面圖。圖7B所示為沿圖6B中與掃描線611平行的線S4剖開的切面示意圖。如圖7B所示，陣列基板600B包括襯底基板60，襯底基板60包括顯示區(qū)601和非顯示區(qū)602。陣列基板600B還包括在垂直于襯底基板60的方向上排列的第一金屬層61、第二金屬層62和TFT遮光金屬層65。其中，第一金屬層61用于形成陣列基板600B的掃描線611和TFT的柵極612，第二金屬層62用于形成陣列基板600B的數(shù)據(jù)線621以及TFT的源極622和漏極623。顯示區(qū)601內(nèi)設(shè)有多個(gè)呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向?yàn)閽呙杈€611的延伸方向，像素單元的列方向?yàn)閿?shù)據(jù)線621的延伸方向。陣列基板600B還包括觸控電極層63和與TFT遮光金屬層65同層設(shè)置的觸控信號(hào)線653。觸控電極層63包括多個(gè)觸控電極631。觸控信號(hào)線653與一個(gè)觸控電極631電相連，為觸控電極631傳輸觸控信號(hào)。
[0050]在本實(shí)施的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板600B還包括形成于TFT遮光金屬層65和觸控電極層63之間的第三絕緣層64。第三絕緣層64上設(shè)有貫穿第三絕緣層的至少一個(gè)第三導(dǎo)通孔642。觸控信號(hào)線653通過至少一個(gè)第三導(dǎo)通孔642與多個(gè)觸控電極631電連接。[0051 ] 如圖7A和圖7B所示，第三絕緣層64可以形成于TFT遮光金屬層65和觸控電極層63之間。第三絕緣層可以為多個(gè)，例如當(dāng)?shù)谝唤饘賹?1和第二金屬層62形成于觸控電極層63和TFT遮光金屬層65之間時(shí)，TFT遮光金屬層和第一金屬層61之間、第一金屬層61和第二金屬層62之間、第二金屬層62和觸控電極層63之間均設(shè)有第三絕緣層64。在制作陣列基板時(shí)，可以沿垂直于襯底基板方向依次形成:TFT遮光金屬層65、第一層第三絕緣層64、第一金屬層61、第二層第三絕緣層64、第二金屬層62、第三層第三絕緣層64、觸控電極層63，并在第一層第三絕緣層64、第二層第三絕緣層64和第三層第三絕緣層64的相對(duì)的位置上設(shè)置有第三導(dǎo)通孔。觸控信號(hào)線652或653形成于TFT遮光金屬層65上，通過第三導(dǎo)通孔與觸控電極631電連接。在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，在第三絕緣層64上可以設(shè)有多個(gè)并聯(lián)的第三導(dǎo)通孔。多個(gè)并聯(lián)的第三導(dǎo)通孔不僅可以進(jìn)一步減小觸控電極的電阻，還可以進(jìn)一步增強(qiáng)觸控信號(hào)線與觸控電極的連接的穩(wěn)定性。
[0052]在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式中，第三導(dǎo)通孔641或642設(shè)置于相鄰的兩個(gè)像素單元之間。在本實(shí)施例中，任意兩個(gè)第三導(dǎo)通孔之間可以相隔多個(gè)像素單元的長度，多個(gè)公共電極可以共用一個(gè)第三導(dǎo)通孔，以提升陣列基板的開口率。
[0053]請(qǐng)參考圖8，其示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓脑僖粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，陣列基板800包括顯示區(qū)801和非顯示區(qū)802。陣列基板800上設(shè)有呈陣列排布的像素單元803、沿像素單元803的行方向延伸的掃描線811以及沿像素單元803的列方向延伸的數(shù)據(jù)線821。在本實(shí)施例中，陣列基板800上還設(shè)有多個(gè)觸控電極831。用于向觸控電極831傳輸觸控信號(hào)的觸控信號(hào)線822與數(shù)據(jù)線821所在的第二金屬層同層設(shè)置，且觸控信號(hào)線822設(shè)置于非顯示區(qū)802內(nèi)。觸控信號(hào)線822與數(shù)據(jù)線821在非顯示區(qū)的部分絕緣且與任意相鄰的數(shù)據(jù)線無交叉。如圖8所示，數(shù)據(jù)線821在非顯示區(qū)802的延伸方向與像素單元的列方向不一致。在非顯示區(qū)802內(nèi)，數(shù)據(jù)線821與設(shè)置于非顯示區(qū)802的驅(qū)動(dòng)芯片(圖8中未示出)連接。驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)置于非顯示區(qū)802的一個(gè)子區(qū)域8021中。數(shù)據(jù)線821在非顯示區(qū)802的子區(qū)域8021中的走線可以形成一個(gè)扇形結(jié)構(gòu)。圖8中示出了該扇形結(jié)構(gòu)的一部分區(qū)域內(nèi)部分?jǐn)?shù)據(jù)線821和部分觸控信號(hào)線822的走線方向。觸控電極831通過設(shè)置于非顯示區(qū)802的觸控信號(hào)線連接至驅(qū)動(dòng)芯片。每條觸控信號(hào)線822與其相鄰的數(shù)據(jù)線821在非顯示區(qū)802的走線方向近似平行，且相互絕緣。在顯示時(shí)數(shù)據(jù)線821接收驅(qū)動(dòng)電路輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)，此時(shí)觸控信號(hào)線822作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于數(shù)據(jù)線821和觸控信號(hào)線822絕緣，數(shù)據(jù)線821和觸控信號(hào)線822上的信號(hào)互不干擾，避免形成寄生電容影響顯示效果。
[0054]在圖8所示的實(shí)施例中，觸控信號(hào)線822設(shè)置于由數(shù)據(jù)線821在非顯示區(qū)內(nèi)的走線部分形成的扇形結(jié)構(gòu)中。且觸控信號(hào)線822的走線方向與顯示區(qū)801內(nèi)的掃描線811的走線方向形成<90°的角度。各觸控信號(hào)線822之間可以互不平行。在沿著扇形結(jié)構(gòu)的中心向兩邊方向上，各觸控信號(hào)線822的走線方向與顯示區(qū)801內(nèi)的掃描線811的走線方向形成的夾角逐漸增大。在扇形結(jié)構(gòu)的中心部分，觸控信號(hào)線822的走線方向與顯示區(qū)801內(nèi)的數(shù)據(jù)線821方向一致。
[0055]在本實(shí)施例中，將觸控信號(hào)線822設(shè)置于非顯示區(qū)，且與數(shù)據(jù)線互不相交，可以進(jìn)一步地減少顯示區(qū)的走線數(shù)量。通過采用本實(shí)施例提供的陣列基板，無需在顯示區(qū)為觸控信號(hào)線設(shè)置走線空間，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化顯示區(qū)內(nèi)的走線設(shè)計(jì)，減小工藝復(fù)雜度。同時(shí)，將觸控信號(hào)線設(shè)置于與數(shù)據(jù)線在非顯示區(qū)的走線部分形成的扇形結(jié)構(gòu)中，可以簡(jiǎn)化非顯示區(qū)內(nèi)的走線設(shè)計(jì)，減小非顯示區(qū)內(nèi)觸控信號(hào)線所占用的空間，有利于窄邊框的設(shè)計(jì)。
[0056]在現(xiàn)有的陣列基板的設(shè)計(jì)中，觸控信號(hào)線位于顯示區(qū)內(nèi)，為了避免觸控信號(hào)線與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生寄生電容或發(fā)生短路影響顯示效果和觸摸檢測(cè)精度，通常將兩條數(shù)據(jù)線設(shè)置在相鄰兩個(gè)像素單元之間的同一刻縫內(nèi)，觸控信號(hào)線排布于未設(shè)置數(shù)據(jù)線的相鄰兩個(gè)像素單元之間的刻縫內(nèi)。這樣，在同一刻縫內(nèi)的相鄰兩條數(shù)據(jù)線通過同一條連接線先后接收數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，懸空的一條數(shù)據(jù)線會(huì)受到相鄰的被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線上的信號(hào)的影響。通過采用本實(shí)施例所描述的方案，將觸控信號(hào)線822與第二金屬層82同層設(shè)置，且設(shè)置于非顯示區(qū)內(nèi)，可以在任意兩條相鄰數(shù)據(jù)線之間設(shè)置觸控信號(hào)線。則在顯示區(qū)內(nèi)相鄰兩列像素單元之間可以僅設(shè)置一條數(shù)據(jù)線。在通過同一條信號(hào)線對(duì)數(shù)據(jù)線先后驅(qū)動(dòng)時(shí)懸空的數(shù)據(jù)線不會(huì)受到被驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)線上的信號(hào)的影響，避免了對(duì)顯示效果造成的影響。
[0057]在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板還包括形成于第二金屬層和觸控電極層之間的第四絕緣層。第四絕緣層上設(shè)有貫穿第四絕緣層的至少一個(gè)第四導(dǎo)通孔841，觸控信號(hào)線822通過至少一個(gè)第四導(dǎo)通孔841與多個(gè)觸控電極電連接。
[0058]在本實(shí)施的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板800還包括多個(gè)觸控電極線墊832。觸控電極線墊832在觸控電極層83所在平面具有正投影且正投影位于觸控電極層在非顯示區(qū)802的部分內(nèi)。觸控電極線墊832可以設(shè)置于第四絕緣層84上。觸控電極線墊832上可以設(shè)有與第四導(dǎo)通孔841對(duì)應(yīng)的過孔，觸控信號(hào)線822通過第四絕緣層上的第四導(dǎo)通孔841以及觸控電極線墊832上的過孔與觸控電極831電連接。
[0059]進(jìn)一步參考圖9，其示出了圖8所示陣列基板的局部剖面圖。圖9所示為沿圖8中與數(shù)據(jù)線811平行線的S5剖開的切面示意圖。如圖9所示，陣列基板800包括襯底基板80，襯底基板80包括顯不區(qū)801和非顯不區(qū)802。陣列基板800還包括在垂直于襯底基板80的方向上排列的第一金屬層81和第二金屬層82。其中，第一金屬層81用于形成陣列基板800的掃描線，第二金屬層82用于形成陣列基板800的數(shù)據(jù)線821。顯示區(qū)801內(nèi)設(shè)有多個(gè)呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向?yàn)閽呙杈€811的延伸方向，像素單元的列方向?yàn)閿?shù)據(jù)線821的延伸方向。陣列基板800還包括觸控電極層83和設(shè)置于非顯示區(qū)802的觸控信號(hào)線822。觸控信號(hào)線822與第二金屬層82同層設(shè)置。觸控電極層83包括多個(gè)觸控電極831。觸控信號(hào)線822與一個(gè)觸控電極831電相連，為觸控電極831傳輸觸控信號(hào)。
[0060]在本實(shí)施的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板800還包括形成于第二金屬層82和觸控電極層83之間的第四絕緣層84以及觸控電極線墊832。第四絕緣層84上設(shè)有貫穿第四絕緣層的至少一個(gè)第四導(dǎo)通孔841。觸控信號(hào)線822通過至少一個(gè)第四導(dǎo)通孔841與多個(gè)觸控電極831電連接。觸控電極線墊832上可以設(shè)有與第四導(dǎo)通孔841的位置對(duì)應(yīng)的過孔833。觸控信號(hào)線822通過第四導(dǎo)通孔841和過孔833與觸控電極831電連接。觸控信號(hào)線822走線的寬度較小，而觸控電極831的面積通常較大，通過設(shè)置觸控電極線墊832，可以增大觸控信號(hào)線822與觸控電極831的接觸面積，提升觸控信號(hào)線822與觸控電極831之間的連接的穩(wěn)定性。
[0061]在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，在第二絕緣層84上可以設(shè)有多個(gè)并聯(lián)的第四導(dǎo)通孔841。多個(gè)并聯(lián)的第四導(dǎo)通孔841可以進(jìn)一步減小觸控電極的電阻，還可以保證觸控信號(hào)線與觸控電極電連接的穩(wěn)定性。
[0062]在上述實(shí)施例中，設(shè)置于觸控電極層的多個(gè)觸控電極彼此絕緣，可選的，觸控電極在觸控階段用作觸控電極，在顯示階段用作公共電極。如此一來可以將觸控功能集成于顯示面板當(dāng)中，大大減小了顯示面板的厚度，有利于顯示面板的輕薄化。本實(shí)施例中觸控功能的實(shí)現(xiàn)可以通過互容式觸控，也可以通過自容式觸控。對(duì)于互容式觸控，包括觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控檢測(cè)電極，觸控驅(qū)動(dòng)電極被依次輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，觸控檢測(cè)電極輸出檢測(cè)信號(hào)，觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控檢測(cè)電極形成電容，當(dāng)觸控顯示面板上發(fā)生觸控時(shí)，會(huì)影響觸摸點(diǎn)附近觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控檢測(cè)電極之間的耦合，從而改變