一種自容式觸控顯示面板及其陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，涉及一種自容式觸控顯示面板及其陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]觸控顯示的發(fā)展初始階段，觸控顯示面板是由觸控面板與顯示面板貼合而成，以實(shí)現(xiàn)觸控顯示。需要單獨(dú)制備觸控面板與顯示面板，成本高，厚度較大，且生產(chǎn)效率低。
[0003]隨著自容式觸控顯示技術(shù)的發(fā)展，可以將顯示面板的陣列基板的公共電極兼做自容式觸控檢測(cè)的觸控感測(cè)電極，通過分時(shí)驅(qū)動(dòng)，分時(shí)序的進(jìn)行觸控控制與顯示控制，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)觸控與顯示功能。這樣，將觸控感測(cè)電極直接集成在顯示面板內(nèi)，大大降低了制作成本，提高了生產(chǎn)效率，并降低了面板厚度。
[0004]當(dāng)復(fù)用公共電極作為觸控感測(cè)電極時(shí)，需要將公共電極層分割為多個(gè)公共電極塊。同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)觸控與顯示的分時(shí)控制，需要為每個(gè)公共電極塊需要通過單獨(dú)的走線提供電壓信號(hào)，通過所述走線，在觸控時(shí)序?yàn)閷?duì)應(yīng)公共電極塊提供觸控感測(cè)信號(hào)，在顯示時(shí)序?yàn)閷?duì)應(yīng)公共電極塊提供顯示驅(qū)動(dòng)電壓。
[0005]現(xiàn)有的自容式觸摸顯示面板一般需要單獨(dú)沉積一層金屬層，通過該金屬層制備觸控單元的走線，這樣會(huì)導(dǎo)致自容式觸摸顯示面板制作工藝復(fù)雜，成本較高，且單獨(dú)的走線層，增加了面板厚度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種自容式觸控顯示面板及其陣列基板，簡(jiǎn)化了制作工藝、降低了成本以及面板厚度。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0008]一種自容式觸控顯示面板的陣列基板，該陣列基板包括:
[0009]襯底，所述襯底上設(shè)置有多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、公共電極層，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)陣列排布的像素單元；
[0010]所述像素單元包括:像素薄膜晶體管以及像素電極；
[0011]所述公共電極層包括多個(gè)相互絕緣的觸控單元，每個(gè)觸控單元對(duì)應(yīng)多個(gè)像素單元;
[0012]所述襯底上還設(shè)置有多個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；
[0013]其中，每個(gè)觸控單元至少與兩個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，所述兩個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接不同的柵極線，所述兩個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接不同的數(shù)據(jù)線。
[0014]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，多個(gè)所述觸控單元呈陣列分布。
[0015]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，在一個(gè)像素單元中，至多對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
[0016]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，在每個(gè)像素單元內(nèi)，所述像素薄膜晶體管的柵極連接至相鄰的柵極線，其源極連接至相鄰的數(shù)據(jù)線，其漏極連接像素電極；
[0017]連接同一數(shù)據(jù)線的所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與所述像素薄膜晶體管分別設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)或設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的同一側(cè)。
[0018]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，所述公共電極層位于所述像素電極與所述襯底之間；
[0019]或，所述像素電極位于所述公共電極層與所述襯底之間。
[0020]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與所述像素薄膜晶體管同層O
[0021]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，同一時(shí)刻，與同一柵極線連接的觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和像素薄膜晶體管的導(dǎo)通電壓不同。
[0022]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，在同一觸控單元中，連接有所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線連續(xù)排列；
[0023]或，在同一觸控單元中，連接有所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線間隔排列。
[0024]優(yōu)選的，在上述陣列基板中，所述陣列基板包括:紅色像素單元、綠色像素單元以及藍(lán)色像素單元；
[0025]所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管設(shè)置在所述陣列基板中對(duì)應(yīng)所述紅色像素單元的位置，或設(shè)置所述陣列基板中對(duì)應(yīng)所述藍(lán)色像素單元的位置。
[0026]本發(fā)明還提供了一種自容式觸控顯示面板，該自容式觸控顯示面板包括:
[0027]相對(duì)設(shè)置的陣列基板以及彩膜基板；
[0028]設(shè)置在所述陣列基板與所述彩膜基板之間的顯示介質(zhì)；
[0029]其中，所述陣列基板為上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0030]優(yōu)選的，在上述自容式觸控顯示面板中，所述觸控顯示面板的工作時(shí)間包括顯示時(shí)序段和觸控時(shí)序段；
[0031]在觸控時(shí)序段，打開觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，通過所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為所述觸控單元傳輸觸控信號(hào)；
[0032]在顯示時(shí)序段，多條數(shù)據(jù)線依次輸入顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，所述顯示數(shù)據(jù)信號(hào)通過所述像素薄膜晶體管傳輸至對(duì)應(yīng)的像素電極；在同一觸控單元中，同一時(shí)刻，至少一條數(shù)據(jù)線通過觸控驅(qū)動(dòng)晶體管向該觸控單元傳輸公共信號(hào)。
[0033]優(yōu)選的，在上述自容式觸控顯示面板中，所述像素薄膜晶體管為NMOS，所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為PMOS。
[0034]優(yōu)選的，在上述自容式觸控顯示面板中，在觸控時(shí)序段，打開所述PMOS，通過所述PMOS為所述觸控單元傳輸觸控信號(hào)；
[0035]在顯示時(shí)序段，多條數(shù)據(jù)線依次輸入顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，所述顯示數(shù)據(jù)信號(hào)通過所述NMOS傳輸至對(duì)應(yīng)的像素電極；在同一觸控單元中，同一時(shí)刻，至少一條數(shù)據(jù)線通過PMOS向該觸控單元傳輸公共信號(hào)。
[0036]優(yōu)選的，在上述自容式觸控顯示面板中，所述像素薄膜晶體管為PMOS，所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為NMOS。
[0037]優(yōu)選的，在上述自容式觸控顯示面板中，在觸控時(shí)序段，打開NMOS，通過所述NMOS為所述觸控單元傳輸觸控信號(hào)；
[0038]在顯示時(shí)序段，多條數(shù)據(jù)線依次輸入顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，所述顯示數(shù)據(jù)信號(hào)通過所述PMOS傳輸至對(duì)應(yīng)的像素電極；在同一觸控單元中，同一時(shí)刻，至少一條數(shù)據(jù)線通過NMOS向該觸控單元傳輸公共信號(hào)。
[0039]優(yōu)選的，在上述自容式觸控顯示面板中，在所述顯示時(shí)序段內(nèi):
[0040]當(dāng)通過一條連接有所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線為對(duì)應(yīng)的觸控單元提供所述顯示數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，其他連接有所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線同時(shí)輸入所述公共信號(hào);
[0041]當(dāng)未有連接有所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線為對(duì)應(yīng)的觸控單元提供所述顯示數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，所有連接有所述觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線同時(shí)輸入所述公共信號(hào)。
[0042]通過上述描述可知，本發(fā)明提供的陣列基板包括:襯底，所述襯底上設(shè)置有多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、公共電極層，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)陣列排布的像素單元；所述像素單元包括:像素薄膜晶體管以及像素電極；所述公共電極層包括多個(gè)相互絕緣的觸控單元，每個(gè)觸控單元對(duì)應(yīng)多個(gè)像素單元；所述襯底上還設(shè)置有多個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；其中，每個(gè)觸控單元至少與兩個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，所述兩個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接不同的柵極線，所述兩個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接不同的數(shù)據(jù)線。所述陣列基板的公共電極層分割為多個(gè)觸控單元，可以進(jìn)行自容式觸控檢測(cè)。所述觸控單元的走線復(fù)用陣列基板像素單元的數(shù)據(jù)線，以便于為觸控單元提供公共信號(hào)或觸控信號(hào)，這樣無(wú)需單獨(dú)沉積金屬層用于制作觸控單元的走線，簡(jiǎn)化了制作工藝，降低了制作成本以及面板厚度。
【附圖說(shuō)明】
[0043]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0044]圖1為一種陣列基板的俯視圖；
[0045]圖2為圖一中陣列基板的切面圖；
[0046]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖
[0047]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種像素薄膜晶體管與觸控