本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種版圖的非矩形區(qū)域?qū)哟螜z測(cè)方法。

背景技術(shù)：

客戶版圖的數(shù)據(jù)檢查是制作光罩前的必要步驟，不同區(qū)域的圖形層次有著不同的要求；比如某些層次在某些區(qū)域如密封環(huán)形(seal ring)區(qū)域禁止出現(xiàn)?，F(xiàn)有進(jìn)行版圖數(shù)據(jù)檢測(cè)時(shí)，通常采用EDA驗(yàn)證工具進(jìn)行檢測(cè)，現(xiàn)有版圖的數(shù)據(jù)檢測(cè)中，通過(guò)只能對(duì)矩形區(qū)域內(nèi)的圖形層次進(jìn)行準(zhǔn)確的識(shí)別，而隨著工藝向深亞微米發(fā)展，在客戶數(shù)據(jù)檢測(cè)的過(guò)程中，會(huì)碰到越來(lái)越多的區(qū)域，這些區(qū)域可能不是矩形區(qū)域，比如環(huán)形區(qū)域。在集成電路中，深亞微米工藝對(duì)應(yīng)于0.25微米以下的工藝，客戶數(shù)據(jù)檢測(cè)過(guò)程中的區(qū)域?qū)?yīng)于客戶區(qū)域，也即客戶需要對(duì)版圖的圖形層次進(jìn)行檢測(cè)的區(qū)域，使出現(xiàn)在客戶區(qū)域內(nèi)的圖形層次都要滿足客戶要求。

由于現(xiàn)有方法只能實(shí)現(xiàn)對(duì)矩形區(qū)域內(nèi)的圖形層次進(jìn)行檢測(cè)，而隨著工藝尺寸的縮小，越來(lái)越多的區(qū)域不再是矩形或者不能再近似為矩形。如圖1所示，是現(xiàn)有版圖的層次檢測(cè)方法無(wú)法正確識(shí)別的密封環(huán)形角(Seal Ring Corner)的示意圖，圖1中顯示了密封環(huán)形101的一個(gè)角，該角在圖1中用虛線圈102標(biāo)出，這種如虛線圈102所示的角區(qū)域的出現(xiàn)，使得對(duì)版圖的圖形層次的檢測(cè)變得不準(zhǔn)確。所以，如何實(shí)現(xiàn)對(duì)非矩形區(qū)域內(nèi)的圖形層次進(jìn)行準(zhǔn)確的檢測(cè)，以適應(yīng)工藝尺寸越來(lái)越小、非矩形區(qū)域出現(xiàn)的幾率越來(lái)越低的情形成為了一個(gè)重要的研究課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種版圖的非矩形區(qū)域?qū)哟螜z測(cè)方法，能實(shí)現(xiàn)對(duì)版圖的非矩形區(qū)域?qū)哟蔚母鼫?zhǔn)確的識(shí)別。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的版圖的非矩形區(qū)域?qū)哟螜z測(cè)方法包括如下步驟：

步驟一、根據(jù)芯片的版圖上的客戶區(qū)域確定客戶區(qū)域邊界。

步驟二、根據(jù)所述客戶區(qū)域邊界計(jì)算出位于所述客戶區(qū)域邊界內(nèi)的最大內(nèi)置矩形并計(jì)算出位于所述最大內(nèi)置矩形區(qū)域內(nèi)的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟三、根據(jù)所述客戶區(qū)域邊界計(jì)算出位于所述客戶區(qū)域邊界外的最小外置矩形并計(jì)算出位于所述最小外置矩形區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟四、將所述最小外置矩形和所述最大內(nèi)置矩形之間的區(qū)域設(shè)置為邊角區(qū)域，計(jì)算出所述邊角區(qū)域內(nèi)的所有圖形的層次并對(duì)對(duì)所述邊角區(qū)域內(nèi)的所有圖形分別和所述邊角區(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域進(jìn)行布爾運(yùn)算，通過(guò)布爾運(yùn)算判斷所述邊角區(qū)域內(nèi)的所有圖形是位于所述客戶區(qū)域邊界內(nèi)還是外。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述客戶區(qū)域邊界為非矩形。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，多邊形、圓形或環(huán)形。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中采用EDA驗(yàn)證工具計(jì)算位于所述最大內(nèi)置矩形區(qū)域內(nèi)的所述版圖的所有圖形的層次。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟三中采用EDA驗(yàn)證工具計(jì)算位于所述最小外置矩形區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中的布爾運(yùn)算包括用對(duì)應(yīng)的圖形對(duì)所述邊角區(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域進(jìn)行SUB運(yùn)算，如果SUB運(yùn)算結(jié)果為0，則對(duì)應(yīng)的所述圖形位于所述客戶區(qū)域內(nèi)。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中，如果所述SUB運(yùn)算的結(jié)果為1，則還需用對(duì)應(yīng)的圖形對(duì)所述邊角區(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域進(jìn)行AND運(yùn)算，如果所述AND運(yùn)算的結(jié)果為0，則對(duì)于的所述圖形位于所述客戶區(qū)域外；如果所述AND運(yùn)算的結(jié)果為1，則對(duì)于的所述圖形和所述客戶區(qū)域有交疊。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，位于所述最小外置矩形區(qū)域外的所述版圖的所有圖形為位于所述芯片的邊界內(nèi)以及所述最小外置矩形外的所述版圖的所有圖形。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述版圖為深亞微米級(jí)工藝的版圖。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述版圖的圖形的層次包括：N阱、P阱、有源層、P型擴(kuò)散層、N型擴(kuò)散層、多晶硅、金屬層或接觸孔。

本發(fā)明通過(guò)計(jì)算最大內(nèi)置矩形和最小外置矩形，能夠通過(guò)現(xiàn)有矩形區(qū)域的層次檢測(cè)方法對(duì)最大內(nèi)置矩形內(nèi)和最小外置矩形外的圖形層次進(jìn)行準(zhǔn)確且快速識(shí)別；本發(fā)明僅需對(duì)邊角區(qū)域的圖形層次進(jìn)行布爾運(yùn)算就能對(duì)識(shí)別出邊角區(qū)域內(nèi)的圖形是位于客戶區(qū)域邊界內(nèi)還是外，所以本發(fā)明最后能實(shí)現(xiàn)對(duì)版圖的非矩形區(qū)域?qū)哟蔚母鼫?zhǔn)確的識(shí)別。

另外，由于本發(fā)明僅需對(duì)邊角區(qū)域的圖形層次進(jìn)行布爾運(yùn)算，其它區(qū)域都簡(jiǎn)化為矩形區(qū)域，故本發(fā)明的識(shí)別速度很快，并能提高客戶芯片數(shù)據(jù)版圖檢測(cè)的工作效率。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是現(xiàn)有版圖的層次檢測(cè)方法無(wú)法正確識(shí)別的密封環(huán)形角的示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例方法的流程圖；

圖3A-圖3E是本發(fā)明實(shí)施例方法各步驟中版圖示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例方法的流程圖；如圖3A至圖3E所示，是本發(fā)明實(shí)施例方法各步驟中版圖示意圖；本發(fā)明實(shí)施例版圖的非矩形區(qū)域?qū)哟螜z測(cè)方法包括如下步驟：

步驟一、如圖3A所示，根據(jù)芯片的版圖上的客戶區(qū)域確定客戶區(qū)域邊界2。圖3A中，標(biāo)記1表示整個(gè)芯片的邊界，客戶區(qū)域邊界2內(nèi)部的為客戶區(qū)域，該客戶區(qū)域內(nèi)的圖形層次為檢測(cè)方法所要準(zhǔn)確檢測(cè)的圖形層次。所述客戶區(qū)域邊界2為非矩形，如多邊形、圓形或環(huán)形。

較佳為，圖3A中客戶邊界區(qū)域2為密閉環(huán)形(sealring)，整個(gè)芯片內(nèi)的版圖的圖形層次包括位于客戶區(qū)域內(nèi)(inside sealring)的圖形層次、位于客戶區(qū)域外(out sealring)的圖形層次以及橫跨客戶區(qū)域的圖形層次。

較佳為，本發(fā)明實(shí)施例的所述版圖為深亞微米級(jí)工藝的版圖。深亞微米級(jí)工藝為小于等于0.25微米的工藝。當(dāng)然本發(fā)明實(shí)施例方法也能適用于大于0.25微米的工藝如亞微米級(jí)工藝，但是亞微米級(jí)工藝中非矩形區(qū)域出現(xiàn)的幾率較少，故使用本發(fā)明實(shí)施例方法的幾率也較少。

所述版圖的圖形的層次包括：N阱、P阱、有源層、P型擴(kuò)散層、N型擴(kuò)散層、多晶硅、金屬層或接觸孔。其中多晶硅可能包括由多層，每一層多晶硅對(duì)應(yīng)于一個(gè)圖形的層次；金屬層也可能包括多層，每一層金屬對(duì)應(yīng)于一個(gè)圖形的層次；同樣接觸孔也可能包括多層。這里列出的所述版圖的圖形的層次僅是為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例方法，并不用于對(duì)本發(fā)明實(shí)施例方法的限制，具體的版圖的圖形的層次需要根據(jù)具體工藝所對(duì)應(yīng)的版圖確定。

步驟二、如圖3B所示，根據(jù)所述客戶區(qū)域邊界2計(jì)算出位于所述客戶區(qū)域邊界2內(nèi)的最大內(nèi)置矩形3并計(jì)算出位于所述最大內(nèi)置矩形3區(qū)域內(nèi)的所述版圖的所有圖形的層次。由于最大內(nèi)置矩形3為矩形區(qū)域，故最大內(nèi)置矩形3內(nèi)的圖形層次能夠采用現(xiàn)有圖形檢測(cè)方法直接識(shí)別，因?yàn)楝F(xiàn)有圖形檢測(cè)方法能直接對(duì)矩形區(qū)域內(nèi)的圖形層次進(jìn)行準(zhǔn)確和快速識(shí)別。

較佳為，采用EDA驗(yàn)證工具計(jì)算位于所述最大內(nèi)置矩形3區(qū)域內(nèi)的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟三、如圖3C所示，根據(jù)所述客戶區(qū)域邊界2計(jì)算出位于所述客戶區(qū)域邊界2外的最小外置矩形4并計(jì)算出位于所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。由于最小外置矩形4為矩形區(qū)域，故最小外置矩形4內(nèi)的圖形層次能夠采用現(xiàn)有圖形檢測(cè)方法直接識(shí)別，所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次則為最小外置矩形4所不包含的圖形層次；由圖3C所示可知，位于所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形為位于所述芯片的邊界1內(nèi)以及所述最小外置矩形4外的所述版圖的所有圖形。

較佳為，采用EDA驗(yàn)證工具計(jì)算位于所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟四、如圖3D所示，將所述最小外置矩形4和所述最大內(nèi)置矩形3之間的區(qū)域設(shè)置為邊角區(qū)域。圖3D中將邊角區(qū)域的角落的情形用虛線圈201圈出，并給出了放大的角落的圖形，放大的角落的圖形如虛線圈202所示。

計(jì)算出所述邊角區(qū)域內(nèi)的所有圖形的層次并對(duì)對(duì)所述邊角區(qū)域內(nèi)的所有圖形分別和所述邊角區(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域進(jìn)行布爾運(yùn)算，通過(guò)布爾運(yùn)算判斷所述邊角區(qū)域內(nèi)的所有圖形是位于所述客戶區(qū)域邊界2內(nèi)還是外。

現(xiàn)結(jié)合圖3E對(duì)本發(fā)明實(shí)施例步驟四中的布爾運(yùn)算進(jìn)行如下說(shuō)明：

圖3E中標(biāo)記203所示區(qū)域?yàn)樗鲞吔菂^(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域，圖3E中顯示了3個(gè)有代表性的圖形層次，分別為圖形A、圖形B和圖形C。

布爾運(yùn)算包括用對(duì)應(yīng)的圖形對(duì)所述邊角區(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域進(jìn)行SUB運(yùn)算，如果SUB運(yùn)算結(jié)果為0，則對(duì)應(yīng)的所述圖形位于所述客戶區(qū)域內(nèi)。在圖3E中SUB運(yùn)算后，圖形A和區(qū)域203的SUB運(yùn)算結(jié)果為0，故圖形A位于所述客戶區(qū)域內(nèi)；而圖形B和C和區(qū)域203的SUB運(yùn)算結(jié)果都分別為1，故圖形B和C都不是完全位于所述客戶區(qū)域內(nèi)。

由于圖形B和C不是位于所述客戶區(qū)域內(nèi)，故還需要判斷圖形B和C是否為位于所述客戶區(qū)域外還是為橫跨所述客戶區(qū)域，故還需要進(jìn)行如下步驟：

如果所述SUB運(yùn)算的結(jié)果為1，則還需用對(duì)應(yīng)的圖形對(duì)所述邊角區(qū)域內(nèi)的所述客戶區(qū)域進(jìn)行AND運(yùn)算，如果所述AND運(yùn)算的結(jié)果為0，則對(duì)于的所述圖形位于所述客戶區(qū)域外；如果所述AND運(yùn)算的結(jié)果為1，則對(duì)于的所述圖形和所述客戶區(qū)域有交疊。圖3E中圖形B和區(qū)域203的AND運(yùn)算結(jié)果為1，故圖形B和所述客戶區(qū)域有交疊；圖形C和區(qū)域203的AND運(yùn)算結(jié)果為0，故圖形C位于所述客戶區(qū)域外。

以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。