納米銀線導電層疊結構及電容式觸控面板的制作方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種導電層疊結構，特別涉及一種納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的電容式觸控面板。
【【背景技術】】
[0002]伴隨近年來觸控面板在通訊行業(yè)的迅速崛起，特別是在手機通訊行業(yè)的蓬勃發(fā)展，觸控面板一舉成為現今成像顯示設備的首選產品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會選用電容式觸控面板作為其最佳首選設備。
[0003]在傳統(tǒng)智能手機的電容式觸控面板中，導電電極的材料通常為氧化銦錫(簡稱為ΙΤΟ)。ΙΤ0的透光率很高，導電性能較好。但隨著觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應用于15寸以上的面板時，ΙΤ0的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ΙΤ0的面電阻過大，價格昂貴，無法保證大尺寸觸控面板良好的導電性能與足夠的靈敏度，也無法適用于電子產品不斷低價化的發(fā)展趨勢。
[0004]另外，在制造方法上，原來的ΙΤ0需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導性，造成ΙΤ0的整體制作成本非常昂貴。而且，ΙΤ0薄膜非常脆弱，即使在遇到較小物理應力的彎曲也非常容易被破壞，因此在可穿戴設備逐漸崛起的新興產品市場的浪潮下，ΙΤ0材料作為導電電極已無法應付市場的需求而逐漸被淘汰。
[0005]正因如此，產業(yè)界一直在致力于開發(fā)ΙΤ0的替代材料，目前逐漸被開發(fā)并應用的替代材料包括納米銀線(Silver Nano Wires,簡稱SNW)、金屬網格(Metal Mesh)、碳納米管、有機導電膜、以及石墨稀等。
[0006]其中，SNW是諸多ΙΤ0替代材料目前最為成熟的一種。納米銀線具有銀優(yōu)良的導電性，同時由于其納米級別的尺寸效應，使得其具有優(yōu)異的透光性與耐曲撓性，因此可用作為優(yōu)選地替代ΙΤ0作為導電電極的材料。
[0007]使用SNW作為導電電極的材料時，不可避免的也會出現一些問題，比如納米銀線涂布在基材上方后，沒有辦法均勻的平鋪并比較好的搭接，納米銀線出現向上翹起的現象，使得納米銀線之間彼此搭接不良，并對導電率造成較大的影響。而導電率是衡量觸控面板性能的一個重要指標，因此克服導電率不良的問題成了亟待解決的問題。
【
【發(fā)明內容】
】
[0008]為克服納米銀線導電層疊結構中納米銀線之間彼此搭接不良影響導電率的問題，本發(fā)明提供一種具有良好導電率的納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的電容式觸控面板。
[0009]本發(fā)明解決上述技術問題的方案是提供一種納米銀線導電層疊結構。該納米銀線導電層疊結構包括:一基材，一納米銀線導電電極層，置于基材上方，和一平整層，該平整層設置于所述納米銀線導電電極層異于所述基材一側，用于增加納米銀線導電電極層的平整度。
[0010]優(yōu)選地，所述平整層的厚度為10nm_300nm。
[0011]優(yōu)選地,所述納米銀線導電電極層的厚度為10nm-200nm。
[0012]優(yōu)選地，所述納米銀線導電層疊結構的方阻小于100ohm/sq。
[0013]優(yōu)選地，所述納米銀線導電電極層包括納米銀線和基質，納米銀線相互搭接形成導電網絡，其中所述納米銀線至少部分嵌入基質中。
[0014]優(yōu)選的，所述納米銀線至少部分收容于平整層。
[0015]優(yōu)選地，所述平整層與基質在厚度方向上實現相互嵌入。
[0016]優(yōu)選地，所述平整層的材料為高分子聚合物、樹脂、透明光學膠、氧化物、透明油墨、類光阻之任意一種或其任意組合。
[0017]優(yōu)選地，所述平整層為一層光學膜，該光學膜的折射率為1.1-1.6。
[0018]優(yōu)選地，所述平整層包括至少兩層光學膜，由低折射率光學膜、高折射率光學膜按交替疊加的方式疊加而成，其中低折射率光學膜的折射率為1.1-1.6，高折射率光學膜的折射率為1.8-2.7。
[0019]本發(fā)明解決上述技術問題提供的又一技術方案是:提供一種電容式觸控面板，包括一蓋板，一基材，一膠層，一觸控電路控制器及納米銀線導電層疊結構，其中，所述膠層連接蓋板和所述的納米銀線導電層疊結構的任一面，所述納米銀線導電層疊結構電性連接于所述觸控電路控制器，實現觸控。
[0020]優(yōu)選地，所述蓋板為偏光片、玻璃、強化玻璃、柔性基材之任意一種。
[0021]優(yōu)選的，所述電容式觸控面板進一步包括一增粘層、一光學匹配層、一四分之一波長延遲片之任意一種或其任意組合，所述增粘層設置于基材與納米銀線導電電極層之間，所述光學匹配層位于蓋板下方任意位置，所述四分之一波長延遲片位于蓋板和納米銀線導電電極層之間。
[0022]與現有技術相比，本發(fā)明納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的電容式觸控面板采用SNW替代ΙΤ0作為導電材料，導電性能和反應靈敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的觸控面板當中對靈敏度的提升尤為明顯。而采用納米銀線作為導電電極材料后，不可避免會出現一些問題，如納米銀線向上翹起對納米銀線導電層疊結構表面平整度產生影響，納米銀線之間僅憑借分子間作用力實現搭接，會有搭接不良從而影響導電率的問題，通過提供平整層并進行一定的工藝處理，使得納米銀線之間的搭接由原來的點搭接變?yōu)榫€搭接和/或面搭接，使搭接面積增大從而導電率得到有效保證，且納米銀線導電層疊結構的表面平整度得到極大提升。其次本發(fā)明電容式觸控面板制備方法簡單、效率高、成本低。傳統(tǒng)納米銀線觸控面板在涂布形成均勻薄膜時存在一定的工藝技術困難，本發(fā)明納米銀線通過多種方式進行涂布，實現納米銀線的鑲嵌，工藝更為簡單，而且本發(fā)明電容式觸控面板的光電性能良好，光透過率在90%以上，方阻小于100ohm/sq。
【【附圖說明】】
[0023]圖1是納米銀線導電電極層分布在基材上的截面結構示意圖。
[0024]圖2是納米銀線導電電極層分布在基材上的平面示意圖。
[0025]圖3是本發(fā)明第一實施例納米銀線導電層疊結構的剖切結構示意圖。
[0026]圖4是圖3所示納米銀線導電層疊結構的平整層效果示意圖。
[0027]圖5是本發(fā)明第二實施例納米銀線導電層疊結構的剖切結構示意圖。
[0028]圖6是本發(fā)明第三實施例納米銀線導電層疊結構的剖切結構示意圖。
[0029]圖7是本發(fā)明第四實施例電容式觸控面板的剖切結構示意圖。
[0030]圖8是本發(fā)明第五實施例電容式觸控面板的剖切結構示意圖。
[0031]圖9是本發(fā)明第六實施例電容式觸控面板的剖切結構示意圖。
[0032]圖10是本發(fā)明第七電容式實施例觸控面板的剖切結構示意圖。
[0033]圖11是本發(fā)明第八實施例電容式觸控面板的剖切結構示意圖。
[0034]圖12是本發(fā)明第九實施例電容式觸控面板的剖切結構示意圖。
[0035]圖13是本發(fā)明第十實施例采用電容式觸控面板制作的觸控顯示模組剖切面爆炸結構圖。
【【具體實施方式】】
[0036]為實現使本發(fā)明的目的，技術方案及優(yōu)點更