本發(fā)明涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，閃存容量越來(lái)越大，價(jià)格也卻越來(lái)越便宜，固態(tài)硬盤(pán)SSD在越來(lái)越多的領(lǐng)域取代以磁帶為媒介的傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)(HDD)。固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)最大的區(qū)別在于，固態(tài)硬盤(pán)中沒(méi)有任何機(jī)械部件。所以，相比傳統(tǒng)硬盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)具有更低的延時(shí)和能耗，更快的數(shù)據(jù)處理速度，更好的抗震性能，更高的可靠性和耐用性。

固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)器件采用的是閃存，NAND型閃存具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：

①讀寫(xiě)基本單位是以頁(yè)(Page)為單位，擦除是以塊(Block)為單位；頁(yè)的大小為nKB(KB單位為1024字節(jié))，n通常等于2，4，8或16。每塊包含m頁(yè)，m通常為64，128或者256。

②每個(gè)物理塊，必須先擦除后，才能夠?qū)懭霐?shù)據(jù)。

③每個(gè)塊有一定的壽命，即擦除次數(shù)是有限的。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于SLC(Single Level Cell)Flash，即單邏輯單元閃存，壽命為10,00,00次；而對(duì)于MLC(Multi-Level Cell)Flash,典型壽命為1500-3,000次。

基于閃存的上述特點(diǎn)，在固態(tài)硬盤(pán)中引入了閃存轉(zhuǎn)換層FTL，用于對(duì)閃存進(jìn)行存儲(chǔ)控制。比如，F(xiàn)lash寫(xiě)數(shù)據(jù)只能將1寫(xiě)為0，擦除數(shù)據(jù)是將所有數(shù)據(jù)都寫(xiě)為1，因此如果在已經(jīng)有數(shù)據(jù)的Flash上寫(xiě)入新的數(shù)據(jù)，則必須先是整塊擦除(所有存儲(chǔ)為全部為1)，然后再寫(xiě)入新數(shù)據(jù)。這也決定了做適合讀寫(xiě)SSD的最小單元是Page。在過(guò)去的機(jī)械硬盤(pán)時(shí)代，操作系統(tǒng)認(rèn)為磁盤(pán)是一連串扇區(qū)(Sector,包含512Byte存儲(chǔ)空間)，這是對(duì)硬盤(pán)操作的最小單位。這一系列的物理特性的限制，要求FTL承擔(dān)向下兼容的特性。FTL位于文件系統(tǒng)和物理介質(zhì)之間，把Flash的操作習(xí)慣虛擬成以傳統(tǒng)硬盤(pán)的512Byte扇區(qū)進(jìn)行操作。操作系統(tǒng)就可以按照傳統(tǒng)的扇區(qū)方式操作，而不用擔(dān)心之前說(shuō)的擦除/讀/寫(xiě)問(wèn)題。一切邏輯到物理的轉(zhuǎn)換，都由FTL來(lái)完成，如圖1所示。

FTL層負(fù)責(zé)將上層文件系統(tǒng)的讀寫(xiě)請(qǐng)求轉(zhuǎn)換成閃存物理層面的讀寫(xiě)操作命令，同時(shí)，依據(jù)閃存的操作特點(diǎn)完成相應(yīng)的管理。FTL算法，特別是它對(duì)應(yīng)的閃存映射表FMT(Flash Mapping Table)機(jī)制，是影響固態(tài)硬盤(pán)性能高低的關(guān)鍵所在。

傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)映射方式采用塊映射和頁(yè)映射。隨著閃存頁(yè)面的增大，頁(yè)映射和塊映射在隨機(jī)讀寫(xiě)上的速度的不足顯現(xiàn)出來(lái)。頁(yè)映射是將邏輯頁(yè)映射到Flash中的任何一個(gè)物理頁(yè)(Physical Page)。如果把邏輯區(qū)塊地址(Logical Block Address，LBA)切割成很多以物理頁(yè)大小為單位的操作單元，該映射算法在物理頁(yè)小于或等于4KB的時(shí)候，管理的靈活度高，垃圾回收負(fù)載小。但是隨著工藝的提升，F(xiàn)lash的物理頁(yè)逐漸增大，目前主流基本為16KB的物理頁(yè)，并有擴(kuò)大到32KB的趨勢(shì)。當(dāng)物理頁(yè)大于4KB的時(shí)候，隨機(jī)寫(xiě)入小文件(通常IOPS的測(cè)量是基于4KB大小的隨機(jī)數(shù)據(jù)塊)，將會(huì)導(dǎo)致一個(gè)物理頁(yè)只用掉4KB空間，剩余的物理頁(yè)空間補(bǔ)充其他數(shù)據(jù)，這時(shí)候?qū)懭敕糯骔A(Write Amplification)系數(shù)就會(huì)變大，隨著物理頁(yè)大小的增大這種算法的劣勢(shì)會(huì)越來(lái)越大。顯然，按照這樣子簡(jiǎn)單的映射方法是無(wú)法滿足寫(xiě)入速度的要求的，同時(shí)，也大大消耗了閃存的“壽命”。

故，針對(duì)目前現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，實(shí)有必要進(jìn)行研究，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，確有必要提供一種用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法，從而能夠改善隨機(jī)讀寫(xiě)的速度，并提高閃存的使用壽命。

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法，包括以下步驟：

步驟S1：在閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)中設(shè)置最小管理單元，且N個(gè)最小管理單元?jiǎng)偤脴?gòu)成一個(gè)閃存物理頁(yè)的空間，其中，N為大于0的正整數(shù)；

步驟S2：邏輯地址和物理地址之間以最小管理單元來(lái)進(jìn)行映射；

步驟S3：FTL為每個(gè)最小管理單元數(shù)據(jù)給予一個(gè)地址標(biāo)識(shí)進(jìn)行管理；

步驟S4：當(dāng)主機(jī)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，等待連續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)達(dá)到一個(gè)完整的閃存物理頁(yè)空間后，再一次性寫(xiě)入一個(gè)完整的空白閃存物理頁(yè)。

優(yōu)選地，所述步驟S3中，在閃存映射表(FMT)中為每個(gè)最小管理單元數(shù)據(jù)設(shè)置一個(gè)獨(dú)立的地址碼。

優(yōu)選地，所述最小管理單元采用4KB存儲(chǔ)容量。

優(yōu)選地，閃存映射表(FMT)采用分段調(diào)度的方式，將當(dāng)前需要用到的相關(guān)部分的閃存映射表讀入內(nèi)存，而其余部分閃存映射表存放在外部存儲(chǔ)空間。

優(yōu)選地，閃存映射表(FMT)存放到外部的DRAM空間。

優(yōu)選地，閃存映射表(FMT)存放到閃存中。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明提供的用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法，閃存轉(zhuǎn)化層采用4KB數(shù)據(jù)塊映射算法，從而能夠有效提高隨機(jī)讀寫(xiě)速度，同時(shí)能夠在有限的片上存儲(chǔ)空間來(lái)實(shí)現(xiàn)越來(lái)越大的映射表。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中FTL映射圖。

圖2為本發(fā)明用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法的流程框圖。

圖3為采用頁(yè)映射方式下隨機(jī)寫(xiě)的FLASH存儲(chǔ)分布。

圖4為采用4KB映射方式下隨機(jī)寫(xiě)的FLASH存儲(chǔ)分布。

圖5為傳統(tǒng)頁(yè)映射的PMT映射圖。

圖6為本發(fā)明一種優(yōu)選實(shí)施方式中4KB映射的PMT映射圖。

如下具體實(shí)施例將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的一種用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法作進(jìn)一步說(shuō)明。

隨著閃存物理頁(yè)大小的增大，傳統(tǒng)頁(yè)映射方式將會(huì)導(dǎo)致寫(xiě)入放大WA(Write Amplification)系數(shù)變大，從而無(wú)法滿足寫(xiě)入速度的要求的，同時(shí)，也大大消耗了閃存的“壽命”。

舉一個(gè)簡(jiǎn)單的寫(xiě)入放大例子，假設(shè)Page大小為16KB，每次寫(xiě)入4KB，基本需要：

①讀出此Page內(nèi)不需要修改的12KB；

②尋找新的物理Page寫(xiě)入完整的16KB數(shù)據(jù)(包括讀出的12KB、新寫(xiě)入的4KB)。也就是說(shuō)，寫(xiě)入4KB，實(shí)際上需要寫(xiě)入16KB，寫(xiě)入放大系數(shù)是

為了克服上述技術(shù)缺陷，參見(jiàn)圖2，所示為本發(fā)明一種用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的閃存轉(zhuǎn)換層控制方法的流程框圖，包括以下步驟：

步驟S1：在閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)中設(shè)置最小管理單元，且N個(gè)最小管理單元?jiǎng)偤脴?gòu)成一個(gè)閃存物理頁(yè)的空間，其中，N為大于0的正整數(shù)；優(yōu)選地，最小管理單元通常采用4KB存儲(chǔ)容量，通常操作系統(tǒng)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的以4KB為最小單位，同時(shí)，IOPS的測(cè)量也是基于4KB大小的隨機(jī)數(shù)據(jù)塊。

步驟S2：邏輯地址和物理地址之間以最小管理單元來(lái)進(jìn)行映射；

步驟S3：FTL為每個(gè)最小管理單元數(shù)據(jù)給予一個(gè)地址標(biāo)識(shí)進(jìn)行管理；

步驟S4：當(dāng)主機(jī)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，等待連續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)達(dá)到一個(gè)完整的閃存物理頁(yè)空間后，再一次性寫(xiě)入一個(gè)完整的空白閃存物理頁(yè)。

參見(jiàn)圖3和圖4，所示分別為采用頁(yè)映射方式和4KB映射方式下隨機(jī)寫(xiě)的FLASH存儲(chǔ)分布情況。從圖3可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的頁(yè)映射一個(gè)Page只是寫(xiě)入了4KB，剩余的部分用其它數(shù)據(jù)填滿，16KB的空間只記錄了4KB有效數(shù)據(jù)。從圖4可以看出，本發(fā)明提出的4KB映射，一個(gè)Page能夠存滿16KB的數(shù)據(jù)?；驹頌椋簛?lái)自主機(jī)的寫(xiě)入數(shù)據(jù)，每4KB給予一個(gè)地址進(jìn)行管理；連續(xù)幾個(gè)4KB達(dá)到一個(gè)完整的閃存Page數(shù)據(jù)量的時(shí)候，把它們一次性寫(xiě)入一個(gè)完整的閃存Page。特別當(dāng)Flash讀寫(xiě)采用4KB隨機(jī)讀寫(xiě)(4KB Random R/W)時(shí)，4KB映射的寫(xiě)優(yōu)勢(shì)特別明顯。由于隨機(jī)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的最小單元為4KB,把FTL的最小管理單元也適應(yīng)性地調(diào)整為每4KB數(shù)據(jù)塊為最小單元來(lái)進(jìn)行映射和管理后，理性狀態(tài)下，寫(xiě)入放大系數(shù)WA＝1。使得隨機(jī)寫(xiě)入速度，幾乎接近于連續(xù)數(shù)據(jù)流的寫(xiě)入，大大提高了隨機(jī)寫(xiě)入的性能。

閃存映射表(FMT)中，最重要的表為頁(yè)映射表(Paging Mapping Table,PMT)，PMT是算法的核心，它至少包括邏輯頁(yè)到物理頁(yè)映射(Logic Page To Physical Page Mapping)，參見(jiàn)圖5，所示為傳統(tǒng)頁(yè)映射的PMT映射圖，內(nèi)存地址表示邏輯頁(yè)號(hào)，內(nèi)存值表示物理頁(yè)號(hào)，PMT中存儲(chǔ)的每個(gè)物理地址信息對(duì)應(yīng)一個(gè)閃存物理頁(yè)，根據(jù)邏輯頁(yè)號(hào)可以獲取物理頁(yè)號(hào)。

在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，所述步驟S3中，在閃存映射表(FMT)中為每個(gè)最小管理單元數(shù)據(jù)設(shè)置一個(gè)獨(dú)立的地址碼。也即在PMT中，為每個(gè)4KB空間設(shè)置一個(gè)獨(dú)立的物理地址。參見(jiàn)圖6，PMT中存儲(chǔ)的每個(gè)物理地址信息對(duì)應(yīng)閃存中的一段4KB空間。

上述技術(shù)方案中，采用4KB為單元的映射，從而大大提高了寫(xiě)入性能，但是由于為每個(gè)4KB空間設(shè)置一個(gè)獨(dú)立的物理地址，以4KB為最小單元的映射引起了映射表存儲(chǔ)空間的成倍增大。映射表大小參見(jiàn)以下公式：

假設(shè)硬盤(pán)存儲(chǔ)空間128GB，每個(gè)映射單元的地址表征字節(jié)數(shù)為4，即用4字節(jié)地址來(lái)表示一個(gè)映射單元的地址，采用16KB Page映射，映射表格大小為32MB；而采用4KB映射，則映射表格大小為128MB。

另外，在上述技術(shù)方案中，由于為每個(gè)4KB空間設(shè)置一個(gè)獨(dú)立的物理地址，讀取時(shí)候的搜索就變成為每4KB就要搜索一次。而在16KB Page為單元的映射情況下，一次映射表的搜索，可以讀取16KB數(shù)據(jù)，即每16KB搜索一次閃存映射表格。因此，隨機(jī)寫(xiě)入性能的增加，一定程度上是以降低了隨機(jī)讀性能為折中的。但是在硬件性能大大提高的前提下，搜索速度(效能)很高，隨機(jī)讀速度的降低相比于隨機(jī)寫(xiě)性能的提高，以及對(duì)于寫(xiě)入放大系數(shù)WA的降低(從而提高閃存使用壽命)，是非常值得的。

在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，閃存映射表(FMT)采用分段調(diào)度的方式，將當(dāng)前需要用到的相關(guān)部分的閃存映射表讀入內(nèi)存，而其余部分閃存映射表存放在外部存儲(chǔ)空間。由于映射表需要在集成電路芯片內(nèi)調(diào)度使用，芯片內(nèi)的緩存一般采用SRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)。超過(guò)1MB大小的SRAM空間對(duì)于當(dāng)前的集成電路細(xì)芯片需要占據(jù)很大的空間，性價(jià)比不高。通過(guò)采用分段調(diào)度的方式可以解決問(wèn)題。即把當(dāng)前需要用到的表格部分，讀入SRAM，而把其余部分存放在芯片外部空間。芯片外部空間存放的形式有兩種：

存放到外部的DRAM(Dynamic Random Access Memory)空間。優(yōu)點(diǎn)是，存取速度很快，性能優(yōu)越。缺點(diǎn)是，需要額外的硬件資源和成本，增加了芯片的復(fù)雜度、額外的DRAM芯片的成本；在電源不穩(wěn)定(包括異常掉電)情形下，很難對(duì)DRAM內(nèi)的大量表格數(shù)據(jù)及時(shí)備份保護(hù)，容易引起硬盤(pán)映射表格的丟失造成硬盤(pán)損壞。適合于電源穩(wěn)定、追求極致讀寫(xiě)性能的硬盤(pán)和系統(tǒng)，比如，高速計(jì)算機(jī)或者服務(wù)器的第一級(jí)硬盤(pán)陣列、熱數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

存放到閃存(Flash Memory)中。優(yōu)點(diǎn)是，沒(méi)有額外硬件成本開(kāi)支；異常電源問(wèn)題的情況下，容易保護(hù)映射表不丟失，或者容易丟失后自我重建，可靠性高。缺點(diǎn)是，存取速度相對(duì)比較慢，引起讀寫(xiě)性能的一定程度下降；該方法也造成額外的閃存寫(xiě)入負(fù)擔(dān)(WA系數(shù)略略增大)。適合于追求可靠性、讀寫(xiě)性能要求一般的硬盤(pán)和系統(tǒng)，比如工業(yè)設(shè)備、大型數(shù)據(jù)庫(kù)的冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

下面通過(guò)計(jì)算分析4KB映射存儲(chǔ)管理的讀寫(xiě)速度及性能分析。假設(shè)隨機(jī)寫(xiě)入4個(gè)4KB的數(shù)據(jù)，F(xiàn)lash的頁(yè)大小為16KB，以下分別計(jì)算頁(yè)映射和4KB映射的速度。

隨機(jī)寫(xiě)入4個(gè)4KB的數(shù)據(jù)時(shí)，4KB映射算法最大寫(xiě)速度(不更換映射表)：

最小寫(xiě)速度(每個(gè)4KB都要更換全部的映射表)：

公式(3)和公式(4)中，Tx0是指寫(xiě)入16KB數(shù)據(jù)過(guò)程用來(lái)通過(guò)總線搬移數(shù)據(jù)的時(shí)間；Tw是寫(xiě)入閃存時(shí)候的編程等待時(shí)間(體現(xiàn)為閃存總線總即busy時(shí)間)；本文芯片內(nèi)，SRAM資源用于存放4KB Mapping映射表的大小為13KB(其中8KB為直接地址映射，3KB為其他輔助信息)，搬移映射表的時(shí)間為T(mén)x1，讀取閃存數(shù)的總線等待時(shí)間(體現(xiàn)為總線忙即busy時(shí)間)為T(mén)r，如果兩個(gè)4KB之間需要全部更新一次映射表(調(diào)用和更新當(dāng)前SRAM內(nèi)的映射表)的時(shí)間為T(mén)m＝Tr+Tx1。

隨機(jī)寫(xiě)入4個(gè)4KB的數(shù)據(jù)時(shí)，頁(yè)映射算法最大寫(xiě)速度(不更換映射表)：

最小寫(xiě)速度(每個(gè)4KB都要更換全部的映射表)：

公式(5)和公式(6)中，由于頁(yè)映射(Page Mapping)每次系統(tǒng)對(duì)硬盤(pán)寫(xiě)入4KB數(shù)據(jù)時(shí)候，硬盤(pán)控制器芯片需要對(duì)另外12KB數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)齊，所以需要一個(gè)12KB數(shù)據(jù)的搬移時(shí)間Tp，以及一個(gè)讀的延遲時(shí)間Tr(從閃存讀取12KB時(shí)候的總線等待時(shí)間，體現(xiàn)為總線忙即BUSY時(shí)間)。

對(duì)比公式(3)和(5)，(4)和(6)，得知4KB映射的寫(xiě)速度高于頁(yè)映射。

針對(duì)128GB的固態(tài)硬盤(pán)，閃存映射表(FMT表)總計(jì)32MB，按本文芯片資源給予的8KB SRAM內(nèi)存，具有4M個(gè)“映射表段”(每個(gè)8KB大小)，其中只有一段8KB映射表段被導(dǎo)入控制器芯片內(nèi)存SRAM(稱(chēng)為“當(dāng)前內(nèi)存表段”)，可以隨時(shí)被搜索查詢。因此，隨機(jī)寫(xiě)入的4個(gè)4KB數(shù)據(jù)，有四種可能性分布對(duì)應(yīng)于落入FMT中：

全部4個(gè)4KB數(shù)據(jù)落在同一個(gè)映射表段，那么此時(shí)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)只有一個(gè)busy時(shí)間，概率為：

(2)全部4個(gè)4KB數(shù)據(jù)落在兩個(gè)映射表段，有兩個(gè)busy時(shí)間，概率為：

(3)全部4個(gè)4KB數(shù)據(jù)落在三個(gè)映射表段，有三個(gè)busy時(shí)間，概率為：

全部4個(gè)4KB數(shù)據(jù)落在四個(gè)映射表段，有四個(gè)busy時(shí)間，概率為：

當(dāng)寫(xiě)入四個(gè)4KB數(shù)據(jù)時(shí)，平均概率為：

頁(yè)映射(Page Mapping)在隨機(jī)寫(xiě)入4個(gè)4KB數(shù)據(jù)時(shí)候，它首先傳輸4KB有效數(shù)據(jù)給相應(yīng)地址的頁(yè)(頁(yè)大小為16KB)，F(xiàn)lash讀寫(xiě)是以頁(yè)為單位的，則頁(yè)內(nèi)剩下的空間填充全1或全0。由于是隨機(jī)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，并且是頁(yè)映射，那么每次隨機(jī)寫(xiě)入4KB的地址都不同，它將會(huì)如第一個(gè)4KB數(shù)據(jù)那樣寫(xiě)入另一個(gè)頁(yè)中，每次寫(xiě)入16KB到Flash中，有效的數(shù)據(jù)也只有4KB，那么它的傳輸效率為25％。按第一章末尾分析的結(jié)果，其寫(xiě)入放大系數(shù)WA>4。

相比之下，基于4KB映射的方法，在隨機(jī)寫(xiě)入4個(gè)4KB數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)在16KB大小的頁(yè)內(nèi)等待4個(gè)4KB數(shù)據(jù)寫(xiě)完，再寫(xiě)入Flash中，也就是說(shuō)這個(gè)頁(yè)寫(xiě)入的都是需要傳輸?shù)?個(gè)4KB的有效數(shù)據(jù)，所以理論值上的傳輸效率為100％。相應(yīng)的寫(xiě)入放大系數(shù)WA>1而且接近于1。

基于4KB映射算法思路，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一顆固態(tài)硬盤(pán)控制器芯片的設(shè)計(jì)。該芯片采用110nm工藝，已經(jīng)在8英寸硅片上面實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。芯片尺寸3.908mm*3.746mm,采用SATA PHY，具有3Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。片上集成的電源管理電路，可以把5V電源轉(zhuǎn)換成為I/O電路和閃存芯片需要的3.3V電壓，同時(shí)也產(chǎn)生芯片內(nèi)部需要的1.2V電源。本發(fā)明討論的映射表存儲(chǔ)采用SRAM實(shí)現(xiàn)。

為了檢驗(yàn)本發(fā)明描述算法的效果，這里采用市場(chǎng)上常見(jiàn)的M公司的兩個(gè)NAND閃存型號(hào)來(lái)進(jìn)行測(cè)試和比較，其中一個(gè)型號(hào)的閃存頁(yè)面大小(Page Size)為8KB，另外一個(gè)型號(hào)的閃存頁(yè)面大小為16KB，因?yàn)槌鲎酝粋€(gè)公司的同系列產(chǎn)品，其余標(biāo)稱(chēng)參數(shù)基本上一致，如讀取等待時(shí)間為75us，編程(寫(xiě)入)等待時(shí)間1300us。通過(guò)測(cè)速軟件來(lái)測(cè)試這兩款Flash使用頁(yè)映射和4KB映射的隨機(jī)傳輸4KB數(shù)據(jù)的寫(xiě)速度，如表1所示。可以看出：無(wú)論頁(yè)面大小是8KB還是16KB，4KB映射的平均速度明顯比頁(yè)映射的速度快,并且頁(yè)面越大，4KB映射的速度與頁(yè)映射的速度差距增大。

表1使用不同映射方式的隨機(jī)寫(xiě)測(cè)試速度

上述討論4KB映射方式下的隨機(jī)寫(xiě)性能，在實(shí)際存儲(chǔ)操作中，還需要考慮連續(xù)寫(xiě)性能。4KB映射方式，由于FMT更新更頻繁，顯然，當(dāng)寫(xiě)入大數(shù)據(jù)時(shí)，相對(duì)于頁(yè)映射方式，其寫(xiě)效率反而降低。

為了克服上述技術(shù)缺陷，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，還包括獲取主機(jī)寫(xiě)入文件大小的步驟，當(dāng)文件的數(shù)據(jù)量大于單個(gè)閃存物理頁(yè)的存儲(chǔ)空間時(shí)，采用頁(yè)映射進(jìn)行閃存管理。而當(dāng)文件的數(shù)據(jù)量小于單個(gè)閃存物理頁(yè)的存儲(chǔ)空間時(shí)，將文件的數(shù)據(jù)先以最小管理單元為單位進(jìn)行分割，再以最小管理單元映射進(jìn)行閃存管理。也即采用頁(yè)映射和4KB映射相結(jié)合的方式，從而提高了閃存轉(zhuǎn)換層的隨機(jī)寫(xiě)性能和連續(xù)寫(xiě)性能。

以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。

對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。