本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造和操作，尤其涉及半導(dǎo)體裝置及其控制方法。

背景技術(shù)：

1、晶體管技術(shù)的出現(xiàn)，逐漸取代了傳統(tǒng)的真空管，廣泛應(yīng)用于計算設(shè)備和通信技術(shù)。最初的半導(dǎo)體裝置以單一的晶體管為核心，隨著技術(shù)的進步，多個晶體管被集成到一個芯片中，形成了早期的集成電路。這種技術(shù)的進步大幅提高了器件的性能和可靠性，推動了電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用。隨著集成電路技術(shù)的不斷演化，半導(dǎo)體裝置的集成度和復(fù)雜性逐步提升，控制方法也從簡單的硬件控制向結(jié)合軟件的智能控制系統(tǒng)演進。為了適應(yīng)更加復(fù)雜的需求，控制方法進一步發(fā)展，包括智能自適應(yīng)控制、實時監(jiān)測與調(diào)整技術(shù)手段，極大提升了半導(dǎo)體裝置的效率和功能。如今，半導(dǎo)體裝置及其控制方法已經(jīng)成為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心技術(shù)，廣泛應(yīng)用于通信、計算和消費電子多個領(lǐng)域，推動了整個科技行業(yè)的快速進步。然而，現(xiàn)有的半導(dǎo)體控制方法對熱穩(wěn)定性預(yù)測不準(zhǔn)確，并且沒有根據(jù)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化調(diào)整，從而導(dǎo)致電信號性能較低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供半導(dǎo)體裝置及其控制方法，以解決至少一個上述技術(shù)問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，一種半導(dǎo)體控制方法，所述方法包括以下步驟：

3、步驟s1：獲取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)；提取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的制造參數(shù)數(shù)據(jù)，得到半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)；根據(jù)半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行空間建模，生成半導(dǎo)體制造三維熱力模型；通過半導(dǎo)體制造三維熱力模型對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行制造過程熱分布監(jiān)測，生成制造過程熱分布數(shù)據(jù)；

4、步驟s2：基于制造過程熱分布數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性預(yù)測，生成熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)；提取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的設(shè)計參數(shù)信息，得到半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)；根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行仿真模擬，生成制造過程模擬數(shù)據(jù)；通過制造過程模擬數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)進行熱管理效率評估，生成熱管理效率評估系數(shù)；

5、步驟s3：根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對制造過程模擬數(shù)據(jù)進行熱控制策略優(yōu)化，生成熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)；根據(jù)熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行關(guān)鍵時間節(jié)點確定，得到制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)；基于制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號特性評估，生成電信號特性評估數(shù)據(jù)；

6、步驟s4：對電信號特性評估數(shù)據(jù)進行載流子遷移率分析，得到載流子遷移率數(shù)據(jù)；根據(jù)載流子遷移率數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號性能優(yōu)化，生成電信號性能優(yōu)化方案；

7、步驟s5：提取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的微觀結(jié)構(gòu)信息，得到半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息；對半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息進行圖形映射，生成半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像；根據(jù)半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像對半導(dǎo)體進行微調(diào)控制，得到半導(dǎo)體微調(diào)控制方案；整合半導(dǎo)體微調(diào)控制方案和電信號性能優(yōu)化方案，生成半導(dǎo)體控制優(yōu)化報告。

8、本發(fā)明通過獲取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)并提取制造參數(shù)數(shù)據(jù)，確保了對半導(dǎo)體特性的全面理解；構(gòu)建半導(dǎo)體制造三維熱力模型，實現(xiàn)了對制造過程中熱分布的精確模擬；通過半導(dǎo)體制造三維熱力模型監(jiān)測熱分布，明確了半導(dǎo)體制造的熱分布情況；利用制造過程熱分布數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性預(yù)測，提高了對半導(dǎo)體熱穩(wěn)定的預(yù)測準(zhǔn)確性；提取設(shè)計參數(shù)信息并進行仿真模擬，增強了對半導(dǎo)體設(shè)計的有效性評估；通過制造過程模擬數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測進行評估，為后續(xù)優(yōu)化提供了定量指標(biāo)。根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)優(yōu)化熱控制策略，提高了半導(dǎo)體制造過程的熱效率；確定制造關(guān)鍵時間節(jié)點，確保了制造過程中關(guān)鍵步驟的精確控制；基于關(guān)鍵時間節(jié)點對電信號特性進行評估，有助于提升半導(dǎo)體的電性能；對電信號特性評估數(shù)據(jù)進行載流子遷移率分析，精確計算了載流子遷移率；根據(jù)載流子遷移率數(shù)據(jù)優(yōu)化電信號性能，生成電信號性能優(yōu)化方案，能夠優(yōu)化半導(dǎo)體的電性能；提取并分析半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)信息，為微調(diào)控制提供了詳細(xì)的微觀層面數(shù)據(jù)；通過圖形映射技術(shù)生成半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像，直觀展示了半導(dǎo)體的微觀特征；微調(diào)控制方案結(jié)合電信號性能優(yōu)化方案，生成的半導(dǎo)體控制優(yōu)化報告為制造過程提供了全面的優(yōu)化指導(dǎo)。因此，本發(fā)明通過物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、數(shù)據(jù)分析技術(shù)、自適應(yīng)控制技術(shù)和圖像映射技術(shù)，實現(xiàn)對半導(dǎo)體熱穩(wěn)定性的精確預(yù)測，以實現(xiàn)對半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化調(diào)整；從而提升半導(dǎo)體電信號性能。

9、優(yōu)選的，步驟s1包括以下步驟：

10、步驟s11：利用傳感器獲取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)；對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行制造過程特征識別，得到制造過程特征數(shù)據(jù)；對制造過程特征數(shù)據(jù)進行參數(shù)信息確定，生成半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)；

11、步驟s12：對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行熱特性分析，得到半導(dǎo)體熱特性數(shù)據(jù)；對半導(dǎo)體熱特性數(shù)據(jù)進行空間分布映射，得到空間分布映射數(shù)據(jù)；

12、步驟s13：對空間分布映射數(shù)據(jù)進行熱傳導(dǎo)解析處理，得到熱傳導(dǎo)解析結(jié)果；對熱傳導(dǎo)解析結(jié)果進行三維形態(tài)構(gòu)建，得到半導(dǎo)體制造三維熱力模型；

13、步驟s14：對半導(dǎo)體制造三維熱力模型進行熱流追蹤處理，得到半導(dǎo)體熱流追蹤數(shù)據(jù)；對半導(dǎo)體熱流追蹤數(shù)據(jù)進行溫度場分析，得到半導(dǎo)體溫度場數(shù)據(jù)；對半導(dǎo)體溫度場數(shù)據(jù)進行熱梯度計算，得到半導(dǎo)體熱梯度數(shù)據(jù)；根據(jù)半導(dǎo)體熱梯度數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行制造過程熱分布監(jiān)測，生成制造過程熱分布數(shù)據(jù)。

14、本發(fā)明通過利用傳感器獲取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)，確保了數(shù)據(jù)的實時性和準(zhǔn)確性；通過制造過程特征識別，提高了對半導(dǎo)體制造過程關(guān)鍵特征的把握；對制造過程特征數(shù)據(jù)進行參數(shù)信息確定，為后續(xù)的熱特性分析提供了精確的輸入；熱特性分析使得半導(dǎo)體的熱行為更加明確，為熱管理提供了科學(xué)依據(jù)；空間分布映射數(shù)據(jù)的生成，為熱傳導(dǎo)解析提供了詳細(xì)的空間信息；熱傳導(dǎo)解析結(jié)果為三維模型構(gòu)建提供了必要的數(shù)據(jù)支持；半導(dǎo)體制造三維熱力模型的構(gòu)建，使得半導(dǎo)體制造過程中的熱分布可以直觀展現(xiàn)；熱流追蹤數(shù)據(jù)處理，使得半導(dǎo)體制造過程中的熱流變化被精確追蹤；溫度場數(shù)據(jù)分析，為半導(dǎo)體制造過程中的溫度控制提供了重要參考；熱梯度計算，為后續(xù)的熱分布監(jiān)測提供了關(guān)鍵的梯度信息。

15、優(yōu)選的，步驟s2包括以下步驟：

16、步驟s21：對制造過程熱分布數(shù)據(jù)進行熱行為模式識別，得到熱行為模式數(shù)據(jù)；對熱行為模式數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性趨勢分析，得到熱穩(wěn)定性趨勢數(shù)據(jù)；

17、步驟s22：對熱穩(wěn)定性趨勢數(shù)據(jù)進行熱效應(yīng)關(guān)聯(lián)分析，得到熱效應(yīng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)；對熱效應(yīng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)進行參數(shù)敏感度確定，得到參數(shù)敏感度數(shù)據(jù)；

18、步驟s23：對參數(shù)敏感度數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性預(yù)測模型構(gòu)建，得到熱穩(wěn)定性預(yù)測模型；基于熱穩(wěn)定性預(yù)測模型對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性預(yù)測，得到熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)；

19、步驟s24：對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行設(shè)計參數(shù)語義分析，得到半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)；對半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)進行制造過程映射，得到制造過程映射數(shù)據(jù)；

20、步驟s25：根據(jù)制造過程映射數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行仿真模擬，生成制造過程模擬數(shù)據(jù)；

21、步驟s26：通過制造過程模擬數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)進行熱管理效率評估，生成熱管理效率評估系數(shù)。

22、本發(fā)明通過熱行為模式識別，精確捕捉了半導(dǎo)體在制造過程中的熱特性，為后續(xù)的熱穩(wěn)定性分析提供了基礎(chǔ)；熱穩(wěn)定性趨勢分析，使得能夠預(yù)測半導(dǎo)體材料在不同條件下的熱行為，為制造過程的優(yōu)化提供了指導(dǎo)；熱效應(yīng)關(guān)聯(lián)分析有助于理解不同熱特性參數(shù)之間的相互作用，從而更全面地評估熱穩(wěn)定性；參數(shù)敏感度確定為熱穩(wěn)定性預(yù)測模型提供了關(guān)鍵輸入，確保了模型預(yù)測的準(zhǔn)確性和可靠性；熱穩(wěn)定性預(yù)測模型的構(gòu)建是基于參數(shù)敏感度數(shù)據(jù)，這提高了模型對半導(dǎo)體熱穩(wěn)定性的預(yù)測精度；利用熱穩(wěn)定性預(yù)測模型對制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行預(yù)測，有助于在制造前評估和改進半導(dǎo)體的熱性能；對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行設(shè)計參數(shù)語義分析，能夠有效識別制造過程的設(shè)計參數(shù)；對半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)進行制造過程映射，為仿真模擬提供了準(zhǔn)確的輸入；仿真模擬基于制造過程映射數(shù)據(jù)，能夠反映實際制造過程中的物理現(xiàn)象；通過制造過程模擬數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)進行熱管理效率評估，能夠量化熱管理策略的性能，為進一步的熱控制策略優(yōu)化提供了關(guān)鍵指標(biāo)。

23、優(yōu)選的，步驟s25包括以下步驟：

24、步驟s251：對制造過程映射數(shù)據(jù)進行工藝流程數(shù)字化處理，得到數(shù)字化工藝流程數(shù)據(jù)；根據(jù)數(shù)字化工藝流程數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行虛擬制造模型構(gòu)建，得到半導(dǎo)體虛擬制造模型；

25、步驟s252：對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行物理場耦合分析，得到物理場耦合數(shù)據(jù)；根據(jù)物理場耦合數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行熱力學(xué)響應(yīng)模擬，得到熱力學(xué)響應(yīng)模擬數(shù)據(jù)；

26、步驟s253：通過熱力學(xué)響應(yīng)模擬數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行材料應(yīng)力演化模擬，得到材料應(yīng)力演化數(shù)據(jù)；根據(jù)材料應(yīng)力演化數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行工藝條件模擬，得到工藝條件模擬數(shù)據(jù)；

27、步驟s254：對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行設(shè)備性能邊界模擬，得到設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)；根據(jù)；根據(jù)設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)和工藝條件模擬數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行質(zhì)量參數(shù)模擬，得到質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)；

28、步驟s255：整合工藝條件模擬數(shù)據(jù)、設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)和質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)，生成制造過程模擬數(shù)據(jù)。

29、本發(fā)明通過將制造過程映射數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)字化工藝流程數(shù)據(jù)，提高了工藝設(shè)計的精確度和可操作性；構(gòu)建半導(dǎo)體虛擬制造模型，使得能夠在虛擬環(huán)境中模擬和評估實際制造過程，從而優(yōu)化后續(xù)的制造參數(shù)；

30、物理場耦合分析，提供了對半導(dǎo)體制造過程中多種物理現(xiàn)象相互作用的深入理解；熱力學(xué)響應(yīng)模擬數(shù)據(jù)的生成，為材料在不同熱條件下的行為提供了預(yù)測，有助于預(yù)防和解決熱相關(guān)的問題；材料應(yīng)力演化模擬，能夠模擬材料在制造過程中的應(yīng)力變化，從而指導(dǎo)工藝條件的調(diào)整，減少缺陷和提高產(chǎn)品可靠性；工藝條件模擬數(shù)據(jù)的生成，為實際生產(chǎn)提供了詳細(xì)的工藝參數(shù)，有助于實現(xiàn)更精細(xì)的工藝控制；對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行設(shè)備性能邊界模擬，評估了設(shè)備在極限條件下的性能，確保了設(shè)備運行的穩(wěn)定性和安全性；根據(jù)設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)和工藝條件模擬數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體虛擬制造模型進行質(zhì)量參數(shù)模擬，模擬質(zhì)量參數(shù)控制方案，提高了產(chǎn)品質(zhì)量；整合工藝條件、設(shè)備性能和質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)，生成制造過程模擬數(shù)據(jù)，為制造過程的優(yōu)化提供了科學(xué)依據(jù)，提升了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

31、優(yōu)選的，步驟s26包括以下步驟：

32、步驟s261：對工藝條件模擬數(shù)據(jù)進行熱能分布特征識別，得到熱能分布數(shù)據(jù)；對設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)進行熱負(fù)荷界定處理，得到熱負(fù)荷界定數(shù)據(jù)；對質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)進行熱品質(zhì)影響性分析，得到熱品質(zhì)影響數(shù)據(jù)；

33、步驟s262：對熱能分布數(shù)據(jù)、熱負(fù)荷界定數(shù)據(jù)和熱品質(zhì)影響數(shù)據(jù)進行熱管理協(xié)同分析，得到熱管理協(xié)同數(shù)據(jù)；

34、步驟s263：根據(jù)熱管理協(xié)同數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)進行熱能利用效率度量，得到熱能利用效率度量數(shù)據(jù)；對熱能利用效率度量數(shù)據(jù)進行熱效率趨勢識別，得到熱效率趨勢數(shù)據(jù)；

35、步驟s264：對熱效率趨勢數(shù)據(jù)進行熱流均衡性驗證，得到熱流均衡性驗證數(shù)據(jù)；對熱流均衡性驗證數(shù)據(jù)進行熱管理效率評定，得到熱管理效率評定數(shù)據(jù)；對熱管理效率評定數(shù)據(jù)進行效率評估系數(shù)度量計算，得到熱管理效率評估系數(shù)。

36、本發(fā)明對工藝條件模擬數(shù)據(jù)的熱能分布特征識別，能夠預(yù)測熱能在半導(dǎo)體制造過程中的分布情況，為后續(xù)的熱管理提供了數(shù)據(jù)支持；設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)進行熱負(fù)荷界定處理，有助于明確設(shè)備在不同熱負(fù)荷條件下的性能表現(xiàn)，從而確保設(shè)備在安全和效率最優(yōu)的狀態(tài)下運行；對質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)進行熱品質(zhì)影響性分析，評估了熱處理對半導(dǎo)體質(zhì)量的影響，為提升產(chǎn)品質(zhì)量提供了關(guān)鍵信息；熱管理協(xié)同分析整合了熱能分布、熱負(fù)荷和熱品質(zhì)影響數(shù)據(jù)，提供了一個全面的熱管理視角，使得熱管理措施更加協(xié)調(diào)和高效。熱能利用效率度量為半導(dǎo)體制造過程中的熱能使用提供了量化評估，有助于識別和實施能效改進措施；熱效率趨勢識別通過分析熱能利用效率的變化趨勢，預(yù)測未來熱能使用的效果，為后續(xù)的熱管理策略的制定提供了依據(jù)；熱流均衡性驗證確保了熱能在半導(dǎo)體制造過程中的均勻分布，防止局部過熱或過冷，保障了半導(dǎo)體產(chǎn)品的均勻性和可靠性；熱管理效率評定提供了對當(dāng)前熱管理措施效果的評估，為進一步優(yōu)化熱管理提供了優(yōu)化方向。

37、優(yōu)選的，步驟s3包括以下步驟：

38、步驟s31：根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對工藝條件模擬數(shù)據(jù)進行工藝參數(shù)優(yōu)化，得到工藝參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)；根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)進行設(shè)備運行模式調(diào)整，得到設(shè)備運行模式調(diào)整數(shù)據(jù)；根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)進行質(zhì)量智能控制，得到質(zhì)量智能控制數(shù)據(jù)；

39、步驟s32：整合工藝參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)、設(shè)備運行模式調(diào)整數(shù)據(jù)和質(zhì)量智能控制數(shù)據(jù)，得到熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)；

40、步驟s33：根據(jù)熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)對制造過程模擬數(shù)據(jù)進行關(guān)鍵操作識別，得到關(guān)鍵操作識別數(shù)據(jù)；根據(jù)關(guān)鍵操作識別數(shù)據(jù)對制造過程模擬數(shù)據(jù)進行時間序列分析，得到制造過程時間序列數(shù)據(jù)；對制造過程時間序列數(shù)據(jù)進行時間節(jié)點同步化處理，得到時間節(jié)點同步化數(shù)據(jù)；

41、步驟s34：根據(jù)時間節(jié)點同步化數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行關(guān)鍵時間節(jié)點確定，得到制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)；

42、步驟s35：基于制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號特性評估，生成電信號特性評估數(shù)據(jù)。

43、本發(fā)明根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對工藝條件模擬數(shù)據(jù)進行工藝參數(shù)優(yōu)化，使得半導(dǎo)體制造過程更加精確，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量；根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)進行設(shè)備運行模式調(diào)整，優(yōu)化了設(shè)備性能，確保了設(shè)備在最佳狀態(tài)下運行，降低了能耗和維護成本；根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對質(zhì)量參數(shù)模擬數(shù)據(jù)進行質(zhì)量智能控制，提高了半導(dǎo)體產(chǎn)品的一致性和可靠性；熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)的整合，為制造過程提供了優(yōu)化方案，進一步提升了制造過程的控制精度和效率；根據(jù)熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)對制造過程模擬數(shù)據(jù)進行關(guān)鍵操作識別，使得能夠識別并優(yōu)化制造過程中的關(guān)鍵步驟，從而提高整體生產(chǎn)效率；通過時間序列分析，能夠更好地理解和預(yù)測制造過程中的變化趨勢；時間節(jié)點同步化數(shù)據(jù)的生成，確保了制造過程中時間協(xié)調(diào)，提高了生產(chǎn)流程的順暢性；制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)的確定，為半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟提供了精確的時間控制，有助于提高產(chǎn)品性能和良率；對半導(dǎo)體電信號特性的深入分析，能夠優(yōu)化電信號性能，提高半導(dǎo)體器件的電性能和穩(wěn)定性。

44、優(yōu)選的，步驟s35包括以下步驟：

45、步驟s351：對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號特性識別，得到半導(dǎo)體電信號特征數(shù)據(jù)；

46、步驟s352：基于制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體電信號特征數(shù)據(jù)進行電信號特性測試規(guī)劃，得到電信號特性測試規(guī)劃數(shù)據(jù)；

47、步驟s353：對電信號特性測試規(guī)劃數(shù)據(jù)進行電信號模擬生成，生成電信號模擬數(shù)據(jù)；對電信號模擬數(shù)據(jù)進行半導(dǎo)體信號響應(yīng)采集，得到信號響應(yīng)采集數(shù)據(jù)；對信號響應(yīng)采集數(shù)據(jù)進行高頻信號解調(diào)處理，得到高頻信號解調(diào)數(shù)據(jù)；

48、步驟s354：對高頻信號解調(diào)數(shù)據(jù)進行諧波分析，得到高頻諧波分析數(shù)據(jù)：對高頻諧波分析數(shù)據(jù)進行相位噪聲測定，得到相位噪聲測定數(shù)據(jù)；對相位噪聲測定數(shù)據(jù)進行頻率穩(wěn)定性測試，得到頻率穩(wěn)定性測試數(shù)據(jù)；根據(jù)頻率穩(wěn)定性測試數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行寄生參數(shù)識別，得到半導(dǎo)體寄生參數(shù)數(shù)據(jù)；

49、步驟s355：對半導(dǎo)體寄生參數(shù)數(shù)據(jù)進行微尺度效應(yīng)驗證，得到微尺度效應(yīng)驗證數(shù)據(jù)；對微尺度效應(yīng)驗證數(shù)據(jù)進行材料缺陷信號表征記錄，得到材料缺陷信號表征數(shù)據(jù)；根據(jù)材料缺陷信號表征數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號特性評估，得到電信號特性評估數(shù)據(jù)。

50、本發(fā)明通過電信號特性識別，精確地獲取了半導(dǎo)體電信號的特征數(shù)據(jù)，為后續(xù)的電信號性能優(yōu)化提供了基礎(chǔ)信息；利用制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)進行電信號特性測試規(guī)劃，確保了測試的針對性和系統(tǒng)性，提高了測試效率和準(zhǔn)確性；電信號模擬生成和信號響應(yīng)采集，模擬了實際工作條件下的電信號行為，為信號解調(diào)處理提供了實驗數(shù)據(jù)；高頻信號解調(diào)處理，有效地從模擬信號中提取了有用信息，為信號分析提供了準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)；諧波分析和相位噪聲測定，評估了信號的純凈度和穩(wěn)定性，對提高信號質(zhì)量至關(guān)重要；頻率穩(wěn)定性測試，確保了半導(dǎo)體器件在不同工作條件下的頻率穩(wěn)定性，對保證產(chǎn)品可靠性有重要意義；進行微尺度效應(yīng)驗證和材料缺陷信號表征，深入分析了半導(dǎo)體材料的微觀特性，為材料和工藝優(yōu)化提供了科學(xué)依據(jù)。進行電信號特性評估，為半導(dǎo)體器件的電性能提供了全面的評估。

51、優(yōu)選的，步驟s4包括以下步驟：

52、步驟s41：對電信號特性評估數(shù)據(jù)進行載流子動力分析，得到載流子動力數(shù)據(jù)；對載流子動力數(shù)據(jù)進行遷移率分布模式識別，得到遷移率分布模式數(shù)據(jù)；

53、步驟s42：對遷移率分布模式數(shù)據(jù)進行載流子遷移率計算，得到載流子遷移率數(shù)據(jù)；對載流子遷移率數(shù)據(jù)進行電信號性能關(guān)聯(lián)，得到電信號性能關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)；

54、步驟s43：對工藝條件模擬數(shù)據(jù)進行工藝摻雜配置分析，得到工藝摻雜配置數(shù)據(jù)；根據(jù)電信號性能關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)對工藝摻雜配置數(shù)據(jù)進行遷移率測定，得到摻雜配置遷移率數(shù)據(jù)；根據(jù)摻雜配置遷移率數(shù)據(jù)對工藝條件模擬數(shù)據(jù)進行工藝配比調(diào)整，得到工藝電信號優(yōu)化數(shù)據(jù)；

55、步驟s44：根據(jù)電信號性能關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)對設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)進行界面電荷異常檢測，得到設(shè)備界面電荷異常數(shù)據(jù)；根據(jù)設(shè)備界面電荷異常數(shù)據(jù)對設(shè)備性能邊界模擬數(shù)據(jù)進行界面電荷鈍化層調(diào)整，得到設(shè)備電信號優(yōu)化數(shù)據(jù)；

56、步驟s45：整合工藝電信號優(yōu)化數(shù)據(jù)和設(shè)備電信號優(yōu)化數(shù)據(jù)，得到電信號性能優(yōu)化方案。

57、本發(fā)明對電信號特性評估數(shù)據(jù)進行載流子動力分析，為后續(xù)的遷移率分布模式識別奠定了基礎(chǔ)；遷移率分布模式識別，能夠精確地掌握載流子在半導(dǎo)體中的運動規(guī)律，有助于優(yōu)化半導(dǎo)體的電性能；載流子遷移率計算為電信號性能提供了關(guān)鍵參數(shù)，能夠準(zhǔn)確評估和預(yù)測半導(dǎo)體的電信號傳輸效率；電信號性能關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)分析，有助于識別影響半導(dǎo)體電信號性能的關(guān)鍵因素，為性能優(yōu)化提供了方向；工藝摻雜配置分析，能夠根據(jù)電信號性能需求調(diào)整摻雜水平，從而優(yōu)化半導(dǎo)體的電學(xué)特性；遷移率測定和工藝配比調(diào)整，為半導(dǎo)體制造提供了精確的工藝控制參數(shù)，有助于提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的一致性和可靠性；界面電荷異常檢測，能夠識別影響半導(dǎo)體性能的界面問題，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性；界面電荷鈍化層調(diào)整，優(yōu)化了半導(dǎo)體器件的界面特性，有助于提高器件的整體性能；工藝電信號優(yōu)化數(shù)據(jù)和設(shè)備電信號優(yōu)化數(shù)據(jù)的整合，提供半導(dǎo)體電信號性能優(yōu)化方案，有助于提升半導(dǎo)體器件的整體性能和可靠性。

58、優(yōu)選的，步驟s5包括以下步驟：

59、步驟s51：對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的晶體特征識別，得到半導(dǎo)體晶體特征數(shù)據(jù)；對半導(dǎo)體晶體特征數(shù)據(jù)進行晶體布局檢測，得到半導(dǎo)體晶體布局?jǐn)?shù)據(jù)；

60、步驟s52：對半導(dǎo)體晶體布局?jǐn)?shù)據(jù)進行晶格常數(shù)確定，得到晶格常數(shù)信息；對晶格常數(shù)信息進行晶體位密度計算，得到晶體位密度數(shù)據(jù)；

61、步驟s53：對晶體位密度數(shù)據(jù)進行電子能級分布確定，得到電子能級分布數(shù)據(jù)；根據(jù)電子能級分布數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體晶體布局?jǐn)?shù)據(jù)進行能帶結(jié)構(gòu)識別，得到半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)信息；

62、步驟s54：整合半導(dǎo)體晶體布局?jǐn)?shù)據(jù)、晶體位密度數(shù)據(jù)和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)信息，得到半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息；利用圖形映射技術(shù)，對半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息進行圖形映射，生成半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像；

63、步驟s55：根據(jù)半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像對半導(dǎo)體晶體布局?jǐn)?shù)據(jù)進行布局方式微調(diào)控制，生成晶體布局微調(diào)控制數(shù)據(jù)；根據(jù)半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像對晶體位密度數(shù)據(jù)進行晶格參數(shù)微調(diào)控制，生成晶格參數(shù)微調(diào)控制數(shù)據(jù)；整合晶體布局微調(diào)控制數(shù)據(jù)和晶格參數(shù)微調(diào)控制數(shù)據(jù)，生成半導(dǎo)體微調(diào)控制方案；

64、步驟s56：整合半導(dǎo)體微調(diào)控制方案和電信號性能優(yōu)化方案，生成半導(dǎo)體控制優(yōu)化報告。

65、本發(fā)明對半導(dǎo)體晶體特征數(shù)據(jù)的獲取，為后續(xù)的晶體布局檢測提供了基礎(chǔ)，有助于識別晶體的結(jié)構(gòu)特性；半導(dǎo)體晶體布局?jǐn)?shù)據(jù)的生成，能夠?qū)w的排列和組織進行詳細(xì)分析，為優(yōu)化晶體結(jié)構(gòu)提供了直觀體現(xiàn)；晶格常數(shù)信息的確定，明確半導(dǎo)體材料物理特性，直接影響材料的電子特性；晶體位密度數(shù)據(jù)的計算為控制半導(dǎo)體材料的電子行為提供了重要參數(shù)，有助于提高器件性能；電子能級分布數(shù)據(jù)的確定有助于理解半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)；半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)信息的獲取，是預(yù)測和控制半導(dǎo)體的電子行為的關(guān)鍵信息，影響著半導(dǎo)體的工作效率和性能；半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息的整合提供了一個全面的視角來觀察和分析材料的微觀特性，有助于發(fā)現(xiàn)和改進材料的潛在缺陷；半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像的生成，能夠直觀地觀察材料的微觀布局，為材料的微觀設(shè)計和改進提供了直觀的參考；根據(jù)半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像對晶體位密度數(shù)據(jù)進行晶格參數(shù)微調(diào)控制，能夠精確控制晶體的物理特性，半導(dǎo)體控制優(yōu)化報告為半導(dǎo)體控制提供了一個綜合的優(yōu)化指南，有助于實現(xiàn)制造過程的精細(xì)化管理和質(zhì)量控制。

66、在本說明書中，提供了一種半導(dǎo)體裝置，用于執(zhí)行上述的半導(dǎo)體控制方法，該半導(dǎo)體裝置包括：

67、數(shù)據(jù)獲取模塊，用于獲取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)；提取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的制造參數(shù)數(shù)據(jù)，得到半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)；根據(jù)半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行空間建模，生成半導(dǎo)體制造三維熱力模型；通過半導(dǎo)體制造三維熱力模型對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行制造過程熱分布監(jiān)測，生成制造過程熱分布數(shù)據(jù)；

68、半導(dǎo)體制造過程模擬模塊，用于基于制造過程熱分布數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性預(yù)測，生成熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)；提取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的設(shè)計參數(shù)信息，得到半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)；根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)計參數(shù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行仿真模擬，生成制造過程模擬數(shù)據(jù)；通過制造過程模擬數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測數(shù)據(jù)進行熱管理效率評估，生成熱管理效率評估系數(shù)；

69、電信號特性評估模塊，用于根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)對制造過程模擬數(shù)據(jù)進行熱控制策略優(yōu)化，生成熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)；根據(jù)熱控制參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體制造參數(shù)數(shù)據(jù)進行關(guān)鍵時間節(jié)點確定，得到制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)；基于制造關(guān)鍵時間數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號特性評估，生成電信號特性評估數(shù)據(jù)；

70、電信號性能優(yōu)化模塊，用于對電信號特性評估數(shù)據(jù)進行載流子遷移率分析，得到載流子遷移率數(shù)據(jù)；根據(jù)載流子遷移率數(shù)據(jù)對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行電信號性能優(yōu)化，生成電信號性能優(yōu)化方案；

71、微觀結(jié)構(gòu)控制優(yōu)化模塊，用于提取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的微觀結(jié)構(gòu)信息，得到半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息；對半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)信息進行圖形映射，生成半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像；根據(jù)半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像對半導(dǎo)體數(shù)據(jù)進行微調(diào)控制，得到半導(dǎo)體微調(diào)控制方案；整合半導(dǎo)體微調(diào)控制方案和電信號性能優(yōu)化方案，生成半導(dǎo)體控制優(yōu)化報告。

72、本發(fā)明通過數(shù)據(jù)獲取模塊獲取半導(dǎo)體數(shù)據(jù)并提取制造參數(shù)數(shù)據(jù)，確保了對半導(dǎo)體特性的全面理解；構(gòu)建半導(dǎo)體制造三維熱力模型，實現(xiàn)了對制造過程中熱分布的精確模擬；通過半導(dǎo)體制造三維熱力模型監(jiān)測熱分布，明確了半導(dǎo)體制造的熱分布情況；通過半導(dǎo)體制造過程模擬模塊利用制造過程熱分布數(shù)據(jù)進行熱穩(wěn)定性預(yù)測，提高了對半導(dǎo)體熱穩(wěn)定的預(yù)測準(zhǔn)確性；提取設(shè)計參數(shù)信息并進行仿真模擬，增強了對半導(dǎo)體設(shè)計的有效性評估；通過制造過程模擬數(shù)據(jù)對熱穩(wěn)定性預(yù)測進行評估，為后續(xù)優(yōu)化提供了定量指標(biāo)。通過電信號特性評估模塊根據(jù)熱管理效率評估系數(shù)優(yōu)化熱控制策略，提高了半導(dǎo)體制造過程的熱效率；確定制造關(guān)鍵時間節(jié)點，確保了制造過程中關(guān)鍵步驟的精確控制；基于關(guān)鍵時間節(jié)點對電信號特性進行評估，有助于提升半導(dǎo)體的電性能；通過電信號性能優(yōu)化模塊對電信號特性評估數(shù)據(jù)進行載流子遷移率分析，精確計算了載流子遷移率；根據(jù)載流子遷移率數(shù)據(jù)優(yōu)化電信號性能，生成電信號性能優(yōu)化方案，能夠優(yōu)化半導(dǎo)體的電性能；通過微觀結(jié)構(gòu)控制優(yōu)化模塊提取并分析半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)信息，為微調(diào)控制提供了詳細(xì)的微觀層面數(shù)據(jù)；通過圖形映射技術(shù)生成半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)圖像，直觀展示了半導(dǎo)體的微觀特征；微調(diào)控制方案結(jié)合電信號性能優(yōu)化方案，生成的半導(dǎo)體控制優(yōu)化報告為制造過程提供了全面的優(yōu)化指導(dǎo)。因此，本發(fā)明通過物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、數(shù)據(jù)分析技術(shù)、自適應(yīng)控制技術(shù)和圖像映射技術(shù)，實現(xiàn)對半導(dǎo)體熱穩(wěn)定性的精確預(yù)測，以實現(xiàn)對半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化調(diào)整；從而提升半導(dǎo)體電信號性能。