本申請(qǐng)涉及集成電路，特別是涉及一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、標(biāo)準(zhǔn)單元庫是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，基于標(biāo)準(zhǔn)單元庫的集成電路設(shè)計(jì)能夠進(jìn)行邏輯綜合和版圖布局布線，提高電路的設(shè)計(jì)效率。

2、標(biāo)準(zhǔn)單元庫包括若干預(yù)先設(shè)計(jì)好的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖模版(英文：standard?celltemplate)。集成電路設(shè)計(jì)者或者電路設(shè)計(jì)綜合工具根據(jù)設(shè)計(jì)要求，調(diào)用標(biāo)準(zhǔn)單元庫中的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖模版來完成集成電路的版圖布局設(shè)計(jì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，提供一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，能夠快速設(shè)計(jì)出滿足設(shè)計(jì)規(guī)范(簡稱：drc，design?rule?check)的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法。所述方法包括：

3、基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，所述版圖單元框架預(yù)設(shè)有所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道；

4、根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)確定所述版圖單元框架的使用數(shù)量m，將m個(gè)所述版圖單元框架拼接后繪制所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，m為正整數(shù)。

5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架包括：

6、基于所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)設(shè)定所述晶體管布置區(qū)域位置和尺寸；

7、基于所述晶體管布置區(qū)域位置和尺寸、以及所述版圖設(shè)計(jì)規(guī)范設(shè)定所述金屬層線道位置、數(shù)量以及所述金屬層線道之間的間距；

8、基于所述晶體管布置區(qū)域位置和尺寸、以及所述版圖設(shè)計(jì)規(guī)范設(shè)定所述柵極層線道位置、數(shù)量以及所述柵極層線道之間的間距。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架還包括：

10、根據(jù)所述金屬層線道之間的間距以及所述金屬層線道數(shù)量確定所述版圖單元框架的長度；

11、根據(jù)所述晶體管的柵極寬度以及相鄰所述晶體管的柵極之間的間距確定所述版圖單元框架的寬度。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述版圖單元框架的寬度為所述晶體管的柵極寬度與相鄰所述晶體管的柵極之間的間距之和，所述版圖單元框架的長度為所述金屬層線道數(shù)量與單位長度的乘積，所述單位長度為所述金屬層線道寬度與所述金屬層線道之間的間距之和。

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述晶體管包括第一導(dǎo)電類型晶體管和第二導(dǎo)電類型晶體管，所述第一導(dǎo)電類型晶體管的布置區(qū)域和所述第二導(dǎo)電類型晶體管的布置區(qū)域沿第一方向間隔設(shè)置。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬層線道沿所述第一方向間隔設(shè)置，所述柵極層線道沿所述第一方向間隔設(shè)置。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，m個(gè)所述版圖單元框架沿第二方向排布，所述第二方向垂直于所述第一方向。

16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述晶體管的柵極沿所述第一方向延伸的中線與相鄰所述版圖單元框架拼接的邊緣線重合。

17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量和所述第二導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量均小于m。

18、在其中一個(gè)實(shí)施例中，m＝n+1，n為所述第一導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量和所述第二導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量中的較大值。

19、在其中一個(gè)實(shí)施例中，最外側(cè)所述標(biāo)準(zhǔn)單元框架還設(shè)有偽柵極布置區(qū)域。

20、第二方面，本申請(qǐng)還提供了一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成裝置。所述裝置包括：

21、框架構(gòu)造模塊，用于基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，所述版圖單元框架預(yù)設(shè)有所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道；

22、框架拼接模塊，用于根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)確定所述版圖單元框架的使用數(shù)量m，將m個(gè)所述版圖單元框架拼接后繪制所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，m為正整數(shù)。

23、第三方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備。所述計(jì)算機(jī)設(shè)備包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

24、基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，所述版圖單元框架預(yù)設(shè)有所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道；

25、根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)確定所述版圖單元框架的使用數(shù)量m，將m個(gè)所述版圖單元框架拼接后繪制所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，m為正整數(shù)。

26、第四方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

27、基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，所述版圖單元框架預(yù)設(shè)有所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道；

28、根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)確定所述版圖單元框架的使用數(shù)量m，將m個(gè)所述版圖單元框架拼接后繪制所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，m為正整數(shù)。

29、第五方面，本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

30、基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，所述版圖單元框架預(yù)設(shè)有所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道；

31、根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)確定所述版圖單元框架的使用數(shù)量m，將m個(gè)所述版圖單元框架拼接后繪制所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，m為正整數(shù)。

32、上述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，先基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，版圖單元框架預(yù)設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道，再根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)確定版圖單元框架的使用數(shù)量m，將m個(gè)版圖單元框架拼接后繪制標(biāo)準(zhǔn)單元版圖。通過定義版圖單元框架，可以將標(biāo)準(zhǔn)單元版圖劃分為多個(gè)版圖單元框架。這樣先基于版圖信息構(gòu)造版圖單元框架，再基于版圖信息將多個(gè)版圖單元框架組成標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，在版圖單元框架的輔助下，可以有效節(jié)省生成標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的時(shí)間，快速設(shè)計(jì)出滿足drc要求的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖。

技術(shù)特征：

1.一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述版圖單元框架的寬度為所述晶體管的柵極寬度與相鄰所述晶體管的柵極之間的間距之和，所述版圖單元框架的長度為所述金屬層線道數(shù)量與單位長度的乘積，所述單位長度為所述金屬層線道寬度與所述金屬層線道之間的間距之和。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述晶體管包括第一導(dǎo)電類型晶體管和第二導(dǎo)電類型晶體管，所述第一導(dǎo)電類型晶體管的布置區(qū)域和所述第二導(dǎo)電類型晶體管的布置區(qū)域沿第一方向間隔設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述金屬層線道沿所述第一方向間隔設(shè)置，所述柵極層線道沿所述第一方向間隔設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，m個(gè)所述版圖單元框架沿第二方向排布，所述第二方向垂直于所述第一方向。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述晶體管的柵極沿所述第一方向延伸的中線與相鄰所述版圖單元框架拼接的邊緣線重合。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量和所述第二導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量均小于m。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，m＝n+1，n為所述第一導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量和所述第二導(dǎo)電類型晶體管數(shù)量中的較大值。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法，其特征在于，最外側(cè)所述標(biāo)準(zhǔn)單元框架還設(shè)有偽柵極布置區(qū)域。

12.一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成裝置，其特征在于，所述裝置包括：

13.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的方法的步驟。

14.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的方法的步驟。

15.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。所述方法包括：基于版圖設(shè)計(jì)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)單元版圖的設(shè)計(jì)參數(shù)構(gòu)造版圖單元框架，所述版圖單元框架預(yù)設(shè)有所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖中的晶體管布置區(qū)域、金屬層線道和柵極層線道；根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)確定所述版圖單元框架的使用數(shù)量M，將M個(gè)所述版圖單元框架拼接后繪制所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖，M為正整數(shù)。采用本方法能夠快速設(shè)計(jì)出滿足DRC的標(biāo)準(zhǔn)單元版圖。

技術(shù)研發(fā)人員：王林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19