根據(jù)一或多個實施例，可在從前臺操作完成之時到被指派以執(zhí)行前臺操作的時間幀已消逝之時的剩余時間中執(zhí)行一或多個段。應(yīng)注意，各種實施例并非限于分段損耗均衡操作。可分段其它操作(例如前臺及/或后臺操作)。各種實施例并非限于僅在擦除操作之后執(zhí)行組成分段操作的一或多個段。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的各種實施例提供狀態(tài)追蹤器(舉例來說，非易失性狀態(tài)追蹤器)以協(xié)助維持每一分段操作的多個段中的每一段的狀態(tài)。如通過實例說明，存儲器裝置可經(jīng)歷可中斷組成根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的分段操作的一或多個段的執(zhí)行的事件。存儲器裝置的復(fù)位可發(fā)生，例如(舉例來說)作為在存儲器裝置中發(fā)生的系統(tǒng)復(fù)位或電力循環(huán)事件的部分。在這些事件中的一者(例如(舉例來說)系統(tǒng)復(fù)位)期間，損耗均衡操作可遭到損壞。在沒有非易失性狀態(tài)追蹤器的情況下，多個段的執(zhí)行狀態(tài)(例如哪些段可能已起始、部分執(zhí)行或完成)可在(舉例來說)中斷存儲器裝置的操作的事件中丟失。
[0038]圖6說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的分段操作(舉例來說，多段操作)602及對應(yīng)的非易失性狀態(tài)追蹤器604的圖形表示。狀態(tài)追蹤器604經(jīng)布置以存儲多個狀態(tài)STATE1到STATEN，其中每一狀態(tài)(舉例來說，狀態(tài)值)使606與對應(yīng)多段(舉例來說，多段)操作602中的特定段相對應(yīng)。包括狀態(tài)值的狀態(tài)追蹤器604可被存儲于存儲器裝置的存儲器的位置中，例如(舉例來說)存儲于非易失性存儲器位置中。狀態(tài)追蹤器604的每一狀態(tài)(例如)STATE 1到STATEN可包括對應(yīng)于對應(yīng)的多段操作602的段的單一位(舉例來說，里程碑位)。特定位值可與對應(yīng)的操作段的特定狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。舉例來說，位值“0”可指示目前尚未完成的操作段，而位值“1”可指示已完成的操作段，或者(舉例來說)位值“0”可指示目前已完成的操作段，而位值“1”可指示尚未完成的操作段。根據(jù)一或多個實施例，狀態(tài)追蹤器604的每一狀態(tài)可包括指示對應(yīng)操作段的一或多個狀態(tài)的多個位。舉例來說，根據(jù)本發(fā)明的各種實施例，狀態(tài)值可包括對應(yīng)于‘段未起始狀態(tài)’、‘段已起始狀態(tài)’或‘段完成狀態(tài)’的值。存儲狀態(tài)追蹤器的存儲器位置的非易失性性質(zhì)協(xié)助保持狀態(tài)追蹤器的每一狀態(tài)值，(舉例來說)即使是在存儲器裝置斷電時也是如此。
[0039]根據(jù)一或多個實施例的存儲器裝置可包括協(xié)助在存儲器裝置中進行邏輯到物理地址轉(zhuǎn)換(有時也稱為邏輯到物理地址映射)的地址重新映射單元。一對一映射裝置可被認為包括對應(yīng)于(舉例來說)存儲器的一個邏輯扇區(qū)的一個存儲器物理扇區(qū)。為了防止損壞存儲于存儲器裝置中的一或多個狀態(tài)追蹤器，對應(yīng)于存儲狀態(tài)追蹤器的一或多個物理地址的一或多個邏輯地址(舉例來說，邏輯地址的范圍)可被阻止由除了經(jīng)配置以管理每一狀態(tài)追蹤器的存儲器裝置控制電路之外的其它裝置存取。因此，一或多個實施例協(xié)助管理對映射到物理地址(其經(jīng)配置以存儲對應(yīng)于一或多個多段操作的一或多個狀態(tài)追蹤器)的一或多個邏輯地址的存取，例如允許或阻止存取。舉例來說，存儲器裝置的控制電路可能可存取存儲器中的存儲狀態(tài)追蹤器的物理地址，但耦合到存儲器裝置的處理器可能不被允許存取。
[0040]圖7說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的執(zhí)行多段操作的至少一部分及更新對應(yīng)狀態(tài)追蹤器(舉例來說，非易失性狀態(tài)追蹤器)的流程圖700。存儲器裝置的控制電路可確定706是否要在另一操作702 (例如前臺操作)之后在對應(yīng)于(舉例來說，經(jīng)指派以執(zhí)行)所述前臺操作的時間內(nèi)服務(wù)于多段操作。前臺操作可被執(zhí)行702 (例如(舉例來說)如上文關(guān)于圖5論述的所執(zhí)行的前臺操作504到510)。
[0041]可由存儲器裝置的控制電路響應(yīng)于各種事件做出服務(wù)于多段操作的確定706。可響應(yīng)于(例如)存儲器裝置的電力循環(huán)之后的存儲器裝置的復(fù)位做出確定?？身憫?yīng)于(例如)從處理器接收的在存儲器裝置中執(zhí)行特定前臺操作702的命令做出確定706。舉例來說，處理器可將命令傳送到存儲器裝置以在存儲器裝置中執(zhí)行前臺操作702 (舉例來說，擦除操作)。如果一或多個分段后臺操作段的段長度小于或等于對應(yīng)于待執(zhí)行的擦除操作的段裕量(例如上文關(guān)于圖4所論述)，那么控制電路可能做出確定706。如果確定在用于擦除操作的時間幀內(nèi)存在執(zhí)行擦除操作與至少一個操作段兩者的充足裕量，那么控制電路可能做出確定以伴隨擦除操作一起執(zhí)行708至少一個操作段。如果確定不存在執(zhí)行特定操作段的充足裕量(舉例來說，執(zhí)行前臺擦除操作的結(jié)束與經(jīng)指派以執(zhí)行擦除操作的時間幀的結(jié)束之間的時間不充足)，那么控制電路可能做出確定以禁止在用于擦除操作的時間幀內(nèi)執(zhí)行704 —或多個段操作的段。在接收到來自處理器的在存儲器裝置中執(zhí)行前臺操作702的另一命令時，控制電路可重復(fù)進行關(guān)于是伴隨待執(zhí)行的下一前臺操作執(zhí)行操作段708還是不執(zhí)行操作段704的確定706。
[0042]在確定服務(wù)于多段操作及執(zhí)行操作段708時，控制電路讀取710對應(yīng)于待服務(wù)的多段操作的段的狀態(tài)追蹤器的一或多個狀態(tài)。狀態(tài)追蹤器604的狀態(tài)指示待服務(wù)的多段操作的每一段的狀態(tài)。舉例來說，組成對應(yīng)狀態(tài)追蹤器的狀態(tài)的一或多個狀態(tài)位(例如圖6中展示的604)經(jīng)讀取以確定狀態(tài)追蹤器的狀態(tài)?？身憫?yīng)于對多段操作712的狀態(tài)的確定執(zhí)行714多段操作的特定段。響應(yīng)于執(zhí)行多段操作的段714更新716狀態(tài)追蹤器?？赏ㄟ^在存儲根據(jù)本發(fā)明的一或多個實施例的狀態(tài)追蹤器的存儲器位置中執(zhí)行寫入操作來更新716狀態(tài)追蹤器。可重復(fù)由圖7說明的方法(舉例來說，702到716)直到已完成特定多段后臺操作。舉例來說，可將存儲器裝置的存儲器陣列的特定存儲器塊識別用于損耗均衡。根據(jù)各種實施例，可如關(guān)于圖7論述地執(zhí)行組成多段損耗均衡操作的段，直到已在存儲器的全部經(jīng)識別的塊上執(zhí)行完整的損耗均衡操作。此與存儲器裝置中的有時稱為掛起操作的操作形成對照。掛起操作僅(例如)響應(yīng)于在存儲器裝置中發(fā)生的中斷暫停操作，所述操作可在稍后時間處恢復(fù)。如果事件(例如復(fù)位)發(fā)生于存儲器裝置中，則被掛起的操作的證據(jù)將會丟失。
[0043]根據(jù)各種實施例，可響應(yīng)于在對應(yīng)于經(jīng)執(zhí)行的前臺操作702的段裕量內(nèi)可執(zhí)行多少個段將由圖7說明的方法的一部分(舉例來說，706到716)重復(fù)若干次迭代。舉例來說，控制電路可確定在前臺操作702的結(jié)束與經(jīng)指派以執(zhí)行前臺操作的時間幀的結(jié)束之間存在的充足的裕量以便在相同的段裕量內(nèi)執(zhí)行多個段。根據(jù)一或多個實施例，存儲器裝置的計時電路可協(xié)助確定段裕量(舉例來說，前臺操作的結(jié)束與經(jīng)指派以執(zhí)行前臺操作的時間幀的結(jié)束之間的剩余時間)以確定是否可在完成前臺操作之后且在經(jīng)指派以執(zhí)行前臺操作的時間幀的結(jié)束之前或同時執(zhí)行一或多個段。
[0044]圖8為根據(jù)本發(fā)明的一或多個實施例的具有至少一個設(shè)備(例如存儲器裝置800)的電子系統(tǒng)的功能框圖。如本文中使用，“設(shè)備”可指代(但不限于)(舉例來說)陣列、電路、一或多個裝置、一或多個半導體裸片、一或多個模塊及/或一或多個系統(tǒng)。圖8中說明的存儲器裝置800耦合到存儲器存取裝置，例如處理器810。處理器810可為微處理器或某其它類型的控制電路。存儲器裝置800及處理器810形成電子系統(tǒng)820的部分。存儲器裝置800已被簡化以將焦點放在在對理解本發(fā)明的各種實施例有用的存儲器裝置的特征上。
[0045]存儲器裝置800包含可被邏輯地布置到多行及多列中的一或多個存儲器陣列830。一或多個存儲器陣列830可包括2D及/或3D存儲器陣列。存儲器陣列830可包含駐留在作為存儲器裝置800的部分的單一裸片或多個裸片上的存儲器單元的多個條(bank)及塊。存儲器陣列830可包括SLC及/或MLC存儲器。存儲器陣列830還可為自適應(yīng)的以將不同密度(舉例來說，MLC(四電平)及MLC(八電平))的數(shù)據(jù)存儲在(舉例來說)每一存儲器單元中。
[0046]存儲器陣列830可包括存儲器，例如閃速存儲器及/或PCM存儲器。存儲器陣列830可包括其它類型的存儲器，例如(舉例來說)動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器(DDR)及/或低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器(LPDDR)。存儲器裝置800可包括一種以上的存儲器類型，例如易失性及非易失性存儲器的組合。
[0047]根據(jù)一或多個實施例的對應(yīng)于多段操作的狀態(tài)追蹤器832可被存儲于存儲器陣列830中的非易失性位置中。狀態(tài)追蹤器832可包括若干位置834以存儲狀態(tài)STATE1到STATEN，其中每一狀態(tài)對應(yīng)于多段操作的特定段，例如(舉例來說)上文關(guān)于圖6所描述。為了減小損壞狀態(tài)追蹤器832的狀態(tài)值的風險，根據(jù)本發(fā)明的各種實施例，對應(yīng)于狀態(tài)追蹤器位置的一或多個邏輯地址可