Cell DRC驗證中的關鍵點。例如，MOS狗骨結構(Dogbone),金屬槽(Metal slot)、與寬度相關的金屬層的間距等。
[0061]步驟(a-2)對所述參數(shù)關鍵點以外的Pcell參數(shù)遍歷。
[0062]PCell參數(shù)的其它值可以從小到大(或從大到小)步進、也可以按指數(shù)增長或其它增長方式產生；增長步進值的最小值為該工藝的格點(Grid)值，格點值可以從PCell設計文件獲得。
[0063]其中，開關選項PCell參數(shù)，每個開關選項都要產生對應的PCell實例。
[0064]數(shù)值類型的PCell參數(shù)的最小值、最大值、缺省值都要產生對應的PCell實例，另夕卜，影響PCell結構的關鍵點，及關鍵點正負I個最小工藝格點也要產生相應的Pcell實例。
[0065]在本發(fā)明所述方法中快速批量產生用于DRC驗證的PCell實例的方法:從最小值到最大值遍歷，包括缺省值，影響PCell結構的關鍵值及正負一個最小工藝格點，步長可以是等值、指數(shù)、自定義等；
[0066]其中，所述步驟(b)包括以下子步驟:
[0067]步驟(b-Ι)，對所述PCell實例的間距進行計算。
[0068]具體地，從PCell設計文件或技術文件(Techfile，TF)中提取層的間距要求，或設定一個足夠大的值(各層最小間距中最大值)作為擺放PCell實例的間距，以大于此間距的距離擺放PCell實例，以避免產生PCell實例間距的DRC錯誤。
[0069]步驟(b-2)，以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例。
[0070]具體地，以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例:例如可以把PCelI同一參數(shù)步進變化產生的PCell實例排列于同一行或列。
[0071]在該步驟中僅一個參數(shù)變化的PCell實例在版圖中排列在同一行或者同一列。
[0072]步驟(b-3)，將所述PCell參數(shù)標注于所述PCell實例。
[0073]具體地，將PCell參數(shù)以文字形式標注于PCell實例的特定位置(例如可以統(tǒng)一標注于PCell實例的左上角)；將步進變化的PCell參數(shù)以文字形式標注于PCell實例版圖中的特定位置，例如(2-a)中的行或列；所述文字標識的作用是當PCell實例版圖查出有DRC錯誤時，便于開發(fā)者快速識別有DRC錯誤的PCell參數(shù)。
[0074]在該步驟中PCell實例版圖布局時在特定位置標示PCell參數(shù)文字，以便于發(fā)現(xiàn)DRC違例后快速查詢PCell參數(shù)。
[0075]在所述步驟(C)中執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。
[0076]在本發(fā)明中，為了避免PCelI實例版圖弓I入DRC檢驗，檢驗的方法包括PCelI實例布局后添加邊界圖層(BORDER)，PCell實例之間間隔以避免層(layer)之間產生DRC間距錯誤。
[0077]對布局后的PCell實例版圖進行DRC診斷的方法包括用DRC文件檢查布局好的PCell實例版圖，在PCell內部應該沒有DRC違例，如果有，可以定位DRC違例是位于哪些PCell實例以及該實例對應的PCell參數(shù)，需要返回修改對應的PCell。
[0078]具體地，步驟(C)包括以下子步驟:
[0079]步驟(c-Ι)，執(zhí)行DRC檢查，若所述PCell參數(shù)沒有DRC錯誤，則通過PCell DRC驗證；
[0080]步驟(0-2)，若所述？(^11參數(shù)存在DRC錯誤，則定位出錯的PCell參數(shù)，并進行改正，至通過PCell DRC驗證為止。
[0081]在所述步驟(c-2)中查找所述DRC錯誤是否存在于整行或者整列所述PCell實例中；
[0082]若DRC錯誤位于單個PCell實例中，根據(jù)標注的文字確定該PCell的參數(shù)設置；
[0083]若DRC錯誤位于某行或列都有，可以根據(jù)該行或列共同的參數(shù)來判定對應的PCell參數(shù)需要進一步檢查；
[0084]根據(jù)上述步驟定位的有DRC錯誤的PCell參數(shù)，修改PCell，然后重復步驟(a)?(c)，直到所有PCell實例沒有DRC錯誤。
[0085]圖1為本發(fā)明的一【具體實施方式】中工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證的流程示意圖，具體地，包括以下步驟:
[0086]步驟(a)，產生PCe 11實例；
[0087]步驟(b)，對所述PCell實例進行版圖布局；
[0088]步驟(C)，執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。
[0089]本發(fā)明為了在有限的開發(fā)時間和有限的計算資源條件下，盡可能高效、全面地對PCell實例進行DRC驗證，提出了一種可以快速有效產生大量PCell實例，并進行DRC驗證的方法。
[0090]本發(fā)明中快速批量產生用于DRC驗證的PCell實例的方法:從最小值到最大值遍歷，包括缺省值，影響PCell結構的關鍵值及正負一個最小工藝格點，步長可以是等值、指數(shù)、自定義等；PCell實例版圖布局時在特定位置標示PCell參數(shù)文字，以便于發(fā)現(xiàn)DRC違例后快速查詢PCell參數(shù)；避免PCell實例版圖引入DRC違例的方法=PCell實例布局后添加邊界圖層(BORDER)，PCe 11實例之間間隔以避免層(layer)之間產生DRC間距錯誤；對布局后的PCell實例版圖進行DRC診斷的方法:用DRC文件檢查布局好的PCell實例版圖，在PCell內部應該沒有DRC違例，如果有，可以定位DRC違例是位于哪些PCell實例以及該實例對應的PCell參數(shù)，需要返回修改對應的PCell。
[0091]在所述方法中如果生成的PCell實例存在DRC錯誤，本發(fā)明的方法可以快速準確的定位存在DRC錯誤的PCell相關參數(shù)，以便于開發(fā)人員找到DRC錯誤的原因并修改PCell0
[0092]本發(fā)明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
【主權項】
1.一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法，包括以下步驟: 步驟(a)，產生PCell實例； 步驟(b)，對所述PCell實例進行版圖布局； 步驟(c)，執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(a)包括以下子步驟: 步驟(a-Ι)，根據(jù)PCell參數(shù)的種類，對影響Pcell版圖的參數(shù)關鍵點遍歷； 步驟(a-2)，對所述參數(shù)關鍵點以外的Pcell參數(shù)遍歷。3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述PCell參數(shù)的種類包括數(shù)值型的PCell參數(shù)和開關選項PCell參數(shù)。4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述數(shù)值型的PCell參數(shù)包括柵極長度、柵極寬度、接觸孔列和指狀數(shù)目；所述開關選項PCell參數(shù)包括源漏極開關和襯底連接類型。5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，其中所述數(shù)值型的PCell參數(shù)的最小值、最大值、缺省值都產生對應的PCell實例； 所述開關選項PCell參數(shù)都產生對應的PCell實例。6.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，在設計規(guī)則中，同一條設計規(guī)則根據(jù)不同的限制條件產生不同數(shù)值，所述限制條件為DRC驗證中的所述關鍵點。7.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述參數(shù)關鍵點以外的Pcell參數(shù)以從小到大或從大到小步進的增長方式產生；或者按指數(shù)的增長方式產生； 所述增長的步進值的最小值為該工藝的格點值，所述格點值從PCell設計文件獲得。8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(b)包括以下子步驟: 步驟(b-Ι)，對所述PCell實例的間距進行計算； 步驟(b-2)，以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放所述PCell實例； 步驟(b-3)，將所述PCell參數(shù)標注于所述PCell實例。9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟(b-Ι)中對所述PCell實例的間距進行計算的方法包括: 從PCell設計文件或技術文件中提取版圖中層的間距要求，或設定各層最小間距中最大值作為擺放PCell實例的間距，以大于所述間距的距離擺放所述PCell實例，以避免產生PCell實例間距的DRC錯誤。10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟(b-2)中以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例的方法包括: 將PCell共同參數(shù)步進變化產生的PCell實例排列于同一行或列。11.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟(b-3)中將所述PCell參數(shù)標注于所述PCell實例的方法包括: 將所述PCell參數(shù)以文字形式標注于PCell實例的特定位置；將步進變化的PCell參數(shù)以文字形式標注于PCell實例版圖中的特定位置。12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)包括以下子步驟: 步驟(c-Ι)，執(zhí)行DRC檢查，若所述PCell參數(shù)沒有DRC錯誤，則通過DRC驗證； 步驟(c-2)，若所述PCell參數(shù)存在DRC錯誤，則定位出錯的PCell參數(shù)，并進行改正，至通過DRC驗證為止。13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于，所述步驟(c-2)中定位出錯的PCell參數(shù)的方法包括: 步驟(c-2-l)，查找所述DRC錯誤是否存在于整行或者整列所述PCell實例中； 步驟(c-2-2)，若所述DRC錯誤存在于單個PCell實例中，根據(jù)標注的文字確定該PCell參數(shù)設置，修改該PCell參數(shù)； 若所述DRC錯誤存在于整行或列，根據(jù)該行或列的共同參數(shù)來判定對應的PCell參數(shù)，修改該PCell參數(shù)； 步驟(c-2-3),修改所述PCell參數(shù)后,重復步驟(a)至步驟(c),至過DRC驗證為止。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法，包括以下步驟：步驟(a)產生PCell實例；步驟(b)對所述PCell實例進行版圖布局；步驟(c)執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。本發(fā)明為了在有限的開發(fā)時間和有限的計算資源條件下，盡可能高效、全面地對PCell實例進行DRC驗證，提出了一種可以快速有效產生大量PCell實例，并進行DRC驗證的方法。在所述方法中如果生成的PCell實例存在DRC錯誤，本發(fā)明的方法可以快速準確的定位存在DRC錯誤的PCell相關參數(shù)，以便于開發(fā)人員找到DRC錯誤的原因并修改PCell。
【IPC分類】G06F17/50
【公開號】CN105095535
【申請?zhí)枴緾N201410184633
【發(fā)明人】李滔, 生俊揚, 王春輝, 牛歡歡, 高穎
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2014年5月4日