一種低功耗熱數(shù)據(jù)服務(wù)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于計算機基礎(chǔ)設(shè)施中的低功耗數(shù)據(jù)服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種將低功耗服務(wù)器在熱數(shù)據(jù)方面進行應(yīng)用的低功耗熱數(shù)據(jù)服務(wù)器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)進步，以及社會活動的頻繁，相應(yīng)的數(shù)據(jù)研宄也因為包含極大的經(jīng)濟及社會價值而得到更多的關(guān)注，而數(shù)據(jù)的處理則離不開計算機。在現(xiàn)有行業(yè)中，將那些活動頻繁、被訪問次數(shù)多的數(shù)據(jù)稱為熱數(shù)據(jù)，反之，則可以定義那些活動不頻繁，很少訪問的數(shù)據(jù)為冷數(shù)據(jù)。
[0003]隨著計算機技術(shù)及互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，之前的方式都是采用高性能服務(wù)器作為核心數(shù)據(jù)處理服務(wù)器，但是在面對海量數(shù)據(jù)，需要越來越快速響應(yīng)的計算要求的時代，這種方式顯得越來越不適應(yīng)。
[0004]其中最突出的不足表現(xiàn)在以下幾點:
1存取速度成為阻塞點；
應(yīng)用的高并發(fā)，要求數(shù)據(jù)庫或者數(shù)據(jù)文件的1存取速度快，吞吐量大，雖然可以采用固態(tài)硬盤、FC-SAN等高速設(shè)施，但還是不能滿足應(yīng)用增長的需求。
[0005]閑置的CPU計算資源；
相比1能力來說，CPU計算資源的閑置能力過高，除數(shù)據(jù)庫服務(wù)器外，大量以計算為主的應(yīng)用服務(wù)器，CPU占用率都不超過10%，因此利用率極低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題。
[0007]本發(fā)明提出一種基于Memcached和Redis的應(yīng)用場景的大內(nèi)存低功耗服務(wù)器，用于解決緩存命中概率高的熱數(shù)據(jù)，降低和減少對磁盤的存取次數(shù)，提升系統(tǒng)響應(yīng)速度。
[0008]具體的，為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
低功耗熱數(shù)據(jù)服務(wù)器，包括主板單元，主板單元上設(shè)有中央處理器單元、內(nèi)存單元、通訊單元、存儲單元、USB接口單元、串口單元、電源單元、時鐘單元。
[0009]中央處理器單元同時與內(nèi)存單元、通訊單元、存儲單元、USB接口單元、串口單元、電源單元相連。
[0010]中央處理器單元對數(shù)據(jù)進行運算和進行信息處理；內(nèi)存單元存放中央處理器單元的運算數(shù)據(jù)；存儲單元負責保存內(nèi)存單元的鏡像數(shù)據(jù)；通訊單元進行內(nèi)外信息交互，分擔負載；USB接口外接鍵盤、鼠標或優(yōu)盤等外接設(shè)備。
[0011]中央處理器單元為X86的IntelAtom處理器。
[0012]內(nèi)存單元為DDR3L內(nèi)存。
[0013]存儲單元支持RAID 1，設(shè)有兩個SATA2/3標準的接口，存儲單元的兩個接口分別外接兩個256GB固態(tài)硬盤，所述固態(tài)硬盤的讀取速度為500MB/S，寫入速度為400MB/S，緩存256MB，平均尋道時間0.2msο
[0014]通訊單元為兩路千兆以太網(wǎng)形成的網(wǎng)卡冗余陣列。
[0015]本發(fā)明采用大內(nèi)存的低功耗服務(wù)器，來滿足高1存取速度要求，其優(yōu)勢體現(xiàn)在: 高1存取速度和吞吐量:內(nèi)存的訪問速度遠高于固態(tài)硬盤和FC-SAN存儲，單臺低功耗服務(wù)器能提供3-5萬筆/秒的存取訪問要求。
[0016]計算能力要求低:作為內(nèi)存數(shù)據(jù)庫職責的服務(wù)器，CPU計算能力要求不高，低功耗CPU能完全滿足需要。
[0017]經(jīng)濟效益突出:采購成本低，低功耗服務(wù)器的生產(chǎn)成本遠低于高性能服務(wù)器。
[0018]節(jié)能環(huán)保:低功耗服務(wù)器消耗電量少，節(jié)能環(huán)保突出。
[0019]產(chǎn)出效益高:多臺低功耗服務(wù)器集群，能按線性提升數(shù)據(jù)吞吐量，達成遠高于高性能服務(wù)器的效益。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明的拓撲結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明所涉及的memagent代理實現(xiàn)的原理示意圖。
【具體實施方式】
[0021]附圖僅用于示例性說明，不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0022]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可以理解的。
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明中的說明書附圖，對發(fā)明中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0024]如圖1所示，為本發(fā)明較佳實施例的一種低功耗熱數(shù)據(jù)服務(wù)器，包括主板單元，主板單元上設(shè)有中央處理器單元、內(nèi)存單元、通訊單元、存儲單元、USB接口單元、串口單元、電源單元、時鐘單元，其中，中央處理器單元與內(nèi)存單元、通訊單元、存儲單元、USB接口單元、串口單元、電源單元相連；實際當中，除主板單元外的所有單元均可以嵌入固化在主板單元上。
[0025]中央處理器單元負責對數(shù)據(jù)進行運算和進行信息處理，中央處理器單元采用X86系列的Intel面向微型服務(wù)器領(lǐng)域的超低功耗Atom處理器，該處理器使用22nm工藝、Silvermont CPU亂序架構(gòu)，擁有8顆核心，主頻為1.7GHZ，支持SSE4、AES指令集和大量電源管理技術(shù)，二級緩存4MB，并整合DDR3、PC1-E 2.0控制器等模塊，SoC單芯片系統(tǒng)，支持64位運算，支持虛擬化技術(shù)，熱設(shè)計功耗只有12W，本發(fā)明中央處理器單元采用的處理器，比使用傳統(tǒng)的同性能服務(wù)器可以功耗節(jié)省60%以上。
[0026]內(nèi)存單元負責存放中央處理器單元的運算數(shù)據(jù)，在Memcached和Redis的應(yīng)用場景中，數(shù)據(jù)庫所有數(shù)據(jù)存放于內(nèi)存單元中，與磁盤數(shù)據(jù)管理的傳統(tǒng)方式不同，數(shù)據(jù)處理速度比傳統(tǒng)數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)處理速度要快10倍以上。內(nèi)存單元采用低功耗的DDR3L內(nèi)存，標準配置32GB，最大支持64GB，支持ECC功能。
[0027]實際當中，半導體芯片的功耗與晶體管數(shù)成正比，與工作電壓的平方成正比，所以電壓對其功耗與發(fā)熱的影響最大。和CPU/GPU的發(fā)展類似，內(nèi)存在提高頻率和容量的同時，電壓也在不斷的降低。DDRl的標準電壓為2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3則進一步壓縮至1.5V，而DDR3L內(nèi)存根據(jù)JEDEC的規(guī)范標準設(shè)計，通過提升硅晶圓芯片制造工藝，把早期的6Xnm工藝變?yōu)?Xnm工藝，從而降低電壓的，電壓為1.35V，在同等性能和負載下DDR3L相比標準版DDR3功耗可降低15%或者更多，從表面上看，DDR3L相對于DDR3降低能耗并不是很多，但對于大規(guī)模部署內(nèi)存的服務(wù)器以及數(shù)據(jù)中心來說，可以節(jié)省的電能經(jīng)累積就會變得相當可觀。
[0028]存儲單元負責保存內(nèi)存單元的鏡像數(shù)據(jù)，因內(nèi)存單元內(nèi)的數(shù)據(jù)容量有限，因此存儲單元