本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控顯示面板及觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

觸摸屏作為一種輸入媒介，是目前最為簡(jiǎn)單、方便、自然的一種人機(jī)交互方式。在顯示裝置上集成觸控功能，已經(jīng)成為越來(lái)越多顯示器廠商的研發(fā)熱點(diǎn)。

如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的俯視圖。其中示出了顯示面板中基板1’、柵線2’和觸控走線4’與其他部分的連接關(guān)系。其中柵線2’在第一方向X延伸，在第二方向Y排列，數(shù)據(jù)線5’和觸控走線4’均在所述第二方向Y延伸，在所述第一方向X排列，所述第一方向X和所述第二方向Y交叉，數(shù)據(jù)線5’與各個(gè)像素電極6’一一對(duì)應(yīng)。公共電極層7’復(fù)用為觸控電極，與觸控走線4’電連接。其中，柵線2’設(shè)置于第一金屬層中，數(shù)據(jù)線5’和觸控走線4’設(shè)置于第二金屬層中。

如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)中第二金屬層的俯視圖。其中可以看出，觸控走線4’和柵線2’形成了多個(gè)交疊處，此處定義所述柵線2’在所述基板1’的正投影與所述觸控走線4’在所述基板1’的正投影的交疊處為交疊區(qū)域9’。由相互平行的投射線所產(chǎn)生的投影稱為平行投影，且其中平行投射線垂直于投影面的稱為正投影。

如圖3所示，為圖2中A1-A1’方向的剖視圖。其中示出了顯示面板的層級(jí)關(guān)系，具體所述顯示面板包括在圖中z方向自下而上的：基板1’、第一金屬層、絕緣層3’和第二金屬層，第一金屬層設(shè)置有柵線2’，第二金屬層設(shè)置有數(shù)據(jù)線5’和觸控走線4’。圖中未示出像素電極層和公共電極層，像素電極層和公共電極層的位置可以根據(jù)實(shí)際需要選擇設(shè)置。其中也示出了所述交疊區(qū)域9’的位置。

如圖4所示，為現(xiàn)有技術(shù)中觸控走線和柵線交叉處的俯視圖。圖5為圖4中A2-A2’方向的截面圖。在圖中z方向上，觸控走線4’和柵線2’之間僅有一層絕緣層3’，因此觸控走線4’和柵線2’的垂直距離很小，容易產(chǎn)生較大的耦合，進(jìn)一步地，柵線2’會(huì)對(duì)公共電極層7’電位施加耦合，引起顯示畫(huà)面閃爍和顯示出現(xiàn)橫線，大大降低了顯示面板的生產(chǎn)良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種顯示面板，在觸控走線和柵線交疊處墊上半導(dǎo)體塊，增加觸控走線與柵線之間的垂直距離，減小耦合干擾。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括：

基板；

第一金屬層，位于所述基板的一側(cè)，所述第一金屬層包括多條柵線，所述柵線在第一方向延伸；

半導(dǎo)體層，位于所述第一金屬層背離所述基板的一側(cè)，所述半導(dǎo)體層包括多個(gè)半導(dǎo)體塊；

第二金屬層，位于所述半導(dǎo)體層背離所述第一金屬層的一側(cè)且與所述第一金屬層絕緣設(shè)置，所述第二金屬層包括多條觸控走線，所述觸控走線在第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向交叉，所述柵線在所述基板的正投影與所述觸控走線在所述基板的正投影形成多個(gè)交疊區(qū)域，所述半導(dǎo)體塊在所述基板的正投影與所述交疊區(qū)域交疊。

可選地，所述第二金屬層還設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線在所述第二方向延伸。

可選地，所述第一方向垂直于所述第二方向。

可選地，多個(gè)所述半導(dǎo)體塊與多個(gè)所述交疊區(qū)域一一對(duì)應(yīng)。

可選地，所述半導(dǎo)體塊在所述第一方向的長(zhǎng)度大于所述觸控走線在所述第一方向的長(zhǎng)度，且所述半導(dǎo)體塊在所述第二方向的長(zhǎng)度大于所述柵線在所述第二方向的長(zhǎng)度。

可選地，所述交疊區(qū)域位于所述半導(dǎo)體塊在所述基板的正投影之內(nèi)。

可選地，所述半導(dǎo)體塊在所述第一方向的長(zhǎng)度大于所述觸控走線在所述第一方向的長(zhǎng)度，且所述半導(dǎo)體塊在所述第二方向的長(zhǎng)度小于所述觸控走線在所述第二方向的長(zhǎng)度。

可選地，所述半導(dǎo)體塊在所述第一方向的長(zhǎng)度小于所述柵線在所述第一方向的長(zhǎng)度，且所述半導(dǎo)體塊在所述第二方向的長(zhǎng)度大于所述柵線在所述第二方向的長(zhǎng)度。

可選地，所述半導(dǎo)體塊為非晶硅塊、多晶硅塊、單晶硅塊、有機(jī)半導(dǎo)體塊或金屬氧化物半導(dǎo)體塊。

可選地，沿所述顯示面板的法線方向，所述半導(dǎo)體塊的高度為

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

本實(shí)用新型所提供的顯示面板及顯示裝置具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型提供了一種在觸控走線和柵線的交疊處墊上半導(dǎo)體塊的技術(shù)方案，增加了觸控走線和柵線之間的垂直距離，減小了觸控走線和柵線之間的耦合干擾，避免顯示畫(huà)面閃爍和顯示出現(xiàn)橫線，提高顯示面板的生產(chǎn)效率，降低成本，適用于大規(guī)模推廣應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的俯視圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中第二金屬層的俯視圖；

圖3是圖2中A1-A1’方向的截面圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中觸控走線和柵線交叉處的俯視圖；

圖5是圖4中A2-A2’方向的截面圖；

圖6是本實(shí)用新型一實(shí)施例的顯示面板的俯視圖；

圖7是本實(shí)用新型一實(shí)施例的第二金屬層的俯視圖；

圖8是圖7中A3-A3’方向的截面圖；

圖9是本實(shí)用新型一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視圖；

圖10是圖9中A4-A4’方向的截面圖；

圖11是本實(shí)用新型另一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視圖；

圖12是圖11中A5-A5’方向的截面圖；

圖13是本實(shí)用新型再一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視圖；

圖14是本實(shí)用新型又一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本實(shí)用新型將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。

本實(shí)用新型提供了一種顯示面板，在觸控走線和柵線的交疊處墊上半導(dǎo)體塊，進(jìn)而增加了觸控走線和柵線之間的垂直距離。如圖6所示，為本實(shí)用新型的一實(shí)施例的顯示面板的俯視圖。本實(shí)施例中顯示面板包括：基板1；第一金屬層，位于所述基板1的一側(cè)，所述第一金屬層包括多條柵線2，柵線2在第一方向X延伸；半導(dǎo)體層，位于所述第一金屬層背離基板1的一側(cè)，所述半導(dǎo)體層包括多個(gè)半導(dǎo)體塊8；第二金屬層，位于所述半導(dǎo)體層背離所述第一金屬層的一側(cè)且與所述第一金屬層絕緣設(shè)置，所述第二金屬層包括多條觸控走線4，觸控走線4在第二方向Y延伸，第一方向X與第二方向Y交叉，柵線2在基板1的正投影與觸控走線4在基板1的正投影形成多個(gè)交疊區(qū)域，半導(dǎo)體塊8在基板1的正投影與所述交疊區(qū)域交疊。具體地，圖6其中示出了本實(shí)用新型中基板1、柵線2和觸控走線4與其他部分的連接關(guān)系。其中柵線2在第一方向X延伸，在第二方向Y排列，數(shù)據(jù)線5和觸控走線4均在所述第二方向Y延伸，在所述第一方向X排列，所述第一方向X和所述第二方向Y交叉，數(shù)據(jù)線5與各個(gè)像素電極6一一對(duì)應(yīng)。公共電極層7復(fù)用為觸控電極，與觸控走線4電連接。其中，所述柵線2設(shè)置于第一金屬層中，所述數(shù)據(jù)線5和所述觸控走線4設(shè)置于第二金屬層中。

如圖7所示，為本實(shí)用新型的第二金屬層的俯視圖。其中可以看出，觸控走線4和柵線2形成了多個(gè)交疊區(qū)域9。另外，本實(shí)用新型在第一金屬層和第二金屬層之間，設(shè)置了一半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層中包括多個(gè)半導(dǎo)體塊8，所述半導(dǎo)體塊8在所述基板1的正投影與所述交疊區(qū)域9交疊。

此處，所述半導(dǎo)體塊8在所述基板1的正投影與所述交疊區(qū)域9交疊，指的是所述半導(dǎo)體8在基板1的正投影可以完全覆蓋所述交疊區(qū)域9，也可以部分覆蓋所述交疊區(qū)域9。

如圖8所示，為圖7中A3-A3’方向的截面圖。其中示出了該實(shí)施例中顯示面板的層級(jí)關(guān)系，具體所述顯示面板包括在圖中z方向從下至上的基板1、第一金屬層、絕緣層3和第二金屬層。所述第一金屬層和第二金屬層絕緣設(shè)置，這里絕緣設(shè)置指在顯示區(qū)，所述第一金屬層和第二金屬層是互相絕緣的，在邊緣區(qū)域，可能會(huì)因?yàn)榻饘僮呔€布置等原因，存在兩者電連接的情況。在圖中z方向上，所述半導(dǎo)體層設(shè)置于所述第二金屬層和所述第一金屬層之間。即所述半導(dǎo)體塊8設(shè)置于所述觸控走線4和柵線2之間，增加了所述觸控走線4和柵線2之間的在z方向上的垂直距離。

圖8中未示出像素電極層和公共電極層，像素電極層和公共電極層的位置可以根據(jù)實(shí)際需要選擇設(shè)置。公共電極層可以復(fù)用為觸控電極層和顯示電極層，將公共電極層分割成多個(gè)觸控電極，與觸控走線對(duì)應(yīng)連接。所述絕緣層3的材質(zhì)可以選擇為氮化硅，但不限于此。

采用該實(shí)施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)，將數(shù)據(jù)線5和觸控走線4均形成于第二金屬層中，相比于現(xiàn)有技術(shù)中一般采用的將所述數(shù)據(jù)線5和觸控走線4分別形成于不同的金屬層中的結(jié)構(gòu)，省去了一次制作金屬層的結(jié)構(gòu)，即可以減少顯示面板制程中的掩膜次數(shù)，縮短顯示面板制程，提高顯示面板生產(chǎn)效率。但是，本實(shí)用新型不限于此種特定結(jié)構(gòu)，采用其他形式的顯示面板結(jié)構(gòu)。例如，可以將觸控走線4設(shè)置在第二金屬層，將數(shù)據(jù)線5設(shè)置在第三金屬層，當(dāng)?shù)谌饘賹游挥谒龅谝唤饘賹雍偷诙饘賹又g時(shí)，所述半導(dǎo)體層設(shè)置于所述第一金屬層與第三金屬層之間，或設(shè)置于所述第三金屬層和第二金屬層之間均可，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖9所示，為本實(shí)用新型一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視圖，如圖10所示，為圖9中A4-A4’方向的截面圖。所述柵線2在第一方向X延伸，觸控走線4在第二方向Y延伸，所述第一方向X和所述第二方向Y交叉，且所述第一方向和所述第二方向Y可選互相垂直。

所述半導(dǎo)體塊8和所述交疊區(qū)域9可以是一對(duì)一的關(guān)系，也可以是一對(duì)多的關(guān)系。例如，如圖9中所示，所述半導(dǎo)體塊8和交疊區(qū)域9一一對(duì)應(yīng)，在顯示面板的俯視圖中，所述交疊區(qū)域9和所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體塊8在基板1的正投影交疊。

當(dāng)所述半導(dǎo)體塊8和交疊區(qū)域9一一對(duì)應(yīng)時(shí)，所述半導(dǎo)體塊8在第一方向X的長(zhǎng)度可選大于所述觸控走線4在所述第一方向X的長(zhǎng)度，且所述半導(dǎo)體塊8在所述第二方向Y的長(zhǎng)度大于所述柵線2在所述第二方向Y的長(zhǎng)度。即在圖中X方向和Y方向組成的平面中，所述半導(dǎo)體塊8的平面面積大于所對(duì)應(yīng)的交疊區(qū)域9的平面面積。

進(jìn)一步地，所述交疊區(qū)域9可選位于所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體塊8在所述基板1的正投影之內(nèi)，即所述半導(dǎo)體塊8在所述基板1的正投影完全覆蓋所對(duì)應(yīng)的交疊區(qū)域9，這樣可以增加交疊區(qū)域9的整體厚度。

所述半導(dǎo)體塊8可選為非晶硅塊。另外，在實(shí)際應(yīng)用中，所述半導(dǎo)體塊也可以采用多晶硅塊、單晶硅塊、有機(jī)半導(dǎo)體塊或金屬氧化物半導(dǎo)體塊等其他類型，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

所述半導(dǎo)體塊8在圖中z方向的厚度可選設(shè)置為此處半導(dǎo)體塊8的厚度值僅為一個(gè)可選的數(shù)值范圍，在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)實(shí)際需要在該范圍之內(nèi)選取，也可以在該范圍之外選擇其他的厚度值。

然而，在生產(chǎn)過(guò)程中，當(dāng)所述半導(dǎo)體塊8和所對(duì)應(yīng)的交疊區(qū)域9的面積較為接近時(shí)，將兩者上下對(duì)準(zhǔn)的工藝精度不一定很高，可能會(huì)出現(xiàn)兩者錯(cuò)位的情況。例如，如圖11所示，為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視圖。圖12為圖11中A5-A5’方向的截面圖。在該實(shí)施例中，所述交疊區(qū)域9和所述半導(dǎo)體塊8雖然也是一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，但在圖中X方向和Y方向組成的平面中，所述交疊區(qū)域9并未完全落入所述半導(dǎo)體塊8在所述基板的正投影中，兩者僅是部分交疊。但采用該種技術(shù)方案，仍可以實(shí)現(xiàn)增加觸控走線4與柵線2之間的垂直距離。半導(dǎo)體塊8的大小和與交疊區(qū)域9的位置關(guān)系可以根據(jù)需要進(jìn)一步進(jìn)行調(diào)整，只要能夠保證顯示面板中各個(gè)部分的穩(wěn)定性即可，由此也降低了工藝對(duì)準(zhǔn)的精度要求。另外，也可以根據(jù)實(shí)際需要將各個(gè)所述半導(dǎo)體塊8的體積進(jìn)行縮小，以減少相應(yīng)材料的使用，仍可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)效果。

如上所述，所述半導(dǎo)體塊8和交疊區(qū)域9也可以是一對(duì)多的關(guān)系，即可以采用一個(gè)半導(dǎo)體塊8增加多個(gè)交疊區(qū)域9的高度。如圖13所示，其中示出了本實(shí)用新型再一實(shí)施例的觸控走線和柵線交叉處的俯視視圖，其中在第二方向Y排列的多個(gè)交疊區(qū)域9可以共用一個(gè)半導(dǎo)體塊8。在此種技術(shù)方案下，所述半導(dǎo)體塊8在所述第一方向X的長(zhǎng)度可選大于或等于所述觸控走線在所述第一方向X的長(zhǎng)度，且所述半導(dǎo)體塊8在所述第二方向Y的長(zhǎng)度或等于可選小于所述觸控走線在所述第二方向Y的長(zhǎng)度。進(jìn)一步地，所述交疊區(qū)域9可選位于所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體塊8在所述基板1的正投影之內(nèi)，采用一個(gè)半導(dǎo)體塊8即可以完全覆蓋多個(gè)交疊區(qū)域9，增加觸控走線4和柵線2的交疊處的垂直距離。

同樣地，如圖14所示，為本實(shí)用新型又一實(shí)施例的顯示面板的示意圖。在第一方向X排列的多個(gè)交疊區(qū)域9也可以共用一個(gè)半導(dǎo)體塊8。均可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型減小耦合的目的，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。在此種技術(shù)方案下，所述半導(dǎo)體塊8在所述第一方向X的長(zhǎng)度可選小于或等于所述柵線在所述第一方向X的長(zhǎng)度，且所述半導(dǎo)體塊在所述第二方向Y的長(zhǎng)度可選大于或等于所述柵線在所述第二方向Y的長(zhǎng)度。進(jìn)一步地，所述交疊區(qū)域9可選位于所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體塊8在所述基板1的正投影之內(nèi)。

本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。所述顯示裝置可以是電腦顯示器、手機(jī)、平板電腦、電子相冊(cè)等廣泛應(yīng)用的顯示裝置。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案的顯示裝置，可以進(jìn)一步提高顯示效果，并且當(dāng)采用數(shù)據(jù)線和觸控走線設(shè)置于同一金屬層的技術(shù)方案時(shí)，可以進(jìn)一步縮短整個(gè)顯示裝置的制程。

綜上，本實(shí)用新型所提供的顯示面板及顯示裝置具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型提供了一種在觸控走線和柵線的交疊處墊上半導(dǎo)體塊的技術(shù)方案，增加了觸控走線和柵線之間的垂直距離，減小了觸控走線和柵線之間的耦合干擾，避免顯示畫(huà)面閃爍和顯示出現(xiàn)橫線，提高顯示面板的生產(chǎn)效率，降低成本，適用于大規(guī)模推廣應(yīng)用。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的可選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。