透明導(dǎo)電膜與包含其的電容式觸摸屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及觸摸屏領(lǐng)域，具體而言，設(shè)及一種透明導(dǎo)電膜與包含其的電容式觸摸 屏。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的電容式觸摸屏用透明導(dǎo)電膜在蝕刻及熱處理之后，會(huì)出現(xiàn)立體紋，無(wú)法滿 足部分高端客戶的需求
[0003] 立體紋產(chǎn)生原因主要是因?yàn)椋海?)IT0層（氧化銅錫層）的蝕刻部分與非蝕刻部分 產(chǎn)生了光學(xué)特性差別（包括可視光范圍內(nèi)的透過和反射特性，簡(jiǎn)稱為色差），從而產(chǎn)生立體 紋路；（2)在后期的熱處理工藝中，因各層的熱收縮率的不同會(huì)出現(xiàn)涂層間應(yīng)力不匹配現(xiàn) 象，該是因?yàn)镮T0層和透明基材層及硬化層之間的組成差異比較大，相互之間存在的應(yīng)力 較大，尤其是IT0層由加熱前的非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榧訜岷蟮慕Y(jié)晶態(tài)，會(huì)導(dǎo)致IT0層與透明基材層 及硬化層之間的應(yīng)力增大，進(jìn)而造成蝕刻部分和透明基材層及硬化層之間的應(yīng)力與非蝕刻 部分與有機(jī)層之間的應(yīng)力差別會(huì)進(jìn)一步增大，從而導(dǎo)致立體紋的加重。
[0004] 現(xiàn)有專利及文獻(xiàn)主要使用熱收縮率較小的硬化層與透明基材層形成透明導(dǎo)電膜， 進(jìn)一步作為電容式觸摸屏的制作材料，但是，在IT0層蝕刻后，透明導(dǎo)電膜仍然會(huì)產(chǎn)生立體 紋，使得電容式觸摸屏不足W滿足客戶的需求。
[0005] 因此，亟需一種低立體紋的透明導(dǎo)電膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種透明導(dǎo)電膜與包含其的電容式觸摸屏，W解決現(xiàn) 有技術(shù)中透明導(dǎo)電膜中立體紋嚴(yán)重的問題。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電 膜包括；透明基材層、光學(xué)調(diào)整層與非結(jié)晶IT0層。其中，上述光學(xué)調(diào)整層設(shè)置于上述透明 基材層的表面上；上述非結(jié)晶IT0層設(shè)置于上述光學(xué)調(diào)整層的遠(yuǎn)離上述透明基材層的表面 上。
[0008] 進(jìn)一步地，上述非結(jié)晶性IT0層中Sn的重量含量為7 %~30 %，優(yōu)選為8 %~ 20%，更有選為15%。
[0009] 進(jìn)一步地，上述非結(jié)晶性IT0層的厚度在10~100皿之間，優(yōu)選在15~40皿之 間。
[0010] 進(jìn)一步地，上述光學(xué)調(diào)整層包括；第一光學(xué)調(diào)整層與第二光學(xué)調(diào)整層，第一光學(xué)調(diào) 整層設(shè)置在上述透明基材層與上述非結(jié)晶性IT0層之間；第二光學(xué)調(diào)整層設(shè)置在上述第一 光學(xué)調(diào)整層與上述非結(jié)晶性IT0層之間。
[0011] 進(jìn)一步地，上述第一光學(xué)調(diào)整層的折射率在1. 55~3之間，優(yōu)選在1. 60~2. 80 之間。
[0012] 進(jìn)一步地，上述第一光學(xué)調(diào)整層的厚度在5皿~10 ym之間，優(yōu)選在10皿~Sum 之間。
[0013] 進(jìn)一步地，上述第二光學(xué)調(diào)整層的折射率在1. 10~1. 55之間，優(yōu)選在1. 20~ 1. 50之間。
[0014] 進(jìn)一步地，上述第二光學(xué)調(diào)整層的厚度在5~500皿之間，優(yōu)選在10~300皿之 間。
[0015] 進(jìn)一步地，上述透明導(dǎo)電膜還包括第一硬化層，上述第一硬化層設(shè)置在上述透明 基材層的遠(yuǎn)離上述光學(xué)調(diào)整層的表面上。
[0016] 進(jìn)一步地，上述第一硬化層的鉛筆硬度在4B~9H之間，進(jìn)一步優(yōu)選在2B~甜之 間。
[0017] 進(jìn)一步地，上述透明導(dǎo)電膜還包括第二硬化層，上述第二硬化層設(shè)置在透明基材 層與上述光學(xué)調(diào)整層之間，優(yōu)選上述第二硬化層的折射率在1. 4~1. 6之間。
[0018] 進(jìn)一步地，上述第二硬化層的厚度在0. 3~50 y m之間，優(yōu)選在0. 5~5 y m之間， 進(jìn)一步優(yōu)選上述第一硬化層的厚度比第二硬化層的厚度大0. 1~5 ym。
[0019] 進(jìn)一步地，上述透明基材層的全光透過率大于85%，優(yōu)選上述透明基材層的厚度 在10~500 y m之間，進(jìn)一步優(yōu)選在20~200 y m之間。
[0020] 進(jìn)一步地，上述透明基材層的機(jī)械運(yùn)行方向的收縮率大于0小于等于0. 5%，垂直 于上述機(jī)械運(yùn)行方向的收縮率大于0小于等于0. 1%。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電容式觸摸屏，該電容式觸摸屏包含上述的 透明導(dǎo)電膜。
[0022] 應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，透明導(dǎo)電膜通過采用非結(jié)晶IT0層代替現(xiàn)有技術(shù)中的結(jié) 晶IT0層，非結(jié)晶IT0層在后期的熱處理過程后，不會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)，而是保持非 結(jié)晶態(tài)，進(jìn)而使得非結(jié)晶IT0層的收縮率保持不變，進(jìn)而使得蝕刻及加熱前后各層之間的 應(yīng)力差異大大減小，緩解了透明導(dǎo)電薄膜的立體紋嚴(yán)重的問題，同時(shí)，光學(xué)調(diào)整層通過調(diào)整 其自身的折射率與厚度，縮小非結(jié)晶IT0層中的刻蝕部分與非刻蝕部分之間的光學(xué)特性 (透過及反射）差異，即減小色差，進(jìn)一步緩解了透明導(dǎo)電薄膜的立體紋嚴(yán)重的問題，得到 低立體紋的電容式觸摸屏用透明導(dǎo)電薄膜；并且，非結(jié)晶IT0層的阻抗較低，使其滿足現(xiàn)有 技術(shù)中觸摸屏設(shè)備大型化的需求，擴(kuò)展了其在大型化觸控產(chǎn)品市場(chǎng)中的應(yīng)用；另外，該透明 導(dǎo)電膜的制作工藝較簡(jiǎn)單，降低了透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)成品。
【附圖說明】
[0023] 構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說明書附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示 意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0024] 圖1示出了本申請(qǐng)一種典型實(shí)施方式提供的透明導(dǎo)電膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖2示出了本申請(qǐng)一種優(yōu)選實(shí)施例提供的透明導(dǎo)電膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖擬及
[0026] 圖3示出了本申請(qǐng)另一種優(yōu)選實(shí)施例提供的透明導(dǎo)電膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可W相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[002引本申請(qǐng)的一種典型的實(shí)施方式提供了一種透明導(dǎo)電膜，如圖1所示，該透明導(dǎo)電 膜包括：透明基材層30、光學(xué)調(diào)整層50與非結(jié)晶IT0層70。其中，上述光學(xué)調(diào)整層50設(shè)置 于上述透明基材層30的表面上；上述非結(jié)晶IT0層70設(shè)置于上述光學(xué)調(diào)整層50的遠(yuǎn)離上 述透明基材層30的表面上。
[0029] 結(jié)晶IT0是指在熱處理過程中會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)的一種IT0 ;本發(fā)明的非 結(jié)晶IT0是指在熱處理過程后不會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)的一種口0。光學(xué)調(diào)整層50用于 調(diào)整透明導(dǎo)電膜的光學(xué)特性。
[0030] 上述的透明導(dǎo)電膜通過采用非結(jié)晶IT0層70代替現(xiàn)有技術(shù)中的結(jié)晶IT0層，在后 期的熱處理過程后，非結(jié)晶IT0層70不會(huì)由非結(jié)晶態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶態(tài)，而是保持非結(jié)晶態(tài)，使得 非結(jié)晶IT0層70的收縮率保持不變，進(jìn)而使得蝕刻及加熱前后各層之間的應(yīng)力差異大大減 小，緩解了透明導(dǎo)電薄膜的立體紋嚴(yán)重的問題，同時(shí)，光學(xué)調(diào)整層50通過調(diào)整其自身的折 射率與厚度，縮小非結(jié)晶IT0層70中的刻蝕部分與非刻蝕部分之間的光學(xué)特性（透過及反 射）差異，進(jìn)一步緩解了透明導(dǎo)電薄膜的立體紋嚴(yán)重的問題，得到低立體紋的電容式觸摸 屏用透明導(dǎo)電薄膜；并且，非結(jié)晶IT0層70的阻抗較低，使其滿足現(xiàn)有技術(shù)中觸摸屏設(shè)備大 型化的需求，擴(kuò)展了其在大型化觸控產(chǎn)品市場(chǎng)中的應(yīng)用；另外，該透明導(dǎo)電膜的制作工藝較 簡(jiǎn)單，降低了透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)成品。
[0031] 為了使透明導(dǎo)電膜具有更好的立體紋，本申請(qǐng)優(yōu)選上述非結(jié)晶IT0層70中Sn的 重量含量為7%~30%。當(dāng)非結(jié)晶IT0層70中的Sn的重量含量大于7%時(shí)，進(jìn)一步保證 IT0不結(jié)晶，使透明導(dǎo)電膜達(dá)到更好的低立體紋效果；當(dāng)非結(jié)晶IT0層70中的Sn的重量含 量小于30%時(shí)，非結(jié)晶IT0層70的阻抗較小，同時(shí)，其透光度較高，進(jìn)一步提高了透明導(dǎo)電 膜的光學(xué)特性。為了進(jìn)一步保證透明導(dǎo)電薄膜的低立體紋效果與光學(xué)特性，本申請(qǐng)進(jìn)一步 優(yōu)選非結(jié)晶IT0層70中Sn的重量含量為8%~20%，更優(yōu)選非結(jié)晶IT0層70中Sn的重 量含量為15%。
[003引本申請(qǐng)的另一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述非結(jié)晶IT0層70的厚度在10~100皿之 間，當(dāng)非結(jié)晶IT0層70的厚度大