具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子標(biāo)簽，尤其涉及一種具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽。
【背景技術(shù)】
[0002]電子標(biāo)簽又稱射頻標(biāo)簽、應(yīng)答器、數(shù)據(jù)載體；閱讀器又稱為讀出裝置、掃描器、讀頭、通信器、讀寫器(取決于電子標(biāo)簽是否可以無線改寫數(shù)據(jù))。電子標(biāo)簽與閱讀器之間通過耦合元件實(shí)現(xiàn)射頻信號的空間(無接觸)耦合；在耦合通道內(nèi)，根據(jù)時(shí)序關(guān)系，實(shí)現(xiàn)能量的傳遞和數(shù)據(jù)交換。
[0003]傳統(tǒng)的RFID(射頻識別)技術(shù)的基本工作原理并不復(fù)雜:標(biāo)簽進(jìn)入磁場后，接收解讀器發(fā)出的射頻信號，憑借感應(yīng)電流所獲得的能量發(fā)送出存儲在芯片中的產(chǎn)品信息(PassiveTag，無源標(biāo)簽或被動(dòng)標(biāo)簽)，或者主動(dòng)發(fā)送某一頻率的信號(ActiveTag，有源標(biāo)簽或主動(dòng)標(biāo)簽)；解讀器讀取信息并解碼后，送至中央信息系統(tǒng)進(jìn)行有關(guān)數(shù)據(jù)處理。
[0004]在這一背景下，由于電子標(biāo)簽只有在進(jìn)入磁場范圍內(nèi)才能被觸發(fā)，而磁場范圍常常又是有限的，這就使得同時(shí)納入到一套RFID系統(tǒng)中的標(biāo)簽數(shù)量和布置的空間范圍被限制在了一個(gè)較小的范圍，不利于充分發(fā)揮電子標(biāo)簽的識別功能，也不利于基于電子標(biāo)簽的識別功能開拓其其他用處。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)冋題是如何擺脫磁場范圍在空間上對RFID適用場景和適用標(biāo)簽數(shù)量的局限。
[0006]為了解決這一技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽，包括微控制器、射頻天線、低頻發(fā)射天線和至少一個(gè)低頻接收天線，所述微控制器至少被配置實(shí)現(xiàn)以下功能:
[0007]響應(yīng)自所述低頻接收天線接收到的觸發(fā)信號，通過所述射頻天線發(fā)出一反饋信號；以及:
[0008]通過所述低頻發(fā)射天線發(fā)出另一觸發(fā)信號。
[0009]可選的，通過所述低頻發(fā)射天線發(fā)出的觸發(fā)信號至少包括所屬標(biāo)簽對應(yīng)的標(biāo)簽ID號。
[0010]可選的，所述反饋信號至少包括所屬標(biāo)簽對應(yīng)的標(biāo)簽ID號以及所接收到的觸發(fā)信號中包含的標(biāo)簽ID號。
[0011]可選的，所述反饋信號還包括所屬標(biāo)簽中接收到觸發(fā)信號的低頻接收天線的天線ID號和對應(yīng)的RSSI強(qiáng)度。
[0012]可選的，所述的具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽還包括射頻模塊、低頻觸發(fā)模塊和低頻接收模塊，所有所述低頻接收天線均通過所述低頻接收模塊與所述微控制器連接，所述低頻發(fā)射天線通過所述低頻觸發(fā)模塊與所述微控制器連接，所述射頻天線通過所述射頻模塊與所述微控制器連接。
[0013]可選的，所述低頻發(fā)射天線與低頻接收天線的方向不同。
[0014]可選的，當(dāng)所述低頻接收天線的數(shù)量至少兩個(gè)時(shí)，不同低頻接收天線的方向均不相同。
[0015]可選的，所述的具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽還包括電源，所述電源用以為所述微控制器供電。
[0016]可選的，所述電源通過至少一個(gè)升壓模塊升壓后輸入到所述微控制器連接。
[0017]可選的，所述射頻天線為射頻收發(fā)天線。
[0018]本發(fā)明為標(biāo)簽分別配置了低頻發(fā)射天線和低頻接收天線，使得不同的標(biāo)簽具有雙向觸發(fā)功能，從而使得不同的標(biāo)簽之間可以通過低頻發(fā)射天線和低頻接收天線之間的信號傳輸實(shí)現(xiàn)互相之間的觸發(fā)。
[0019]在能夠?qū)崿F(xiàn)不同標(biāo)簽的互相觸發(fā)的情況下，一方面來說，能夠?qū)崿F(xiàn)不同標(biāo)簽的觸發(fā)識別，從而能實(shí)現(xiàn)安裝有標(biāo)簽的物品的識別，另一方面來說，通過標(biāo)簽中不同方向天線接收信號的差別，還使得進(jìn)一步判斷不同標(biāo)簽之間的位置關(guān)系成為了可能，一旦標(biāo)簽之間的位置關(guān)系能夠判斷，那不同物品之間的位置關(guān)系的確定也成為了可能。
[0020]對于觸發(fā)功能來說，
[0021]I)可以發(fā)射低頻信號，稱之為喚醒功能；
[0022]2)喚醒所有睡眠的電子標(biāo)簽，正常狀態(tài)，電子標(biāo)簽都是睡眠狀態(tài)，提高電子標(biāo)簽的使用壽命；
[0023]3)電子標(biāo)簽需要識別觸發(fā)器的RSSI值，以確認(rèn)電子標(biāo)簽的方向，即頭尾方向。
[0024]對于電子標(biāo)簽功能來說:
[0025]I)接收低頻信號，及RSSI ；
[0026]2)能發(fā)射低頻信號；
[0027]3)將相應(yīng)的信號以RF射頻信號快速發(fā)射出去；
[0028]4)工作程序:睡眠_(dá)>喚醒工作_>睡眠。
【附圖說明】
[0029]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽的原理框圖；
[0030]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例中的觸發(fā)示意圖；
[0031]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例中微控制器與射頻部分的電路示意圖；
[0032]圖4是本發(fā)明一實(shí)施例中低頻接收部分的電路示意圖；
[0033]圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中低頻發(fā)射部分的電路示意圖；
[0034]圖6是本發(fā)明一實(shí)施例中電源的電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下將結(jié)合圖1和圖2對本發(fā)明提供的具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽及基于該標(biāo)簽的識別系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)的描述，其為本發(fā)明可選的實(shí)施例，可以認(rèn)為本領(lǐng)域技術(shù)人員在不改變本發(fā)明精神和內(nèi)容的范圍內(nèi)，能夠?qū)ζ溥M(jìn)行修改和潤色。
[0036]請參考圖1，本實(shí)施例提供了一種具有雙向觸發(fā)功能的標(biāo)簽，包括微控制器(MCU)、射頻(RF)天線、低頻發(fā)射天線和至少一個(gè)低頻接收天線，所述微控制器(MCU)至少被配置實(shí)現(xiàn)以下功能:
[0037]響應(yīng)自所述低頻接收天線接收到的觸發(fā)信號，通過所述射頻天線發(fā)出一反饋信號；以及:
[0038]通過所述低頻發(fā)射天線發(fā)出另一觸發(fā)信號。
[0039]對于以上兩種功能，響應(yīng)到觸發(fā)信號發(fā)出反饋信號，即可以視作被觸發(fā)，發(fā)出另一觸發(fā)信號，即可以視作主動(dòng)觸發(fā)，兩者可以是具有因果關(guān)系，即因?yàn)轫憫?yīng)到觸發(fā)信號，才發(fā)出觸發(fā)信號，也可以是不具備因果關(guān)系的，同時(shí)，還可以補(bǔ)充其他必要條件以達(dá)到觸發(fā)、反饋的效果，換言之，只要一個(gè)標(biāo)簽?zāi)軌驅(qū)崿F(xiàn)該兩個(gè)功能，就可以將其視為本發(fā)明可選的實(shí)施例之一。
[0040]本實(shí)施例中，微控制器(MCU)采用如圖3標(biāo)示的芯片，當(dāng)然本發(fā)明并不限于此。
[0041]本實(shí)施例中，該標(biāo)簽還包括射頻(RF)模塊、低頻觸發(fā)模塊和低頻接收模塊，所有所述低頻接收天線均通過所述低頻接收模塊與所述微控制器(MCU)連接，所述低頻發(fā)射天線通過所述低頻觸發(fā)模塊與所述微控制器(MCU)連接，所述射頻(RF)天線通過所述射頻(RF)模塊與所述微控制器(MCU)連接。
[0042]這里所稱的射頻(RF)模塊、低頻觸發(fā)模塊和低頻接收模塊可以認(rèn)為是在微處理器與各天線之間起到編碼、解碼、傳輸和放大等至少之一功能的模塊。
[0043]對于低頻接收部分，當(dāng)所述低頻接收天線的數(shù)量至少兩個(gè)時(shí)，不同低頻接收天線的方向均不相同。請參考圖3和圖4，本實(shí)施例中，采用了三個(gè)方向的天線作為示例，分別接收左、右、下三個(gè)方向的低頻信號，其如圖所示的LF1P、LF2P、LF3P分別接入到AS3993芯片的三個(gè)輸入接口，AS3993芯片可以視作是本實(shí)施例中的低頻接收模塊，本實(shí)施例中，其中的CS接口接到微控制器(MCU)的P0.0接口，SCL接口接到微控制器(MCU)的P0.1接口，SDI接口接到微控制器(MCU)的PL4接口，SDO接口接到微控制器(MCU)的PL3接口，CL_DAT接口接到微控制器(MCU)的P0.4接口，DAT接口接到微控制器(MCU)的P0.3接口，WAKE接口接到微控制器(MCU)的P0.6接口。請參考圖3和圖5，對于低頻發(fā)射部分，微控制器(MCU)的Pl.5接口連接到低頻發(fā)射模塊，進(jìn)而連接到低頻發(fā)射天線。
[0044]其他具體接線和電路的器件布置，也可以參照圖3至圖6得到，本實(shí)施例不再做具體闡述，應(yīng)該認(rèn)識到，本實(shí)施例之所以給出具體的電路圖，意在表明，本發(fā)明的技術(shù)方案的硬件部分是可以通過已知的硬件的獨(dú)特的連接關(guān)系得到的，圖3至圖6示意的實(shí)施例已經(jīng)給出了一種方案，所以，不會存在公開不充分和無法實(shí)現(xiàn)的問題。