一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的drc驗證方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，芯片上將集成更多器件，芯片也將采用更快的速度。在這些要求的推進下，器件的幾何尺寸將不斷縮小，在芯片的制造工藝中不斷采用新材料、新技術(shù)和新的制造工藝。這些改進對于單個器件的壽命影響非常大，可能造成局部區(qū)域的脆弱性增加、功率密度的提高、器件的復(fù)雜性增加以及引入新的失效機制，同時較小的容錯空間意味著壽命問題必須在設(shè)計的一開始就考慮，并且在器件的開發(fā)和制造過程中一直進行監(jiān)控和測試，一直到最終產(chǎn)品的完成。
[0003]在集成電路開發(fā)過程中通常用到PCell，所述PCell是指芯片代工廠提供給客戶進行集成電路設(shè)計的參數(shù)化器件單元，該PCell必須經(jīng)過設(shè)計規(guī)則檢查(DRC, Design RuleCheck)驗證，以確保在各種參數(shù)變化時，PCell的版圖沒有DRC錯誤(DRC v1lat1n)，從而保證客戶使用PCell設(shè)計的電路沒有DRC錯誤。
[0004]目前集成電路設(shè)計是利用PCell進行電路設(shè)計，以減小電路設(shè)計的復(fù)雜性，縮短設(shè)計時間。作為電路設(shè)計基本模塊的PCell必須是各種參數(shù)設(shè)置都沒有DRC錯誤，否則，以此設(shè)計的電路不可避免有DRC錯誤。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中常用的驗證方法是按經(jīng)驗對PCell參數(shù)在設(shè)計范圍內(nèi)隨意取值，實例數(shù)量在幾百個的量級，覆蓋率不足導(dǎo)致驗證不充分，經(jīng)常發(fā)生發(fā)布給客戶后，客戶使用中發(fā)現(xiàn)PCell有DRC錯誤。
[0006]由于PCell的參數(shù)眾多，而且參數(shù)的變化范圍較大，組合后產(chǎn)生的PCell實例數(shù)以千萬計，在有限的開發(fā)時間和有限的計算資源條件下，將所有PCell實例進行DRC驗證是不可能的。如何高效、全面地產(chǎn)生PCell實例并進行DRC驗證是目前PCell開發(fā)中的需要解決的問題。
[0007]因此，需要對現(xiàn)有技術(shù)中對PCell參數(shù)的DRC驗證方法進行改進，以便消除上述各種弊端，提高DRC驗證的效率以及準(zhǔn)確率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。
[0009]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法，包括以下步驟:
[0010]步驟(a)產(chǎn)生PCell實例；
[0011]步驟(b)對所述PCell實例進行版圖布局；
[0012]步驟(c)執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。
[0013]作為優(yōu)選，所述步驟(a)包括以下子步驟:
[0014]步驟(a-Ι)根據(jù)PCell參數(shù)的種類，對影響Pcell版圖的參數(shù)關(guān)鍵點遍歷；
[0015]步驟(a-2)對所述參數(shù)關(guān)鍵點以外的Pcell參數(shù)遍歷。
[0016]作為優(yōu)選，所述PCell參數(shù)的種類包括數(shù)值型的PCell參數(shù)和開關(guān)選項PCell參數(shù)；
[0017]作為優(yōu)選，所述數(shù)值型的PCell參數(shù)包括柵極長度、柵極寬度、接觸孔列和指狀數(shù)目；所述開關(guān)選項PCell參數(shù)包括源漏極開關(guān)和襯底連接類型(bodytie type)。
[0018]作為優(yōu)選，其中所述數(shù)值型的PCell參數(shù)的最小值、最大值、缺省值都產(chǎn)生對應(yīng)的PCell實例；
[0019]所述開關(guān)選項PCell參數(shù)都產(chǎn)生對應(yīng)的PCell實例。
[0020]作為優(yōu)選，所述關(guān)鍵點是指在設(shè)計規(guī)則中，同一條設(shè)計規(guī)則根據(jù)不同的限制條件產(chǎn)生不同數(shù)值，所述限制條件為DRC驗證中的關(guān)鍵點。
[0021]作為優(yōu)選,所述參數(shù)關(guān)鍵點以外的Pcell參數(shù)以從小到大或從大到小步進的增長方式產(chǎn)生；或者按指數(shù)的增長方式產(chǎn)生；
[0022]所述增長步進值的最小值為該工藝的格點值，所述格點值從PCell設(shè)計文件獲得。
[0023]作為優(yōu)選，所述步驟(b)包括以下子步驟:
[0024]步驟(b-Ι)對所述PCell實例的間距進行計算；
[0025]步驟(b-2)以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例；
[0026]步驟(b-3)將所述PCell參數(shù)標(biāo)注于所述PCell實例。
[0027]作為優(yōu)選，所述步驟(b-Ι)中對所述PCell實例的間距進行計算的方法包括:
[0028]從PCell設(shè)計文件或技術(shù)文件中提取版圖中層的間距要求，或設(shè)定各層最小間距中最大值作為擺放PCell實例的間距，以大于所述間距的距離擺放所述PCell實例，以避免產(chǎn)生PCell實例間距的DRC錯誤。
[0029]作為優(yōu)選，所述步驟(b-2)中以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例的方法包括:
[0030]將PCell共同參數(shù)步進變化產(chǎn)生的PCell實例排列于同一行或列。
[0031]作為優(yōu)選，所述步驟(b-3)中將所述PCell參數(shù)標(biāo)注于所述PCell實例的方法包括:
[0032]所述PCell參數(shù)以文字形式標(biāo)注于PCell實例的特定位置；步進變化的PCell參數(shù)以文字形式標(biāo)注于PCell實例版圖中的特定位置。
[0033]作為優(yōu)選，所述步驟(C)包括以下子步驟:
[0034]步驟(c-Ι)執(zhí)行DRC檢查，若所述PCell參數(shù)沒有DRC錯誤，則通過DRC驗證；
[0035]步驟(c-2)若所述PCell參數(shù)存在DRC錯誤，則定位出錯的PCell參數(shù)，并進行改正，至通過DRC驗證為止。
[0036]作為優(yōu)選，所述步驟(c-2)中定位出錯的PCell參數(shù)的方法包括:
[0037]步驟(c-2-l)查找所述DRC錯誤是否存在于整行或者整列所述PCell實例中；
[0038]步驟(c-2-2)若所述DRC錯誤存在于單個PCell實例中，根據(jù)標(biāo)注的文字確定該PCell參數(shù)設(shè)置，修改該PCell參數(shù)；
[0039]若所述DRC錯誤存在于整行或列，根據(jù)該行或列的共同參數(shù)來判定對應(yīng)的PCell參數(shù)，修改該PCell參數(shù)；
[0040]步驟(c-2-3)修改所述PCell參數(shù)后,重復(fù)步驟(a)至步驟(C),至過DRC驗證為止。
[0041]本發(fā)明為了在有限的開發(fā)時間和有限的計算資源條件下，盡可能高效、全面地對PCell實例進行DRC驗證，提出了一種可以快速有效產(chǎn)生大量PCell實例，并進行DRC驗證的方法。
[0042]本發(fā)明中快速批量產(chǎn)生用于DRC驗證的PCell實例的方法:從最小值到最大值遍歷，包括缺省值，影響PCell結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵值及正負(fù)一個最小工藝格點，步長可以是等值、指數(shù)、自定義等；PCell實例版圖布局時在特定位置標(biāo)示PCell參數(shù)文字，以便于發(fā)現(xiàn)DRC違例后快速查詢PCell參數(shù)；避免PCell實例版圖引入DRC違例的方法=PCell實例布局后添加邊界圖層(BORDER)，PCe 11實例之間的間隔以避免層(layer)之間產(chǎn)生DRC間距錯誤；對布局后的PCell實例版圖進行DRC診斷的方法:用DRC文件檢查布局好的PCell實例版圖，在PCell內(nèi)部應(yīng)該沒有DRC違例，如果有，可以定位DRC違例是位于哪些PCell實例以及該實例對應(yīng)的PCell參數(shù)，需要返回修改對應(yīng)的PCell。
[0043]在所述方法中如果生成的PCell實例存在DRC錯誤，本發(fā)明的方法可以快速準(zhǔn)確的定位存在DRC錯誤的PCell相關(guān)參數(shù)，以便于開發(fā)人員找到DRC錯誤的原因并修改PCell0
【附圖說明】
[0044]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0045]圖1為本發(fā)明的一【具體實施方式】中工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0046]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0047]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0048]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施例的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
[0049]本發(fā)明中提供了一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法，包括以下步驟:
[0050]步驟(a)，產(chǎn)生PCe 11實例；
[0051]步驟(b)，對所述PCell實例進行版圖布局；
[0052]步驟(C)，執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。
[0053]其中，所述步驟(a)包括以下子步驟:
[0054]步驟(a-Ι),依據(jù)PCell參數(shù)的種類,對影響Pcell版圖的參數(shù)關(guān)鍵點遍歷；
[0055]步驟(a-2),對所述參數(shù)關(guān)鍵點以外的Pcell參數(shù)遍歷。
[0056]進一步,步驟(a)中PCell實例生成方法:
[0057]步驟(a-Ι),依據(jù)PCell參數(shù)的種類,每一個影響Pcell版圖的參數(shù)都要遍歷到，PCell參數(shù)有兩類:數(shù)值、開關(guān)選項。
[0058]在本發(fā)明的一【具體實施方式】中，以MOS為例，PCelI參數(shù)可能包括:柵極長度(gatelength)、柵極寬度(gate width)、接觸孔列(contact row)、指狀數(shù)目(finger number)、源漏極開關(guān)(switch S/D)和襯底連接類型(bodytie type)。
[0059]其中，所述柵極長度(gate length)、柵極寬度(gate width)、接觸孔列(contactrow)屬于數(shù)值型的PCell參數(shù)；所述源漏極開關(guān)(switch S/D)和襯底連接類型(bodytietype)是開關(guān)選項PCell參數(shù)。
[0060]其中，關(guān)鍵點是指在設(shè)計規(guī)則中，同一條設(shè)計規(guī)則(rule)根據(jù)不同的限制條件會有不同數(shù)值，這些限制條件就成為P