本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

觸摸屏作為一種輸入媒介，是目前最為簡(jiǎn)單、方便、自然的一種人機(jī)交互方式。在顯示裝置上集成觸控功能，已經(jīng)成為越來越多顯示器廠商的研發(fā)熱點(diǎn)。

如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。其中顯示面板包括在圖中z方向自下而上的基板1’、第二金屬層、柵極絕緣層3’、第一金屬層、絕緣層6’和公共電極層7’。其中第二金屬層包括多條柵線2’，所述柵線2’在第二方向延伸。所述第一金屬層包括多條數(shù)據(jù)線5’。為了減少顯示面板制備過程中掩膜的次數(shù)，可以將觸控走線也設(shè)置在所述第一金屬層中。公共電極層7’復(fù)用為觸控電極層，分割成多個(gè)觸控電極，每個(gè)所述觸控電極與至少一條所述觸控走線在走線連接處4’電連接。在所述走線連接處4’，所述觸控走線一般通過接線耳連接到所對(duì)應(yīng)的觸控電極上，接線耳是所述觸控走線延伸出的凸起，且所述觸控走線與所述接線耳通過過孔進(jìn)行電連接。圖中未示出像素電極層，像素電極層的位置可以根據(jù)實(shí)際需要選擇設(shè)置。

如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的俯視圖。其中進(jìn)一步示出了顯示面板中基板、第一金屬層和第二金屬層與其他部分的連接關(guān)系。其中柵線2’在第二方向延伸，數(shù)據(jù)線5’和觸控走線8’均在第一方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉。數(shù)據(jù)線5’與各個(gè)像素電極9’一一對(duì)應(yīng)。所述公共電極層7’與所述觸控走線8’在各個(gè)走線連接處4’相連接。其中，圖示X方向?yàn)榈诙较?，圖示Y方向?yàn)榈谝环较?，垂直于第一方向和第二方向所在平面的方向?yàn)閆方向（參考圖1）。

如圖3所示，為現(xiàn)有技術(shù)中公共電極層與觸控走線連接的俯視圖，其中示出了現(xiàn)有技術(shù)中，所述觸控走線8’與所述公共電極層7’的各個(gè)走線連接處4’呈斜線狀排列。如圖4所示，為現(xiàn)有技術(shù)中觸控走線的接線耳與觸控電極連接的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。由于各個(gè)走線連接處4’均存在一個(gè)過孔，而各個(gè)過孔就是一個(gè)個(gè)凹坑，因此在圖1和圖4中z方向，走線連接處4’的膜厚總厚度小于其他區(qū)域的膜厚總厚度，這些厚度較小的區(qū)域，容易引起摩擦異常和配向異常，導(dǎo)致這些區(qū)域的像素亮度與其他區(qū)域的亮度不同，從而形成斜線mura現(xiàn)象，從而造成顯示面板生產(chǎn)效率降低，增加了成本。其中Mura現(xiàn)象指的是顯示器亮度不均勻，造成各種痕跡的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種顯示面板，增加觸控走線與觸控電極連接處的膜厚，減小與其他區(qū)域的厚度差，從而減輕因膜厚不均而造成的斜線mura現(xiàn)象。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括：

基板；

半導(dǎo)體層，位于所述基板的一側(cè)，所述半導(dǎo)體層包括多個(gè)半導(dǎo)體塊；

第一金屬層，位于所述半導(dǎo)體層背離所述基板的一側(cè)，所述第一金屬層包括多條觸控走線；

公共電極層，位于所述第一金屬層背離所述半導(dǎo)體層的一側(cè)；所述公共電極層與所述第一金屬層之間設(shè)置有絕緣層；所述公共電極層包括多個(gè)觸控電極，每個(gè)所述觸控電極與至少一條所述觸控走線在走線連接處電連接；

所述走線連接處與一所述半導(dǎo)體塊對(duì)應(yīng)設(shè)置；各個(gè)所述半導(dǎo)體塊在所述基板上的正投影與所對(duì)應(yīng)的走線連接處在所述基板上的正投影有交疊區(qū)域。

可選地，所述第一金屬層還包括數(shù)條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述觸控走線均在第一方向延伸。

可選地，還包括：

第二金屬層，位于所述基板與所述半導(dǎo)體層之間，所述第二金屬層包括多條柵線，所述柵線在第二方向延伸；

柵極絕緣層，位于所述第二金屬層與所述半導(dǎo)體層之間；所述第一方向垂直于所述第二方向。

可選地，所述走線連接處為從所述觸控走線延伸的接線耳，且所述半導(dǎo)體塊在所述基板上的正投影與所對(duì)應(yīng)的接線耳在所述基板上的正投影有交疊區(qū)域。

可選地，所述觸控電極與所述接線耳通過過孔進(jìn)行電連接。

可選地，所述半導(dǎo)體塊在所述基板上的正投影面積大于等于所述接線耳在所述基板上的正投影面積。

可選地，所述接線耳在所述基板上的正投影位于所述半導(dǎo)體塊在所述基板上的正投影之內(nèi)。

可選地，所述半導(dǎo)體為非晶硅、多晶硅、單晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體或金屬氧化物半導(dǎo)體。

可選地，沿所述基板的法線方向，所述半導(dǎo)體塊的高度為

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

本實(shí)用新型所提供的顯示面板及顯示裝置具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型提供了一種在觸控走線與公共電極層的走線連接處設(shè)置半導(dǎo)體塊的技術(shù)方案，增加走線連接處的膜厚，減小與其他區(qū)域的厚度差，從而減輕因膜厚不均而造成的斜線mura現(xiàn)象，提高顯示面板的生產(chǎn)效率，降低顯示面板的成本，適用于大規(guī)模推廣應(yīng)用。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的俯視圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中公共電極層與觸控走線連接的俯視圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中觸控走線的接線耳與觸控電極連接的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型一實(shí)施例的顯示面板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本實(shí)用新型一實(shí)施例的走線連接處的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本實(shí)用新型中半導(dǎo)體塊與走線連接處一一對(duì)應(yīng)的示意圖；

圖8是本實(shí)用新型中半導(dǎo)體塊與走線連接處一對(duì)多的示意圖；

圖9是本實(shí)用新型另一實(shí)施例的走線連接處的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本實(shí)用新型將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。

本實(shí)用新型提供了一種顯示面板，在觸控走線與公共電極層的走線連接處設(shè)置半導(dǎo)體塊的技術(shù)方案，增加走線連接處的膜厚，減小與其他區(qū)域的厚度差。

如圖5所示，為本實(shí)用新型一實(shí)施例的顯示面板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖，其中所述顯示面板包括在圖中z方向從下至上的基板1、第一金屬層、絕緣層6和公共電極層7。所述公共電極層7分割為多個(gè)觸控電極，所述第一金屬層設(shè)置有觸控走線，每個(gè)所述觸控電極與至少一條所述觸控走線在走線連接處4連接，具體地，所述觸控電極與所述觸控走線可以根據(jù)需要設(shè)置為一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系或一對(duì)多的關(guān)系。其中，走線連接處4與觸控走線電連接，并且，走線連接處4與觸控走線均由第一金屬層形成。并且，第一金屬層還包括數(shù)據(jù)線5與薄膜晶體管的源極和漏極，其中，源極和數(shù)據(jù)線5電連接，漏極與像素電極（圖中未示出）電連接。為了增加所述走線連接處4的膜厚，在所述第一金屬層和所述基板1之間設(shè)置半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括多個(gè)半導(dǎo)體塊10以及位于薄膜晶體管的硅島11。半導(dǎo)體塊10和硅島11分開設(shè)置，硅島11在薄膜晶體管的柵極的作用下，控制源極和漏極的導(dǎo)通或者斷開，以把來自數(shù)據(jù)線5的顯示信號(hào)傳遞給像素電極。所述走線連接處4與一所述半導(dǎo)體塊10對(duì)應(yīng)設(shè)置，即在圖中z方向上，所述半導(dǎo)體塊8設(shè)置于所對(duì)應(yīng)的走線連接處4的下方。所述基板1和所述第一金屬層之間還設(shè)置有第二金屬層，所述第二金屬層設(shè)置有柵線2，所述第一金屬層和第二金屬層之間進(jìn)一步可以設(shè)置有柵極絕緣層3，使得所述第一金屬層和第二金屬層絕緣設(shè)置，此處絕緣設(shè)置指在顯示區(qū)，所述第一金屬層和第二金屬層是互相絕緣的，在邊緣區(qū)域，則可能會(huì)因?yàn)榻饘僮呔€布置等原因，存在兩者電連接的情況。柵線2與薄膜晶體管中的柵極電連接，以把來及柵極驅(qū)動(dòng)電路的柵極信號(hào)傳遞至薄膜晶體管的柵極。

圖中未示出像素電極層，在實(shí)際應(yīng)用中，像素電極層可以根據(jù)實(shí)際需要選擇設(shè)置的位置，所述公共電極層可以復(fù)用為顯示公共電極和觸控電極。需要說明的是，當(dāng)公共電極復(fù)用為觸控電極時(shí)，需要將公共電極層分割成多個(gè)觸控電極，不同的觸控電極之間絕緣設(shè)置，并且每個(gè)觸控電極可以與多個(gè)像素對(duì)應(yīng)設(shè)置。同時(shí)，所述第二金屬層和所述柵極絕緣層3的位置也可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。圖5中示出的僅是一種可選的實(shí)施方式，而實(shí)際應(yīng)用中不以此為限。

進(jìn)一步地，所述第一金屬層中還可以包括數(shù)據(jù)線5，即可選地采用源漏極金屬層制作所述觸控走線，所述數(shù)據(jù)線5和所述觸控走線均在第一方向延伸，在第二方向排列，且所述第一方向和第二方向可選為互相垂直，并且數(shù)據(jù)線5和觸控走線互相絕緣。將所述數(shù)據(jù)線5和觸控走線均形成于第一金屬層中，相比于現(xiàn)有技術(shù)中一般采用的將所述數(shù)據(jù)線5和觸控走線分別形成于不同的金屬層中的結(jié)構(gòu)，省去了一次制作金屬層的結(jié)構(gòu)，即可以減少顯示面板制程中的掩膜次數(shù)，縮短顯示面板制程，提高顯示面板生產(chǎn)效率。但是，本實(shí)用新型不限于此種特定結(jié)構(gòu)，采用其他形式的顯示面板結(jié)構(gòu)，例如，將所述數(shù)據(jù)線5和觸控走線設(shè)置在不同的金屬層，將源漏極金屬層設(shè)置于所述第一金屬層和第二金屬層之間，或?qū)⒃绰O金屬層設(shè)置于所述第二金屬層的上方，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖6所示，為本實(shí)用新型一實(shí)施例的走線連接處的剖視結(jié)構(gòu)示意圖，其中走線連接處4和基板1之間設(shè)置有半導(dǎo)體塊10。在基板1和走線連接處4之間設(shè)置有第二金屬層和柵極絕緣層時(shí)，半導(dǎo)體塊10可以設(shè)置在柵極絕緣層的上方，即設(shè)置于所述柵極絕緣層和所述第一金屬層之間。所述柵極絕緣層的材質(zhì)可以為氮化硅，但不限于此。在該圖中，可以比較直觀地看到，所述半導(dǎo)體塊10增加了在圖中z方向上所述走線連接處4的膜厚。從圖中可以看出，公共電極層7通過位于絕緣層6的過孔12與走線連接處4實(shí)現(xiàn)電連接，由于半導(dǎo)體塊10的設(shè)置，使得走線連接處4被墊高，相比現(xiàn)有技術(shù)中，過孔12的深度變小，由于刻蝕工藝的限制，過孔通常會(huì)有一定的傾斜角，當(dāng)過孔的深度變小時(shí)，由于傾斜角固定，其開口口徑也會(huì)變小。由此，在絕緣層6中，由于過孔12帶來的膜厚減薄區(qū)相比現(xiàn)有技術(shù)中變小，因此，最終形成在所有膜層上的配向?qū)訒?huì)趨于平坦，最終摩擦配向的時(shí)候不會(huì)引起摩擦異常和配向異常，因此，走線連接處不會(huì)出現(xiàn)與其他區(qū)域亮度不同，從而改善了斜線mura。

所述半導(dǎo)體塊10與所述走線連接處4的對(duì)應(yīng)關(guān)系可以是一對(duì)一的關(guān)系，也可以是一對(duì)多的關(guān)系。如圖7所示，為本實(shí)用新型中半導(dǎo)體塊與走線連接處一一對(duì)應(yīng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。所述走線連接處4為從觸控走線延伸出的凸起的接線耳，且所述公共電極與所述接線耳通過過孔進(jìn)行電連接。所述半導(dǎo)體塊10在所述基板1上的正投影與所對(duì)應(yīng)的接線耳（即走線連接處）在所述基板1上的正投影有交疊區(qū)域。由相互平行的投射線所產(chǎn)生的投影稱為平行投影，且其中平行投射線垂直于投影面的稱為正投影。

其中，所述半導(dǎo)體塊10在所述基板1上的正投影與所對(duì)應(yīng)的走線連接處4在所述基板1上的正投影有交疊區(qū)域，指的是所述半導(dǎo)體塊10在所述基板1上的正投影可以完全覆蓋所對(duì)應(yīng)的走線連接處4在所述基板1上的正投影，也可以不完全覆蓋所對(duì)應(yīng)的走線連接處4在所述基板1上的正投影。

在實(shí)際應(yīng)用中，所述半導(dǎo)體塊10在所述基板1上的正投影面積可選大于等于所述接線耳在所述基板1上的正投影面積，且所述走線連接處在所述基板上的正投影可選位于所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體塊在所述基板上的正投影之內(nèi)。采用該種尺寸，可以保證在所述基板1的俯視圖方向上，所述半導(dǎo)體塊10完全覆蓋所對(duì)應(yīng)的各個(gè)走線連接處4，提高所述走線連接處4的整體厚度。并且當(dāng)出現(xiàn)對(duì)位偏差時(shí)，仍可以保證走線連接處4的與半導(dǎo)體塊具有重疊區(qū)域，提高了產(chǎn)品的可靠性。

如圖8所示，為本實(shí)用新型中半導(dǎo)體塊與走線連接處一對(duì)多的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。可以采用一個(gè)半導(dǎo)體塊10增加多個(gè)走線連接處4的膜厚。所述走線連接處4為從觸控走線延伸出的接線耳，所述接線耳在所述基板1上的正投影可選位于所述半導(dǎo)體塊10在所述基板1上的正投影之內(nèi)。采用該種尺寸，在所述基板1的俯視圖方向，一個(gè)半導(dǎo)體塊10即可以完全覆蓋多個(gè)走線連接處4，即同時(shí)增加了多個(gè)走線連接處4的膜厚。

然而，在生產(chǎn)過程中，當(dāng)所述半導(dǎo)體塊10和所述走線連接處4的面積較為接近時(shí)，將兩者上下對(duì)準(zhǔn)的工藝精度不一定很高，可能會(huì)出現(xiàn)兩者錯(cuò)位的情況。例如，如圖9所示，為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的走線連接處的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。在該實(shí)施例中，在所述基板的俯視圖方向，所述走線連接處4并未完全落入所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體塊10的正投影中，兩者僅是部分交疊。但采用該種技術(shù)方案，仍可以實(shí)現(xiàn)增加走線連接處4的膜厚。因此，半導(dǎo)體塊10的大小和與走線連接處4的位置關(guān)系可以根據(jù)需要進(jìn)一步進(jìn)行調(diào)整，只要能夠保證顯示面板中各個(gè)部分的穩(wěn)定性即可，由此也降低了工藝對(duì)準(zhǔn)的精度要求。另外，也可以根據(jù)實(shí)際需要將各個(gè)所述半導(dǎo)體塊8的體積進(jìn)行縮小，以減少相應(yīng)材料的使用，仍可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)效果。

所述半導(dǎo)體塊8可選為非晶硅塊。另外，在實(shí)際應(yīng)用中，所述半導(dǎo)體也可以采用多晶硅、單晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體或金屬氧化物半導(dǎo)體等其他類型，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

所述半導(dǎo)體塊8在圖中z方向的厚度可選設(shè)置為此處半導(dǎo)體塊8的厚度值僅為一個(gè)可選的數(shù)值范圍，在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)實(shí)際需要在該范圍之內(nèi)選取，也可以在該范圍之外選擇其他的厚度值。

本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。所述顯示裝置可以是電腦顯示器、手機(jī)、平板電腦、電子相冊(cè)等廣泛應(yīng)用的顯示裝置。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案的顯示裝置，可以進(jìn)一步提高顯示效果，并且當(dāng)采用數(shù)據(jù)線和觸控走線設(shè)置于同一金屬層的技術(shù)方案時(shí)，可以進(jìn)一步縮短整個(gè)顯示裝置的制程。

綜上，本實(shí)用新型所提供的顯示面板及顯示裝置具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型提供了一種在觸控走線與公共電極層的走線連接處設(shè)置半導(dǎo)體塊的技術(shù)方案，增加走線連接處的膜厚，減小與其他區(qū)域的厚度差，從而減輕因膜厚不均而造成的斜線mura現(xiàn)象，提高顯示面板的生產(chǎn)效率，降低顯示面板的成本，適用于大規(guī)模推廣應(yīng)用。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的可選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。