1.一種自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，包括第一電阻(R1)、電容(C1)及隔離轉(zhuǎn)換模塊(200)；所述第一電阻(R1)的一端電連接輸入電壓端(3V_SB)以接收所述輸入電壓，所述第一電阻(R1)的另一端電連接所述電容(C1)的一端，且所述電容(C1)的另一端電連接接地電位；所述隔離轉(zhuǎn)換模塊(200)電連接所述第一電阻(R1)和所述電容(C1)之間的節(jié)點(diǎn)且所述隔離轉(zhuǎn)換模塊(200)的信號輸出端電連接電源開關(guān)按鈕(POWER_SW)。
2.如權(quán)利要求1所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，所述隔離轉(zhuǎn)換模塊(200)包括串接在所述節(jié)點(diǎn)與所述電源開關(guān)按鈕(POWER_SW)之間的第一隔離轉(zhuǎn)換元件(Q1)及第二隔離轉(zhuǎn)換元件(Q2)。
3.如權(quán)利要求2所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，所述第一隔離轉(zhuǎn)換元件(Q1)及所述第二隔離轉(zhuǎn)換元件(Q2)都為NMOS場效應(yīng)晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，所述第一隔離轉(zhuǎn)換元件(Q1)的柵極電連接所述第一電阻(R1)和電容(C1)之間的節(jié)點(diǎn)，所述第一隔離轉(zhuǎn)換元件(Q1)的源極電連接接地電位，所述第一隔離轉(zhuǎn)換元件(Q1)的漏極電連接所述第二隔離轉(zhuǎn)換元件(Q2)的柵極；所述第二隔離轉(zhuǎn)換元件(Q2)的源極電連接接地電位，所述第二隔離轉(zhuǎn)換元件(Q2)的漏極為所述隔離轉(zhuǎn)換模塊(200)的信號輸出端電連接所述電源開關(guān)按鈕(POWER_SW)。
5.如權(quán)利要求1所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，還包括二極管(D1)，所述二極管(D1)并聯(lián)在所述第一電阻(R1)的兩端。
6.如權(quán)利要求3所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，還包括第二電阻(R2)，所述第二電阻(R2)電連接在所述輸入電壓端(3V_SB)與所述第一隔離轉(zhuǎn)換元件(Q1)的漏極之間。
7.一種自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，包括第一電阻(R1)、電容(C1)、第一NMOS場效應(yīng)晶體管及第二NMOS場效應(yīng)晶體管；
所述第一電阻(R1)的一端電連接輸入電壓端(3V_SB)以接收輸入電壓，所述 第一電阻(R1)的另一端電連接所述電容(C1)的一端，且所述電容(C1)的另一端電連接接地電位；所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的柵極電連接所述第一電阻(R1)和所述電容(C1)之間的節(jié)點(diǎn)，所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的源極電連接接地電位，所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的漏極電連接所述第二NMOS場效應(yīng)晶體管的柵極，所述第二NMOS場效應(yīng)晶體管的源極電連接接地電位，以及所述第二NMOS場效應(yīng)晶體管的漏極電連接電源開關(guān)按鈕(POWER_SW)。
8.如權(quán)利要求7所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，還包括二極管(D1)，所述二極管(D1)并聯(lián)在所述第一電阻(R1)的兩端。
9.如權(quán)利要求7所述的自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，還包括第二電阻(R2)，所述第二電阻(R2)電連接在所述輸入電壓端(3V_SB)及所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的漏極之間。
10.一種自動開機(jī)電路(10)，其特征在于，包括第一電阻(R1)、電容(C1)、第一NMOS場效應(yīng)晶體管及第二NMOS場效應(yīng)晶體管、二極管(D1)及第二電阻(R2)；所述第一電阻(R1)的一端電連接輸入電壓端(3V_SB)以接收所述輸入電壓，所述第一電阻(R1)的另一端電連接所述電容(C1)的一端，且所述電容(C1)的另一端電連接接地電位，所述二極管(D1)與所述第一電阻(R1)并聯(lián)；所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的柵極電連接所述第一電阻(R1)和所述電容(C1)之間的節(jié)點(diǎn)，所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的源極電連接接地電位，所述第一NMOS場效應(yīng)晶體管的漏極通過所述第二電阻(R2)電連接所述輸入電壓端(3V_SB)且電連接所述第二NMOS場效應(yīng)晶體管的柵極，所述第二NMOS場效應(yīng)晶體管的源極電連接接地電位，以及所述第二NMOS場效應(yīng)晶體管的漏極電連接電源開關(guān)按鈕(POWER_SW)。