【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著觸控技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展，具有觸控功能的顯示面板已經(jīng)越來(lái)越成為主流顯示產(chǎn)品?，F(xiàn)有的顯示面板和觸控面板的集成方式一般分為in-cell(內(nèi)嵌式)和on-cell(盒外式)兩種方式，in-cell觸摸屏相較于on-cell觸摸屏來(lái)說(shuō)更為輕薄。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：

隨著觸摸屏的尺寸日益增大，陣列基板上觸控金屬層的觸控走線電阻也變得很大，不同公共電極塊在接收信號(hào)時(shí)會(huì)產(chǎn)生不同程度的延遲，從而影響觸摸屏的觸控和顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種，用以解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板,位于所述襯底基板上的柵極和柵線，位于所述柵極和柵線所在膜層上的有源層，位于所述有源層上的漏極、源極和數(shù)據(jù)線，位于所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上方的公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊，所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極；

所述陣列基板還包括：

觸控走線，位于所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層；所述觸控走線與所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線電性絕緣，且通過(guò)第一過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接；

導(dǎo)線，位于所述柵極和柵線所在膜層；所述導(dǎo)線與所述柵極和柵線電性絕緣，且與所述觸控走線并聯(lián)連接。

具體地，所述陣列基板還包括：

第二絕緣層，位于所述公共電極層所在膜層和所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線所在膜層之間；所述第二絕緣層上設(shè)有所述第一過(guò)孔。

具體地，所述陣列基板還包括：

第一絕緣層，位于所述柵極和柵線所在膜層和所述有源層所在膜層之間；所述第一絕緣層上設(shè)有第二過(guò)孔，所述導(dǎo)線通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述觸控走線并聯(lián)連接。

具體地，所述陣列基板還包括：貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三過(guò)孔。

具體地，所述導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述觸控走線電性連接，所述第二導(dǎo)線通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。

具體地，所述第一導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影位于所述觸控走線在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；所述第二導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影平行于所述柵線在所述襯底基板上的正投影。

具體地，還包括：

位于所述柵極和柵線所在膜層上的像素電極，所述像素電極與所述漏極電性連接。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括：上述的陣列基板。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括：上述的顯示面板。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成柵極、柵線和導(dǎo)線；

在所述柵極和柵線所在膜層上形成有源層；

在所述有源層上形成漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線，所述觸控走線與所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線電性絕緣；

在所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上形成公共電極層，所述公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊，所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極，所述公共電極塊通過(guò)第一過(guò)孔與所述觸控走線電性連接；

其中，所述導(dǎo)線與所述柵極和柵線電性絕緣，且與所述觸控走線并聯(lián)連接。

具體地，所述方法還包括：

在所述公共電極層所在膜層和所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線所在膜層之間形成第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層上設(shè)有所述第一過(guò)孔。

具體地，所述方法還包括：

在所述柵極和柵線所在膜層和所述有源層所在膜層之間形成第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層上設(shè)有第二過(guò)孔，所述導(dǎo)線通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述觸控走線并聯(lián)連接。

具體地，所述方法還包括：

形成貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三過(guò)孔。

具體地，所述導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述觸控走線電性連接，所述第二導(dǎo)線通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。

具體地，所述第一導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影位于所述觸控走線在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；所述第二導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影平行于所述柵線在所述襯底基板上的正投影。

具體地，所述方法還包括：

在所述柵極和柵線所在膜層上形成像素電極，其中，所述像素電極與所述漏極電性連接。

上述技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)方案具有如下有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，通過(guò)在柵極和柵線所在膜層設(shè)置導(dǎo)線，其中導(dǎo)線與柵極和柵線電性絕緣，且與觸控走線并聯(lián)連接，以在觸控走線上并聯(lián)導(dǎo)線的方式降低信號(hào)傳輸過(guò)程中的電阻，降低不同公共電極塊在接收信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的延遲，從而提升觸摸屏的觸控和顯示效果。

【附圖說(shuō)明】

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種陣列基板上像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中aa’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種陣列基板上像素單元的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另一種陣列基板上像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖1中bb’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另一種陣列基板上像素單元的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種陣列基板的制備方法的步驟示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書(shū)中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管在本發(fā)明實(shí)施例中可能采用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述過(guò)孔，但這些過(guò)孔限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將過(guò)孔區(qū)分開(kāi)。例如，在不脫離本發(fā)明實(shí)施例范圍的情況下，第一過(guò)孔也可以被稱(chēng)為第二過(guò)孔，類(lèi)似地，第二過(guò)孔也可以被稱(chēng)為第一過(guò)孔。

如圖1、圖2和圖3所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種陣列基板上像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖、圖2為圖1中aa’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖、圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種陣列基板上像素單元的部分結(jié)構(gòu)示意圖，可以理解的是，為了防止陣列基板的其他層結(jié)構(gòu)被遮擋，圖3中的最上層的公共電極層并未在圖上體現(xiàn)出來(lái)，其結(jié)構(gòu)可以參考圖1中的相關(guān)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板1,位于襯底基板1上的柵極21和柵線22，位于柵極21和柵線22所在膜層上的有源層3，位于柵極21和柵線22所在膜層上的像素電極4，位于有源層3上的漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53，位于漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53所在膜層上方的公共電極層6，公共電極層6包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊，公共電極塊復(fù)用為觸控電極；陣列基板還包括：觸控走線54，位于漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53所在膜層；觸控走線54與漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53電性絕緣，且通過(guò)第一過(guò)孔71與公共電極層6的公共電極塊電性連接；第一導(dǎo)線23，位于柵極21和柵線22所在膜層；第一導(dǎo)線23與柵極21和柵線22電性絕緣，且與觸控走線54并聯(lián)連接。其中，陣列基板包括由多行柵線22和多列數(shù)據(jù)線53交叉限定的多個(gè)子像素單元，在每個(gè)子像素單元中，源極52和漏極51分別位于有源層3的兩側(cè)，柵極21與有源層3的溝道區(qū)域相對(duì)設(shè)置，源極52、漏極51、有源層3和柵極21形成陣列基板中的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)。

需要說(shuō)明的是，觸控走線所并聯(lián)的導(dǎo)線數(shù)量越多，信號(hào)傳輸過(guò)程中的電阻會(huì)越小，不同公共電極塊在接收信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的延遲也會(huì)越小，但是導(dǎo)線數(shù)量過(guò)多的話會(huì)勢(shì)必占用大量陣列基板的空間，導(dǎo)致開(kāi)口率降低，進(jìn)而會(huì)影響屏幕的顯示效果，所以選擇合適數(shù)量的導(dǎo)線，以及在陣列基板合適的位置處進(jìn)行布設(shè)，可以在不影響開(kāi)口率的前提下，降低信號(hào)傳輸過(guò)程中的電阻。

如圖1-圖3給出了一種觸控走線并聯(lián)導(dǎo)線的方式，具體地，為了說(shuō)明第一導(dǎo)線的設(shè)置，在圖3中，省略了位于第一導(dǎo)線上觸控走線。上述導(dǎo)線為第一導(dǎo)線23，第一導(dǎo)線23在襯底基板上1的正投影位于觸控走線54在襯底基板1上的正投影內(nèi)，雖然第一導(dǎo)線23和觸控走線54位于不同膜層，但第一導(dǎo)線23在襯底基板1上的正投影位于觸控走線54在襯底基板1上的正投影內(nèi)，所以此時(shí)第一導(dǎo)線23對(duì)顯示透過(guò)率的影響基本可以忽略不計(jì)。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以是第一導(dǎo)線在襯底基板上的正投影與觸控走線在襯底基板上的正投影完全重疊。上述陣列基板還包括：第一絕緣層7，位于柵極21和柵線22所在膜層和所述有源層3所在膜層之間；第一絕緣層7上設(shè)有第二過(guò)孔71，第一導(dǎo)線23通過(guò)第二過(guò)孔71與觸控走線54并聯(lián)連接。第一導(dǎo)線23和觸控走線54需要電性連接，故在第一絕緣層7需要設(shè)置第二過(guò)孔71來(lái)連接第一導(dǎo)線23和觸控走線54，第一絕緣層7需要通過(guò)一次掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻以形成第二過(guò)孔71。在每個(gè)由柵線22和數(shù)據(jù)線53交叉圍成的像素單元內(nèi)，第一導(dǎo)線23都是獨(dú)立的金屬導(dǎo)線段，通過(guò)多個(gè)第二過(guò)孔71，多個(gè)第一導(dǎo)線23和觸控走線53實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。

如圖1-圖3所示，上述陣列基板還包括：第二絕緣層8，位于公共電極層6所在膜層和漏極51、源極52、數(shù)據(jù)線53和觸控走線54所在膜層之間；第二絕緣層8上設(shè)有第一過(guò)孔81。觸控走線54需要連接公共電極層6的公共電極塊，故在第二絕緣層8上設(shè)置第一過(guò)孔81，第二絕緣層8需要通過(guò)一次掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻以形成第一過(guò)孔81。

可選地，如圖1-圖3所示，上述陣列基板還包括：位于柵極和柵線所在膜層上的像素電極4，像素電極4與漏極51電性連接。其中，漏極51與像素電極4直接電性連接，像素電極4位于柵極21和柵線22所在膜層的上方，像素電極4與漏極之51間通過(guò)搭接方式直接電性連接，而無(wú)需通過(guò)另設(shè)過(guò)孔的方式以導(dǎo)線連接，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程，降低工藝流程復(fù)雜程度。

如圖4、圖5和圖6所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另一種陣列基板上像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖、圖5為圖1中bb’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖、圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的另一種陣列基板上像素單元的部分結(jié)構(gòu)示意圖，可以理解的是，為了防止陣列基板的其他層結(jié)構(gòu)被遮擋，圖4和圖6中的最上層的公共電極層并未在圖上體現(xiàn)出來(lái)，其結(jié)構(gòu)可參看圖1中所示。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板1,位于襯底基板1上的柵極21和柵線22，位于柵極21和柵線22所在膜層上的有源層3，位于有源層3上的漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53，位于漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53所在膜層上方的公共電極層6，公共電極層6包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊，公共電極塊復(fù)用為觸控電極；陣列基板還包括：觸控走線54，位于漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53所在膜層；觸控走線54與漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53電性絕緣，且通過(guò)第一過(guò)孔81與公共電極層6的公共電極塊電性連接；第二導(dǎo)線23，位于柵極21和柵線22所在膜層；第二導(dǎo)線24與柵極21和柵線22電性絕緣，且與觸控走線54并聯(lián)連接。其中，陣列基板包括由多行柵線22和多列數(shù)據(jù)線53交叉限定的多個(gè)子像素單元，在每個(gè)子像素單元中，源極52和漏極51分別位于有源層3的兩側(cè)，柵極21與有源層3的溝道區(qū)域相對(duì)設(shè)置，源極52、漏極51、有源層3和柵極21形成陣列基板中的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)。

圖4-圖6給出了另一種觸控走線并聯(lián)導(dǎo)線的方式，上述導(dǎo)線為第二導(dǎo)線24，第二導(dǎo)線24通過(guò)第三過(guò)孔與公共電極層的公共電極塊電性連接，因?yàn)橛|控走線也與公共電極層的公共電極塊電性連接，故第二導(dǎo)線和觸控走線之間形成并聯(lián)連接。其中，第二導(dǎo)線在襯底基板上的正投影平行于柵線在襯底基板上的正投影，可以在陣列基板的對(duì)置基板上形成同時(shí)覆蓋柵極和第二導(dǎo)線的遮光結(jié)構(gòu)，將第二導(dǎo)線對(duì)顯示透過(guò)率的影響降至最小。

如圖4-圖6所示，上述陣列基板還包括：第一絕緣層7，位于柵極21和柵線22所在膜層和所述有源層3所在膜層之間；因?yàn)榇藭r(shí)第一絕緣層7無(wú)需設(shè)置過(guò)孔，所以不需要通過(guò)一次掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻。

如圖1-圖3所示，上述陣列基板還包括：第二絕緣層8，位于公共電極層6所在膜層和漏極51、源極52、數(shù)據(jù)線53和觸控走線54所在膜層之間；第二絕緣層8上設(shè)有第一過(guò)孔81。觸控走線54需要連接公共電極層6的公共電極塊，故在第二絕緣層8上設(shè)置第一過(guò)孔81，第二絕緣層8需要通過(guò)一次掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻以形成第一過(guò)孔81。同時(shí)，陣列基板還包括貫穿第一絕緣層7和第二絕緣層8的第三過(guò)孔82，第二導(dǎo)線24通過(guò)第三過(guò)孔80與公共電極層6的公共電極塊電性連接，第三過(guò)孔82在形成時(shí)，從第二絕緣層8開(kāi)始刻蝕直到第一絕緣層9的金屬導(dǎo)線層停止，所以第三過(guò)孔82和第一過(guò)孔81的形成過(guò)程使用同一道掩膜版工藝即可，從而，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程，降低工藝流程復(fù)雜程度，減少掩膜版使用數(shù)量，生產(chǎn)成本低。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以是通過(guò)僅貫穿第一絕緣層7的第二過(guò)孔實(shí)現(xiàn)第二導(dǎo)線24和觸控走線54的電性連接。在本實(shí)施例中，相鄰的兩條觸控走線54通過(guò)第二導(dǎo)線24和公共電極6實(shí)現(xiàn)電連接，相比僅采用一條觸控走線，采用兩條觸控走線，可以進(jìn)一步降低信號(hào)傳遞電阻，有利于提高觸摸檢測(cè)靈敏度。

可選地，如圖1-圖3所示，上述陣列基板還包括：位于柵極和柵線所在膜層上的像素電極4，像素電極4與漏極51電性連接。其中，漏極51與像素電極4直接電性連接，像素電極4位于柵極21和柵線22所在膜層的上方，像素電極4與漏極之51間通過(guò)搭接方式直接電性連接，而無(wú)需通過(guò)另設(shè)過(guò)孔的方式以導(dǎo)線連接，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程，降低工藝流程復(fù)雜程度。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中的觸控走線54與數(shù)據(jù)線53相鄰設(shè)置且相互平行，同時(shí)二者位于同一膜層，簡(jiǎn)化了制作陣列基板工藝的復(fù)雜度。并且由于兩者平行設(shè)置，可以在陣列基板的對(duì)置基板上形成同時(shí)覆蓋數(shù)據(jù)線和觸控走線的遮光結(jié)構(gòu)，將觸控走線對(duì)顯示透過(guò)率的影響降至最小。

需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例僅是示意性說(shuō)明，在實(shí)際實(shí)施過(guò)程中，在一個(gè)陣列基板中，可以包括呈m*n的矩陣排列的塊狀公共電極，其中m>2，n>2，且m、n均為自然數(shù)，且該塊狀公共電極優(yōu)選為矩形。每個(gè)塊狀公共電極可以對(duì)應(yīng)覆蓋i*j個(gè)子像素區(qū)域，其中i>2，j>2，且i、j均為自然數(shù)。由于在顯示階段，每個(gè)公共電極需要和像素電極之間形成電場(chǎng)，因此，每個(gè)公共電極需要覆蓋各個(gè)子像素的開(kāi)口區(qū)域，即，相鄰兩個(gè)公共電極之間形成的狹縫，在垂直于陣列基板所在平面的方向上，與掃描線或者數(shù)據(jù)線重疊。每個(gè)公共電極塊通過(guò)一條或者多條觸控走線連接到驅(qū)動(dòng)芯片，在顯示階段，驅(qū)動(dòng)芯片向每個(gè)公共電極輸入公共電極信號(hào)，以此和各個(gè)像素電極之間形成電場(chǎng)。在觸控階段，驅(qū)動(dòng)芯片向各個(gè)公共電極同時(shí)或者分時(shí)輸入觸控信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)每個(gè)公共電極，也即觸控電極上的自電容變化，來(lái)檢測(cè)觸控位置。由于各個(gè)公共電極呈矩陣排列，且每個(gè)公共電極分別通過(guò)對(duì)應(yīng)的觸控走線連接到驅(qū)動(dòng)芯片，可以同時(shí)檢測(cè)各個(gè)公共電極上的自電容變化，以此實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控檢測(cè)。

需要說(shuō)明的是，第一絕緣層和/或第二絕緣層的材料為氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的任意一種。

上述實(shí)施例提供的陣列基板，通過(guò)在柵極和柵線所在膜層設(shè)置導(dǎo)線，導(dǎo)線與柵極和柵線電性絕緣，且與觸控走線并聯(lián)連接，以在觸控走線上并聯(lián)導(dǎo)線的方式降低信號(hào)傳輸過(guò)程中的電阻，降低不同公共電極塊在接收信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的延遲，從而提升觸摸屏的觸控和顯示效果；同時(shí)，通過(guò)將像素電極與漏極在不通過(guò)過(guò)孔的情況下直接電性連接，無(wú)需通過(guò)掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻，減少一次掩膜版構(gòu)圖工藝，從而，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程，降低工藝流程復(fù)雜程度，減少掩膜版使用數(shù)量，生產(chǎn)成本低。

另一方面，如圖7所示，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

步驟710、在襯底基板上形成柵極、柵線和導(dǎo)線。

需要說(shuō)明的是，在柵極和柵線所在膜層和有源層所在膜層之間形成第一絕緣層，其中，第一絕緣層上設(shè)有第二過(guò)孔，導(dǎo)線通過(guò)所述第二過(guò)孔與觸控走線并聯(lián)連接。

步驟720、在柵極和柵線所在膜層上形成有源層。

步驟730、在有源層上形成漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線，觸控走線與漏極、源極和數(shù)據(jù)線電性絕緣。

在公共電極層所在膜層和漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線所在膜層之間形成第二絕緣層，其中，第二絕緣層上設(shè)有所述第一過(guò)孔，還設(shè)有貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三過(guò)孔。

步驟740、在漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上形成公共電極層，公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊，公共電極塊復(fù)用為觸控電極，公共電極塊通過(guò)第一過(guò)孔與所述觸控走線電性連接。

另外，在柵極和柵線所在膜層上形成像素電極，像素電極與漏極直接電性連接。

需要說(shuō)明的是，導(dǎo)線與柵極和柵線電性絕緣，且與觸控走線并聯(lián)連接，導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，第一導(dǎo)線通過(guò)第二過(guò)孔與所述觸控走線電性連接，第二導(dǎo)線通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。其中，第一導(dǎo)線在襯底基板上的正投影位于觸控走線在襯底基板上的正投影內(nèi)；第二導(dǎo)線在襯底基板上的正投影平行于柵線在襯底基板上的正投影。

在基于上述陣列基板的制備方法的基礎(chǔ)上，下面對(duì)陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。上述制備方法的詳細(xì)步驟具體如下：

步驟1、在襯底基板上形成柵極、柵線和導(dǎo)線。

具體地，步驟1通過(guò)第一次掩膜版構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成柵極、柵線和導(dǎo)線。其中，通過(guò)第一道掩膜版構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成柵極、柵線和導(dǎo)線，柵極和柵線電性連接。形成柵極、柵線和導(dǎo)線的工藝可以是先在襯底基板上沉積一層金屬材料層，金屬材料層的沉積方法可以是濺射等方法，可以和現(xiàn)有技術(shù)中沉積金屬層的方法相同，在此不再贅述。然后在金屬材料層上涂覆光刻膠，采用第一道掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。在曝光結(jié)束后，進(jìn)行顯影過(guò)程，顯影過(guò)程中，曝光部分的光刻膠被洗去，未曝光部分的光刻膠仍舊保留在金屬材料層上方。顯影后對(duì)暴露出的金屬材料層進(jìn)行濕法刻蝕，未被刻蝕的部分即為被光刻膠保護(hù)的部分，該部分圖案為柵極、柵線和導(dǎo)線。最后進(jìn)行光刻膠剝離，柵極、柵線和導(dǎo)線的構(gòu)圖過(guò)程即結(jié)束。

可選地，導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，第一導(dǎo)線通過(guò)第二過(guò)孔與觸控走線電性連接，第二導(dǎo)線通過(guò)第三過(guò)孔與公共電極層的公共電極塊電性連接。第一導(dǎo)線在襯底基板上的正投影位于觸控走線在襯底基板上的正投影內(nèi)；第二導(dǎo)線在襯底基板上的正投影平行于柵線在襯底基板上的正投影。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，可根據(jù)設(shè)計(jì)需求，選擇將第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線可以同時(shí)設(shè)置于襯底基板上，或者二者選其一設(shè)置于襯底基板上。

步驟2、在柵極和柵線所在膜層上覆蓋第一絕緣層，并在第一絕緣層上形成第二過(guò)孔。

具體地，步驟2通過(guò)第二次掩膜版構(gòu)圖工藝在第一絕緣層進(jìn)行孔刻蝕，以形成第二過(guò)孔，第二過(guò)孔位于觸控走線和第一導(dǎo)線之間，第一絕緣層位于柵極和柵線所在膜層和有源層所在膜層之間，保證柵極和源漏極之間電性絕緣。其中，第一絕緣層的形成也需要經(jīng)過(guò)涂覆半導(dǎo)體材料層，如圖光刻膠，光刻膠曝光顯影，刻蝕，剝離光刻膠等過(guò)程。與形成柵極、柵線和導(dǎo)線所在膜層不同的是，半導(dǎo)體材料層的刻蝕一般采用干法刻蝕。其刻蝕工藝和刻蝕用材料和現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。相應(yīng)地，若導(dǎo)線不包括第一導(dǎo)線，則此步驟2在覆蓋完第一絕緣層后，無(wú)需通過(guò)第二次掩膜版構(gòu)圖工藝在第一絕緣層進(jìn)行孔刻蝕。

步驟3、在柵極和柵線所在膜層上形成有源層。

具體地，步驟3通過(guò)第三次掩膜版構(gòu)圖工藝在柵極和柵線所在膜層上形成有源層，有源層即半導(dǎo)體層，其位于柵極和柵線所在膜層上，同時(shí)亦位于第一絕緣層上，有源層基于對(duì)應(yīng)柵極電壓的大小選擇導(dǎo)通或者斷開(kāi)源漏極。其中，有源層的形成方法和第一絕緣層的形成方法相同，在此不再贅述。

步驟4、在柵極和柵線所在膜層上形成像素電極。

具體地，步驟4通過(guò)第四次掩膜版構(gòu)圖工藝在柵極和柵線所在膜層上形成像素電極，像素電極位于第一絕緣層上。其中，通過(guò)第四道掩膜版構(gòu)圖工藝，在在柵極和柵線所在膜層上形成像素電極。像素電極和有源層均位于第一絕緣的上方，像素電極的形成過(guò)程和柵極和柵線所在膜層的形成過(guò)程類(lèi)似，在此不再贅述。

步驟5、在有源層上形成漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線，觸控走線與漏極、源極和數(shù)據(jù)線電性絕緣。

具體地，步驟5通過(guò)第五次掩膜版構(gòu)圖工藝，在有源層和像素電極上形成漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線，觸控走線與數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置，且觸控走線與數(shù)據(jù)線平行，漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線同層設(shè)置，可以減少一次掩膜版使用次數(shù)；漏極與像素電極之間通過(guò)搭接方式直接電性連接，從而又減少了一次掩膜版使用次數(shù)。漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線的形成過(guò)程和柵極和柵線所在膜層的形成過(guò)程類(lèi)似，在此不再贅述。

步驟6、形成覆蓋漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線的第二絕緣層，并在第二絕緣層上形成第一過(guò)孔和第三過(guò)孔。

具體地，步驟6通過(guò)第六次掩膜版構(gòu)圖工藝在第二絕緣層上進(jìn)行孔刻蝕，以形成第一過(guò)孔和第三過(guò)孔，其中第三過(guò)孔貫穿第一絕緣層和第二絕緣層。觸控走線通過(guò)第一過(guò)孔與公共電極層的公共電極塊電性連接，第二導(dǎo)線通過(guò)第三過(guò)孔與公共電極層的公共電極塊電性連接，第三過(guò)孔的刻蝕過(guò)程中，從第二絕緣層開(kāi)始刻蝕直到第一絕緣層的金屬導(dǎo)線層停止，所以第三過(guò)孔和第一過(guò)孔的形成過(guò)程使用同一道掩膜版工藝即可，從而，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程。第二絕緣層的形成方法和第一絕緣層的形成方法相同，在此不再贅述。相應(yīng)地，若導(dǎo)線不包括第二導(dǎo)線，則此步驟6在覆蓋完第一絕緣層后，只需在第二絕緣層形成第一過(guò)孔即可。

步驟7、在漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上形成公共電極層，公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊，公共電極塊復(fù)用為觸控電極，公共電極塊通過(guò)第一過(guò)孔與觸控走線電性連接。

具體地，步驟7通過(guò)第七次掩膜版構(gòu)圖工藝在漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上形成公共電極層。

綜上，在本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的制備方法中，只需使用6-7次掩膜版構(gòu)圖工藝，和現(xiàn)有技術(shù)制備方法中需要8-10次掩膜版構(gòu)圖工藝相比，減少了掩膜版使用數(shù)量，簡(jiǎn)化了陣列基板的制作過(guò)程，降低了工藝流程復(fù)雜程度。

如圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板810、彩膜基板820和液晶層830。

其中，陣列基板810的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板，通過(guò)在陣列基板的柵極和柵線所在膜層設(shè)置導(dǎo)線，導(dǎo)線與柵極和柵線電性絕緣，且與觸控走線并聯(lián)連接，以在觸控走線上并聯(lián)導(dǎo)線的方式降低信號(hào)傳輸過(guò)程中的電阻，降低不同公共電極塊在接收信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的延遲，從而提升觸摸屏的觸控和顯示效果；同時(shí)，通過(guò)將陣列基板的像素電極與漏極在不通過(guò)過(guò)孔的情況下直接電性連接，無(wú)需通過(guò)掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻，減少一次掩膜版構(gòu)圖工藝，從而，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程，降低工藝流程復(fù)雜程度，減少掩膜版使用數(shù)量，生產(chǎn)成本低。

如圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板900。

其中，顯示面板900的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。顯示裝置可以是例如觸摸顯示屏、手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電紙書(shū)或電視機(jī)等任何具有液晶顯示功能的電子設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，通過(guò)在陣列基板的柵極和柵線所在膜層設(shè)置導(dǎo)線，導(dǎo)線與柵極和柵線電性絕緣，且與觸控走線并聯(lián)連接，以在觸控走線上并聯(lián)導(dǎo)線的方式降低信號(hào)傳輸過(guò)程中的電阻，降低不同公共電極塊在接收信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的延遲，從而提升觸摸屏的觸控和顯示效果；同時(shí)，通過(guò)將陣列基板的像素電極與漏極在不通過(guò)過(guò)孔的情況下直接電性連接，無(wú)需通過(guò)掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻，減少一次掩膜版構(gòu)圖工藝，從而，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程，降低工藝流程復(fù)雜程度，減少掩膜版使用數(shù)量，生產(chǎn)成本低。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。