一種映射表的形成及加載方法、電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)，尤其涉及一種映射表的形成及加載方法、電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD，Solid-State Memory)的性能明顯高于傳統(tǒng)的磁盤存儲(chǔ)器，近幾年來(lái)，由于固態(tài)存儲(chǔ)器成本的下降，越來(lái)越多的使用在個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和筆記本中。
[0003]固態(tài)存儲(chǔ)器本身的存儲(chǔ)介質(zhì)一般是NAND閃存(flash)，而元數(shù)據(jù)主要包括硬盤記錄的基本信息，例如邏輯-物理映射表、其他硬盤管理信息等；固態(tài)存儲(chǔ)器上電后，首先從NAND閃存中加載元數(shù)據(jù)到RAM ;在工作過(guò)程中，對(duì)硬盤的數(shù)據(jù)讀寫操作會(huì)同時(shí)涉及到元數(shù)據(jù)(特別是映射表)的改變，鑒于速度要求，這些改變直接在RAM上操作的，因此需要適時(shí)的將這些元數(shù)據(jù)更新到NAND flash，否則，一旦出現(xiàn)異常斷電，元數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)不一致，可能導(dǎo)致SSD重新上電后無(wú)法正常工作。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，固態(tài)硬盤上電時(shí)需要加載元數(shù)據(jù)(metadata)信息。如果采用頁(yè)映射的方式，元數(shù)據(jù)中的映射表信息會(huì)非常龐大；如果全部加載的話，開(kāi)機(jī)硬盤響應(yīng)的時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一個(gè)問(wèn)題而提供一種映射表的形成及加載方法、電子設(shè)備，能夠縮短加載元數(shù)據(jù)的時(shí)間，從而提升用戶體驗(yàn)。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種映射表的形成方法，所述映射表包括一級(jí)映射表和二級(jí)映射表，所述方法包括:
[0008]采用頁(yè)級(jí)映射將來(lái)自主機(jī)上的邏輯頁(yè)映射為固態(tài)存儲(chǔ)器上NAND的物理頁(yè)，形成二級(jí)映射表；
[0009]獲取第一物理地址，所述第一物理地址為所述二級(jí)映射表中第一區(qū)塊的物理存儲(chǔ)地址；
[0010]將所述第一物理地址和對(duì)應(yīng)的第一標(biāo)識(shí)信息在一級(jí)映射表中的映射單元中形成映射關(guān)系，其中所述第一標(biāo)識(shí)信息為第一區(qū)塊的標(biāo)識(shí)信息；
[0011]其中，所述一級(jí)映射表中的每一個(gè)映射單元包含Q位的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明區(qū)塊的歷史訪問(wèn)信息。
[0012]在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述Q = 1。
[0013]在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述方法還包括:
[0014]當(dāng)存儲(chǔ)有元數(shù)據(jù)的第一區(qū)塊被讀寫過(guò)，獲取第一標(biāo)識(shí)信息，所述第一標(biāo)識(shí)信息為所述第一區(qū)塊的標(biāo)識(shí)信息；
[0015]根據(jù)所述第一標(biāo)識(shí)信息查詢所述一級(jí)映射表，得到第一映射單元；
[0016]更新所述第一映射單元上的標(biāo)志位。
[0017]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種映射表的加載方法，所述方法包括:
[0018]讀取所述一級(jí)映射表中第一映射單元上的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明第一區(qū)塊是否上一次被訪問(wèn)過(guò)，所述第一區(qū)塊為所述第一映射單元對(duì)應(yīng)的區(qū)塊；
[0019]根據(jù)所述標(biāo)志位的信息判斷該第一區(qū)塊上一次是否被訪問(wèn)過(guò)；
[0020]當(dāng)所述標(biāo)志位信息表明所述第一區(qū)塊上一次被訪問(wèn)過(guò)，根據(jù)所述第一映射單元的第一標(biāo)識(shí)信息獲取對(duì)應(yīng)的二級(jí)映射表中第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息；
[0021]將所述第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息從固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0022]在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述方法還包括:
[0023]在所述固態(tài)存儲(chǔ)器上電后，將所述一級(jí)映射表從所述固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0024]在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述方法還包括:
[0025]當(dāng)所述標(biāo)志位信息表明第一區(qū)塊上一次未被訪問(wèn)過(guò)，不將所述第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息從固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0026]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述映射表包括一級(jí)映射表和二級(jí)映射表，所述電子設(shè)備包括第一形成單元、第一獲取單元和第二形成單元，其中:
[0027]所述第一形成單元，用于采用頁(yè)級(jí)映射將來(lái)自主機(jī)上的邏輯頁(yè)映射為固態(tài)存儲(chǔ)器上NAND的物理頁(yè)，形成二級(jí)映射表；
[0028]所述第一獲取單元，用于獲取第一物理地址，所述第一物理地址為所述二級(jí)映射表中第一區(qū)塊的物理存儲(chǔ)地址；
[0029]所述第二形成單元，用于將所述第一物理地址和對(duì)應(yīng)的第一標(biāo)識(shí)信息在一級(jí)映射表中的映射單元中形成映射關(guān)系，其中所述第一標(biāo)識(shí)信息為第一區(qū)塊的標(biāo)識(shí)信息；
[0030]其中，所述一級(jí)映射表中的每一個(gè)映射單元包含Q位的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明區(qū)塊的歷史訪問(wèn)信息。
[0031 ] 在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述電子設(shè)備還包括第二獲取單元、查詢單元和更新單元，其中:
[0032]所述第二獲取單元，用于當(dāng)存儲(chǔ)有元數(shù)據(jù)的第一區(qū)塊被讀寫過(guò)，獲取第一標(biāo)識(shí)信息，所述第一標(biāo)識(shí)信息為所述第一區(qū)塊的標(biāo)識(shí)信息；
[0033]所述查詢單元，用于根據(jù)所述第一標(biāo)識(shí)信息查詢所述一級(jí)映射表，得到第一映射單元;
[0034]所述更新單元，用于更新所述第一映射單元上的標(biāo)志位。
[0035]第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括第一讀取單元、判斷單元、第三獲取單元和第二讀取單元，其中:
[0036]所述第一讀取單元，用于讀取所述一級(jí)映射表中第一映射單元上的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明第一區(qū)塊是否上一次被訪問(wèn)過(guò)，所述第一區(qū)塊為所述第一映射單元對(duì)應(yīng)的區(qū)塊；
[0037]所述判斷單元，用于根據(jù)所述標(biāo)志位的信息判斷該第一區(qū)塊上一次是否被訪問(wèn)過(guò)；
[0038]所述第三獲取單元，用于當(dāng)所述標(biāo)志位信息表明所述第一區(qū)塊上一次被訪問(wèn)過(guò)，根據(jù)所述第一映射單元的第一標(biāo)識(shí)信息獲取對(duì)應(yīng)的二級(jí)映射表中第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息;
[0039]所述第二讀取單元，用于將所述第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息從固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0040]在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述電子設(shè)備還包括第三讀取單元，用于在所述固態(tài)存儲(chǔ)器上電后，將所述一級(jí)映射表從所述固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0041]在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述電子設(shè)備還包括處理單元，用于當(dāng)所述標(biāo)志位信息表明第一區(qū)塊上一次未被訪問(wèn)過(guò)，不將所述第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息從固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0042]第五方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括固態(tài)存儲(chǔ)器SSD，所述固態(tài)存儲(chǔ)器包括NAND和SSD控制器，其中
[0043]所述SSD控制器，用于采用頁(yè)級(jí)映射將來(lái)自主機(jī)上的邏輯頁(yè)映射為固態(tài)存儲(chǔ)器上NAND的物理頁(yè)，形成二級(jí)映射表；獲取第一物理地址，所述第一物理地址為所述二級(jí)映射表中第一區(qū)塊的物理存儲(chǔ)地址；將所述第一物理地址和對(duì)應(yīng)的第一標(biāo)識(shí)信息在一級(jí)映射表中的映射單元中形成映射關(guān)系，其中所述第一標(biāo)識(shí)信息為第一區(qū)塊的標(biāo)識(shí)信息；
[0044]其中，所述一級(jí)映射表中的每一個(gè)映射單元包含Q位的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明區(qū)塊的歷史訪問(wèn)信息。
[0045]第六方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括固態(tài)存儲(chǔ)器SSD，所述固態(tài)存儲(chǔ)器包括NAND和SSD控制器，其中
[0046]所述SSD控制器，用于讀取所述一級(jí)映射表中第一映射單元上的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明第一區(qū)塊是否上一次被訪問(wèn)過(guò)，所述第一區(qū)塊為所述第一映射單元對(duì)應(yīng)的區(qū)塊；根據(jù)所述標(biāo)志位的信息判斷該第一區(qū)塊上一次是否被訪問(wèn)過(guò)；當(dāng)所述標(biāo)志位信息表明所述第一區(qū)塊上一次被訪問(wèn)過(guò)，根據(jù)所述第一映射單元的第一標(biāo)識(shí)信息獲取對(duì)應(yīng)的二級(jí)映射表中第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息；將所述第一區(qū)塊上的元數(shù)據(jù)信息從固態(tài)存儲(chǔ)器的NAND上讀到所述固態(tài)存儲(chǔ)器的隨機(jī)存儲(chǔ)器上。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供的映射表的形成及加載方法、電子設(shè)備，其中:采用頁(yè)級(jí)映射將來(lái)自主機(jī)上的邏輯頁(yè)映射為固態(tài)存儲(chǔ)器上NAND的物理頁(yè)，形成二級(jí)映射表；獲取第一物理地址，所述第一物理地址為所述二級(jí)映射表中第一區(qū)塊的物理存儲(chǔ)地址；將所述第一物理地址和對(duì)應(yīng)的第一標(biāo)識(shí)信息在一級(jí)映射表中的映射單元中形成映射關(guān)系，其中所述第一標(biāo)識(shí)信息為第一區(qū)塊的標(biāo)識(shí)信息；其中，所述一級(jí)映射表中的每一個(gè)映射單元包含Q位的標(biāo)志位，所述標(biāo)志位用于表明區(qū)塊的歷史訪問(wèn)信息，如此，能夠縮短加載元數(shù)據(jù)的時(shí)間，從而提升用戶體驗(yàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0048]圖1-1為本發(fā)明實(shí)施例一映射表的形成方法的實(shí)現(xiàn)