專利名稱：透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜及用此透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板和透明導(dǎo)電膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及穩(wěn)定的可用輕觸輸入的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜及用此透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板和透明導(dǎo)電膜的制造方法。本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜及用此透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板和透明導(dǎo)電膜的制造方法，特別適合于作為液晶顯示裝置、電致發(fā)光元件、等離子體顯示元件、熒光顯示管、場(chǎng)致發(fā)射顯示等平板顯示的顯示屏中的積層輸入裝置所使用的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜及用此透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板和透明導(dǎo)電膜的制造方法。
背景技術(shù)：
在透明觸摸面板中作為電極使用的透明導(dǎo)電膜一般用的是ATO(氧化銻/氧化錫)、FTO(氧化錫/摻雜氟)、ITO(氧化銦/氧化錫)、FATO(氧化銻/氧化錫/摻雜氟)等金屬氧化物。特別是在電阻膜式模擬型透明面板的場(chǎng)合，需要表面電阻為200～2000Ω/sq而且透明性高、著色少的透明導(dǎo)電膜。
電阻膜式模擬型透明觸摸面板是一種由在表面上設(shè)置有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的底電極和點(diǎn)狀墊板的玻璃板或膜等絕緣基板構(gòu)成的底電極基板和，表面上設(shè)有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的頂電極的膜等絕緣基板所構(gòu)成的頂電極基板的積層結(jié)構(gòu)，從輸入面一側(cè)按壓透明觸摸面板的一部分，使兩電極接觸而電導(dǎo)通，從而可以輸入。
透明觸摸面板上形成的透明導(dǎo)電膜通常是用蒸鍍法、濺射法等物理成膜法或CVD法等化學(xué)氣相法來(lái)形成的。在這些方法中，控制透明導(dǎo)電膜的膜表面所觀察的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)是可能的。例如，在物理成膜法的場(chǎng)合，一般是以ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜為主，其表面電阻值要求為200～2000Ω/sq，比液晶顯示用電極稍高一點(diǎn)。為了使ITO的電阻率低，就必須用100～200埃左右厚的超薄膜以提高成膜的表面電阻值。
根據(jù)這樣的情況，由于透明導(dǎo)電膜是由相當(dāng)薄的ITO膜所成，平均結(jié)晶粒徑(R)為10～15nm，和更細(xì)，在用原子力顯微鏡觀察的場(chǎng)合其算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.1～0.3nm，均方根粗糙度(Rms)為0.25nm，和更小。例如，透明導(dǎo)電膜表面的斷面是象圖5、

圖17至圖19所示那樣的由晶粒形成大體上為三角形。
在用這樣的透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板中，因互相接觸的透明導(dǎo)電膜的斷面都是由晶粒形成大體三角形，因此，對(duì)于只有一點(diǎn)點(diǎn)負(fù)載的輸入就可維持輸入狀態(tài)的所謂輕觸輸入是不穩(wěn)定的。進(jìn)一步說(shuō)，對(duì)用筆等10g左右的負(fù)載連續(xù)輸入的場(chǎng)合，就會(huì)象圖6A所示那樣經(jīng)常產(chǎn)生連續(xù)線的斷開或錯(cuò)誤輸入部分，得不到合適而正確的輸入。
因此，為消除這樣的現(xiàn)象，已考慮了把墊片加寬或把墊片的高度降低等對(duì)策。
然而，把墊片加寬時(shí)，在手掌接觸等場(chǎng)合就容易產(chǎn)生錯(cuò)誤輸入。
把墊片的高度降低時(shí)，則使相對(duì)的電極之間的距離變成非常近，在透明導(dǎo)電膜之間產(chǎn)生作為光的干涉的原因的牛頓環(huán)而令人討厭。
還有，已考慮過(guò)把在透明觸摸面板輸入時(shí)決定其開與關(guān)的閾值電壓Evs(參見圖7)設(shè)定得低來(lái)補(bǔ)償對(duì)向電極之間發(fā)生的因接觸電阻導(dǎo)致的電壓下降而使輸入容易的對(duì)策。然而，這樣一來(lái)反而由于也容易接受不穩(wěn)定的輸入而產(chǎn)生坐標(biāo)容易漂移的問(wèn)題。也就是說(shuō)，如圖7所示，在作為檢出電壓Ev(參見圖4)隨接觸電阻值Eb上下漲落的對(duì)策而取低閾值電壓Evs的場(chǎng)合，例如取閾值電壓為3.6V的場(chǎng)合，由于不適當(dāng)?shù)耐嵝痹斐赡そ佑|或與筆接觸的同時(shí)手指接觸了附近部分等而同時(shí)在2個(gè)地方有4.0V和3.5V的輸入時(shí)，就判斷為錯(cuò)誤輸入，液晶顯示屏等上就不再顯示，相當(dāng)于在此部分的坐標(biāo)沒(méi)有輸入的情況，即產(chǎn)生了斷線(參見圖6)。
所以，本發(fā)明的目的是提供消除上述問(wèn)題點(diǎn)的穩(wěn)定的可用于輕觸輸入的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜及用此透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板和透明導(dǎo)電膜的制造方法。
發(fā)明的公開為達(dá)到上述目的，本發(fā)明由如下各點(diǎn)所構(gòu)成。
本發(fā)明的第1實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是設(shè)置在底電極和頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，其構(gòu)成為表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm。
本發(fā)明的第2實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是設(shè)置在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，它是由氧化銦-氧化錫膜所構(gòu)成，而且在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm。
本發(fā)明的第3實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，它是由添加了氟或銻的氧化錫膜所構(gòu)成，而且在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為80nm≤R≤400nm。
本發(fā)明的第4實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是按照是第1或第2實(shí)施方案，由氧化銦-氧化錫膜構(gòu)成的，且表面形狀的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm。
本發(fā)明的第5實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是按照第1或第3實(shí)施方案，由添加了氟或銻的氧化錫膜所構(gòu)成，且表面形狀的算術(shù)平均表面粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根表面粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm。
本發(fā)明的第6實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是按照第1～5的任一實(shí)施方案，當(dāng)上述表面形態(tài)中以Rn表示中心線深度和Rmax表示最大的粗糙度時(shí)，由于使表現(xiàn)上述表面形狀的參數(shù)(Rp/Rmax)是0.55以下則構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的截面呈現(xiàn)臺(tái)階形狀或矩形形狀的膜所構(gòu)成。
本發(fā)明的第7實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是按照第1～6的任一實(shí)施方案，以使用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法形成的膜所構(gòu)成。
本發(fā)明的第8實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板，它是由在上述底電極和上述頂電極中至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)有用第1～7任一實(shí)施方案中記載的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成電極所構(gòu)成。
本發(fā)明的第9實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板，它是由在上述底電極和上述頂電極兩個(gè)電極的電極基板上都設(shè)有用第1～7的任一實(shí)施方案中記載的透明導(dǎo)電膜分別構(gòu)成電極所構(gòu)成。
本發(fā)明的第10實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板中的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，并且該膜是由至少構(gòu)成凝膠-溶膠材料的由銦和錫組成的有機(jī)金屬化合物所構(gòu)成的、并通過(guò)采用銦與錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那樣的凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法來(lái)形成表面形狀的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根表面粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化銦-氧化錫膜的制造方法所制成的。
本發(fā)明的第11實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板中的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，該膜是由至少構(gòu)成凝膠-溶膠材料的由銦和錫組成的有機(jī)金屬化合物所構(gòu)成的、并通過(guò)采用銦與錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那樣的凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法來(lái)形成在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm的氧化銦-氧化錫膜的制造方法所制成。
本發(fā)明的第12實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板中的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是通過(guò)，使用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法將凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)內(nèi)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)來(lái)形成表面形狀的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根表面粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化銦-氧化錫膜的制造工序所構(gòu)成。
本發(fā)明的第13實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板中的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是通過(guò)，由使用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法將凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度范圍內(nèi)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)來(lái)形成在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm的氧化銦-氧化錫膜的制造工序所構(gòu)成。
本發(fā)明的第14實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，是按照第10或11實(shí)施方案，通過(guò)用上述凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法來(lái)形成上述透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合中，是通過(guò)把凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度范圍內(nèi)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)來(lái)形成上述透明導(dǎo)電膜的制造工序所構(gòu)成。
本發(fā)明的第15實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，是由用第10～14的任一實(shí)施方案中所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法制造的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明下面的有關(guān)附圖與優(yōu)選的實(shí)施方案之關(guān)系的敘述清楚的說(shuō)明了本發(fā)明的這些以及其他目的與特征。這些附圖中，圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜表面的斷面形狀的模式截面圖。
圖2是表示本發(fā)明的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的原子力顯微鏡照片。
圖3是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜之間的接觸電阻導(dǎo)致電壓下降的觀察方法的斜視圖。
圖4是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜之間的接觸電阻導(dǎo)致電壓下降的觀察方法的電路圖。
圖5是表示歷來(lái)的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜表面的斷面形狀的模式截面圖。
圖6是表示透明觸摸面板上以輕負(fù)載連續(xù)輸入時(shí)發(fā)生的斷線等缺陷的線掃描圖。
圖7是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板輸入時(shí)記錄檢出的輸入電壓Ev與閾值電壓Evs的示意圖。
圖8是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板輸入時(shí)記錄檢出的理想輸入電壓Ev的示意圖。
圖9是說(shuō)明上述實(shí)施方案的透明觸摸面板中的表面粗細(xì)參數(shù)的算術(shù)平均粗糙度的圖。
圖10是說(shuō)明上述實(shí)施方案的透明觸摸面板中的表面粗細(xì)參數(shù)的中心線(平均線)深度的圖。
圖11是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板在頂電極和底電極對(duì)向狀態(tài)時(shí)的透明導(dǎo)電膜表面的斷面形狀的模式斷面圖。
圖12是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板在頂電極和底電極對(duì)向狀態(tài)下用筆輸入的狀態(tài)示意圖。
圖13是表示圖2的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的原子力顯微鏡照片。
圖14是表示本發(fā)明的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的另一原子力顯微鏡照片。
圖15是表示在圖14的A-B線截面中的上述透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的高度方向的變動(dòng)的圖。
圖16是表示在圖14的C-D線截面中的上述透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的高度方向的變動(dòng)的圖。
圖17是表示歷來(lái)的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的另一原子力顯微鏡照片。
圖18是表示在圖17的A-B線截面中的上述透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的高度方向的變動(dòng)的圖。
圖19是表示在圖17的C-D線截面中的上述透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的高度方向的變動(dòng)的圖。
圖20是用印刷法形成上述實(shí)施方案有關(guān)的上述透明導(dǎo)電膜場(chǎng)合的一個(gè)例子所使用的薄膜形成裝置的斜視圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳方案在繼續(xù)敘述本發(fā)明之前，已給予附圖中的相同部件以相同的參照符號(hào)。
參照著圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案。
圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜表面的斷面形狀的模式截面圖。圖2是表示本發(fā)明的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物結(jié)晶粒徑的原子力顯微鏡照片。圖3是表示觀察上述實(shí)施方案的透明導(dǎo)電膜之間由于接觸電阻導(dǎo)致電壓下降的方法的斜視圖。圖4是表示觀察上述實(shí)施方案的透明導(dǎo)電膜之間因接觸電阻導(dǎo)致電壓下降的方法的電路圖。圖8是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板輸入時(shí)記錄檢出的理想輸入電壓Ev的示意圖。圖9是說(shuō)明上述實(shí)施方案的透明觸摸面板中的表面粗糙參數(shù)的算術(shù)平均粗糙度的圖。圖10是說(shuō)明上述實(shí)施方案的透明觸摸面板中的表面粗糙參數(shù)的中心線(平均線)深度的圖。圖11是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的頂電極和底電極在對(duì)向狀態(tài)時(shí)的透明導(dǎo)電膜表面的斷面形狀的模式斷面圖。圖12是表示上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的頂電極和底電極在對(duì)向狀態(tài)下用筆輸入的狀態(tài)下的透明導(dǎo)電膜表面的斷面形狀的模式斷面圖。圖13是表示圖2的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜金屬氧化物結(jié)晶粒徑的原子力顯微鏡照片。圖14是表示本發(fā)明的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板的透明導(dǎo)電膜金屬氧化物結(jié)晶粒徑的另一原子力顯微鏡照片。圖15是表示在圖14的A-B線截面中的上述透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的高度方向的變動(dòng)的圖。圖15的A1，A2，A3，A4，A5，A6的位置與圖14的A1，A2，A3，A4，A5，A6的位置相對(duì)應(yīng)。圖16是表示在圖14的C-D線截面中的上述透明導(dǎo)電膜的金屬氧化物的結(jié)晶粒徑的高度方向的變動(dòng)的圖。圖16的C1，C2，C3，C4，C5，C6的位置與圖14的C1，C2，C3，C4，C5，C6的位置相對(duì)應(yīng)。
圖中，1是透明導(dǎo)電膜，2是輸入用筆，3是匯流條，4是頂電極，5是底電極。因此，如圖3和圖12所示，在輸入面一側(cè)例如頂電極4側(cè)用輸入筆2按壓透明面板表面的一部分，使由透明導(dǎo)電膜1分別構(gòu)成的兩電極4，5接觸而導(dǎo)通，從而進(jìn)行了輸入作業(yè)，通過(guò)匯流條3的中介而把輸入的信息傳達(dá)到預(yù)定的裝置。
如圖1和圖11、圖12所示，本發(fā)明的上述實(shí)施方案的透明觸摸面板是由多個(gè)墊片10把在底電極基板15的表面設(shè)置有透明導(dǎo)電膜1所構(gòu)成的底電極5與在頂電極基板14的表面設(shè)置有透明導(dǎo)電膜1所構(gòu)成的頂電極4隔開而積層的。所用的墊片10是例如直徑為20～100μm、高4～25μm、各墊片10的間隔為1～5mm，通常墊片是在頂電極或底電極的表面上形成的。
作為上述實(shí)施方案的底電極基板和頂電極基板的各個(gè)基板，用的是有耐熱性和優(yōu)異透明性的塑料基板或玻璃基板等。例如，作為塑料基板用的是聚碳酸酯樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚丙烯酸酯樹脂或三乙酸酯樹脂等。玻璃基板則沒(méi)有特別的限制，只要其色相少就行。
作為上述實(shí)施方案的透明導(dǎo)電膜1的是以ATO(氧化銻/氧化錫)、FTO(氧化錫/摻雜氟)、ITO(氧化銦/氧化錫)、FATO(氧化銻/氧化錫/摻雜氟)為代表的N型半導(dǎo)體金屬氧化物。尤其是，ITO因透明導(dǎo)電膜本身不帶色使其透明性優(yōu)異而優(yōu)選使用。
上述透明導(dǎo)電膜1是由表面形狀為算術(shù)平均粗糙度(Ra)0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)0.6nm≤Rms≤3.0nm所構(gòu)成的。其理由是，如圖1所示，因這樣構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜1其晶粒聚集體致密排列并且成為平滑性好的膜，如圖11和12所示，在輸入時(shí)的接觸面積可以迅速得到保證。詳細(xì)地說(shuō)，在算術(shù)平均粗糙度(Ra)不到0.4nm或均方根粗糙度(Rms)不到0.6nm的場(chǎng)合，變成了明顯的點(diǎn)狀接觸，接觸面積少，輸入就變得不合適(參見圖5和圖17至圖19)。即使算術(shù)平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)中的任一方在上述范圍內(nèi)也不能期望有合適的輸入。還有，在算術(shù)平均表面粗糙度(Ra)超過(guò)4.0nm或均方根表面粗糙度(Rms)超過(guò)3.0nm的場(chǎng)合，由于其對(duì)透明導(dǎo)電膜1的滑動(dòng)特性的惡劣影響而不被優(yōu)選使用。
進(jìn)一步說(shuō)，優(yōu)選的是表示透明導(dǎo)電膜1的表面形狀的下述參數(shù)(Rp/Rmax)成為0.55以下則使構(gòu)成表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈如圖1所示那樣的臺(tái)階形形狀或矩形形狀那樣構(gòu)成的(參照?qǐng)D15、圖16)。其理由是，得到這樣的形狀時(shí)在可以確保非常穩(wěn)定的輸入的同時(shí)，還得到了延長(zhǎng)對(duì)開關(guān)來(lái)說(shuō)是不可缺少的滑動(dòng)特性的壽命的良好結(jié)果。
更具體地說(shuō)，在上述實(shí)施方案的透明觸摸面板中，作為一個(gè)例子，至少構(gòu)成一個(gè)電極的透明導(dǎo)電膜1為氧化銦-氧化錫的場(chǎng)合，其構(gòu)成是，在表面上所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm、透明導(dǎo)電膜1的表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm、表現(xiàn)表面形狀的下述參數(shù)(Rp/Rmax)成為0.55以下和使構(gòu)成表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈如圖1所示那樣的臺(tái)階形形狀或矩形形狀。也就是說(shuō)，其Rp/Rmax≤0.55。這里，Rp表示中心線的深度，Rmax表示上述表面的最大粗糙度，單位都是nm。有關(guān)中心線深度Rp和最大粗糙度Rmax在后面再談。
如上所述，透明導(dǎo)電膜1為由氧化銦-氧化錫構(gòu)成的場(chǎng)合，在其表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為在40nm≤R≤200nm的范圍內(nèi)分布的理由如下。也就是說(shuō)，平均結(jié)晶粒徑(R)不到40nm的場(chǎng)合，輕觸輸入時(shí)輸入變得不穩(wěn)定，另一方面，當(dāng)平均結(jié)晶粒徑(R)超過(guò)200nm的范圍分布時(shí)，有這樣的平均結(jié)晶粒徑(R)的透明導(dǎo)電膜1制造起來(lái)極為困難。所以，平均結(jié)晶粒徑(R)落在40nm≤R≤200nm范圍內(nèi)的膜是以晶界等為代表的勢(shì)壘少的穩(wěn)定的氧化皮膜，對(duì)向基板上的透明導(dǎo)電膜接觸時(shí)可以降低接觸電阻而可達(dá)到穩(wěn)定的輸入。
通常，氧化銦-氧化錫膜主要是用濺射法來(lái)形成的，雖有可能得到結(jié)晶性良好的膜，不過(guò)要采取成膜時(shí)的基板溫度保持在高溫、成膜后在預(yù)定溫度退火等處理方法來(lái)進(jìn)行晶粒生長(zhǎng)。在上述的用濺射法成膜的場(chǎng)合，采用，例如，把成膜時(shí)基板的溫度設(shè)定為350℃、成膜后在150℃～200℃退火數(shù)小時(shí)以上等的方法來(lái)促進(jìn)晶粒的生長(zhǎng)以使平均結(jié)晶粒徑(R)落在上述的40nm≤R≤200nm的范圍內(nèi)的做法為好。
特別是在氧化銦-氧化錫的場(chǎng)合，如前述用濺射法的ITO膜的場(chǎng)合那樣，為使電阻率低而用于觸摸面板用途就必須要有相當(dāng)薄的薄膜。因此，平均晶粒的尺寸自然容易變小了。由此，涂布法或印刷法與濺射法比較起來(lái)不僅工藝簡(jiǎn)單，容易進(jìn)行粒度控制，而且電阻率的調(diào)整也容易。也更適合于控制表面形狀。
例如，如圖2和圖13及圖14所示那樣，在透明導(dǎo)電膜1的平均結(jié)晶粒徑(R)約為50nm左右的場(chǎng)合，用輕觸輸入就可能得到合適、正確的輸入。進(jìn)而在60℃、相對(duì)濕度95％(RH)下經(jīng)500小時(shí)的耐濕熱試驗(yàn)后，輕觸輸入仍得到良好的結(jié)果。另外，在圖14中，算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.80nm、均方根粗糙度(Rms)為1.06nm。與此相反，歷來(lái)的例子的圖17中，算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.21nm、均方根粗糙度(Rms)在A-B線部分為0.26nm而C-D線部分為0.28nm。圖15、圖16、圖18、圖19中，縱軸和橫軸分別表示了高度和距離。
一般，在透明導(dǎo)電膜表面所觀察的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為10～15nm和更細(xì)的場(chǎng)合，進(jìn)行前述耐濕熱試驗(yàn)時(shí)產(chǎn)生表面電阻值上升，在輕觸輸入時(shí)錯(cuò)誤輸入的發(fā)生顯著增加。其原因據(jù)認(rèn)為是，平均結(jié)晶粒徑(R)小的場(chǎng)合，透明導(dǎo)電膜的表面積變大，使吸水量增多，奪走了透明導(dǎo)電膜中的載流子，使表面電阻值上升。還有，與有大的平均結(jié)晶粒徑(R)的透明導(dǎo)電膜相比較，平均結(jié)晶粒徑(R)小的透明導(dǎo)電膜中存在更多的晶界，例如氧化銦-氧化錫的場(chǎng)合，認(rèn)為由于載流子的平均自由行程為約100埃(約10nm)左右，因此在通常情況下可被忽略的晶界散射所造成的載流子遷移率的下降，使得在輕觸輸入時(shí)容易發(fā)生失誤。
作為在上述實(shí)施方案的透明觸摸面板中的其他例子是，在用添加了氟或銻的氧化錫膜代替氧化銦-氧化錫膜構(gòu)成至少一個(gè)電極的透明導(dǎo)電膜1的場(chǎng)合，其構(gòu)成為在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為80nm≤R≤400nm、透明導(dǎo)電膜1的表面算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm、表現(xiàn)其表面形狀的下述參數(shù)(Rp/Rmax)成為0.55以下則使構(gòu)成表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈如圖1所示那樣的臺(tái)階形形狀或矩形形狀。也就是說(shuō)，取Rp/Rmax≤0.55。這里，Rp表示中心線的深度，Rmax表示上述表面的最大粗糙度，單位都是nm。有關(guān)中心線深度Rp和最大粗糙度Rmax在后面再談。
在這樣的透明導(dǎo)電膜1是由添加了氟或銻的氧化錫膜所構(gòu)成的場(chǎng)合，在其表面所觀察的金屬氧化物平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)是在80nm≤R≤400nm范圍內(nèi)分布的理由如下。即，當(dāng)平均結(jié)晶粒徑(R)在不到80nm的范圍內(nèi)分布時(shí)，進(jìn)行輕觸輸入其輸入變得不穩(wěn)定，另一方面，平均結(jié)晶粒徑(R)在超過(guò)400nm范圍內(nèi)分布時(shí)，對(duì)向電極的透明導(dǎo)電膜因其表面的凹凸而受損，結(jié)果使滑動(dòng)耐久性差。所以，平均結(jié)晶粒徑(R)落在80nm≤R≤400nm范圍內(nèi)的是結(jié)晶已生長(zhǎng)的穩(wěn)定氧化皮膜，對(duì)向基板上的透明導(dǎo)電膜接觸時(shí)可以降低接觸電阻而可達(dá)到穩(wěn)定的輸入。
通常，用以CVD法為代表的氣相法是形成加氟或銻的氧化錫膜的主流。在CVD法中，可以在450℃～550℃的高成膜溫度下調(diào)整晶粒的生長(zhǎng)而使其平均結(jié)晶粒徑(R)落在80nm≤R≤400nm范圍內(nèi)。
在上述2個(gè)例子電用凝膠-溶膠材料由涂布法或印刷法成膜來(lái)形成透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合，可以通過(guò)調(diào)整在溶液狀態(tài)的各種元素的添加量與分散性，進(jìn)而調(diào)整油墨的自由能再加上對(duì)干燥工序、在考慮燒結(jié)條件的情況下就可能控制晶粒的尺寸落在上述范圍內(nèi)。
例如，在用印刷法形成透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合，就有采用如特公平3-11630號(hào)所示那樣的薄膜形成裝置并有印刷方法(參見圖20)。此薄膜形成裝置的構(gòu)成如下由基臺(tái)的支撐架所支撐的自由旋轉(zhuǎn)的表面有多個(gè)深度為1.0～數(shù)十μm的墨池的凹版輥103和、向凹版輥103表面供給1.0～30,000mPas的油墨的油墨供給裝置105和在支撐架102所支撐的凹版輥103的周圍預(yù)定地方備有、使供給凹版輥103的油墨擴(kuò)展到凹版輥表面并使油墨池內(nèi)保持一定量的油墨的定厚器106和、使在凹版輥103表面的墨池內(nèi)的油墨向在凹版輥103的下方由支撐架102支撐的自由旋轉(zhuǎn)且與凹版輥103接觸的凸部107轉(zhuǎn)移的印刷輥104和、驅(qū)動(dòng)支撐架102所支撐的印刷輥104和凹版輥103同步旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置108和、為裝載被印刷物111且在基臺(tái)101上可從與印刷輥104接觸的印刷位置I與離開印刷輥的避讓位置II、III之間移動(dòng)而準(zhǔn)備的定盤109和、使定盤109在上述兩位置之間移動(dòng)的被印刷物驅(qū)動(dòng)裝置110和、控制印刷輥104的旋轉(zhuǎn)和定盤109從避讓位置II、III向印刷位置I移動(dòng)、使從凸部107轉(zhuǎn)移到印刷輥104的油墨印刷到被印刷物上去的控制裝載(圖中未列出)。
作為油墨是由至少一種，例如，以下述一般式M(OH)x(R-CO-CH2-CO-R′)Y表示的化合物和溶劑、穩(wěn)定劑所構(gòu)成，式中M為In、Sn、Sb、B、P、Al、Bi、Si、Ti、Se、Te、Hf、Zn中的一種元素，R、R′為取代的烯丙基或取代的烷基，且m＝X+Y，m是M的價(jià)數(shù)，X、Y是自然數(shù)。
特別是，使用上述一般式中M為銦(In)、錫(Sn)且銦錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％的范圍的油墨就可以容易得到上述范圍內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)。而且也容易把其算術(shù)平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)控制在上述范圍內(nèi)。這里，銦、錫的構(gòu)成重量比不足5重量％時(shí)作為摻雜劑而被添加的錫的量少，就不可能期望產(chǎn)生對(duì)電導(dǎo)負(fù)載的載流子。這樣的話，膜的電阻率在1.0×10-3Ω·cm以上，不適合用于觸摸面板用的材料。另一方面，當(dāng)銦、錫的構(gòu)成重量比超過(guò)15重量％時(shí)，其平均結(jié)晶粒徑變?yōu)?0～30nm，難于使算術(shù)平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)落在上述范圍內(nèi)，構(gòu)成透明導(dǎo)電膜的表面形狀的晶粒聚集體的斷面難于成為臺(tái)階形形狀或矩形形狀。
還有，把凝膠-溶膠材料涂布或印刷后初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)以每分40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)接著進(jìn)行還原燒結(jié)就容易得到上述范圍內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)。而且，也容易把算術(shù)平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)控制在上述范圍內(nèi)。這里，當(dāng)升溫速度不到每分鐘40℃時(shí)，膜中的分解速度慢，包含的殘留的有機(jī)溶劑多，這樣的燒結(jié)使透明導(dǎo)電膜發(fā)黑，且其電阻率在1.0×10-3Ω·cm以上，不適合于作為觸摸面板用的材料來(lái)使用。另一方面，當(dāng)升溫速度超過(guò)每分鐘60℃時(shí)，膜中的分解速度過(guò)快而變?yōu)槎嗫啄ぃ捎谀さ挠捕炔粔?、耐濕熱度試?yàn)等為代表的膜物性差，因而不適合于作為觸摸面板用的材料來(lái)使用。
用上述裝置成膜成薄膜后，經(jīng)40℃～100℃適當(dāng)干燥后，并在約540℃氧化燒結(jié)后進(jìn)一步再還原燒結(jié)就形成了透明的導(dǎo)電膜。用這樣的方法來(lái)形成透明導(dǎo)電膜時(shí)，在預(yù)定的條件下可以形成平均結(jié)晶粒徑在40nm以上的膜。此時(shí)的膜表面的Ra為0.67nm，Rms為0.87nm，原子力顯微鏡觀察的Rp/Rmax為0.51時(shí)，生長(zhǎng)的晶粒聚集體凝聚，膜斷面形狀，即構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈臺(tái)階形狀，具有良好的輕觸輸入特性且有優(yōu)異的滑動(dòng)耐久性。在60℃和相對(duì)濕度95％(RH)下500小時(shí)的耐濕試驗(yàn)后也得到穩(wěn)定的輸入。
還有，用對(duì)于因?qū)ο虻耐该鲗?dǎo)電膜1之間的接觸電阻造成的電壓下降的觀察可以來(lái)評(píng)價(jià)輕觸輸入時(shí)的穩(wěn)定度。如圖3、圖4所示，使用在透明觸摸面板的頂電極4上加上5V的電壓、而底電極5上接10KΩ的負(fù)載所構(gòu)成的電路就可以對(duì)由于對(duì)向的透明導(dǎo)電膜1之間的接觸電阻造成的電壓下降所導(dǎo)致的輕觸輸入時(shí)的輸入失誤的測(cè)定數(shù)值化，其中，Ev＝5-(Ea+Eb+Ec)、Ea+Ec＝常數(shù)，Eb＝接觸電阻造成的電壓降，Ev＝檢出電壓，Ea和Ec分別為頂電極4和底電極5的電壓降。
也就是說(shuō)，對(duì)在頂電極4上加5V的電壓，由電路的電阻造成的電壓降(Ea、Ec)與由接觸電阻造成的電壓降(Eb)之和越大其檢出電壓(Ev)越小。所以，檢出電壓(Ev)小就表明已發(fā)生了輸入失誤。
用平均結(jié)晶粒徑(R)在40～100nm范圍的ITO為透明導(dǎo)電膜1的場(chǎng)合，觀察到檢出電壓(Ev)穩(wěn)定為約4.6V，與此相反，平均結(jié)晶粒徑(R)在10～15nm范圍時(shí)觀察到檢出電壓(Ev)在4.0～4.2V不穩(wěn)定的變化。由詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，在加5V時(shí)檢出電壓(Ev)在約4.5V以上時(shí)進(jìn)行輕觸輸入就實(shí)現(xiàn)了良好的輸入。
還有，用作為透明導(dǎo)電膜1的一個(gè)例子的由CVD法得到的氧化錫膜的場(chǎng)合，其平均結(jié)晶粒徑(R)在100～200nm范圍內(nèi)分布時(shí)，檢出電壓(Ev)穩(wěn)定在約4.5V。
另外，在構(gòu)成至少一個(gè)電極的透明導(dǎo)電膜1為氧化銦-氧化錫的場(chǎng)合，其表面算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm的理由如下。即，由這樣構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜1，如圖1所示，是晶粒聚集體致密排列且平滑性好的膜，如圖11及12所示，輸入時(shí)就可迅速確保接觸面積。當(dāng)算術(shù)平均粗糙度(Ra)不到0.4nm或均方根粗糙度(Rms)不到0.6nm時(shí)成為明顯的點(diǎn)狀接觸，接觸面積少，使輸入不正確(參見圖5和圖17至圖19)。即使算術(shù)平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)中的任一個(gè)在上述范圍內(nèi)也不能期望有合適、正確的輸入。還有，算術(shù)平均粗糙度(Ra)超過(guò)3.0nm或均方根粗糙度(Rms)超過(guò)2.0nm的透明導(dǎo)電膜1制造起來(lái)極其困難。
進(jìn)一步說(shuō)，中心線深度Rp與最大粗糙度Rmax之比Rp/Rmax在0.55以下，構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面變?yōu)榕_(tái)階形狀或矩形形狀(參見圖15、圖16)。如圖11和圖12所示，得到了這樣的形狀就可以迅速確保輸入時(shí)的接觸面積，而且輕觸輸入時(shí)所發(fā)生的滑動(dòng)特性也優(yōu)異，由此就可確保非常穩(wěn)定的輸入。還有，得到了對(duì)開關(guān)是必須而不可缺的滑動(dòng)特性壽命延長(zhǎng)的良好結(jié)果。
在構(gòu)成至少一個(gè)電極的透明導(dǎo)電膜1為添加氟或銻的氧化錫膜的場(chǎng)合，其表面算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm的理由如下。即，由這樣構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜1，與氧化銦-氧化錫同樣，如圖11及12所示，輸入時(shí)可迅速確保接觸面積。當(dāng)算術(shù)平均粗糙度(Ra)不到0.4nm或均方根粗糙度(Rms)不到0.6nm時(shí)成為明顯的點(diǎn)狀接觸，接觸面積少，使輸入不正確(參見圖5)。即使算術(shù)平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)中的任一個(gè)在上述范圍內(nèi)也不能期望有合適、正確的輸入。還有，在算術(shù)平均粗糙度(Ra)超過(guò)4.0nm或均方根粗糙度(Rms)超過(guò)3.0nm的場(chǎng)合，透明導(dǎo)電膜1的滑動(dòng)特性受到惡劣影響而不被優(yōu)選。
進(jìn)一步說(shuō)，中心線深度Rp與最大粗糙度Rmax之比Rp/Rmax取為0.55以下，構(gòu)成上述表面形狀的粒子的聚集體的斷面變?yōu)榕_(tái)階形狀或矩形形狀(參見圖15、圖16)。如圖11和圖12所示，得到了這樣的形狀就可以迅速確保輸入時(shí)的接觸面積，而且輕觸輸入時(shí)所發(fā)生的滑動(dòng)特性也優(yōu)異。由此就可確保非常穩(wěn)定的輸入。
為得到這樣的形狀，除了上述方法外，也可以在形成透明導(dǎo)電膜l之前先在基板上形成有所期望形狀的底膜。
現(xiàn)在來(lái)說(shuō)明與表面粗糙度有關(guān)的各種參數(shù)。首先，所說(shuō)的平均線，是指測(cè)定曲線的挑選出部分中具有測(cè)定面的幾何學(xué)形狀的直線或曲線，且從該曲線到測(cè)定曲線成為最小均方差那樣設(shè)定的線。中心線是指向粗糙度曲線的平均線引的平行直線，該直線與粗糙度曲線所圍面積在此直線的兩側(cè)相等。
這里，算術(shù)平均粗糙度(Ra)是由如下方法算出的選取從粗糙度曲線到中心線方向的部分為測(cè)定長(zhǎng)度(基準(zhǔn)長(zhǎng)度)l，把此選取部分的中心線作為X軸，其正交方向?yàn)閅軸，如圖9所示那樣，用y＝f(x)表示粗糙度曲線時(shí)，Ra=1l∫0′|f(x)|dx]]>表示粗糙度的另一參數(shù)是均方根粗糙度(Rms)，它是由在計(jì)算平均粗糙度的平均值方向上選取基準(zhǔn)長(zhǎng)度l、今此選取部分的平均線方向?yàn)閄軸、其正交方向?yàn)閅軸時(shí)求出的標(biāo)準(zhǔn)偏差。雖然算術(shù)平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)都是數(shù)值比例表示表面的粗糙趨勢(shì)，但兩者之間沒(méi)有一般成立的數(shù)學(xué)關(guān)系。Rms=Σ(Yi-Y-)2N]]>式中，Yi是相對(duì)于所選取部分的某局部的頂?shù)降椎母叨?、Y為所選取部分的各局部的頂?shù)降椎母叨鹊钠骄?，N為基準(zhǔn)長(zhǎng)度l內(nèi)的局部頂點(diǎn)的間隔個(gè)數(shù)。
下面是表示上述實(shí)施方案的具體實(shí)施例和與其作比較的比較例。
還有，如圖10所示，中心線深度(Rp)表示在基準(zhǔn)長(zhǎng)度l內(nèi)的最高點(diǎn)至平均線或中心線的深度。再是，本實(shí)施方案中，為修正膜的深度的影響，還使用了參數(shù)Rp/Rmax。Rmax指的是從斷面曲線沿其平均線方向選取的基準(zhǔn)長(zhǎng)度l，用與平均線相平行的2條直線來(lái)夾此斷面曲線時(shí)正交方向上的此2直線的間隔的測(cè)定值。進(jìn)一步說(shuō)，中心線深度(Rp)在其Rmax值相同而Rp值不同的面來(lái)說(shuō)，它對(duì)考慮與接觸部分的面積相關(guān)的耐摩耗性方面是有用的。即，Rp值越大，從最高點(diǎn)到平均線或中心線的深度越大，它表示了尖的形狀，反之，Rp值小表示構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面接近于臺(tái)階形狀或矩形形狀。實(shí)施例1在有約5μm的丙烯酸類硬涂料的20μm厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上用濺射法在130℃成膜溫度下形成作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜，接著，在150℃左右的溫度下進(jìn)行退火，制成了平均結(jié)晶粒徑(R)在40～60nm范圍內(nèi)分布的透明導(dǎo)電膜。把此膜的硬涂料面一側(cè)以粘合層為中介，與預(yù)先在背面有約5μm的丙烯酸類硬涂料的125μm厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜疊合。
以在兩面涂敷有二氧化硅的1.1mm厚的玻璃作為底電極基板，設(shè)定基板溫度為250℃，用濺射法形成厚度為15nm的作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜。用原子力顯微鏡(株式會(huì)社島津制作所制的SPM-9500)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在40～60nm范圍分布。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷按格子狀輸入，線既不歪也沒(méi)斷，可以穩(wěn)定輸入。
而且，測(cè)定此透明觸摸面板在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為穩(wěn)定的4.6V的值。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，跟初期的狀態(tài)沒(méi)有變化。而且，測(cè)定輸入電壓時(shí)，顯示穩(wěn)定的4.6V值，與初期的值完全沒(méi)變，可以毫無(wú)問(wèn)題地在輕觸輸入中使用。實(shí)施例2除成膜溫度為100℃外，其他與實(shí)施例1一樣在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上形成透明導(dǎo)電膜。測(cè)得透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤1.2nm，均方根粗糙度(Rms)為0.8nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等，評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把銦與錫的比調(diào)整為{Sn/(Sn+In)}×100＝20重量％那樣的透明導(dǎo)電油墨組合物用前述的薄膜形成裝置(日本寫真印刷株式會(huì)社制的商標(biāo)名為ォングストロ-マ-的聯(lián)機(jī)型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的鈉玻璃基板上。
把玻璃基板用熱臺(tái)進(jìn)行預(yù)干燥后，用傳送帶式氣氛分離爐在540℃燒結(jié)，接著在傳送帶式氣氛分離爐中以含微量氫氣的氮?dú)夥罩袕?40℃冷卻至室溫，得到厚度為10nm的透明導(dǎo)電膜。用原子力顯微鏡(株式會(huì)社島津制作所制的SPM-9500)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在10～30nm范圍內(nèi)分布。
測(cè)得透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.15nm≤Ra≤0.29nm，均方根粗糙度(Rms)為0.39nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷按格子狀輸入，線既不歪也沒(méi)斷，可以穩(wěn)定輸入。
而且，測(cè)定此透明觸摸面板在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為穩(wěn)定的4.5V的值。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，其后，測(cè)定輸入電壓時(shí)，顯示與初期的值同樣的4.5V的值，在輕觸輸入中也是毫無(wú)問(wèn)題的。而且用格子輸入來(lái)評(píng)價(jià)經(jīng)15萬(wàn)字的連續(xù)輸入試驗(yàn)后的輸入狀態(tài)，不產(chǎn)生斷線，可以描繪出穩(wěn)定的格子。實(shí)施例3除成膜溫度為150℃、退火在150℃進(jìn)行幾小時(shí)外，與實(shí)施例1同樣在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上形成透明導(dǎo)電膜。平均結(jié)晶粒徑(R)在40～100nm的范圍內(nèi)分布。測(cè)得透明導(dǎo)電膜的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為1.1nm≤Ra≤2.3nm，均方根粗糙度(Rms)為0.9nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把銦與錫的比調(diào)整為{Sn/(Sn+In)}×100＝12重量％那樣的透明導(dǎo)電油墨組合物，用前述的薄膜形成裝置(日本寫真印刷株式會(huì)社制的商標(biāo)名為ォングストロ-マ-的聯(lián)機(jī)型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的鈉玻璃基板上。
把玻璃基板用熱臺(tái)進(jìn)行預(yù)干燥后，用傳送帶式氣氛分離爐在540℃燒結(jié)，接著在傳送帶式氣氛分離爐中以含微量氫氣的氮?dú)夥罩袕?40℃冷卻至室溫，得到厚度為20nm的透明導(dǎo)電膜。用原子力顯微鏡(精工電子工業(yè)株式會(huì)社制的SPI3600)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在40～60nm范圍內(nèi)分布。
測(cè)得透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤0.8nm，均方根粗糙度(Rms)為0.70nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷按格子狀輸入，線既不歪也沒(méi)斷，可以穩(wěn)定輸入。
而且，測(cè)定此透明觸摸面板在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為穩(wěn)定的4.65V的值。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，其后，測(cè)定輸入電壓時(shí)，顯示與初期的值同樣的4.65V的值，在輕觸輸入中也是毫無(wú)問(wèn)題的。實(shí)施例4除成膜溫度為100℃外，與實(shí)施例1同樣在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上形成透明導(dǎo)電膜。測(cè)定透明導(dǎo)電膜的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤1.2nm，均方根粗糙度(Rms)為0.8nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把銦與錫的比調(diào)整為{Sn/(Sn+In)}×100＝10重量％那樣的透明導(dǎo)電油墨組合物用前述的薄膜形成裝置(日本寫真印刷株式會(huì)社制的商標(biāo)名為ォングストロ-マ-的聯(lián)機(jī)型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的鈉玻璃基板上。
把玻璃基板用熱臺(tái)進(jìn)行預(yù)干燥后，用傳送帶式氣氛分離爐在540℃將升溫曲線控制在55℃/分的條件下進(jìn)行燒結(jié)，接著在傳送帶式氣氛分離爐中以含微量氫氣的氮?dú)夥罩袕?40℃冷卻至室溫，得到厚度為10nm的透明導(dǎo)電膜。用原子力顯微鏡(株式會(huì)社島津制作所制的SPM-9500)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在40～50nm范圍內(nèi)分布。
進(jìn)而，測(cè)得透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤0.9nm，均方根粗糙度(Rms)為0.67nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。還有，Rp/Rmax為0.50，構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈臺(tái)階形狀。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷按格子狀輸入，線既不歪也沒(méi)斷，可以穩(wěn)定輸入。
而且，測(cè)定此透明觸摸面板在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為穩(wěn)定的4.55V的值。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，其后，測(cè)定輸入電壓時(shí)，顯示與初期的值同樣的4.5V的值，在輕觸輸入中也是毫無(wú)問(wèn)題的。而且用格子輸入來(lái)評(píng)價(jià)經(jīng)15萬(wàn)字的連續(xù)輸入試驗(yàn)后的輸入狀態(tài)，不產(chǎn)生斷線，可以描繪出穩(wěn)定的格子。比較例1除了省去退火工序外，與實(shí)施例1一樣在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上形成透明導(dǎo)電膜，其平均結(jié)晶粒徑(R)在10～20nm范圍內(nèi)分布。用兩面涂敷有二氧化硅的厚1.1mm的玻璃作為底電極基板，設(shè)定基板溫度為150℃，用濺射法形成厚度為10nm的作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜。用原子力顯微鏡(精工電子工業(yè)株式會(huì)社制的SPI3600)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在20～30nm范圍內(nèi)分布。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷按格子狀輸入，發(fā)生斷線和線歪，不能穩(wěn)定輸入。
而且，測(cè)定此透明觸摸面板在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為4.3～4.4V的值且不穩(wěn)定。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，跟初期的狀態(tài)相比，線歪斜大且發(fā)生斷線，還進(jìn)一步觀察到不能輸入的地方。而且，測(cè)定輸入電壓時(shí)，得到比初期的值低的4.0～4.3V的值，不能在輕觸輸入中使用。比較例2與比較例1一樣在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上形成透明導(dǎo)電膜，其平均結(jié)晶粒徑(R)在10～20nm范圍內(nèi)分布。測(cè)定透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.1nm≤Ra≤0.25nm，均方根粗糙度(Rms)為0.55nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
用兩面涂敷有二氧化硅的厚1.1mm的玻璃作為底電極基板，設(shè)定基板溫度為80℃，用濺射法形成厚度為15nm的作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜。用原子力顯微鏡(精工表面電子工業(yè)株式會(huì)社制的SPI3600)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在10～15nm范圍內(nèi)分布。透明導(dǎo)電膜的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.1nm≤Ra≤0.22nm，均方根粗糙度(Rms)為0.35nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷，測(cè)定在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為4.2～4.3V的值且不穩(wěn)定。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，跟初期的狀態(tài)相比，線歪斜大且發(fā)生斷線，還進(jìn)一步觀察到不能輸入的地方。而且，測(cè)定輸入電壓時(shí)，得到比初期的值低的3.7～4.0V的值，不能在輕觸輸入中使用。還有，用格子輸入來(lái)評(píng)價(jià)經(jīng)15萬(wàn)字的連續(xù)輸入試驗(yàn)后的輸入狀態(tài)，檢出部分3.9～4.1V的地方。比較例3與實(shí)施例3一樣在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上形成透明導(dǎo)電膜。
把透明導(dǎo)電油墨組合物用薄膜形成裝置(日本寫真印刷株式會(huì)社制的商標(biāo)名為ォングストロ-マ-的聯(lián)機(jī)型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的鈉玻璃基板上。
把玻璃基板用熱臺(tái)進(jìn)行預(yù)干燥后，用傳送帶式氣氛分離爐在500℃燒結(jié)，接著在傳送帶式氣氛分離爐中以含微量氫氣的氮?dú)夥罩袕?00℃冷卻至室溫，得到厚度為10nm的透明導(dǎo)電膜。用原子力顯微鏡(精工電子工業(yè)株式會(huì)社制的SPI3600)觀察，其平均結(jié)晶粒徑(R)在10～30nm范圍內(nèi)分布。而且，測(cè)得透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.1nm≤Ra≤0.4nm，均方根粗糙度(Rms)為0.35nm。還有，基準(zhǔn)長(zhǎng)度與使用的截止值相等。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作為電極來(lái)制作透明觸摸面板，用聚縮醛制的筆以總重量為20g那樣的荷重作為負(fù)荷按格子狀輸入，發(fā)生斷線和線歪，不能穩(wěn)定輸入。
而且，測(cè)定此透明觸摸面板在加上5V的狀態(tài)下的輸入電壓，顯示為4.3～4.4V的值且不穩(wěn)定。
進(jìn)一步把此透明觸摸面板進(jìn)行60℃、相對(duì)濕度95％(RH)的耐濕熱試驗(yàn)500小時(shí)，然后進(jìn)行同樣的格子輸入試驗(yàn)，跟初期的狀態(tài)相比，線歪斜大且發(fā)生斷線，還進(jìn)一步觀察到不能輸入的地方。而且，測(cè)定輸入電壓時(shí)，得到比初期的值低的4.0～4.3V的值，不能在輕觸輸入中使用。
由于本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜及使用此透明導(dǎo)電膜的透明觸摸面板和透明導(dǎo)電膜的制造方法，是由上述內(nèi)容所構(gòu)成的，因此有以下的優(yōu)異效果。
本發(fā)明的第1實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，其表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm。因此，成為晶粒聚集體致密排列且平滑性好的膜，可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積而適合于輕觸輸入。
本發(fā)明的第2實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣的積層透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，它是由氧化銦-氧化錫膜所構(gòu)成，而且是在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm那樣構(gòu)成的。因此，是一種以晶界等為代表的勢(shì)壘少的穩(wěn)定的氧化皮膜，并可降低對(duì)向基板上的透明導(dǎo)電膜接觸時(shí)的接觸電阻，達(dá)到穩(wěn)定輸入，可以適合于輕觸輸入。
本發(fā)明的第3實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，它是由添加了氟或銻的氧化錫膜所構(gòu)成，而且在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為80nm≤R≤400nm那樣構(gòu)成的。因此，是一種晶粒已生長(zhǎng)的穩(wěn)定的氧化皮膜，并可降低對(duì)向基板上的透明導(dǎo)電膜接觸時(shí)的接觸電阻，達(dá)到穩(wěn)定輸入，可以適合于輕觸輸入。
本發(fā)明的第4實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是按照第1或第2實(shí)施方案，由氧化銦-氧化錫膜構(gòu)成的且表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm那樣構(gòu)成的。因此，成為晶粒聚集體致密排列且平滑性好的膜，可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積使輕觸輸入時(shí)的接觸電阻小故適合于輕觸輸入。
本發(fā)明的第5實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是按照第1或第3實(shí)施方案，由添加了氟或銻的氧化錫膜所構(gòu)成且表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm。因此，可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積而適合于輕觸輸入。
本發(fā)明的第6實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是按照第1～5的任一實(shí)施方案，其中上述表面形狀中，當(dāng)以Rp表示中心線深度和Rmax表示最大粗度時(shí)，表現(xiàn)上述表面形狀的參數(shù)(Rp/Rmax)成為0.55以下則使構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的截面呈現(xiàn)臺(tái)階形狀或矩形形狀那樣構(gòu)成的。因此，這樣得到的臺(tái)階形狀或矩形形狀可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積，而且輕觸輸入時(shí)發(fā)生的滑動(dòng)特性也優(yōu)異。由此，就可以在確保非常穩(wěn)定的輸入的同時(shí)延長(zhǎng)作為開關(guān)所必須和不可缺少的滑動(dòng)特性的壽命。
本發(fā)明的第7實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜是按照第1～6的任一實(shí)施方案，其中用使用凝膠-溶膠的涂布法或印刷法形成所構(gòu)成的。因此，構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面成為臺(tái)階形狀或矩形形狀，故可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積，而且輕觸輸入時(shí)發(fā)生的滑動(dòng)特性也優(yōu)異，可以適合于輕觸輸入。
本發(fā)明的第8實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板，它是將第1～7的任一實(shí)施方案中記載的透明導(dǎo)電膜設(shè)置在上述底電極和上述頂電極的至少一個(gè)電極的電極基板上，并構(gòu)成該電極所構(gòu)成的。因此，上述透明導(dǎo)電膜成為晶粒聚集體致密地排列，且平滑性也好的膜，并可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積，從而提供一種輕觸輸入優(yōu)異的透明觸摸面板。
本發(fā)明的第9實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板，它是在上述底電極和上述頂電極的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)有第1～7的任一實(shí)施方案中記載的透明導(dǎo)電膜并構(gòu)成該電極所構(gòu)成的。由此，上述透明導(dǎo)電膜，成為晶粒聚集體致密排列且平滑性也好的膜，可以在輸入時(shí)迅速確保接觸面積，從而提供一種輕觸輸入的優(yōu)異透明觸摸面板。
本發(fā)明的第10實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上所設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，它是由至少構(gòu)成凝膠-溶膠材料的由銦和錫構(gòu)成的有機(jī)金屬氧化物所構(gòu)成的、并通過(guò)使用銦與錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那樣的凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，形成表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm那樣的氧化銦-氧化錫膜所構(gòu)成的。因此，該方法能容易地得到適合于輕觸輸入的透明導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的第11實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，它是用至少構(gòu)成凝膠-溶膠材料的由銦和錫構(gòu)成的有機(jī)金屬氧化物所構(gòu)成的、并通過(guò)使用銦與錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那樣的凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法形成、并在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm那樣的氧化銦-氧化錫膜所構(gòu)成的。因此，本方法能容易地得到以晶界為代表的勢(shì)壘少的穩(wěn)定的透明導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的第12實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，它是由使用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，并在凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)內(nèi)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)形成的表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm那樣的氧化銦-氧化錫膜所構(gòu)成的。因此，本方法能容易地得到適合于輕觸輸入的透明導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的第13實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在底電極與頂電極之間用墊片隔開那樣積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的、并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，它是由使用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，并在凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)內(nèi)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)，形成在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm那樣的氧化銦-氧化錫膜所構(gòu)成的。因此，能容易地得到以晶界為代表的勢(shì)壘少的穩(wěn)定的透明導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的第14實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是按照第10或11實(shí)施方案，通過(guò)使用上述凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法來(lái)形成上述透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合，在把凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)內(nèi)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)形成上述透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成。因此，能穩(wěn)定地得到適合于輕觸輸入的以晶界為代表的勢(shì)壘少的穩(wěn)定透明導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的第15實(shí)施方案所涉及的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是用由第10～14的任一實(shí)施方案中所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法制造的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成。因此，可以得到上述第10～14的任一實(shí)施方案所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法的優(yōu)點(diǎn)，從而可提供在輸入時(shí)可迅速確保接觸面積的適合于輕觸輸入的透明導(dǎo)電膜。
還有，當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為氧化銦-氧化錫膜、且控制其表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上時(shí)，就成為可確保接觸面積而適合于輕觸輸入了。
當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為氧化銦-氧化錫膜時(shí)，若控制在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)在40nm≤R≤200nm，且其表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上時(shí)，由于可確保接觸面積、在輕觸輸入時(shí)的接觸電阻進(jìn)一步減小而適合于輕觸輸入。
當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為氧化銦-氧化錫膜時(shí)，若控制其表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上且表示表面形狀的下述參數(shù)在使構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈臺(tái)階形狀或矩形形狀的0.55以下時(shí)，則可確保接觸面積、而且在輕觸輸入時(shí)發(fā)生的滑動(dòng)特性優(yōu)異，從而適合于輕觸輸入。其中，Rp/Rmax≤0.55時(shí)，Rp表示中心線的深度，Rmax表示最大的粗糙度，單位都是nm。
當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為添加了氟或銻的氧化錫膜時(shí)，若控制在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)平均結(jié)晶粒徑(R)在40nm≤R≤400nm時(shí)，由于可以使輕觸輸入時(shí)的接觸電阻Eb小故適合于輕觸輸入。
當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為添加了氟或銻的氧化錫膜時(shí)，若控制其表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上時(shí)，由于可確保接觸面積而適合于輕觸輸入。
當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為添加了氟或銻的氧化錫膜時(shí)，若控制在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)平均結(jié)晶粒徑(R)在40nm≤R≤400nm，且透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上時(shí)，由于在輕觸輸入時(shí)的接觸電阻可進(jìn)一步減小而且還可確保接觸面積、并有優(yōu)異的滑動(dòng)特性，從而適合于輕觸輸入。
當(dāng)本發(fā)明的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜或透明觸摸面板中的至少一個(gè)基板上的透明導(dǎo)電膜為添加了氟或銻的氧化錫膜時(shí)，若控制在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)平均結(jié)晶粒徑(R)在40nm≤R≤300nm，且透明導(dǎo)電膜表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上以及表示表面形狀的下述參數(shù)在使構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈臺(tái)階形狀或矩形形狀的0.55以下時(shí)，由于可以迅速確保輸入時(shí)的接觸面積、在輕觸輸入時(shí)的接觸電阻可進(jìn)一步減小而且其輕觸輸入時(shí)發(fā)生的滑動(dòng)特性也優(yōu)異，從而適合于輕觸輸入。
本發(fā)明雖已參照附圖對(duì)相關(guān)優(yōu)選實(shí)施方案作了充分的記載，不過(guò)應(yīng)該明白，熟悉本技術(shù)的人們可以作各種變形與修正。應(yīng)該把這些變形與修正理解為它并不是在本發(fā)明的范圍所附的權(quán)利要求范圍之外，而是包含在其中的。
權(quán)利要求
1.一種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板(14，15)上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，其中，表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm。
2.一種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，其中，它是由氧化銦-氧化錫膜構(gòu)成的、且在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm。
3.一種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜，其中，它是由添加了氟或銻的氧化錫膜構(gòu)成的、且在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)平均結(jié)晶粒徑(R)為80nm≤R≤400nm。
4.權(quán)利要求1或2所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是由氧化銦-氧化錫膜構(gòu)成的，且表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤2.0nm。
5.權(quán)利要求1或3所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是由添加了氟或銻的氧化錫膜構(gòu)成的，且表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)為0.6nm≤Rms≤3.0nm。
6.權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，其中上述表面形狀中，當(dāng)以Rp表示中心線的深度、Rmax表示最大粗糙度時(shí)，其表現(xiàn)上述表面形狀的參數(shù)(Rp/Rmax)成為0.55以下使構(gòu)成上述表面形狀的晶粒聚集體的斷面呈臺(tái)階形狀或矩形形狀。
7.權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜，它是用凝膠-溶膠材料由涂布法或印刷法所形成的。
8.一種透明觸摸面板，它是將權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所記載的透明導(dǎo)電膜設(shè)置在上述底電極(5)和上述頂電極(4)中的至少一個(gè)電極的電極基板上并構(gòu)成此電極的透明觸摸面板。
9.一種透明觸摸面板，它是將權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所記載的透明導(dǎo)電膜分別設(shè)置在上述底電極(5)和上述頂電極(4)中的2個(gè)電極的電極基板上并分別構(gòu)成此電極的透明觸摸面板。
10.一種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板(14，15)上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中該膜是用至少由銦與錫構(gòu)成的并已成了凝膠-溶膠材料的有機(jī)金屬化合物所構(gòu)成的、并通過(guò)使用銦與錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％的凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，形成表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(Ra)0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化銦-氧化錫膜。
11.一種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板(14，15)上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中該膜是用至少由銦與錫構(gòu)成的凝膠-溶膠材料的有機(jī)金屬化合物所構(gòu)成的、并通過(guò)用銦與錫的構(gòu)成重量比為5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％的凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，形成在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm之氧化銦-氧化錫膜。
12.-種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板(14，15)上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中通過(guò)用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，在凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)，形成表面形狀中的為算術(shù)平均粗糙度(Ra)0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化銦-氧化錫膜。
13.一種透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，該方法是在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板(14，15)上設(shè)置的并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中通過(guò)用凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法，在凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)，形成在表面所觀察的金屬氧化物的平面內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑(R)為40nm≤R≤200nm的氧化銦-氧化錫膜。
14.權(quán)利要求10或11所記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中通過(guò)用上述凝膠-溶膠材料的涂布法或印刷法形成上述透明導(dǎo)電膜的場(chǎng)合中，在凝膠-溶膠材料涂布或印刷后經(jīng)初步干燥，接著在200℃至400℃溫度區(qū)以每分鐘40℃～60℃的升溫速度進(jìn)行氧化燒結(jié)，再繼續(xù)進(jìn)行還原燒結(jié)形成上述透明導(dǎo)電膜。
15.由權(quán)利要求10至14任一項(xiàng)記載的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜的制造方法所制造的透明觸摸面板用透明導(dǎo)電膜。
全文摘要
在由墊片(10)隔開的底電極(5)和頂電極(4)積層的透明觸摸面板的至少一個(gè)電極的電極基板(14,15)上設(shè)置并構(gòu)成此電極的透明導(dǎo)電膜中,表面形狀中的算術(shù)平均粗糙度(R
文檔編號(hào)G06F3/033GK1273650SQ99801082
公開日2000年11月15日 申請(qǐng)日期1999年7月6日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月6日
發(fā)明者面了明, 稻子吉秀, 松川陽(yáng)介, 坂根正恭, 西川和宏 申請(qǐng)人:日本寫真印刷株式會(huì)社