電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電容式觸摸屏主要包括電容屏觸控面板和柔性電路板，在柔性電路板的上方覆蓋有蓋板。其中，電容屏觸控面板簡稱為sensor，包括絕緣透明基板、感應(yīng)線路層和驅(qū)動線路層。其中，絕緣透明基板選自玻璃或塑料薄膜的其中一種；感應(yīng)線路層為具感應(yīng)線路的透光性導(dǎo)電薄膜或玻璃；驅(qū)動線路層為具驅(qū)動線路的透光性導(dǎo)電薄膜或玻璃，且驅(qū)動線路層和感應(yīng)線路層分別疊置在該絕緣透明基板的兩側(cè)。
[0003]在電容屏觸控面板的絕緣透明基板上設(shè)置有氧化銦錫薄膜(ΙΤ0 Film)，其包括顯示區(qū)域I和間隙區(qū)域2，如圖1所示，所述顯示區(qū)域I和所述間隙區(qū)域2相間分布，受電容屏觸控面板的控制芯片要求的限制所述間隙區(qū)域2的寬度一般為3_。由于間隙區(qū)域的ITO具有寄生電容，在芯片支持功能要求的限制下，如果間隙區(qū)域的ITO不刻蝕掉，在產(chǎn)品進(jìn)行觸摸使用時會產(chǎn)生觸摸信號漂移，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的觸摸識別精度，因此間隙區(qū)域的ITO必須要刻蝕掉才能保證產(chǎn)品觸摸精度?，F(xiàn)有的刻蝕方式如圖2所示，兩條圖形激光蝕刻走線3之間的部分為所述間隙區(qū)域2，間隙區(qū)域激光蝕刻走線4平行于所述圖形激光蝕刻走線3進(jìn)行刻蝕，因?yàn)殚g隙區(qū)域的寬度取值范圍一般為[0.2mm, 0.3mm]mm，所以通常需要幾十道激光蝕刻線才能蝕刻掉線所述間隙區(qū)域2的ΙΤ0。但是，采用這種刻蝕方法加工出來的產(chǎn)品，顯示圖像時屏幕上會出現(xiàn)明顯的刻蝕條紋，即刻蝕掉的部分的透過率大于顯示區(qū)域圖形部分的透過率，所以圖像看起來有明顯條紋，這就使得觸摸屏產(chǎn)品顯示效果很差，而且由于需要十幾道激光加工工序，生產(chǎn)效率也很低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于經(jīng)過現(xiàn)有電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法加工后的產(chǎn)品顯示效果差，而且生產(chǎn)效率低的問題，而提供一種顯示效果佳、生產(chǎn)效率高的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，包括利用激光蝕刻線將間隙部分的ITO分割成若干ITO段，各個所述ITO段相互獨(dú)立且互不連接。
[0007]上述刻蝕方法中，采用兩道激光蝕刻線交叉走線形成若干相互獨(dú)立且互不連接的所述ITO段，兩道激光蝕刻線在所述間隙部分形成間隙區(qū)域激光蝕刻走線。
[0008]上述刻蝕方法中，兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)過程中的距離小于一道激光蝕刻線的寬度。
[0009]上述刻蝕方法中，兩道激光刻蝕線在臨近交叉點(diǎn)處相互平行且有部分重疊。
[0010]上述刻蝕方法中，兩道激光刻蝕線相互錯位0.01mm。
[0011]上述刻蝕方法中，當(dāng)兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)過程中的距離大于一道激光蝕刻線的寬度時，相鄰所述ITO段的間隔在靠近兩側(cè)所述ITO段的位置上形成間隔部分ITO段，所述間隔部分ITO段相互獨(dú)立且互不連接。
[0012]上述刻蝕方法中，每段所述ITO段長度的取值范圍是[2mm，4mm]。
[0013]上述刻蝕方法中，每段所述ITO段的長度選取為3mm。
[0014]上述刻蝕方法中，所述間隙區(qū)域激光蝕刻走線的中心線與所述電容屏觸控面板顯示區(qū)域的圖形激光蝕刻走線的中心線的距離小于一道激光蝕刻線的寬度。
[0015]上述刻蝕方法中，所述間隙部分的寬度取值范圍是[0.2mm, 0.3mm]。
[0016]一種電容屏觸控面板，包括絕緣透明基板、感應(yīng)線路層和驅(qū)動線路層，所述絕緣透明基板上設(shè)置有氧化銦錫薄膜，所述氧化銦錫薄膜包括顯示區(qū)域和間隙區(qū)域，所述間隙部分的氧化銦錫薄膜采用上述刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。
[0017]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0018](I)本發(fā)明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，利用激光蝕刻線將間隙部分的ITO分割成若干ITO段，各個ITO段相互獨(dú)立且互不連接。這樣刻蝕后，每個ITO段的寄生電容很小，幾乎不會對觸摸信號的識別精度產(chǎn)生影響，而且由于減少了激光蝕刻線路，蝕刻紋不明顯，使得產(chǎn)品顯示效果均勻，幾乎與未刻蝕產(chǎn)品的顯示效果相同，并且由于刻蝕工序簡化，刻蝕一片產(chǎn)品節(jié)省了 50%左右的時間，生產(chǎn)效率得到提高。
[0019](2)本發(fā)明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，采用兩道激光蝕刻線交叉走線形成若干相互獨(dú)立且互不連接的ITO段，方法簡便且易于實(shí)現(xiàn)。
[0020](3)本發(fā)明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)過程中的距離小于一道激光蝕刻線的寬度，確保能夠?qū)㈤g隙區(qū)域的ITO分開，形成若干ITO段。
[0021](4)本發(fā)明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，每段ITO段長度的取值范圍是[2_，4_]，優(yōu)選長度為3_，芯片支持功能要求的限制下，這種長度的ITO段寄生電容很小，幾乎不會對觸摸信號的識別精度產(chǎn)生影響，確保產(chǎn)品觸摸精度。
[0022](5)本發(fā)明提供的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，間隙區(qū)域激光蝕刻走線的中心線與電容屏觸控面板顯示區(qū)域的圖形激光蝕刻走線的中心線的距離小于一道激光蝕刻線的寬度，防止激光蝕刻線在同一個位置刻蝕次數(shù)過多，導(dǎo)致蝕刻紋明顯的問題，確保產(chǎn)品的顯示效果。
【附圖說明】
[0023]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0024]圖1是現(xiàn)有電容屏觸控面板的示意圖；
[0025]圖2是圖1中A部分的放大圖；
[0026]圖3是本發(fā)明中電容屏觸控面板的示意圖；
[0027]圖4是圖3中B部分的放大圖；
[0028]圖5是圖4中C部分的放大圖。
[0029]圖中附圖標(biāo)記表示為:1-顯示區(qū)域，2-間隙區(qū)域，3-圖形激光蝕刻走線，4-間隙區(qū)域激光蝕刻走線，5-1T0段，6-間隔，7-交叉點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0030]如圖3-5所示，是本發(fā)明電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法的優(yōu)選實(shí)施例。
[0031]電容屏觸控面板的絕緣透明基板上設(shè)置有氧化銦錫薄膜(ΙΤ0)，其包括顯示區(qū)域I和間隙區(qū)域2，如圖3所示，所述顯示區(qū)域I和所述間隙區(qū)域2相間分布，受控制芯片要求的限制所述間隙區(qū)域2的寬度取值范圍一般為[0.2mm, 0.3mm]，在本實(shí)施例中所述間隙區(qū)域2的寬度優(yōu)選為0.3mm。
[0032]在刻蝕所述間隙區(qū)域2的ITO時，利用激光蝕刻線將所述間隙部分2的ITO分割成若干ITO段5，如圖4所示，各個所述ITO段5相互獨(dú)立且互不連接，即相鄰的所述ITO段5之間具有間隔6，而所述間隔6的長度不做具體限定，只需將相鄰所述ITO段5分割開即可。由于每個所述ITO段5的寄生電容很小，幾乎不會對觸摸信號的識別精度產(chǎn)生影響。每段所述ITO段5長度的取值范圍是[2mm，4mm]，在本實(shí)施例中，每段所述ITO段5的長度優(yōu)選為3mm。
[0033]具體地說，是采用兩道激光蝕刻線交叉走線形成若干相互獨(dú)立且互不連接的所述ITO段5，兩道激光蝕刻線在所述間隙部分2形成間隙區(qū)域激光蝕刻走線4。兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)7過程中的距離小于一道激光蝕刻線的寬度。并且，所述間隙區(qū)域激光蝕刻走線4的中心線與所述電容屏觸控面板顯示區(qū)域I的圖形激光蝕刻走線3的中心線的距離也小于一道激光蝕刻線的寬度。
[0034]在其他實(shí)施例中，兩道激光刻蝕線在臨近交叉點(diǎn)處相互平行且有部分重疊，兩道激光刻蝕線相互錯位0.01mm。
[0035]在其他實(shí)施例中，當(dāng)兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)7過程中的距離大于一道激光蝕刻線的寬度時，相鄰ITO段5的間隔6在靠近兩側(cè)所述ITO段5的位置上會形成間隔部分ITO段，所述間隔部分ITO段相互獨(dú)立且互不連接，與所述ITO段5類似。
[0036]在其他實(shí)施例中，每段ITO段5的長度還可選擇為2mm、2.5mm、3.8m、4mm等,具體根據(jù)產(chǎn)品性能要求進(jìn)行選取。
[0037]在其他實(shí)施例中，根據(jù)不同控制芯片要求的不同，間隙區(qū)域2的寬度還可以選擇為 0.2mm、0.23mm、0.25mm、0.28mm 等。
[0038]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電容屏觸控面板間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，其特征在于:所述刻蝕方法包括利用激光蝕刻線將間隙部分(2)的ITO分割成若干ITO段(5)，各個所述ITO段(5)相互獨(dú)立且互不連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于:采用兩道激光蝕刻線交叉走線形成若干相互獨(dú)立且互不連接的所述ITO段(5)，兩道激光蝕刻線在所述間隙部分(2)形成間隙區(qū)域激光蝕刻走線(4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于:兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)(7)過程中的距離小于一道激光蝕刻線的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于:兩道激光刻蝕線在臨近交叉點(diǎn)(7)處相互平行且有部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于:兩道激光刻蝕線相互錯位0.01mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于:當(dāng)兩道激光蝕刻線的中心線在趨近交叉點(diǎn)(7)過程中的距離大于一道激光蝕刻線的寬度時，相鄰所述ITO段(5)的間隔(6)在靠近兩側(cè)所述ITO段(5)的位置上形成間隔部分ITO段，所述間隔部分ITO段相互獨(dú)立且互不連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的刻蝕方法，其特征在于:每段所述ITO段(5)長度的取值范圍是[2mm, 4mm]。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于:每段所述ITO段(5)的長度選取為3mm ο
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于:所述間隙區(qū)域激光蝕刻走線(4)的中心線與所述電容屏觸控面板顯示區(qū)域(I)的圖形激光蝕刻走線(3)的中心線的距離小于一道激光蝕刻線的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于:所述間隙部分(2)的寬度取值范圍是[0.2mm, 0.3mm]。
11.一種電容屏觸控面板，包括絕緣透明基板、感應(yīng)線路層和驅(qū)動線路層，所述絕緣透明基板上設(shè)置有氧化銦錫薄膜，所述氧化銦錫薄膜包括顯示區(qū)域(I)和間隙區(qū)域(2)，其特征在于:所述間隙部分(2)的氧化銦錫薄膜采用上述權(quán)利要求1-9任一所述刻蝕方法進(jìn)行刻蝕。
【專利摘要】一種電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法，包括利用激光蝕刻線將間隙部分的ITO分割成若干ITO段，各個所述ITO段相互獨(dú)立且互不連接。本發(fā)明的電容屏觸控面板及其間隙部分氧化銦錫薄膜的刻蝕方法生產(chǎn)效率高，而且刻蝕后的觸摸屏產(chǎn)品顯示效果佳。
【IPC分類】G06F3-044
【公開號】CN104731422
【申請?zhí)枴緾N201310722462
【發(fā)明人】安樂平, 洪耀, 王龍, 高明, 尤沛升
【申請人】昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2013年12月24日
【公告號】WO2015096691A1