于lOnm時，非結(jié)晶IT0層70的阻抗較小，能夠達(dá)到透明導(dǎo) 電膜對阻抗的要求；當(dāng)非結(jié)晶IT0層70的厚度小于lOOnm時，會進(jìn)一步降低透明導(dǎo)電膜的 阻抗，并且使得透明導(dǎo)電膜具有較好的外觀，為了進(jìn)一步獲得阻抗較低且外觀較好透明導(dǎo) 電膜，本申請進(jìn)一步優(yōu)選上述非結(jié)晶IT0層70的厚度在15~40皿。
[0033] 為了更好地減小刻蝕后刻蝕部分與非刻蝕部分之間產(chǎn)生的光學(xué)特性差別（包括 可視光范圍內(nèi)的透過和反射特性的差別），進(jìn)而得到更低立體紋的透明導(dǎo)電膜，進(jìn)一步改善 透明導(dǎo)電膜的立體紋現(xiàn)象，如圖2所示，本申請優(yōu)選上述光學(xué)調(diào)整層50包括第一光學(xué)調(diào)整 層51與第二光學(xué)調(diào)整層52,上述第一光學(xué)調(diào)整層51設(shè)置在上述透明基材層30與上述非 結(jié)晶性IT0層70之間，上述第二光學(xué)調(diào)整層52設(shè)置在上述第一光學(xué)調(diào)整層51與上述非結(jié) 晶性IT0層70之間。當(dāng)透明基材層30的折射率大于1. 55時，可W不設(shè)置第二光學(xué)調(diào)整層 52〇
[0034] 本申請的另一種優(yōu)選的實施例中，上述第一光學(xué)調(diào)整層51的折射率在1.55~ 3之間，通過將第一光學(xué)調(diào)整層51的折射率控制在1. 55~3內(nèi)，可W進(jìn)一步縮小非結(jié)晶 IT0層50中的刻蝕部分與非刻蝕部分之間的光學(xué)特性差異。為了進(jìn)一步降低透明導(dǎo)電膜 中的立體紋，進(jìn)一步優(yōu)選第一光學(xué)調(diào)整層51的折射率在1. 60~2. 80之間，進(jìn)一步優(yōu)選在 1. 76~2. 80之間。
[0035] 為了更進(jìn)一步減小非結(jié)晶IT0層70中的刻蝕部分與非刻蝕部分之間的色差，使得 透明導(dǎo)電膜獲得更好的低立體紋效果，本申請優(yōu)選上述第一光學(xué)調(diào)整層51的厚度在5nm~ 10 y m之間，進(jìn)一步優(yōu)選在lOnm~5 ym之間。
[0036] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，上述第二光學(xué)調(diào)整層52的折射率在1. 10~ 1. 55之間，該樣第二光學(xué)調(diào)整層52的低折射率與第一光學(xué)調(diào)整層51的高折射率相互配合， 使得非結(jié)晶IT0層70中的刻蝕部分與非刻蝕部分之間的色差大大減小。為了得到低立體 紋效果更好的透明導(dǎo)電膜，本申請進(jìn)一步優(yōu)選第二光學(xué)調(diào)整層52的折射率在1. 20~1. 50 之間，進(jìn)一步優(yōu)選在1.45之間。
[0037] 第二光學(xué)調(diào)整層52的厚度越小，透明薄膜的性能越好，但是其厚度越小，制備工 藝越復(fù)雜，因此，綜合考慮工藝與性能兩方面，本申請優(yōu)選上述第二光學(xué)調(diào)整層52的厚度 在5~500皿之間，優(yōu)選上述第二光學(xué)調(diào)整層52的厚度在10~300皿之間。
[003引本申請的另一種優(yōu)選的實施例中，上述第一光學(xué)調(diào)整層51選自二氧化鐵層、氧化 錯層與五氧化二魄層中的一種，優(yōu)選上述第二光學(xué)調(diào)整層52選自氣化儀層，氣化巧層，冰 晶石層與有機(jī)氣化物層（如日本DIC公司0P-4002, 0P-4003, 0P-4004 ;大金工業(yè)UV1000， UV1100, UV2100 ;關(guān)東化學(xué)公司邸4000等）與二氧化娃層（包括中空二氧化娃層）中的一 種。
[0039] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，如圖3所示，優(yōu)選上述透明導(dǎo)電膜還包括第一 硬化層20,上述第一硬化層20設(shè)置在上述透明基材層30的遠(yuǎn)離上述光學(xué)調(diào)整層50的表面 上，第一硬化層20可W對透明基材層30、光學(xué)調(diào)整層50與非結(jié)晶IT0層70進(jìn)行保護(hù)，保證 透明導(dǎo)電膜的耐刮、耐劃性。
[0040] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，上述第一硬化層20的鉛筆硬度在4B~9H之 間，當(dāng)?shù)谝挥不瘜?0的硬度大于4B時，其硬度較大，能夠起到更好保護(hù)作用；當(dāng)其硬度小于 9H時，其自身收卷較容易、并且會降低制作成本。為了進(jìn)一步保證第一硬化層20的保護(hù)性 能與維持較低的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步優(yōu)選第一硬化層20的鉛筆硬度在在2B~5H之間。
[0041] 在設(shè)置光學(xué)調(diào)整層50之前，為了保護(hù)透明基材層30,上述透明導(dǎo)電膜還包括第二 硬化層40,如圖3所示，上述第二硬化層40設(shè)置在透明基材層30與上述光學(xué)調(diào)整層50之 間，優(yōu)選上述第二硬化層40的折射率在1. 4~1. 6之間。
[0042] 為了進(jìn)一步保證第二硬化層40的對透明導(dǎo)電膜的保護(hù)性能，同時考慮到生產(chǎn)成 本，優(yōu)選第二硬化層40的厚度在0. 3~50 y m之間，當(dāng)該層的厚度大于0. 3 y m時，能夠更 好地起到保護(hù)透明導(dǎo)電膜其它層的作用；而當(dāng)其厚度小于50 ym時，其生產(chǎn)成本較低。為了 進(jìn)一步保證第二硬化層40能起到良好的保護(hù)作用，同時，進(jìn)一步保證其生產(chǎn)成本較低，本 申請優(yōu)選第二硬化層40的厚度在0. 5~5. 0 y m之間。
[0043] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，上述第一硬化層20的厚度比上述第二硬化層 40的厚度大0. 1~5 y m，利用第一硬化層20比第二硬化層40的厚度大出來的部分平衡透 明基材層30的上下兩面的應(yīng)力，緩解第二硬化層40,非結(jié)晶性IT0層70形成及后續(xù)加熱工 藝處理時帶來的應(yīng)力變化，防止透明導(dǎo)電膜翅曲，進(jìn)一步改善立體紋的效果。
[0044] 本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，上述透明基材層30的全光透過率大于85%，透 過率大于85%，能夠更好地滿足客戶的要求。本申請中的透明基材層30是指各生產(chǎn)廠家所 生產(chǎn)的透明塑料薄層，一般為包括PET層，TAC層，PC層，陽層或PP層，但不僅僅只局限于 該些透明基材層30。
[0045] 為了進(jìn)一步確保透明基材層30的工藝可實現(xiàn)性，同時考慮到層透明基材層30的 收卷性能，本申請優(yōu)選上述透明基材層30的厚度在10~500 ym之間，透明基材層30的厚 度控制在此范圍內(nèi)，進(jìn)一步保證了制備工藝的難度較低，成本較低，并且透明基材層30的 收卷較容易。在進(jìn)一步考慮了現(xiàn)有生產(chǎn)狀況和生產(chǎn)成本后，進(jìn)一步優(yōu)選上述透明基材層30 的厚度在20~200 ym之間。
[0046] 本申請的另一種優(yōu)選的實施例中，上述透明基材層30的機(jī)械運行方向（Machine Direction，MD，也稱機(jī)械拉伸方向）的收縮率大于0小于等于0. 5%，垂直于機(jī)械運行方向 (Transverse Direction，TD，也稱垂直于機(jī)械拉伸方向）的收縮率大于0小于等于0. 1%。 當(dāng)透明基材層30的機(jī)械運行方向的收縮率與垂直于機(jī)械運行方向的收縮率控制在上述范 圍內(nèi)，其熱收縮率較低，可W進(jìn)一步改善透明導(dǎo)電膜的立體紋。為了使透明導(dǎo)電膜的低立體 紋效果更好，還可W對透明基材層30的與第一硬化層20作耐熱處理。
[0047] 在生產(chǎn)中，如果上述的第一硬化層20與第二硬化層40出現(xiàn)卷料粘黏時，可對第一 硬化層20與第二硬化層40做表面粗趟化處理。如采用多個島區(qū)凸起，島區(qū)凸起高度為納 米級；或在硬化涂布液內(nèi)添加粒子，粒子直徑在微米級，處理后的表面粗趟度Ra在0. 3nm~ 10 y m之間，進(jìn)一步優(yōu)選Ra在0. 6皿~2. 0 ym之間。
[004引本申請的又一種優(yōu)選的實施例中，提供了一種電容式觸摸屏，該電容式觸摸屏包 含透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜為上述的透明導(dǎo)電膜。
[0049] 該電容式觸摸屏中的透明導(dǎo)電膜具有低立體紋，能夠滿足客戶的要求，同時由于 該電容式觸摸屏中的透明導(dǎo)電膜的阻抗較低，使得電容式觸摸屏可W實現(xiàn)大尺寸化，進(jìn)而 滿足現(xiàn)有技術(shù)中觸摸屏設(shè)備大型化的需求；另外，該電容式觸摸屏的透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)工 藝較簡單，使得電容式觸摸屏的生產(chǎn)成本也較低。
[0050] 為了讓本領(lǐng)域技術(shù)人員更加清楚了解本申請的技術(shù)方案，W下將結(jié)合實施例與對 比例進(jìn)行說明。
[00川 實施例1
[0052] 利用磁控瓣射工藝，在透明基材層30的表面上鍛膜，依次得到光學(xué)調(diào)整層50與非 結(jié)晶性IT0層70，形成圖2所示的透明導(dǎo)電膜。
[0053] 采用油墨網(wǎng)印蝕刻法對透明導(dǎo)電膜的非結(jié)晶IT0層70進(jìn)行刻蝕，然后，對其進(jìn)行 烘烤，烘烤溫度為150°C，時間為60min。透明導(dǎo)電膜的具體結(jié)構(gòu)參數(shù)見表1。
[0054] 實施例2
[0055] 采用與實施例1相同的方法制備透明導(dǎo)電膜，制備得到的透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)參數(shù) 見表1，其中，涂布第一硬化層10的硬化液為日本荒川化學(xué)公司的型號為FZ001的硬化