一種內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控面板，尤其涉及一種內(nèi)嵌式(in-cell)觸控面板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管液晶顯不器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)包括下基板、形成于下基板上的薄膜晶體管、與下基板相對(duì)設(shè)置的上基板、形成于上基板上的彩色濾光層(諸如紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片)、以及密封于上下兩基板間的空隙的液晶層。薄膜晶體管的作用相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)管。一般來(lái)說(shuō)，首先在玻璃基板上制作半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層的兩端有與之相連接的源極(Source)和漏極(Drain)，然后通過(guò)柵極絕緣層和半導(dǎo)體層相對(duì)設(shè)置有柵極(Gate)，從而利用施加于柵極的電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流大小。
[0003]另一方面，當(dāng)今市場(chǎng)上的觸控面板可分為外掛式(on-cell)和內(nèi)嵌式(in-cell)兩種:外掛式是將觸控感測(cè)器制作于彩色濾光片的表面，將觸控感應(yīng)器加上玻璃做成觸控面板模組，然后再與薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)面板模組貼合。內(nèi)嵌式是將觸控感測(cè)器制作于面板結(jié)構(gòu)中，直接把觸控感應(yīng)器置于薄膜晶體管液晶顯示器面板模組中，觸控功能整合于顯示器內(nèi)，不必再外掛觸控面板，因此其厚度也較外掛式觸控面板輕而薄。
[0004]現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸控面板的一種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是頂層為共通電極層(common electrodelayer)，其采用10道光蝕刻工藝予以實(shí)現(xiàn)，S卩，依次形成第一金屬層、柵極絕緣層、非晶硅層、第二金屬層、第一絕緣層、平坦層、像素電極層、第二絕緣層、第三金屬層、第三絕緣層和共通電極層。該結(jié)構(gòu)利用新增設(shè)的第三金屬層作為面板內(nèi)部的觸控感測(cè)器。另一種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是頂層為像素電極層(pixel electrode layer)，其也采用10道光蝕刻工藝予以實(shí)現(xiàn)，即，依次形成第一金屬層、柵極絕緣層、非晶硅層、第二金屬層、第一絕緣層、平坦層、共通電極層、第二絕緣層、第三金屬層、第三絕緣層和共通電極層。由于上述兩種結(jié)構(gòu)所使用的光蝕刻工藝的數(shù)量較多，導(dǎo)致制程成本較高，產(chǎn)出下降。此外，上述兩種設(shè)計(jì)在形成絕緣層上的過(guò)孔時(shí)，均需要采用分開(kāi)的曝光/蝕刻制程，其制程也較為復(fù)雜。
[0005]有鑒于此，如何構(gòu)思一種新的內(nèi)嵌式觸控面板的制程與設(shè)計(jì)，或?qū)ΜF(xiàn)有的解決方案予以改進(jìn)，從而降低光蝕刻工藝的數(shù)量，節(jié)省成本并增加產(chǎn)能，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的內(nèi)嵌式觸控面板所存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種新穎的、用于內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法。
[0007 ]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法，包括以下步驟:
[0008]形成一第一金屬層于一基板上，該第一金屬層經(jīng)蝕刻用以定義薄膜晶體管的柵極；
[0009]形成非晶硅層于所述第一金屬層的上方且與柵極正對(duì)設(shè)置；
[0010]形成一第二金屬層于所述非晶硅層的上方，該第二金屬層經(jīng)蝕刻用以定義該薄膜晶體管的源極和漏極；
[0011 ]形成一第一絕緣層以覆蓋該源極和該漏極；
[0012]形成一平坦層于所述第一絕緣層的上方；
[0013]形成一第三金屬層于該平坦層的上方；
[0014]形成一第二絕緣層于所述第三金屬層的上方；
[0015]形成一第一導(dǎo)電層于所述第二絕緣層的上方；
[0016]形成一第三絕緣層于所述第一導(dǎo)電層的上方；以及
[0017]形成一第二導(dǎo)電層于所述第三絕緣層的上方，
[0018]其中，所述內(nèi)嵌式觸控面板還包括一第一過(guò)孔和一第二過(guò)孔，所述第一過(guò)孔由依次蝕刻所述第三絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層所形成，所述第二過(guò)孔由依次蝕刻所述第三絕緣層和所述第二絕緣層所形成，所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔形成于同一蝕刻制程。
[0019]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層為像素電極，所述第二導(dǎo)電層為共通電極。
[0020]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層涂布于所述第一過(guò)孔的側(cè)壁以及所述第二過(guò)孔的側(cè)壁。
[0021]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二過(guò)孔的中心位置，且藉由所述第二導(dǎo)電層電性橋接至所述第三金屬層。
[0022]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層為共通電極，所述第二導(dǎo)電層為像素電極。
[0023]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層涂布于所述第一過(guò)孔的側(cè)壁以及所述第二過(guò)孔的側(cè)壁。
[0024]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述第一過(guò)孔的中心位置，且藉由所述第二導(dǎo)電層電性橋接至所述第二金屬層。
[0025]在其中的一實(shí)施例，所述像素電極電性耦接至所述薄膜晶體管的漏極。
[0026]在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層均為氧化銦錫材質(zhì)。
[0027]采用本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法，其第一金屬層形成于基板的上方且定義薄膜晶體管的柵極，柵極絕緣層形成于第一金屬層的上方，非晶硅層位于該柵極絕緣層的上方且與柵極正對(duì)設(shè)置，第二金屬層位于非晶硅層的上方且用以定義該薄膜晶體管的源極和漏極，第一絕緣層位于該柵極絕緣層的上方并覆蓋該源極和該漏極，平坦層位于第一絕緣層的上方，第三金屬層位于平坦層的上方，第二絕緣層設(shè)置在第三金屬層的上方，第一導(dǎo)電層位于第二絕緣層的上方，第三絕緣層位于第一導(dǎo)電層的上方，以及第二導(dǎo)電層設(shè)置在第三絕緣層的上方。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控面板中的第一過(guò)孔由依次蝕刻第三絕緣層、第二絕緣層以及第一絕緣層所形成，第二過(guò)孔由依次蝕刻第三絕緣層和第二絕緣層所形成，且第一過(guò)孔與第二過(guò)孔形成于同一蝕刻制程，這樣將減少光蝕刻工藝的數(shù)量，進(jìn)而降低制程成本和增加產(chǎn)能。
【附圖說(shuō)明】
[0028]讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，
[0029]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的一種內(nèi)嵌式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2示出現(xiàn)有技術(shù)的另一種內(nèi)嵌式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，可降低光蝕刻工藝的數(shù)量的內(nèi)嵌式觸控面板的制造方法的流程框圖；
[0032]圖4示出采用圖3的制造方法所形成的內(nèi)嵌式觸控面板的一具體實(shí)施例；以及
[0033]圖5示出采用圖3的制造方法所形成的內(nèi)嵌式觸控面板的另一具體實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為了使本申請(qǐng)所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來(lái)限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說(shuō)明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。
[0035]下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明各個(gè)方面的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0036]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的一種內(nèi)嵌式觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]參照?qǐng)D1，現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸控面板(in-cell touch panel)包括基板(substrate)100、第一金屬層(first metal layer，Ml)102、棚.極絕緣層(gate insulat1n layer)104、非晶娃層(a-Si layer)、第二金屬層(second metal layer，M2)、第一絕緣層(f irstinsulat1n layer，BPl)110、平坦層(planarizat1n layer，PL)112、第三金屬層(thirdmetal layer，M3) 114、第二絕緣層(second insulat1n layer，BP2) 116、第一導(dǎo)電層(first conductive layer) 118、第三絕緣層(third insulat1n layer，BP3)120和第二導(dǎo)電層(second conductive layer) 122o
[0038]具體來(lái)說(shuō)，第一金屬層102形成于基板100上，經(jīng)蝕刻之后用來(lái)定義薄膜晶體管的柵極。柵極絕緣層104位于第一金屬層102的上方，用以覆蓋薄膜晶體管的柵極。非晶硅層形成于第一金屬層102的上方且與柵極正對(duì)設(shè)置。第二金屬層形成于非晶硅層的上方，經(jīng)蝕刻用以定義該薄膜晶體管的源極106和漏極108。第一絕緣層110形成于第二金屬層的上