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指紋識(shí)別裝置及包含其的電子裝置的制造方法_3

文檔序號(hào):9261573閱讀:來源:國(guó)知局
0 μ m0
[0053]網(wǎng)格狀凹槽131和網(wǎng)格狀凹槽132的寬度為0.2 μ m?5 μ m,深度為2 μ m?6 μ m,且深度和寬度的比值大于I。網(wǎng)格狀凹槽131的網(wǎng)格形狀為規(guī)則或者不規(guī)則的網(wǎng)格,如圖12A至圖12D所示,網(wǎng)格狀凹槽131的網(wǎng)格形狀可以為正六邊形、正方形、菱形、矩形、平行四邊形、曲邊四邊形或隨機(jī)網(wǎng)格中的任意一種。對(duì)應(yīng)的,驅(qū)動(dòng)通道14和感測(cè)通道15的網(wǎng)格形狀可以為正六邊形、正方形、菱形、矩形、平行四邊形、曲邊四邊形或隨機(jī)網(wǎng)格形狀。
[0054]此外,為了減少裝置的整體厚度,在本實(shí)施例中,電介質(zhì)層的厚度小于200 μ m。
[0055]實(shí)施例二
[0056]圖7A和圖7B為本發(fā)明實(shí)施例二中的不同實(shí)施例的指紋識(shí)別模塊的橫截面示意圖。在本實(shí)施例中,指紋識(shí)別模塊23包括電介質(zhì)層200以及驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25。電介質(zhì)層200為層疊結(jié)構(gòu),電介質(zhì)層200包括依次疊置的第一基質(zhì)層211、基底210以及第二基質(zhì)層221,第一基質(zhì)層211遠(yuǎn)離基底210 —側(cè)的表面以及第二基質(zhì)層221遠(yuǎn)離基底210一側(cè)的表面均開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽231,驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25收容于網(wǎng)格狀凹槽231內(nèi),經(jīng)導(dǎo)電圖案設(shè)計(jì),在第一基質(zhì)層211遠(yuǎn)離基底210 —側(cè)的表面以及第二基質(zhì)層221遠(yuǎn)離基底210 —側(cè)的表面分別形成驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25,驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25的圖案可以為條狀,如圖2A所示,也可以為菱形,如圖4所示,也可以為其他圖案;為保證指紋識(shí)別的精度,驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25的最大寬度不大于ΙΟΟμπι,相鄰驅(qū)動(dòng)通道24之間或者相鄰感測(cè)通道25之間的最大距離不大于100 μ m,在本實(shí)施例中,優(yōu)選的,驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25的最大寬度為60 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道24間或者相鄰感測(cè)通道25間的最大距離為 20 μ m。
[0057]上述指紋識(shí)別模塊23還包括引線電極27。如圖7A所示,第一基質(zhì)層211和第二基質(zhì)層221的邊緣-不可見區(qū)域內(nèi)開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽232,引線電極27收容于網(wǎng)格狀凹槽232中。引線電極27分別與驅(qū)動(dòng)通道24和感測(cè)通道25電連接,并與如圖5所示的引線組16相連。如圖7B所示,引線電極27也可通過絲網(wǎng)印刷或噴墨打印,以在第一基質(zhì)層211或第二基質(zhì)層221表面上形成凸起網(wǎng)格狀導(dǎo)電線或?qū)щ娋€段。凸起網(wǎng)格狀導(dǎo)電線或?qū)щ娋€段的最小寬度可以為10 μ m?200 μ m,高度可以為5 μ m?10 μ m。
[0058]本實(shí)施例中所述的指紋識(shí)別裝置的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中所述的結(jié)構(gòu)類似,在此不再贅述。
[0059]實(shí)施例三
[0060]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三中的指紋識(shí)別模塊的橫截面示意圖。在本實(shí)施例中,指紋識(shí)別模塊33包括電介質(zhì)層300和識(shí)別層。電介質(zhì)層300為層疊結(jié)構(gòu),包括依次疊置的基底310和基質(zhì)層311。識(shí)別層包括驅(qū)動(dòng)通道34和感測(cè)通道35,基質(zhì)層311遠(yuǎn)離基底310的一側(cè)表面以及基底310靠近基質(zhì)層311 —側(cè)的表面上分別開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽331,識(shí)別層收容于網(wǎng)格狀凹槽331內(nèi),經(jīng)導(dǎo)電圖案設(shè)計(jì),在基質(zhì)層311遠(yuǎn)離基底310 —側(cè)的表面以及在基底310靠近基質(zhì)層311 —側(cè)的表面上分別形成驅(qū)動(dòng)通道34和感測(cè)通道35。驅(qū)動(dòng)通道34和感測(cè)通道35的圖案可以為如圖2A所示的條狀,也可以為如圖4所示的菱形,也可以為其他圖案。為保證指紋識(shí)別的精度,驅(qū)動(dòng)通道34和感測(cè)通道35的最大寬度不大于100 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道34之間或者相鄰感測(cè)通道35之間的最大距離不大于ΙΟΟμπι。在本實(shí)施例中,優(yōu)選的,驅(qū)動(dòng)通道34和感測(cè)通道35的最大寬度為70 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道34之間或者相鄰驅(qū)動(dòng)通道35之間的最大距離為30 μ m。
[0061]上述指紋識(shí)別模塊33還包括引線電極37。如圖8所示,基質(zhì)層311和基底310的邊緣-不可見區(qū)域內(nèi)開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽332,引線電極37收容于網(wǎng)格狀凹槽332中。引線電極37分別與驅(qū)動(dòng)通道34和感測(cè)通道35電連接,并與如圖5所示的引線組16相連。此夕卜,引線電極37也可以通過絲網(wǎng)印刷或噴墨打印,以在基質(zhì)層311或基底310表面上形成凸起網(wǎng)格狀導(dǎo)電線或?qū)щ娋€段(圖中未示出)。凸起網(wǎng)格狀導(dǎo)電線或?qū)щ娋€段的最小寬度可以為10 μ m?200 μ m,高度可以為5 μ m?10 μ m。
[0062]本實(shí)施例中所述的指紋識(shí)別裝置的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中所述的結(jié)構(gòu)類似,在此不再贅述。
[0063]實(shí)施例四
[0064]圖9A和圖9B為本發(fā)明實(shí)施例四中的不同實(shí)施例的指紋識(shí)別模塊的橫截面示意圖。在本實(shí)施例中,指紋識(shí)別模塊43包括電介質(zhì)層400和識(shí)別層。電介質(zhì)層400為層疊結(jié)構(gòu),包括依次疊置的基底410、第二基質(zhì)層421和第一基質(zhì)層411,識(shí)別層包括驅(qū)動(dòng)通道44和感測(cè)通道45,第一基質(zhì)層411遠(yuǎn)離基底410的一側(cè)表面以及第二基質(zhì)層421遠(yuǎn)離基底410一側(cè)的表面上分別開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽431,識(shí)別層收容于網(wǎng)格狀凹槽431內(nèi)。經(jīng)導(dǎo)電圖案設(shè)計(jì),在第一基質(zhì)層411遠(yuǎn)離基底410 —側(cè)的表面上以及第二基質(zhì)層421遠(yuǎn)離基底410 —側(cè)的表面上分別形成驅(qū)動(dòng)通道44和感測(cè)通道45,驅(qū)動(dòng)通道44和感測(cè)通道45的圖案可以為如圖2A所示的條狀,也可以為如圖4所示的菱形,也可以為其他圖案。為保證指紋識(shí)別的精度,驅(qū)動(dòng)通道44和感測(cè)通道45的最大寬度不大于100 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道44之間或者相鄰感測(cè)通道45之間的最大距離不大于100 μ m,在本實(shí)施例中,優(yōu)選的,驅(qū)動(dòng)通道44和感測(cè)通道45的最大寬度為80 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道44之間或者相鄰驅(qū)動(dòng)通道45之間的最大距離為40 μ m0
[0065]上述指紋識(shí)別模塊43還包括引線電極47。如圖9A所示,第一基質(zhì)層411和第二基質(zhì)層421遠(yuǎn)離基底410的邊緣-不可見區(qū)域內(nèi)開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽432,引線電極47收容于網(wǎng)格狀凹槽432中。引線電極47分別與驅(qū)動(dòng)通道44和感測(cè)通道45電連接,并與如圖5所示的引線組16相連。此外,如圖9B所示,引線電極47可通過絲網(wǎng)印刷或噴墨打印,以在第一基質(zhì)層411和第二基質(zhì)層421遠(yuǎn)離基底410表面上分別形成凸起網(wǎng)格狀導(dǎo)電線或?qū)щ娋€段47。凸起網(wǎng)格狀導(dǎo)電線或?qū)щ娋€段的最小寬度可以為10 μ m?200 μ m,高度可以為5 μ m ?10 μ m0
[0066]實(shí)施例五
[0067]圖10為本發(fā)明實(shí)施例五中的指紋識(shí)別模塊的橫截面示意圖。在本實(shí)施例中,指紋識(shí)別模塊53包括電介質(zhì)層500和識(shí)別層。電介質(zhì)層500為層疊結(jié)構(gòu),包括依次疊置的第一基底510、黏合層(圖中帶有斜線部分)和第二基底520。識(shí)別層包括驅(qū)動(dòng)通道54和感測(cè)通道55。第一基底510遠(yuǎn)離黏合層的一側(cè)表面以及第二基底520遠(yuǎn)離黏合層一側(cè)的表面上分別開設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽531,識(shí)別層收容于網(wǎng)格狀凹槽531內(nèi)。經(jīng)導(dǎo)電圖案設(shè)計(jì),在第一基底510遠(yuǎn)離黏合層一側(cè)的表面上以及第二基底遠(yuǎn)離黏合層一側(cè)的表面上分別形成驅(qū)動(dòng)通道54和感測(cè)通道55。驅(qū)動(dòng)通道54和感測(cè)通道55的圖案可以為如圖2A所示的條狀,也可以為如圖4所示的菱形,也可以為其他圖案。為保證指紋識(shí)別的精度,驅(qū)動(dòng)通道54和感測(cè)通道55的最大寬度不大于100 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道54之間或者相鄰感測(cè)通道55之間的最大距離不大于100 μ m,在本實(shí)施例中,優(yōu)選的,驅(qū)動(dòng)通道54和感測(cè)通道55的最大寬度為40 μ m,相鄰驅(qū)動(dòng)通道54之間或者相鄰驅(qū)動(dòng)通道55之間的最大距離為10 μ m。
[0068]上述指紋識(shí)別模塊53還包括引線電極57。如圖10所示,第一基底510和第二基底520遠(yuǎn)離黏合層的邊
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