一種陣列基板及其制作方法、觸摸顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、觸摸顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的嵌入式(In_cell)觸摸屏的觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖，該觸控電極11由陣列基板上的ITO(氧化銦錫)電極分割而成，每一觸控電極11 (即圖中每一小矩形電極)均通過一金屬連接線連接到FPC(柔性電路板)處。請參考圖2，在觸摸屏工作時，由于人的手指觸摸，會導(dǎo)致相應(yīng)的觸控電極11的電容變化，根據(jù)電容的變化可判斷出手指的位置。
[0003]然而，由于ITO材料本身的電阻較大，會造成觸控信號產(chǎn)生延遲，影響觸摸屏的觸控效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、觸摸顯示裝置，以解決現(xiàn)有的采用ITO材料制作的觸控電極電阻大，造成觸控信號延遲，影響觸控屏的觸控效果的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上第一金屬信號線和第一觸控電極，所述第一觸控電極由金屬制成，并與所述第一金屬信號線異層絕緣設(shè)置。
[0006]優(yōu)選地，所述第一觸控電極與所述第一金屬信號線平行，且靠近所述第一金屬信號線設(shè)置。
[0007]優(yōu)選地，所述第一觸控電極與所述第一金屬信號線在所述襯底基板上的正投影不重疊。
[0008]優(yōu)選地，所述第一觸控電極的邊緣與其靠近的第一金屬信號線的邊緣對齊。
[0009]優(yōu)選地，所述第一金屬信號線包括柵線，所述陣列基板具體包括:
[0010]襯底基板；
[0011]柵線，設(shè)置于所述襯底基板上；
[0012]第一柵絕緣層，設(shè)置于所述柵線上；
[0013]第一觸控電極，設(shè)置于所述第一柵絕緣層上；
[0014]第二柵絕緣層，設(shè)置于所述第一觸控電極上。
[0015]優(yōu)選地，每一所述第一觸控電極包括多根電極走線，屬于同一第一觸控電極的多根電極走線相鄰且相連。
[0016]優(yōu)選地，所述第一觸控電極為驅(qū)動電極或感應(yīng)電極。
[0017]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括:第二金屬信號線和第二觸控電極，第一金屬信號線為柵線，所述第二金屬信號線為數(shù)據(jù)線，所述第二觸控電極與所述數(shù)據(jù)線同層同材料設(shè)置。
[0018]本發(fā)明還提供一種觸摸顯示裝置，包括權(quán)上述陣列基板。
[0019]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，，包括:
[0020]提供一襯底基板；
[0021]在所述襯底基板形成異層絕緣設(shè)置的第一金屬信號線和第一觸控電極，所述第一觸控電極由金屬制成。
[0022]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0023]由于第一觸控電極由金屬制成，電阻較小，因而解決了現(xiàn)有的觸控電極電阻大，造成觸控信號延遲的問題。此外，將第一觸控電極與第一金屬信號線異層絕緣設(shè)置，可以不必考慮兩者因同層靠的太近而造成短接的問題，可以將兩者之間的距離設(shè)置的較小，從而提高開口率。
【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的嵌入式觸摸屏的觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的嵌入式觸摸屏的工作原理示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實施例一的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實施例二的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實施例三的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為本發(fā)明實施例四的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖7為本發(fā)明實施例五的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0032]為解決現(xiàn)有的采用ITO材料制作的觸控電極電阻大，造成觸控信號延遲，影響觸控屏的觸控效果的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上第一金屬信號線和第一觸控電極，所述第一觸控電極由金屬制成，并與所述第一金屬信號線異層絕緣設(shè)置。
[0033]由于第一觸控電極由金屬制成，相比于由ITO材料制成的觸控電極，電阻要小，因而解決了觸控電極電阻大，造成觸控信號延遲的問題。
[0034]當(dāng)然，由金屬制成的觸控電極需要考慮開口率的問題。具體設(shè)置時，如果將第一觸控電極與陣列基板上的第一金屬信號線同層設(shè)置的話，由于工藝條件所限，第一觸控電極和第一金屬信號線之間的距離至少需要大于3.5um，才能使得兩者不至于短接，且使得兩者之間的電容也不會太大，然而這會造成開口率的降低。因此，本發(fā)明實施例中，將第一觸控電極與第一金屬信號線異層絕緣設(shè)置，從而可以不必考慮兩者因同層設(shè)置靠的太近而造成短接的問題，可以將兩者之間的距離設(shè)置的較小，例如小于3.5um，從而提高開口率。
[0035]優(yōu)選地，所述第一觸控電極與所述第一金屬信號線平行，且靠近所述第一金屬信號線設(shè)置，從而可提高開口率。所述第一觸控電極與所述第一金屬信號線之間的距離可以設(shè)置于小于或等于3.5um。
[0036]另一方面，從電容方面考慮，所述第一觸控電極與所述第一金屬信號線最好也不重疊設(shè)置，以避免兩者之間的電容過大，降低第一觸控電極和第一信號線的負(fù)載(load)。
[0037]請參考圖3，圖3為本發(fā)明實施例一的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述陣列基板包括襯底基板301、第一金屬信號線302、絕緣層303和第一觸控電極304，，所述第一觸控電極304與所述第一金屬信號線302在所述襯底基板301的正投影不重疊，第一觸控電極304與所述第一金屬信號線302在水平方向上具有預(yù)定距離，本實施例中，第一觸控電極304與所述第一金屬信號線302之間的距離為lum，從而避免第一觸控電極304與所述第一金屬信號線302之間的電容過大。
[0038]請參考圖4，圖4為本發(fā)明實施例二的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述陣列基板包括襯底基板301、第一金屬信號線302、絕緣層303和第一觸控電極304，所述第一觸控電極304與所述第一金屬信號線302在所述襯底基板301的正投影不重疊，所述第一觸控電極304的邊緣與其靠近的第一金屬信號線302的邊緣對齊，從而避免第一觸控電極304與所述第一金屬信號線302之間的電容過大。
[0039]所述第一金屬信號線可以為柵線，也可以為數(shù)據(jù)線。
[0040]在本發(fā)明的一優(yōu)選實施例中，所述第一金屬信號線為柵線，所述陣列基板具體包括:
[0041]襯底基板；
[0042]柵線，設(shè)置于所述襯底基板上；
[0043]第一柵絕緣層，設(shè)置于所述柵線上；
[0044]第一觸控電極，設(shè)置于所述第一柵絕緣層上；
[0045]第二柵絕緣層，設(shè)置于所述第一觸控電極上。
[0046]S卩，第一觸控電極與柵線之間具有第一柵絕緣層，兩者異層絕緣設(shè)置，從而可使得第一觸控電極及與柵線之間的距離設(shè)置的較小，以提高開口率。
[0047]在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，請參考圖5，所述陣列基板包括:
[0048]襯底基板(圖未示出)以及設(shè)置于所述襯