件命令，并向一個定位于遠離該處理電子器件1000的激活電路提供一個激活該加熱器的信號。在另一實施例中，激活電路1016可以接收計算裝置或存儲器芯片正在斷電的指示，并響應(yīng)于電源狀態(tài)改變提供一個激活該加熱器的信號。在另一實施例中，激活模塊可以接收計算裝置的一個狀態(tài)(例如，睡眠狀態(tài)、休眠狀態(tài)、鎖定狀態(tài)等等)正在開始或結(jié)束的指示，并作為響應(yīng)提供將加熱器激活或去激活的信號。在另一實施例中，可以向激活模塊1016提供威脅檢測(例如，通過圖9的激活電路926)，并且激活模塊1016可以通過將檢測到的威脅與其他數(shù)據(jù)、信號、輸入或閾值進行比較來確定威脅是否合法。
[0078]處理電子器件1000進一步包括一個輸出1020和一個輸入1030。輸出1020被配置成用于向如上所述的計算裝置的任何組件提供輸出。輸出可以包括例如開始存儲器芯片的加熱的命令和擦除存儲器中所存儲的數(shù)據(jù)的命令。輸入1030被配置成用于從如上所述的計算裝置的各組件接收數(shù)據(jù)。
[0079]總體上參照圖11至圖16，示出了各種用于防止或減少計算裝置的存儲器中的數(shù)據(jù)剩磁的過程。圖11至圖16的過程可以由圖1至圖10中所描述的各系統(tǒng)所實現(xiàn)。存儲器中的數(shù)據(jù)可以是加密數(shù)據(jù)、加密密鑰、或其他已加密或未加密數(shù)據(jù)。該存儲器可以是易失性存儲器并且可以包括SRAM或DRAM。該計算裝置可以是個人計算機、服務(wù)器、便攜式通信裝置、個人電子裝置、或另一電子裝置。
[0080]圖11至圖14中所描述的加熱器被配置成用于提供主動加熱，而不是借助來自通過存儲器的存儲器電路的電流的剩余熱量、計算裝置的處理電子器件、或計算裝置中的環(huán)境熱量來提供加熱。該加熱器可以是電阻式加熱器、光學(xué)加熱器、紅外加熱器、熱電加熱器、或化學(xué)加熱器。
[0081]參照圖11，根據(jù)一個示例性實施例示出了用于計算裝置中的存儲器的過程1100的流程圖。該過程1100包括通過加熱存儲器的至少一部分來加快計算裝置的存儲器的衰減(步驟1102)。存儲器的加熱可以包括激活加熱器，以及允許熱量加快計算裝置的存儲器芯片上的存儲器比特的衰減。根據(jù)一個實施例，該存儲器包括多個被配置成用于電子地存儲數(shù)據(jù)的比特，并且該過程包括加熱該存儲器的這些比特中的至少一部分和使得響應(yīng)于加熱而加快存儲器中的比特的衰減的步驟。
[0082]參照圖12，根據(jù)另一示例性實施例示出了用于計算裝置中的存儲器的過程1200的流程圖。該過程1200包括檢測威脅(步驟1202)。根據(jù)一個示例性實施例，該威脅可以被激活模塊或激活電路檢測到。激活模塊可以從與如圖9至圖10中所描述的觸發(fā)條件相關(guān)的激活電路接收輸入。
[0083]過程1200進一步包括確定是否提供激活信號(步驟1204)，該激活信號將例如激活計算裝置的加熱器。步驟1202的威脅檢測可以用來確定是否需要激活加熱器。例如，可以在步驟1204中接收和使用位置信號來確定計算裝置的當前位置是否代表威脅。再舉一個例子，在步驟1204中可以使用溫度的突變來確定黑客是否正在試圖在計算裝置的存儲器芯片上進行冷卻攻擊。如圖9至圖10中所描述，在步驟1204中可以檢測和使用各種其他類型的威脅。
[0084]過程1200進一步包括提供激活信號以引起加熱(步驟1206)。可以將該激活信號直接提供給加熱器、提供給加熱器電源、提供給耦合至該加熱器的控制電路、或其他。過程1200進一步包括從電源接收能量(步驟1208)。該電源可以是該計算裝置的電源供應(yīng)器、被具體配置成用于向加熱器提供電力的加熱器電源、計算裝置外部的電源、或其他。該電源可以是電池、電容器、熱電發(fā)電機、光伏電池等。
[0085]過程1200進一步包括通過加熱存儲器的至少一部分來加快存儲器的衰減(步驟1210)。加熱可以禁止存儲器的冷卻(在存儲器芯片正在被冷卻的情況下)或升高存儲器芯片的溫度。該加熱可以由阻式加熱器、光學(xué)加熱器、紅外加熱器、熱電加熱器、化學(xué)加熱器、或任何其他類型的加熱器所提供。該加熱器可以耦合至包括存儲器的存儲器芯片或被與包括存儲器的存儲器芯片間隔開。該加熱器可以加熱一部分或整個存儲器芯片。
[0086]過程1200可以進一步包括控制存儲器的溫度(步驟1212)。例如，如果存儲器目前處于冷卻攻擊下，該存儲器的溫度可以被控制為使得防止或延遲該存儲器的冷卻。步驟1212可以包括:在溫度控制電路接收指示當前溫度的溫度信號，以及提供足夠的熱量以將當前溫度升高至所希望的溫度(例如，20攝氏度、40攝氏度、40和50攝氏度之間等)。
[0087]過程1200可以進一步包括控制存儲器的時間溫度(步驟1214)。例如，可以將存儲器的或存儲器周圍的環(huán)境的期望溫度維持指定的時間。在各實施例中，要維持的溫度可以是20攝氏度、大于20攝氏度、40攝氏度、大于40攝氏度、50攝氏度、大于50攝氏度、或另一溫度。
[0088]過程1200進一步包括施加一個電壓至存儲器的這些比特中的至少一部分(步驟1216)。過程1200可以進一步包括，響應(yīng)于施加該電壓至存儲器中的比特，使得這些比特中的至少一部分具有零值(步驟1218)或一值(步驟1220)。步驟1218、1220可以被實現(xiàn)為一種通過將所有或相當數(shù)量的比特改為零或一來擦除存儲器中的數(shù)據(jù)由此導(dǎo)致數(shù)據(jù)無用、不可恢復(fù)、或損壞的方式。
[0089]現(xiàn)在參照圖13，根據(jù)另一示例性實施例示出了用于計算裝置中的存儲器的方法1300的流程圖。該過程1300使用溫度差向加熱器提供能量以擦除存儲器芯片中的數(shù)據(jù)?？梢允褂脠D3至圖4中所描述的熱電發(fā)電機來實現(xiàn)過程1300。過程1300包括基于溫度差生成電能(步驟1302)。例如，該溫度差可以是跨存儲器的溫度差。該能量可以由熱電發(fā)電機生成。過程1300進一步包括將該電能提供給加熱器(步驟1304)以及通過加熱存儲器的至少一部分來防止存儲器中的數(shù)據(jù)剩磁(步驟1306)。該加熱器向存儲器提供熱量，該存儲器通過存儲器比特的衰減的加速(例如，禁止減速)來防止或減少數(shù)據(jù)剩磁。根據(jù)一個實施例，該存儲器包括多個被配置成用于電子地存儲數(shù)據(jù)的比特，并且該過程包括加熱該存儲器的這些比特中的至少一部分和使得響應(yīng)于加熱而加快存儲器中的比特的衰減的步驟。
[0090]現(xiàn)在參照圖14，根據(jù)另一示例性實施例示出了用于計算裝置中的存儲器的方法1400的流程圖。該過程1400使用跨該計算裝置的溫度差向加熱器提供能量以擦除存儲器芯片中的數(shù)據(jù)。過程1400包括基于計算裝置的第一部分和計算裝置的第二部分之間的溫度差在熱電發(fā)電機(例如，圖3至圖4的熱電發(fā)電機)生成電能(步驟1402)。在一個實施例中，該第一部分可以被安置在存儲器芯片的存儲器上。在另一實施例中，沒有一部分可以被安置在存儲器芯片的存儲器上。過程1400進一步包括將該電能提供給加熱器(步驟1404)以及通過加熱存儲器的至少一部分來防止易失性存儲器中的數(shù)據(jù)剩磁(步驟1406)。該加熱器向存儲器提供熱量，該存儲器通過存儲器比特的衰減的加速(例如，禁止減速)來防止或減少數(shù)據(jù)剩磁。
[0091]現(xiàn)在參照圖15，根據(jù)另一示例性實施例示出了用于計算裝置中的存儲器的方法1500的流程圖。該過程1500使用電壓來改變存儲在存儲器中的比特。過程1500包括基于溫度差生成電壓(步驟1502)。該溫度差可以跨存儲器芯片或跨計算裝置的任何一部分。過程1500進一步包括通過施加電壓至存儲器的至少一部分來防止或減少存儲器中的數(shù)據(jù)剩磁(步驟1504)。例如，該電壓可以將一部分或所有比特改成零或?qū)⒁徊糠只蛩斜忍馗臑橐弧?br>[0092]現(xiàn)在參照圖16，根據(jù)另一示例性實施例示出了用于計算裝置中的存儲器的方法1600的流程圖。該過程1600使用電壓來改變存儲在存儲器中的比特。過程1600包括基于計算裝置的第一部分和計算裝置的第二部分之間的溫度差在熱電發(fā)電機生成電壓(步驟1602)。過程1602進一步包括通過施加電壓至存儲器的至少一部分來防止或減少易失性存儲器中的數(shù)據(jù)剩磁(步驟1604)。該電壓可以導(dǎo)致存儲器中的比特改變值。例如，響應(yīng)于該電壓，使存儲器中這些比特中的至少一部分具有零值(步驟1606)或使存儲器中的這些比特中的至少一部分具有一值(步驟1608)。
[0093]總體上參照圖17至圖24，示出了用于保護計算裝置的存儲器中的敏感數(shù)據(jù)的系統(tǒng)和方法。在圖17至圖24的實施例中，可以針對易失性存儲器或易失性存儲器的多個部分(例如，一個或多個存儲器位置、存儲器的比特、存儲器的字節(jié)、存儲器的扇區(qū)等)確定(例如，計算、表征等)剩磁衰減值。剩磁衰減值代表擦除給定存儲器位置的數(shù)據(jù)所花費的時間量。剩磁衰減值可以是時間、速率、時間常數(shù)、衰減函數(shù)的系數(shù)或指數(shù)等。剩磁衰減值可以是溫度相關(guān)的，即，剩磁衰減值可以是溫度的函數(shù)。使用剩磁衰減時間，最敏感的數(shù)據(jù)(例如，響應(yīng)于觸發(fā)事件有待首先擦除的數(shù)據(jù))被安置在具有最快的剩磁衰減值(例如，最短的衰減時間、最快的衰減速率、隨溫度而變的最快衰減值、隨冷卻而變化的最快衰減值、導(dǎo)致最快數(shù)據(jù)衰減的值等)的存儲器位置。該易失性存儲器可以是SRAM、DRAM、或任何其他類型的易失性存儲器。
[0094]現(xiàn)在參照圖17，根據(jù)一個示例性實施例示出了計算裝置1700的框圖。該計算裝置1700可以是個人計算機、服務(wù)器、便攜式通信裝置、個人電子裝置、或其他裝置。計算裝置1700包括一個存儲器芯片1702，該存儲器芯片包括一個易失性存儲器1704和一個非易失性存儲器1706。該計算裝置1700進一步包括處理電子器件1712和用戶輸入裝置1714。
[0095]現(xiàn)在參照圖18，根據(jù)另一示例性實施例示出了計算裝置1800。存儲器芯片1802被示為包括一個存儲器1804。與圖17相比，計算裝置1700被示為包括另一存儲器1832，該存儲器可以包括一個易失性存儲器1034和/或一個非易失性存儲器1836。例如，存儲器1832可以是另一 RAM芯片(例如，第二組RAM)、高速緩沖存儲器、ROM、硬盤驅(qū)動器等。
[0096]圖17至圖18的存儲器1704、1706、1708和1832包括被配置成用于電子地存儲數(shù)據(jù)的多個存儲器位置?？梢葬槍?如圖19中所描述的)每個易失性存儲器位置計算剩磁衰減值，并且可以基于剩磁衰減值將數(shù)據(jù)存儲在存儲器中。根據(jù)一個實施例，在將存儲器芯片1702、1806安裝至計算裝置1700、1800中之前，可以確定剩磁衰減值。例如，可以在存儲器工廠或在計算裝置工廠確定剩磁衰減值。然后，剩磁衰減值可以被存儲在存儲器芯片1702上的非易失性的存儲器1706中(見例如圖17)或被存儲在外接存儲器芯片1802的單獨的非易失性的存儲器1836中(見例如圖18)。根據(jù)一個實施例，存儲器制造商可以將衰減值作為文件提供給計算裝置制造商，并且在該存儲器被組裝進該計算裝置之后，該文件被存儲或安裝在該計算裝置中。
[0097]根據(jù)另一實施例，在將