本發(fā)明涉及生物特征傳感器，更具體地，涉及超聲波傳感器及其制造方法。

背景技術(shù)：

生物特征識(shí)別是用于區(qū)分不同生物特征的技術(shù)，包括指紋、掌紋、臉部、dna、聲音等識(shí)別技術(shù)。指紋是指人的手指末端正面皮膚上凹凸不平的紋路，紋路有規(guī)律的排列形成不同的紋型。指紋識(shí)別指通過比較不同指紋的細(xì)節(jié)特征點(diǎn)來進(jìn)行身份鑒定。由于具有終身不變性、唯一性和方便性，指紋識(shí)別的應(yīng)用越來越廣泛。

在指紋識(shí)別中，采用傳感器獲取指紋圖像信息。根據(jù)工作原理的不同，指紋傳感器可以分為光學(xué)、電容、壓力、超聲傳感器。光學(xué)傳感器體積較大，價(jià)格相對(duì)高，并且對(duì)于指紋的干燥或者潮濕狀態(tài)敏感，屬于第一代指紋識(shí)別技術(shù)。光學(xué)指紋識(shí)別系統(tǒng)由于光不能穿透皮膚表層，所以只能通過掃描手指皮膚的表面，不能深入到真皮層。這種情況下，手指的干凈程度直接影響識(shí)別的效果，如果用戶手指上粘了較多的灰塵、汗液等，可能就會(huì)出現(xiàn)識(shí)別出錯(cuò)的情況。并且，如果人們按照手指做一個(gè)指紋手摸，也可能通過識(shí)別系統(tǒng)。因此，對(duì)于用戶而言，光學(xué)傳感器的使用存在著安全性和穩(wěn)定性方面的問題。電容指紋傳感器技術(shù)采用電容器陣列檢測(cè)指紋的紋路，屬于第二代指紋傳感器。每個(gè)電容器包括兩個(gè)極板。在手指觸摸時(shí)，指紋的紋路位于極板之間，形成電介質(zhì)的一部分，從而可以根據(jù)電容的變化檢測(cè)指紋紋路。電容式指紋傳感器比光學(xué)類傳感器價(jià)格低，并且緊湊，穩(wěn)定性高，在實(shí)際產(chǎn)品中的使用更有吸引力。例如，在很多手機(jī)中使用的指紋傳感器即是電容式指紋傳感器。然而，電容式指紋傳感器有著無法規(guī)避的缺點(diǎn)，即受到溫度、濕度、沾污的影響較大。

作為進(jìn)一步的改進(jìn)，已經(jīng)開發(fā)出第三代指紋傳感器，其中利用壓電材料的逆壓電效應(yīng)產(chǎn)生超聲波。該超聲波在接觸到指紋時(shí)，在指紋的嵴、峪中表現(xiàn)出不同的反射率和透射率。通過掃描一定面積內(nèi)的超聲波束信號(hào)即可讀取指紋信息。超聲波傳感器產(chǎn)生的超聲波可以能夠穿透由玻璃、鋁、不銹鋼、藍(lán)寶石或者塑料制成的手機(jī)外殼進(jìn)行掃描，從而將超聲波傳感器設(shè)置在手機(jī)外殼內(nèi)。該優(yōu)點(diǎn)為客戶設(shè)計(jì)新一代優(yōu)雅、創(chuàng)新、差異化的移動(dòng)終端提供靈活性。此外，用戶的體驗(yàn)也得到提升，掃描指紋能夠不受手指上可能存在沾污的影響，例如汗水、護(hù)手霜等，從而提高了指紋傳感器的穩(wěn)定性和精確度。

現(xiàn)有的超聲波傳感器包括集成在一起的超聲波換能器和cmos電路。共晶鍵合是集成cmos電路和超聲波換能器的有效方法。但是，在鍵合過程中會(huì)產(chǎn)生鍵合漿料溢流現(xiàn)象，導(dǎo)致管芯的結(jié)構(gòu)部件短路而失效,大大的降低了良率。同時(shí),鍵合工藝對(duì)偏精度不高，從而導(dǎo)致兩個(gè)圓片間的電氣連接的共晶鍵合點(diǎn)的尺寸較大，提高了制造成本。采用鍵合工藝集成cmos電路和超聲波換能器導(dǎo)致制造工藝復(fù)雜化、高成本和低良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供超聲波傳感器及其制造方法，其中，在cmos電路上形成有機(jī)壓電聚合物組成的壓電層以替代共晶鍵合工藝，從而簡化制造工藝。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種制造超聲波傳感器的方法，包括：形成cmos電路；以及在所述cmos電路上形成至少一個(gè)超聲波換能器，所述cmos電路與所述至少一個(gè)超聲波換能器連接，用于驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)超聲波換能器和處理所述至少一個(gè)超聲波換能器產(chǎn)生的檢測(cè)信號(hào)，其中，形成至少一個(gè)超聲波換能器的步驟包括：形成壓電疊層，所述壓電疊層包括壓電層，以及分別位于所述壓電層的第一表面和第二表面上的第一電極和第二電極，所述第一表面與所述第二表面彼此相對(duì)；以及形成所述壓電疊層與所述cmos電路之間的電連接，其中，所述壓電層由有機(jī)壓電聚合物組成。

優(yōu)選地，所述有機(jī)壓電聚合物包括選自聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-三氟乙烯、聚四氟乙烯、聚二氯亞乙烯、溴化二異丙胺中的至少一種。

優(yōu)選地，形成壓電疊層的步驟包括采用以下步驟形成所述壓電層：制作混合溶液；涂敷混合溶液成膜；以及烘干形成有機(jī)膠層，其中，所述有機(jī)膠層作為所述壓電層。

優(yōu)選地，在形成有機(jī)膠層之后，還包括執(zhí)行以下步驟至少之一：對(duì)有機(jī)膠層進(jìn)行晶化處理；以及對(duì)有機(jī)膠層進(jìn)行極化處理。

優(yōu)選地，晶化處理的步驟包括：在所述有機(jī)膠層的居里點(diǎn)和熔點(diǎn)之間的預(yù)定溫度加熱預(yù)定晶化時(shí)間。

優(yōu)選地，形成cmos電路的步驟包括：在襯底上形成至少一個(gè)晶體管；以及在所述至少一個(gè)晶體管上形成多個(gè)布線層和多個(gè)層間介質(zhì)層，其中，所述多個(gè)布線層由所述多個(gè)層間介質(zhì)層分隔成多個(gè)不同的層面。

優(yōu)選地，形成所述壓電疊層與所述cmos電路之間的電連接的步驟包括：在所述cmos電路上形成絕緣層；在所述絕緣層中形成分別到達(dá)所述多個(gè)布線層中的至少一個(gè)布線層的第一開口和第二開口；形成穿過所述第一開口將所述第一電極連接至所述至少一個(gè)布線層的第一接觸；以及形成穿過所述壓電層和所述第二開口將所述第二電極連接至所述至少一個(gè)布線層的第二接觸。

優(yōu)選地，所述第二接觸與所述第一電極彼此隔開。

優(yōu)選地，在形成所述第一電極時(shí)形成所述第一接觸，所述第一接觸填充所述第一開口。

優(yōu)選地，在形成所述第二電極之前，還包括形成穿過所述壓電層和所述第一開口到達(dá)所述至少一個(gè)布線層的第一通孔、穿過所述壓電層到達(dá)所述第一電極的第三通孔，在形成所述第二電極時(shí)形成所述第一接觸，所述第一接觸在所述壓電層表面延伸且填充所述第一通孔和所述第三通孔，從而是將所述第一電極連接至所述至少一個(gè)布線層。

優(yōu)選地，在形成所述第二電極之前，還包括形成穿過所述壓電層和所述第二開口到達(dá)所述至少一個(gè)布線層的第二通孔，在形成所述第二電極時(shí)形成所述第二接觸，所述第二接觸填充所述第二通孔。

優(yōu)選地，形成第一至第三通孔的步驟包括：在所述壓電層上形成掩模層；在所述掩模層中形成第三至第五開口；經(jīng)由所述第三至第五開口蝕刻所述壓電層；以及去除所述掩模層。

優(yōu)選地，所述掩模層包括選自al2o3、tio2、zno、zro2和ta2o5的任一種。

優(yōu)選地，所述蝕刻為干法蝕刻，采用氧氣作為蝕刻劑。

優(yōu)選地，形成所述壓電疊層與所述cmos電路之間的電連接的步驟包括：在所述第一表面上形成襯墊；形成穿過所述壓電層和將所述第二電極連接至所述襯墊的第二接觸；以及采用第一粘接層將所述壓電疊層粘接到所述cmos電路上，其中，所述第一粘接層由各向異性導(dǎo)電粘合劑組成，位于所述第一電極與所述至少一個(gè)布線層之間，以及所述襯墊與所述至少一個(gè)布線層之間，所述第一電極經(jīng)由所述第一粘接層連接至所述至少一個(gè)布線層，所述第二電極經(jīng)由所述第二接觸、所述襯墊和所述第一粘接層連接至所述至少一個(gè)布線層。

優(yōu)選地，所述襯墊與所述第一電極彼此隔開。

優(yōu)選地，在形成所述第二電極之前，還包括形成穿過所述壓電層到達(dá)所述襯墊的第二通孔，在形成所述第二電極時(shí)形成所述第二接觸，所述第二接觸填充所述第二通孔。

優(yōu)選地，形成第二通孔的步驟包括：在所述壓電層上形成掩模層；在所述掩模層中形成第四開口；經(jīng)由所述第四開口蝕刻所述壓電層；以及去除所述掩模層。

優(yōu)選地，所述掩模層包括選自al2o3、tio2、zno、zro2和ta2o5的任一種。

優(yōu)選地，所述蝕刻為干法蝕刻，采用氧氣作為蝕刻劑。

優(yōu)選地，還包括：在所述壓電疊層上形成鈍化層。

優(yōu)選地，所述鈍化層由選自以下材料的任一種組成：聚對(duì)二甲苯、聚酰亞胺、su-8、al2o3、zro2、hfo2、sio2和si3n4。

優(yōu)選地，還包括：在所述鈍化層上形成第二粘接層；以及在所述第二粘接層上形成壓板。

優(yōu)選地，所述壓板由選自以下材料的任一種組成：塑料、陶瓷、藍(lán)寶石、金屬、合金、聚碳酸酯和玻璃。

優(yōu)選地，所述壓電層的厚度在5微米至20微米的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種超聲波傳感器，包括：cmos電路；以及至少一個(gè)超聲波換能器，其中，所述cmos電路與所述至少一個(gè)超聲波換能器連接，用于驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)超聲波換能器和處理所述至少一個(gè)超聲波換能器產(chǎn)生的檢測(cè)信號(hào)，其中，所述至少一個(gè)超聲波換能器包括：壓電疊層，所述壓電疊層包括壓電層，以及分別位于所述壓電層的第一表面和第二表面上的第一電極和第二電極，所述第一表面與所述第二表面彼此相對(duì)，其中，所述壓電疊層與所述cmos電路之間電連接，所述壓電層由有機(jī)壓電聚合物組成。

優(yōu)選地，所述有機(jī)壓電聚合物包括選自聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-三氟乙烯、聚四氟乙烯、聚二氯亞乙烯、溴化二異丙胺中的至少一種。

優(yōu)選地，所述聚偏二氟乙烯-三氟乙烯中的聚偏二氟乙烯與三氟乙烯的摩爾比在60:40至90:10的范圍內(nèi)。

優(yōu)選地，所述壓電層具有經(jīng)過晶化和極化至少之一處理后的晶相。

優(yōu)選地，還包括覆蓋在所述壓電層表面的金屬層。

優(yōu)選地，所述壓電層包括以下至少一種納米顆粒：碳納米管和還原氧化石墨烯。

優(yōu)選地，所述cmos電路包括襯底和在襯底上形成的至少一個(gè)晶體管。

優(yōu)選地，所述cmos電路還包括位于所述至少一個(gè)晶體管上的多個(gè)布線層和多個(gè)層間介質(zhì)層，所述多個(gè)布線層由所述多個(gè)層間介質(zhì)層分隔成多個(gè)不同的層面。

優(yōu)選地，還包括：位于所述cmos電路和所述壓電疊層之間的絕緣層；所述絕緣層中分別到達(dá)所述多個(gè)布線層中的至少一個(gè)布線層的第一開口和第二開口；穿過所述第一開口將所述第一電極連接至所述至少一個(gè)布線層的第一接觸；以及穿過所述壓電層和所述第二開口將所述第二電極連接至所述至少一個(gè)布線層的第二接觸。

優(yōu)選地，所述第二接觸與所述第一電極彼此隔開。

優(yōu)選地，所述第一電極與所述第一接觸由同一個(gè)導(dǎo)電層形成，所述第一接觸填充所述第一開口。

優(yōu)選地，還包括：穿過所述壓電層和所述第一開口到達(dá)所述至少一個(gè)布線層的第一通孔、穿過所述壓電層到達(dá)所述第一電極的第三通孔，所述第一接觸在所述壓電層表面延伸且填充所述第一通孔和所述第三通孔，從而是將所述第一電極連接至所述至少一個(gè)布線層。

優(yōu)選地，還包括形成穿過所述壓電層和所述第二開口到達(dá)所述至少一個(gè)布線層的第二通孔，所述第二接觸填充所述第二通孔。

優(yōu)選地，還包括：位于所述壓電層的第一表面上的襯墊；穿過所述壓電層和將所述第二電極連接至所述襯墊的第二接觸；以及將所述壓電疊層粘接到所述cmos電路上的第一粘接層，其中，所述第一粘接層由各向異性導(dǎo)電粘合劑組成，位于所述第一電極與所述至少一個(gè)布線層之間，以及所述襯墊與所述至少一個(gè)布線層之間，所述第一電極經(jīng)由所述第一粘接層連接至所述至少一個(gè)布線層，所述第二電極經(jīng)由所述第二接觸、所述襯墊和所述第一粘接層連接至所述至少一個(gè)布線層。

優(yōu)選地，還包括：位于所述壓電疊層上的鈍化層。

優(yōu)選地，還包括：位于所述鈍化層上的第二粘接層；以及位于所述第二粘接層上的壓板。

優(yōu)選地，所述壓板由選自以下材料的任一種組成：塑料、陶瓷、藍(lán)寶石、金屬、合金、聚碳酸酯和玻璃。

優(yōu)選地，所述壓電層的厚度在5微米至20微米的范圍內(nèi)。

優(yōu)選地，所述至少一個(gè)超聲波換能器形成陣列。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的超聲波傳感器，在cmos電路上堆疊超聲波換能器，因而無需采用共晶鍵合連接不同的管芯，因而降低了制造成本和提高了成品率。由于在同一個(gè)管芯中集成cmos電路和超聲波換能器，因此可以提高掃描識(shí)別速度。

在該方法中，采用有機(jī)壓電聚合物形成壓電層，從而可以簡化制造工藝、降低成本和提高良率。

附圖說明

通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1a至1c示出超聲波傳感器的工作原理；

圖2示出超聲波傳感器的分解透視圖；

圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的流程圖；

圖4a至4h示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的不同階段的截面圖；

圖5a和5b示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的一部分階段的截面圖。

圖6a至6f示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的一部分階段的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個(gè)部分沒有按比例繪制。此外，可能未示出某些公知的部分。

在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細(xì)節(jié)，例如器件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù)，以便更清楚地理解本發(fā)明。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣，可以不按照這些特定的細(xì)節(jié)來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。

本發(fā)明可以各種形式呈現(xiàn)，以下將描述其中一些示例。

圖1a至1c示出超聲波傳感器的工作原理。超聲波傳感器100包括堆疊的cmos電路110、超聲波換能器120、壓板130。cmos電路110與超聲波換能器120連接，用于驅(qū)動(dòng)超聲波換能器120和處理超聲波換能器120產(chǎn)生的檢測(cè)信號(hào)。壓板130提供手指觸摸的表面以及保護(hù)超聲波換能器120。

如圖1a所示，在工作狀態(tài)中，手指觸摸壓板130的表面。在替代的實(shí)施例中，手指可以直接觸摸超聲波換能器120的表面，從而可以省去壓板130。

如圖1b所示，cmos電路110提供激勵(lì)信號(hào)，激勵(lì)信號(hào)傳送到超聲波換能器120，超聲波換能器120發(fā)射超聲波信號(hào)180。該超聲波信號(hào)180到達(dá)壓板130的表面，進(jìn)一步到達(dá)手指表面。手指表面的指紋是表皮上的突起紋路，包括凸起的紋峭和凹進(jìn)的紋峪。

如圖1c所示，超聲波180傳送至壓板130接觸的手指表面被吸收、反射，其中，在與空氣接觸的壓板130的手指表面的某些位置(例如手指中的紋峪)，大部分超聲波被反射。超聲波換能器120接收反射的超聲波信號(hào)190，從而產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)。該檢測(cè)信號(hào)傳送至cmos信號(hào)處理電路進(jìn)行分析處理，從而可以獲得手指表面的突出狀態(tài)。在該實(shí)施例中，超聲波換能器120多個(gè)排列成陣列的換能器單元1201，因而可以獲得多個(gè)位置的指紋突出狀態(tài)，形成相應(yīng)區(qū)域的指紋圖案。

在超聲波發(fā)射階段，cmos電路110在此過程中提供產(chǎn)生一個(gè)或者多個(gè)超聲波信號(hào)的時(shí)序信號(hào)，作為激勵(lì)信號(hào)。超聲波換能器120例如包括壓電層，在壓電層的兩側(cè)表面施加激勵(lì)信號(hào)，使得壓電層發(fā)生機(jī)械形變，從而產(chǎn)生超聲波180。此超聲波通過壓板130傳送至識(shí)別對(duì)象，例如手指或手掌。所述的超聲波未被檢測(cè)對(duì)象吸收或者發(fā)射的部分可被反射，形成反射超聲波190，穿過壓板130傳送回超聲波換能器120。在超聲波接收階段，超聲波換能器120將反射超聲波190轉(zhuǎn)換為局部電荷，形成檢測(cè)信號(hào)。該檢測(cè)信號(hào)傳送至cmos電路，cmos電路分析處理信號(hào)，根據(jù)信號(hào)建構(gòu)識(shí)別手指表面的指紋圖案，作出鑒別動(dòng)作。

該超聲波傳感器不僅可以用于指紋傳感器，而且可以用于掌紋傳感器。

圖2示出超聲波傳感器的分解透視圖。超聲波傳感器100包括堆疊的壓板130、超聲波換能器120、cmos電路110。

壓板130提供手指觸摸的表面以及保護(hù)超聲波換能器120。進(jìn)一步地，壓板130應(yīng)該有良好的聲學(xué)特性，以減小超聲波在壓板130中傳送時(shí)的損耗。例如，壓板130可以為在聲學(xué)上耦合到超聲波換能器120的任何材料，如塑料、陶瓷、藍(lán)寶石、金屬、合金、聚碳酸酯及玻璃。在一些實(shí)施例中，壓板130例如為玻璃片。在另一些實(shí)施例中，壓板130例如為鋁或不銹鋼。

超聲波換能器120包括排列成陣列的多個(gè)換能器單元1201。所述多個(gè)換能器單元1201可以包括公共的壓電層，以及分別位于壓電層的下表面和上表面的各自的第一電極和第二電極，從而形成疊層結(jié)構(gòu)。

第一電極和第二電極可以由導(dǎo)電材料組成，包括金屬導(dǎo)電材料和非金屬導(dǎo)電材料。金屬導(dǎo)電材料例如為al、al-si合金、cu、ni-cu、au、cr-au、pt-au、cr-al、crcu、ag。非金屬導(dǎo)電材料例如為導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電墨水或?qū)щ娔z。導(dǎo)電氧化物例如為氧化銦錫(ito)。導(dǎo)電墨水例如為銀系墨水。導(dǎo)電膠例如為銀系的環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸酯。

壓電層由壓電聚合物組成。在該實(shí)施例中，壓電聚合物滿足適當(dāng)?shù)穆晫W(xué)性質(zhì)，例如介于2.5mrayl～5mrayl之間的聲阻，如pvdf(聚偏二氟乙烯)、pvdf-trfe(聚偏二氟乙烯-三氟乙烯)、ptfe(聚四氟乙烯)、pvdc(聚二氯亞乙烯)、dipab(溴化二異丙胺)。pvdf共聚物的實(shí)例包含摩爾比60:40的pvdf-trfe、70:30pvdf-trfe、80:20pvdf-trfe、90:10pvdf-trfe。

cmos電路110包括多個(gè)電路單元，分別具有與相應(yīng)的換能器單元相連接的接觸1101和相應(yīng)的放大器1102。放大器1102例如由多個(gè)晶體管組成。優(yōu)選地，cmos電路110還可以包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器1103，與放大器1102的輸出端相連接，從而將檢測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。超聲波換能器120電連接的cmos電路的制造工藝是公知的，在此不再詳細(xì)描述。

圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的流程圖，圖4a至4h示出該方法的不同階段的截面圖。以下結(jié)合圖3、圖4a至4h說明超聲波傳感器的制造方法的實(shí)例。為了清楚起見，在圖中僅示出cmos電路110的兩個(gè)晶體管，以及超聲波換能器120的一個(gè)換能器單元。應(yīng)當(dāng)理解，可以在一個(gè)管芯中同時(shí)形成多個(gè)晶體管以形成多個(gè)放大器，以及形成多個(gè)換能器單元且排列形成陣列。

在步驟s10中，形成用于信號(hào)處理電路的cmos電路。

該cmos電路例如包括至少一部分形成在襯底101中的多個(gè)晶體管，以及在所述多個(gè)晶體管上方依次堆疊的第一層間介質(zhì)層106、第一布線層107、第二層間介質(zhì)層108和第二布線層109。作為示例，在圖4a示出了僅僅一個(gè)p型晶體管和僅僅一個(gè)n型晶體管。在p型襯底101中形成n型阱區(qū)102。然后，在n型阱區(qū)102中形成p型晶體管的源/漏區(qū)103。在p型襯底101中形成n型晶體管的源/漏區(qū)104。在p型襯底101和n型阱區(qū)102上形成依次堆疊的柵極電介質(zhì)111和柵極導(dǎo)體105。在p型晶體管中，柵極導(dǎo)體105與n型阱區(qū)102之間由柵極電介質(zhì)111隔開，柵極導(dǎo)體105在相鄰的源/漏區(qū)之間橫向延伸，使得n型阱區(qū)102位于柵極導(dǎo)體105下方的一部分作為溝道區(qū)。在n型晶體管中，柵極導(dǎo)體105與p型襯底101之間由柵極電介質(zhì)111隔開，柵極導(dǎo)體105在相鄰的源/漏區(qū)之間橫向延伸，使得p型襯底101位于柵極導(dǎo)體105下方的一部分作為溝道區(qū)。p型晶體管的源/漏區(qū)103和n型晶體管的源/漏區(qū)104以及柵極導(dǎo)體105可以經(jīng)由導(dǎo)電通道與第一布線層107和第二布線層109中的任一個(gè)電連接。

在替代的實(shí)施例中，cmos電路110中的晶體管不限于兩個(gè)，而是可以包括至少一個(gè)晶體管，cmos電路110中的層間介質(zhì)層不僅于兩個(gè)，而是可以包括至少一個(gè)層間介質(zhì)層，cmos電路110中的布線層不限于兩個(gè)，而是可以包括至少一個(gè)布線層。

用于形成cmos電路110的工藝是已知的，在此不再詳述。

在步驟s20中，在cmos電路110上形成超聲波換能器120。在圖4a-4g中示出了步驟s20的更詳細(xì)的步驟。

如圖4a所示，在層間介質(zhì)層108上形成絕緣層121，以及進(jìn)行圖案化從而形成開口151。絕緣層121例如由選自氧化硅、氮化硅任一種的材料組成。例如，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pe-cvd)形成氧化硅層作為該絕緣層。絕緣層121的厚度例如為0.2微米至1微米。

在該步驟中，采用包括涂膠、曝光和顯影的光刻工藝，形成光刻膠掩模。經(jīng)由光刻膠掩模進(jìn)行蝕刻，將絕緣層121圖案化，從而在絕緣層121中形成開口151和152。該蝕刻例如可以是采用蝕刻溶液的濕法蝕刻工藝，或者是在反應(yīng)腔中進(jìn)行的干法蝕刻工藝，例如等離子體蝕刻。在蝕刻之后，通過在溶劑中溶解或灰化去除光刻膠掩模。

在圖案化之后，開口151和152暴露cmos電路110中的第二布線層109的至少一部分表面。

進(jìn)一步地，如圖4b所示，在絕緣層121形成導(dǎo)電層，以及進(jìn)行圖案化，從而形成第一電極122和第一接觸122a，從而形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

在該步驟中，用于形成導(dǎo)電層的工藝?yán)缡钦舭l(fā)。該導(dǎo)電層例如由ag組成，厚度約為0.1微米至1微米。采用上述的光刻和蝕刻工藝，將該導(dǎo)電層圖案化。

在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電層的一部分位于絕緣層121上形成第一電極122，另一部分填充開口151形成第一接觸122a。第一接觸122a穿過絕緣層121，將第一電極122連接至第二布線層109。絕緣層121的一部分表面以及開口152未受到第一電極122的遮擋。因此，開口152暴露第二布線層109的至少一部分表面，用于隨后形成的電極的電連接。

替代地，第一電極122和第一接觸122a可以由于任意的導(dǎo)電材料組成，包括金屬導(dǎo)電材料和非金屬導(dǎo)電材料。金屬導(dǎo)電材料例如為al、al-si合金、cu、ni-cu、au、cr-au、pt-au、cral、crcu、ag。非金屬導(dǎo)電材料例如為導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電墨水或?qū)щ娔z。導(dǎo)電氧化物例如為氧化銦錫(ito)。導(dǎo)電墨水例如為銀系墨水。導(dǎo)電膠例如為銀系的環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸酯。

替代地，圖案化導(dǎo)電層的步驟可以采用剝離(lift-off)工藝，其中，在形成導(dǎo)電層之前，采用光刻工藝形成光刻膠掩模，在形成導(dǎo)電層之后，在去除光刻膠掩模的同時(shí)去除導(dǎo)電層的部分，從而將導(dǎo)電層圖案化。

進(jìn)一步地，如圖4c所示，在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面上形成壓電層123。壓電層123不僅覆蓋第一電極122和絕緣層121的暴露表面，而且壓電層123的一部分還填充開口152。

在該實(shí)施例中，該壓電層123例如為有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層，厚度例如為5微米至20微米。用于形成壓電層123的工藝?yán)绨ㄖ谱骰旌弦骸⑿?、烘烤、晶化和極化處理。

混合液是通過將有機(jī)粉末添加到溶劑中進(jìn)行高速攪拌形成的有機(jī)膠狀混合液。例如，使用攪拌器以2000轉(zhuǎn)每分鐘的數(shù)度攪拌10分鐘。在一個(gè)實(shí)施例中，該混合液包括75-25％摩爾質(zhì)量的pvdf(偏聚氟乙烯)，采用的有機(jī)溶劑是20％的2-丁酮溶液。

替代地，壓電聚合物可以由任意的壓電聚合物組成，僅僅需要滿足適當(dāng)?shù)穆晫W(xué)性質(zhì)，例如介于2.5mrayl～5mrayl之間的聲阻。壓電聚合物包括但不限于pvdf(聚偏二氟乙烯)、pvdf-trfe(聚偏二氟乙烯-三氟乙烯)、ptfe(聚四氟乙烯)、pvdc(聚二氯亞乙烯)、dipab(溴化二異丙胺)。在一個(gè)實(shí)例中，添加到溶劑中的有機(jī)粉末為pvdf-trfe(偏聚氟乙烯-三氟乙烯)。pvdf共聚物的實(shí)例包括摩爾比60:40的pvdf-trfe、70:30pvdf-trfe、80:20pvdf-trfe、90:10pvdf-trfe。

接著，將混合液涂敷在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面上，然后放置在勻膠機(jī)上，采用旋涂法成膜。在旋涂中，轉(zhuǎn)速例如為35000轉(zhuǎn)每分鐘，時(shí)間例如為45秒。通過控制轉(zhuǎn)速和時(shí)間，可以在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面上形成厚度均勻的薄膜且控制其膜厚。

在替代的實(shí)施例中，可以采用噴涂法或流延法成膜。在噴涂法中，采用噴涂機(jī)在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面上形成混合液的液膜，混合液的流量例如為5毫升每分鐘，噴嘴的移動(dòng)速度例如為120毫米每鈔。

接著，將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置在烘箱中進(jìn)行烘干，以除去有機(jī)溶劑，從而獲得有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層。在烘干中，烘箱中的真空度例如為100torr，溫度例如為50攝氏度，時(shí)間例如為10分鐘。

接著，對(duì)有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層進(jìn)行晶化處理。有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層的晶化溫度為135攝氏度(居里點(diǎn))～160攝氏度(熔點(diǎn))。優(yōu)選的溫度為140攝氏度。晶化時(shí)間例如為1小時(shí)。在晶化之后，有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層例如為α晶相。

接著，對(duì)有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層進(jìn)行極化處理，將有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層從α晶相轉(zhuǎn)換為β晶相。在極化處理中，例如采用高電場(chǎng)極化法，電場(chǎng)強(qiáng)度例如大于等于100伏特每微米，極化時(shí)間需大于3分鐘。優(yōu)選地，電場(chǎng)強(qiáng)度例如為100伏特每微米，極化時(shí)間例如為5分鐘。

在替代的實(shí)施例中，可以采用軸向拉伸、添加納米顆粒法、或綜合法進(jìn)行極化處理。例如，在軸向拉伸法中，影響參數(shù)有拉伸比例、拉伸溫度、拉伸速率、熱處理等。在添加納米顆粒法中，選擇合適的納米顆?？梢蕴岣擀戮嗪?，納米顆粒例如是碳納米管或還原氧化石墨烯。在綜合法中，例如在軸向拉伸的同時(shí)添加納米顆粒。

在優(yōu)選的實(shí)施例中，在極化處理之前，在有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層的表面形成金屬層，例如銀層。在極化處理期間，金屬層與有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)膠層之間的粘附力增強(qiáng)，從而可以提高超聲波換能器的擊穿電壓。

進(jìn)一步地，如圖4d所示，在壓電層123上形成絕緣層，以及進(jìn)行圖案化以形成開口153，從而形成掩模層124。掩模層124例如由選自al2o3、tio2、zno、zro2和ta2o5中的任一種組成。在該實(shí)施例中，掩模層124例如由al2o3形成，厚度例如為10埃至100埃。

在該步驟中，用于形成掩模層124的工藝?yán)缡窃訉映练e(ald)。在替代的實(shí)施例中，掩模層124的工藝可以是任何合適的低溫沉積工藝，例如蒸發(fā)、濺射等。

接著，采用包括涂膠、曝光和顯影的光刻工藝，形成光刻膠掩模。經(jīng)由光刻膠掩模進(jìn)行蝕刻，將絕緣層圖案化，從而在絕緣層中形成開口153。該蝕刻例如可以是采用蝕刻溶液的濕法蝕刻工藝，或者是在反應(yīng)腔中進(jìn)行的干法蝕刻工藝，例如等離子體蝕刻。在蝕刻之后，通過在溶劑中溶解或灰化去除光刻膠掩模。

在圖案化之后，開口153的位置與圖4a所示的開口152的位置相對(duì)應(yīng)，從而暴露壓電層123的至少一部分表面。

進(jìn)一步地，如圖4e所示，經(jīng)由掩模層124中的開口153蝕刻壓電層123的暴露部分，從而在壓電層123中形成到達(dá)第二布線層109的通孔154。

該步驟例如采用干法蝕刻，蝕刻劑例如為氧氣。由于掩模層124相對(duì)于壓電層123的耐蝕性，因此，在壓電層123中形成的通孔154的位置和形狀與掩模層124中的開口153大致對(duì)應(yīng)。

接著，例如采用濕法蝕刻相對(duì)于壓電層123去除掩模層124。

進(jìn)一步地，如圖4f所示，在壓電層123上形成導(dǎo)電層，以及進(jìn)行圖案化，從而形成第二電極126和第二接觸126a，從而形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

在該步驟中，用于形成導(dǎo)電層的工藝?yán)缡钦舭l(fā)。該導(dǎo)電層例如由ag組成，厚度約為0.5微米至2微米。采用上述的光刻和蝕刻工藝，將該導(dǎo)電層圖案化。

在第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電層的一部分位于壓電層123上形成第二電極126，另一部分填充開口154形成第二接觸126a。第二接觸126a穿過壓電層123，將第二電極126連接至第二布線層109。

替代地，第二電極126和第二接觸126a可以由于任意的導(dǎo)電材料組成，包括金屬導(dǎo)電材料和非金屬導(dǎo)電材料。金屬導(dǎo)電材料例如為al、al-si合金、cu、ni-cu、au、cr-au、pt-au、cral、crcu、ag。非金屬導(dǎo)電材料例如為導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電墨水或?qū)щ娔z。導(dǎo)電氧化物例如為氧化銦錫(ito)。導(dǎo)電墨水例如為銀系墨水。導(dǎo)電膠例如為銀系的環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸酯。

替代地，圖案化導(dǎo)電層的步驟可以采用剝離(lift-off)工藝，其中，在形成導(dǎo)電層之前，采用光刻工藝形成光刻膠掩模，在形成導(dǎo)電層之后，在去除光刻膠掩模的同時(shí)去除導(dǎo)電層的部分，從而將導(dǎo)電層圖案化。

進(jìn)一步地，如圖4g所示，例如通過沉積，形成鈍化層127以覆蓋第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面，即壓電層123和第二電極126的暴露表面，從而形成超聲波換能器120。

在該實(shí)施例中，鈍化層127例如由聚對(duì)二甲苯(parylene)組成，厚度例如為0.5微米至10微米。

在該步驟中，用于形成鈍化層127的工藝?yán)鐬榛瘜W(xué)氣相沉積(cvd)。在替代的實(shí)施例中，鈍化層可以是任意的絕緣層，包括但不限于有機(jī)薄膜、氧化物或氮化物。有機(jī)薄膜可以由選自聚對(duì)二甲苯、聚酰亞胺、su-8中任一種組成。氧化物可以是選自al2o3、zro2、hfo2、sio2中的任一種。氮化物可以是si3n4。用于形成有機(jī)薄膜的工藝?yán)缈梢允腔瘜W(xué)氣相沉積、旋涂、噴涂中的任一種。用于形成氧化物薄膜的工藝可以是濺射、熱氧化中的任一種。用于形成氮化物的工藝可以是濺射。

在步驟s30中，在超聲波換能器120上粘接壓板132。在圖4h中示出了步驟s30的更詳細(xì)的步驟。

在該步驟中，在超聲波換能器120的鈍化層127上形成粘接層131，然后在粘接層131上放置壓板132。

粘接層131為相對(duì)較薄的，具有均勻厚度。結(jié)合超聲波換能器層可包含任何適當(dāng)?shù)慕雍线^程，例如真空接合、熱壓層壓、冷壓層壓、接觸式接合或者其他粘合劑粘合過程。液體粘合劑涂覆過程的實(shí)例包含施配、網(wǎng)板印刷、絲印法、沖壓、凹版印刷、槽縫式涂布、噴涂、刷涂、滾筒、鼓刀涂覆。接合過程中需要避免聲學(xué)非均勻性，例如氣泡、避免細(xì)微空隙、條紋、局部分層、水泡、褶、殘留物、顆粒、材料不均勻等現(xiàn)象。

一種可選擇的粘合劑可為環(huán)氧樹脂、氰基丙酸酯、硅酮、聚氨基甲酸酯、熱塑物、彈性膠粘劑、熱固性膠粘劑、uv固化膠粘劑、熱固化膠粘劑、熱融化膠粘劑、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯酸酯、聚酰胺、接觸型膠粘劑及壓敏膠粘劑。

較優(yōu)的粘接層131為各向異性導(dǎo)電粘合劑(aca)。也可是各向異性導(dǎo)電膠膜(acf)各向異性導(dǎo)電劑、各向異性導(dǎo)電膠膜在厚度方向上導(dǎo)電，在水平方向上絕緣。

粘接層131也可使用較薄的，具有一定絕緣性的粘合劑，例如三乙氧硅烷(aptes)。aptes在標(biāo)準(zhǔn)溫度、壓力下為液體，且可以約1至50體積的比例溶于水或者丙酮中。可選用合適的過程將aptes層涂覆至cmos表面，如浸涂、旋涂、噴涂。也可選擇蒸發(fā)或者真空沉積的方式。

在粘合過程中，有機(jī)壓電層需保持冷卻，使其一直處于居里溫度(135攝氏度)以下。

壓板132可為可在聲學(xué)上耦合到超聲波換能器的任何材料，如塑料、陶瓷、藍(lán)寶石、金屬、合金、聚碳酸酯及玻璃。在一些實(shí)施例中，壓板132可以為某種保護(hù)裝置，如玻璃片。在另一些實(shí)施例中，壓板132可為鋁、不銹鋼等。

在上述的實(shí)施例中，描述了超聲波換能器120的第一電極和第二電極分別經(jīng)由第一接觸和第二接觸連接至cmos電路110的第二布線層。在替代的實(shí)施例中，cmos電路110包括更多個(gè)布線層，超聲波換能器120的第一電極和第二電極可以分別經(jīng)由第一接觸和第二接觸連接至cmos電路110的任一個(gè)相同的布線層，或者任意兩個(gè)不同的布線層。進(jìn)一步地，超聲波換能器120的第一電極和第二電極經(jīng)由選定的布線層連接至cmos電路110的晶體管。

圖5a和5b示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的一部分階段的截面圖。在第二實(shí)施例中，超聲波換能器120的第一電極122經(jīng)由壓電層123的上表面連接至第二布線層109。

在該方法中，在圖4a至4d的步驟之后，替代圖4e和4f所示的步驟，進(jìn)一步執(zhí)行圖5a和5b所示的步驟。應(yīng)當(dāng)注意，在第二實(shí)施例的方法中，超聲波換能器120的第一電極122未與第一接觸122a同時(shí)形成。第二電極122與開口151隔開預(yù)定距離。

進(jìn)一步地，如圖5a所示，經(jīng)由掩模層124中的開口153蝕刻壓電層123的暴露部分，從而在壓電層123中形成到達(dá)第二布線層109的通孔154和155，以及到達(dá)第一電極122的通孔156。

該步驟例如采用干法蝕刻，蝕刻劑例如為氧氣。由于掩模層124相對(duì)于壓電層123的耐蝕性，因此，在壓電層123中形成的通孔154的位置和形狀與開口152大致對(duì)應(yīng)，通孔155的位置和形狀與開口151大致對(duì)應(yīng)，分別暴露第二布線層109的至少一部分表面。在壓電層123中形成的開口156暴露第一電極122的至少一部分表面。

接著，例如采用濕法蝕刻相對(duì)于壓電層123去除掩模層124。

進(jìn)一步地，如圖5b所示，在壓電層123上形成導(dǎo)電層，以及進(jìn)行圖案化，從而形成第二電極126和第一接觸122a、第二接觸126a，從而形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

在該步驟中，用于形成導(dǎo)電層的工藝?yán)缡钦舭l(fā)。該導(dǎo)電層例如由ag組成，厚度約為0.5微米至2微米。采用上述的光刻和蝕刻工藝，將該導(dǎo)電層圖案化。

在第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電層的第一部分在壓電層123的表面延伸且填充開口155和156形成第一接觸122a，第二部分位于壓電層123上形成第二電極126，第三部分填充開口154形成第二接觸126a。第一接觸122a穿過壓電層123，將第一電極122連接至壓電層123的上表面然后再次穿過壓電層123從壓電層123的上表面連接至第二布線層109。第二接觸126a穿過壓電層123，將第二電極126連接至第二布線層109。

替代地，第二電極126和第一接觸122a、第二接觸126a可以由于任意的導(dǎo)電材料組成，包括金屬導(dǎo)電材料和非金屬導(dǎo)電材料。金屬導(dǎo)電材料例如為al、al-si合金、cu、ni-cu、au、cr-au、pt-au、cral、crcu、ag。非金屬導(dǎo)電材料例如為導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電墨水或?qū)щ娔z。導(dǎo)電氧化物例如為氧化銦錫(ito)。導(dǎo)電墨水例如為銀系墨水。導(dǎo)電膠例如為銀系的環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸酯。

替代地，圖案化導(dǎo)電層的步驟可以采用剝離(lift-off)工藝，其中，在形成導(dǎo)電層之前，采用光刻工藝形成光刻膠掩模，在形成導(dǎo)電層之后，在去除光刻膠掩模的同時(shí)去除導(dǎo)電層的部分，從而將導(dǎo)電層圖案化。

進(jìn)一步地，繼續(xù)執(zhí)行圖4g和4h所示的步驟，從而形成超聲波傳感器的其余部分。

圖6a至6f示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的超聲波傳感器制造方法的一部分階段的截面圖。在第三實(shí)施例中，在形成超聲波換能器120的壓電疊層之后，采用各向異性導(dǎo)電粘合劑將壓電疊層粘接到cmos電路110上。

在該方法中，替代圖4a和4f所示的步驟，執(zhí)行圖6a和6f所示的步驟。

如圖6a所示，形成壓電層123。在后續(xù)的步驟中，該壓電層123自身可以作為支撐層。

在該實(shí)施例中，該壓電層123例如為有機(jī)pvdf(偏聚氟乙烯)薄膜，厚度例如為5微米至20微米。用于形成壓電層123的工藝?yán)绨ㄖ谱骰旌弦?、旋涂、烘烤、晶化和極化處理。

在根據(jù)第三實(shí)施例的方法中，用于形成壓電層的工藝與第一實(shí)施例相同，在此不再詳述。

進(jìn)一步地，如圖6b所示，在壓電層123的第一表面(例如，圖中的下表面)上形成導(dǎo)電層，以及進(jìn)行圖案化，從而形成第一電極122和襯墊126b，從而形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。第一電極122和襯墊126b彼此隔開。襯墊126b將用于隨后形成的第二電極的電連接。

在根據(jù)第三實(shí)施例的方法中，用于形成第一電極和襯墊的工藝與第一實(shí)施例相同，在此不再詳述。

進(jìn)一步地，如圖6c所示，在壓電層123的第二表面(例如，圖中的上表面)上形成絕緣層，以及進(jìn)行圖案化以形成開口153，從而形成掩模層124。開口153的形狀和位置與襯墊126b大致對(duì)應(yīng)。掩模層124例如由選自al2o3、tio2、zno、zro2和ta2o5中的任一種組成。在該實(shí)施例中，掩模層124例如由al2o3形成，厚度例如為10埃至100埃。

在根據(jù)第三實(shí)施例的方法中，用于形成掩模層的工藝與第一實(shí)施例相同，在此不再詳述。

進(jìn)一步地，如圖6d所示，經(jīng)由掩模層124中的開口153蝕刻壓電層123的暴露部分，從而在壓電層123中形成到達(dá)襯墊126b的通孔154。

在根據(jù)第三實(shí)施例的方法中，用于形成通孔的工藝與第一實(shí)施例相同，在此不再詳述。

進(jìn)一地，如圖6e所示，在壓電層123上形成導(dǎo)電層，以及進(jìn)行圖案化，從而形成第二電極126和第二接觸126a，從而形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為第一電極122、壓電層123和第二電極126組成的壓電疊層。

在第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電層的一部分位于壓電層123上形成第二電極126，另一部分填充開口154形成第二接觸126a。第二接觸126a穿過壓電層123，將第二電極126連接至襯墊126b。

在根據(jù)第三實(shí)施例的方法中，用于形成第二電極和第二接觸的工藝與第一實(shí)施例相同，在此不再詳述。

進(jìn)一步地，如圖6f所示，采用各向異性導(dǎo)電粘合劑，將導(dǎo)電疊層粘接到cmos電路110上。該各向異性導(dǎo)電粘合劑形成粘接層128，位于壓電層123的第一表面和cmos電路110的第二層間介質(zhì)層108之間。

各向異性導(dǎo)電粘合劑在厚度方向上導(dǎo)電，在水平方向上絕緣。因此，粘接層128不僅用于將導(dǎo)電疊層粘接在cmos電路110上，而且實(shí)現(xiàn)第一電極122和襯墊126b與第二布線層109之間的電連接。第一電極122經(jīng)由粘接層128連接至第二布線層109，第二電極126經(jīng)由第二接觸126a、襯墊126b和粘接層128連接至第二布線層。進(jìn)一步地，超聲波換能器120的第一電極和第二電極經(jīng)由選定的布線層連接至cmos電路110的晶體管。

進(jìn)一步地，繼續(xù)執(zhí)行圖4g和4h所示的步驟，從而形成超聲波傳感器的其余部分。

在生產(chǎn)制造方面，該超聲波傳感器制造方法與cmos工藝兼容，可在cmos生產(chǎn)線直接加工。在超聲波換能器后續(xù)應(yīng)用方面，超聲波傳感器在后續(xù)移動(dòng)終端的應(yīng)用領(lǐng)域無需在玻璃等介質(zhì)上開孔，可穿透玻璃等介質(zhì)直接應(yīng)用，降低了后續(xù)的應(yīng)用成本。在終端應(yīng)用方面，與電容式指紋傳感器相比較，超聲波傳感器的超聲信號(hào)受油污、汗水等影響小，受溫度與濕度影響小，識(shí)別的準(zhǔn)確率高等優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

依照本發(fā)明的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實(shí)施例。顯然，根據(jù)以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本發(fā)明以及在本發(fā)明基礎(chǔ)上的修改使用。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。