設(shè)有貫穿第一絕緣層24的至少一個第一導(dǎo)通孔241。觸控信號線212通過至少一個第一導(dǎo)通孔241與多個觸控電極231電連接。
[0033]如圖3所示，第一絕緣層24可以形成于第一金屬層21和觸控電極層23之間。第一絕緣層可以為多個，例如當(dāng)?shù)诙饘賹?2形成于第一金屬層21和觸控電極層23之間時，第一金屬層21和第二金屬層22之間、以及第二金屬層22和觸控電極層23之間可以均設(shè)有第一絕緣層24。在制作陣列基板時，可以沿垂直于襯底基板方向依次形成:第一金屬層21、第一層第一絕緣層、第二金屬層22、第二層第一絕緣層、觸控電極層23，并在第一層第一絕緣層和第二層第一絕緣層相對的位置上設(shè)置第一導(dǎo)通孔。觸控信號線212形成于第一金屬層21上，通過貫穿第一層第一絕緣層和第二層第一絕緣層的第一導(dǎo)通孔241與觸控電極231電連接。
[0034]在本實施例的一些可選的實現(xiàn)方式中，在第一絕緣層24上可以設(shè)有多個并聯(lián)的第一導(dǎo)通孔241。多個并聯(lián)的第一導(dǎo)通孔不僅可以進一步減小觸控電極的電阻，還可以在觸控信號線無法通過一個第一導(dǎo)通孔向觸控電極傳輸信號時其他第一導(dǎo)通孔可以保證觸控信號線與觸控電極的電連接的穩(wěn)定性。
[0035]在進一步的實現(xiàn)方式中，第一導(dǎo)通孔241設(shè)置于相鄰的兩個像素單元之間。在本實施例中，可以以一定長度間隔設(shè)置第一導(dǎo)通孔。任意兩個第一導(dǎo)通孔241之間相隔多個像素單元的長度，即多個像素單元之間僅設(shè)置一個導(dǎo)通孔，有利于提升陣列基板的開口率。
[0036]需要說明的是，陣列基板200的非顯示區(qū)202內(nèi)設(shè)有柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路以及薄膜晶體管，這些公知的結(jié)構(gòu)在圖2中并未示出。
[0037]請參考圖4，其示出了本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓牧硪粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，陣列基板400包括呈陣列排布的像素單元403、沿像素單元403的行方向延伸的掃描線411以及沿像素單元403的列方向延伸的數(shù)據(jù)線421。在本實施例中，用于向觸控電極傳輸觸控信號的觸控信號線422與數(shù)據(jù)線421所在的第二金屬層同層設(shè)置。觸控信號線422設(shè)置于相鄰兩列像素單元403之間，與顯示區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線421絕緣且走線方向一致。在圖4中，觸控信號線422與數(shù)據(jù)線421平行。在顯示階段，數(shù)據(jù)線421接收驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)信號，此時觸控信號線422作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于數(shù)據(jù)線421和觸控信號線422絕緣，數(shù)據(jù)線421和觸控信號線422上的信號互不干擾，避免形成寄生電容影響顯示效果。并且可以使用一道工序同時形成觸控信號線422與數(shù)據(jù)線421，降低了工藝成本，也減少了顯示面板的膜層數(shù)量。
[0038]在本實施例的一些可選的實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括形成于第二金屬層和觸控電極層之間的第二絕緣層。第二絕緣層上設(shè)有貫穿第二絕緣層的至少一個第二導(dǎo)通孔441，觸控信號線422通過至少一個第二導(dǎo)通孔441與多個觸控電極電連接。
[0039]進一步參考圖5，其示出了圖4所示陣列基板的局部剖面圖。圖5所示為沿圖4中與掃描線411平行的線S2剖開的切面示意圖。如圖5所示，陣列基板400包括襯底基板40，襯底基板40包括顯示區(qū)401和非顯示區(qū)402。陣列基板400還包括在垂直于襯底基板40的方向上排列的第一金屬層41和第二金屬層42。其中，第一金屬層41用于形成陣列基板400的掃描線411，第二金屬層42用于形成陣列基板400的數(shù)據(jù)線421。顯示區(qū)401內(nèi)設(shè)有多個呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向為掃描線411的延伸方向，像素單元的列方向為數(shù)據(jù)線421的延伸方向。陣列基板400還包括觸控電極層43和觸控信號線422。觸控信號線422與第二金屬層42同層設(shè)置。觸控電極層43包括多個觸控電極431。觸控信號線422與一個觸控電極431電相連，為觸控電極431傳輸觸控信號。
[0040]在本實施的一些可選的實現(xiàn)方式中，陣列400還包括形成于第二金屬層42和觸控電極層43之間的第二絕緣層44。第二絕緣層44上設(shè)有貫穿第二絕緣層的至少一個第二導(dǎo)通孔441。觸控信號線422通過至少一個第二導(dǎo)通孔441與多個觸控電極431電連接。
[0041]如圖5所示，第二絕緣層44可以形成于第二金屬層42和觸控電極層43之間。在本實施例的一些可選的實現(xiàn)方式中，在第二絕緣層44上可以設(shè)有多個并聯(lián)的第二導(dǎo)通孔441。多個并聯(lián)的第一導(dǎo)通孔不僅可以進一步減小觸控電極的電阻，還可以保證觸控信號線與觸控電極的連接的穩(wěn)定性。
[0042]在進一步的實現(xiàn)方式中，第二導(dǎo)通孔441設(shè)置于相鄰的兩個像素單元之間。在本實施例中，任意兩個第二導(dǎo)通孔441之間可以相隔多個像素單元的長度，多個公共電極可以共用一個第二導(dǎo)通孔，有利于提升陣列基板的開口率。
[0043]在一些實施例中，如果陣列基板用于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶娃)屏幕，則陣列基板還可以包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)遮光金屬層，用于遮擋陣列基板上與像素單元連接的TFT，避免TFT受到光照后產(chǎn)生漏電流影響像素單元的掃描和顯示。
[0044]進一步參考圖6A，其示出了本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓挠忠粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6A所示，陣列基板600A包括呈陣列排布的像素單元603、沿像素單元603的行方向延伸的掃描線611以及沿像素單元603的列方向延伸的數(shù)據(jù)線621JFT遮光金屬層在襯底基板上具有正投影，且正投影將TFT遮擋，避免TFT受到光照。在本實施例中，用于向觸控電極傳輸觸控信號的觸控信號線652與TFT遮光金屬651所在的TFT遮光金屬層同層設(shè)置。觸控信號線652設(shè)置于相鄰兩行像素單元603之間，與顯示區(qū)內(nèi)的掃描線611絕緣且走線方向一致。在圖6A中，觸控信號線652與掃描線611平行。在顯示階段，掃描線611接收柵極驅(qū)動電路輸出的掃描信號，此時觸控信號線652作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于TFT遮光金屬層僅用于遮擋薄膜晶體管，其與陣列基板上的其他導(dǎo)電層之間設(shè)有絕緣層，故而TFT遮光金屬層與第一金屬層、第二金屬層、觸控電極層以及其他導(dǎo)電層(例如像素電極層)之間彼此絕緣，與TFT遮光金屬層同層設(shè)置的觸控信號線652與形成于第一金屬層61上的掃描線絕緣，觸控信號線652與掃描線611上的信號互不干擾，從而可以避免形成寄生電容影響顯示效果。另外，與TFT遮光金屬層同層設(shè)置的觸控信號線652與設(shè)置于其他導(dǎo)電層的信號線(例如數(shù)據(jù)線、柵線、源極驅(qū)動電路中的信號線、柵極驅(qū)動電路中的信號線等)之間不會發(fā)生短路，從而保證陣列基板顯示效果的穩(wěn)定性。
[0045]繼續(xù)參考圖6B，其示出了本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓脑僖粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6B所示，陣列基板600B包括呈陣列排布的像素單元603、沿像素單元603的行方向延伸的掃描線611以及沿像素單元603的列方向延伸的數(shù)據(jù)線621JFT遮光金屬層在襯底基板上的具有正投影，且正投影將TFT遮擋，避免TFT受到光照。在本實施例中，用于向觸控電極傳輸觸控信號的觸控信號線653與TFT遮光金屬651所在的TFT遮光金屬層同層設(shè)置。觸控信號線653設(shè)置于相鄰兩列像素單元603之間，與顯示區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線611絕緣且走線方向一致。在圖6B中，觸控信號線653與數(shù)據(jù)線621平行。在顯示階段，數(shù)據(jù)線621接收驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)信號，此時觸控信號線653作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于數(shù)據(jù)線621和觸控信號線653絕緣，數(shù)據(jù)線621和觸控信號線653上的信號互不干擾，從而可以避免形成寄生電容影響顯示效果。
[0046]在圖6A或圖6B所示的實施例中，陣列基板600A或600B還可以包括形成于TFT遮光金屬層和觸控電極層之間的第三絕緣層。第三絕緣層上設(shè)有貫穿第三絕緣層的至少一個第三導(dǎo)通孔641或651，觸控信號線通過至少一個第三導(dǎo)通孔641或651與多個觸控電極電連接。
[0047]進一步參考圖7A，其示出了圖6A所示陣列基板的局部剖面圖。圖7A所示為沿圖6A中與數(shù)據(jù)線621平行的線S3剖開的切面。如圖7A所示，陣列基板600A包括襯底基板60，襯底基板60包括顯示區(qū)601和非顯示區(qū)602。陣列基板600A還包括在垂直于襯底基板60的方向上排列的第一金屬層61、第二金屬層62和TFT遮光金屬層65。其中，第一金屬層61用于形成陣列基板600A的掃描線611和TFT的柵極612，第二金屬層62用于形成陣列基板600A的數(shù)據(jù)線621。顯示區(qū)601內(nèi)設(shè)有多個呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向為掃描線611的延伸方向，像素單元的列方向為數(shù)據(jù)線621的延伸方向。陣列基板600A還包括觸控電極層63和與TFT遮光金屬層65同層設(shè)置的觸控信號線652。觸控電極層63包括多個觸控電極631。觸控信號線652與一個觸控電極631電相連，為觸控電極631傳輸觸控信號。
[0048]在本實施的一些可選的實現(xiàn)方式中，陣列基板600A還包括形成于TFT遮光金屬層65和觸控電極層63之間的第三絕緣層64。第三絕緣層64上設(shè)有貫穿第三絕緣層的至少一個第三導(dǎo)通孔641。觸控信號線652通過至少一個第三導(dǎo)通孔641與多個觸控電極631電連接。
[0049]進一步參考圖7B，其示出了圖6B所示陣列基板的局部剖