電極位于 相同層并且采用金屬材料制作而成，并且第一電極209接收恒定電位或者接地，運樣設計的 好處是:在特定情況下由于是金屬材料制作的，電位屏蔽作用不受外界干擾。
[0030] 可選的，除前述不同的設計之外，還可W采用如下設計方式。眾所周知，對于觸控 顯示面板而言，包括柵極金屬層和源漏極金屬層，柵極金屬層刻蝕形成柵極線和柵極，源漏 極金屬層刻蝕形成源極和漏極，柵極、源極和漏極共同形成控制像素發(fā)光的薄膜晶體管的 =個電極。第一電極209可W與觸控電極205設置在不同層，如圖7所提供的一種集成觸控顯 示面板所示，第一電極209與柵極線和柵極（圖中未給出）位于相同層并采用同一道工藝、用 相同金屬材料制作而成;或者第一電極209與源極和漏極（圖中未給出）位于相同層并采用 同一道工藝、用相同金屬材料制作，并且第一電極209接收恒定電位或者不接收任何電信 號，運樣設計的好處是：在特定情況下由于是金屬材料制作的，電位屏蔽作用不受外界干 擾，同時，相較于單獨制作的金屬屏蔽電極，本方案更節(jié)省成本。
[0031] 圖8為本實用新型實施例提供的又一種集成觸控顯示面板300,包括顯示區(qū)301和 位于顯示區(qū)301兩側的周邊電路區(qū)303;顯示區(qū)301包括多個條狀的觸控電極305,觸控電極 305沿第一方向Dl延伸、并且沿第二方向D2依次排布，第一方向Dl與第二方向D2交叉;周邊 電路區(qū)303包括總線區(qū)313和TFT元件區(qū)311，總線區(qū)313位于觸控電極305與周邊電路區(qū)303 的交界位置。總線區(qū)313包括提供恒定高電位的第一總線（圖中未給出）W及提供恒定低電 位的第二總線（圖中未給出）。第一總線和/或第二總線構成屏蔽結構，第一總線和第二總線 均接收的是恒定的電位，運樣設計的好處是:相較于前述諸多方案，本方案不增加任何新的 屏蔽線路，而是直接利用周邊電路區(qū)中現(xiàn)有的線路結構，具備一定屏蔽效果的同時實現(xiàn)窄 邊框。
[0032] 圖9為本實用新型實施例提供的一種集成觸控顯示面板400,包括顯示區(qū)401和位 于顯示區(qū)401兩側的周邊電路區(qū)403;顯示區(qū)401包括多個條狀的觸控電極405,觸控電極405 沿第一方向Dl延伸、并且沿第二方向D2依次排布，第一方向Dl與第二方向D2交叉;在觸控電 極405與周邊電路區(qū)403的交界位置包括第一電極409,第一電極409形狀為沿第一方向Dl的 條狀電極，第一電極409在交界位置位于條狀觸控電極405和周邊電路區(qū)403之間。具體的， 相鄰兩個觸控電極405在沿第二方向D2上的間距為第一寬度Wl，周邊電路區(qū)403與其最接近 的觸控電極405在沿第二方向D2上的間距為第二寬度W2,第一電極409與其最接近的觸控電 極405在沿第二方向D2上的間距為第=寬度W3,任一觸控電極405在沿第二方向D2上的寬度 為第四寬度W4,第一電極409在沿第二方向D2上的寬度為第五寬度W5。圖10為集成觸控顯示 面板周邊電路區(qū)對觸控信號的信號干擾圖，圖10中W兩個觸控電極Ni-I和Ni上的信號為 例，其中Ni-I信號比較穩(wěn)定，未產(chǎn)生波動，可W認為接收Ni-I信號的觸控電極沒有受到周邊 電路區(qū)的信號干擾;Ni信號產(chǎn)生了波動，波動比率為S，可W認為接收Ni信號的觸控電極受 到了周邊電路區(qū)的信號干擾。表1為未設置屏蔽結構時不同尺寸下周邊電路區(qū)對觸控電極 的信號干擾程度。
[0033] 表1未設置屏蔽結構時不同尺寸下周邊電路區(qū)對觸控電極的信號干擾程度
[0034]
[0035] 結合圖9、圖10和表1，可W看到，在不設置第一電極409的情況下，當?shù)谝粚挾萕l為 6微米，第二寬度W2分別為40微米、20微米、10微米和8微米時，觸控電極受到周邊電路區(qū)的 信號干擾的信號波動比率分別為0.31 %、0.34%、0.35%和0.39%。根據(jù)觸控面板的工作原 理，當波動比率為S小于或等于0.3%的情況下，觸控面板識別觸控點位置的能力較強，識別 觸控的速率較快，觸控性能顯著提高。并且，隨著波動比率S不斷降低，觸控面板識別觸控點 位置的能力將逐步增強，識別觸控的速率逐步加快，有利于提高觸控性能，尤其當波動比率 S小于或等于0.2%的情況下，運周邊電路區(qū)對觸控電極的信號干擾可W忽略不計，觸控性 能達到最好。在表1中，當?shù)谝粚挾萕l為6微米，第二寬度W2分別為40微米時，波動比率S為 0.31 %，運一數(shù)值已經(jīng)很接近0.3%，運種設計下的集成觸控顯示面板識別觸控點位置的 能力相較于現(xiàn)有技術中的觸控顯示面板有顯著的增強，但是運種設計存在不利于窄邊框運 一明顯的缺點。
[0036] 表2設置屏蔽結構時周邊電路區(qū)對觸控電極的信號干擾程度
[0038]在表1的基礎上，表2W第一電極的寬度W5為3微米為例，進一步說明設置屏蔽結構 時周邊電路區(qū)對觸控電極的信號干擾程度。結合表1和表2可W看到，當在條狀觸控電極和 周邊電路區(qū)的交界位置增設了屏蔽結構的情況下，波動比率S得到顯著降低，即設置的屏蔽 結構沿著第二方向D2距離觸控電極的距離W3大于等于2.5微米并小于等于8.5微米的時候， 觸控面板識別觸控點位置的能力較強，識別觸控的速率較快，觸控性能顯著提高。進一步 的，當?shù)谝粚挾萕l為6微米，第二寬度W2為8微米、第S寬度W3 = 2.5微米、第四寬度W4 = 2.57 X 1000微米、第五寬度W5 = 3微米時，波動比率S達到0.19%，此種情況下，周邊電路區(qū)對觸 控電極的信號干擾可W忽略不計，觸控性能達到最好。
[0039]表3設置屏蔽結構時周邊電路區(qū)對觸控電極的信號干擾程度
[0042] 在表1的基礎上，表3W第一電極的寬度W5為4微米為例，進一步說明設置屏蔽結構 時周邊電路區(qū)對觸控電極的信號干擾程度。結合表1和表3可W看到，當在條狀觸控電極和 周邊電路區(qū)的交界位置增設了屏