本發(fā)明涉及flash從節(jié)點(diǎn)控制技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于norflash的寬帶載波從節(jié)點(diǎn)控制方法。

背景技術(shù)：

目前，在寬帶載波中一般都采用flash來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息，但傳統(tǒng)的norflash算法中，若要修改flash中的已有任何數(shù)據(jù)，都要先將整塊flash中的全部數(shù)據(jù)讀到RAM芯片中，然后在RAM芯片中將數(shù)據(jù)修改好，并同時(shí)擦除整塊flash中的全部原有數(shù)據(jù)，然后再將在RAM芯片中已修改好的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到flash中去。

目前這種對(duì)flash中已有數(shù)據(jù)的修改存在如下不足，

如果flash中已有數(shù)據(jù)量較大，大量數(shù)據(jù)的搬移無(wú)疑會(huì)給系統(tǒng)帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)，如果關(guān)鍵數(shù)據(jù)在搬移過(guò)程中出錯(cuò)就可能導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。并且每次修改flash中的已有數(shù)據(jù)都會(huì)對(duì)整塊flash進(jìn)行一次擦除，如果頻繁修改flash中的數(shù)據(jù)，則必然會(huì)較快的讓flash達(dá)到擦除次數(shù)的上限而導(dǎo)致flash壞掉，從而縮短了flash的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有flash對(duì)已有數(shù)據(jù)的修改存在的上述不足，提供一種采用多開(kāi)扇區(qū)，只將要修改的新數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到flash的新扇區(qū)中，同時(shí)將flash原扇區(qū)中的原數(shù)據(jù)設(shè)置為無(wú)效，而不需要對(duì)整塊flash中的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移、擦除和存儲(chǔ)，靈活性好，安全性高的基于norflash的寬帶載波從節(jié)點(diǎn)控制方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

基于norflash的寬帶載波從節(jié)點(diǎn)控制方法，包括flash芯片和與flash芯片連接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干個(gè)扇區(qū)，寬帶載波從節(jié)點(diǎn)控制方法如下：

(1)、初始化flash芯片；

步驟(1-1-1)、上電后讀取所有flash扇區(qū)的數(shù)據(jù)，查詢(xún)出有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)，將有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)保存在RAM芯片中，并同時(shí)將該有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)在flash中的地址也保存在RAM芯片中，以便刪除從節(jié)點(diǎn)時(shí)能確定該從節(jié)點(diǎn)在flash中的地址；

步驟(1-1-2)、每讀1個(gè)扇區(qū)就統(tǒng)計(jì)該扇區(qū)內(nèi)總的從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和有效的從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)，并將統(tǒng)計(jì)的該扇區(qū)總的從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)的數(shù)據(jù)保存在RAM芯片中；并查詢(xún)出當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址，并將該當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址也保存到RAM芯片中；

步驟(1-1-3)、確保有1個(gè)以上已經(jīng)擦除的備用扇區(qū)，第一次上電要擦除至少兩個(gè)扇區(qū)；

(2)、添加flash芯片的從節(jié)點(diǎn)

步驟(1-2-1)、將新的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址，計(jì)算下1個(gè)新的從節(jié)點(diǎn)的flash地址，當(dāng)前flash地址加上從節(jié)點(diǎn)信息長(zhǎng)度即可得到下1個(gè)從節(jié)點(diǎn)地址，若不跨扇區(qū)，則下1個(gè)新的從節(jié)點(diǎn)即可用這個(gè)地址；

步驟(1-2-2)、若跨扇區(qū)，比較所有扇區(qū)的有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)，選出有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)最少的扇區(qū)，將該扇區(qū)所有有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)讀出并存入備用扇區(qū)，并保存當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址到RAM芯片中；最后擦除該扇區(qū)作為下一次存入的一個(gè)備用扇區(qū)；

(3)刪除flash芯片的從節(jié)點(diǎn)；

根據(jù)從節(jié)點(diǎn)保存在RAM芯片中的flash地址，將該flash地址開(kāi)始的從節(jié)點(diǎn)信息長(zhǎng)度的flash區(qū)域?qū)憺?以判斷刪除該從節(jié)點(diǎn)，然后清除掉該從節(jié)點(diǎn)在RAM芯片中對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)和地址，并將RAM芯片中該地址后面的數(shù)據(jù)和地址依次向前移動(dòng)一個(gè)地址。

該方法采用多開(kāi)扇區(qū)，只將要修改的新數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到flash的新扇區(qū)中，不需要對(duì)整塊flash中的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移、擦除和存儲(chǔ)。有效的避免了大量數(shù)據(jù)搬移和頻繁擦除flash的問(wèn)題。靈活性好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，可靠性好，安全性高。

作為優(yōu)選，設(shè)flash芯片共包括5個(gè)扇區(qū)，并設(shè)flash芯片的這5個(gè)扇區(qū)分別為flash_1、flash_2、flash_3、flash_4和flash_5；

設(shè)flash_1的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為8個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為3個(gè)；

設(shè)flash_2的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為8個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為2個(gè)；

設(shè)flash_3的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為2個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為2個(gè)；

設(shè)flash_4的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為0個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為0個(gè)；

設(shè)flash_5的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為8個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為4個(gè)；

如果當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址為flash_3全FF的起始地址；

若flash_3寫(xiě)滿(mǎn)后比較所有flash有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)，因?yàn)閒lash_2中的有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)最少，則將flash_2中有效的從節(jié)點(diǎn)讀出寫(xiě)入flash_4，并保存當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址到RAM芯片；最后擦除flash_2新的做備用扇區(qū)；

假如當(dāng)前flash_5的第一個(gè)節(jié)點(diǎn)是有效從節(jié)點(diǎn)，若要?jiǎng)h除flash_5中的第一個(gè)有效從節(jié)點(diǎn)，則刪除將該flash地址開(kāi)始的從節(jié)點(diǎn)信息長(zhǎng)度的flash區(qū)域?qū)憺?以判斷刪除該從節(jié)點(diǎn)，然后將該從節(jié)點(diǎn)在RAM芯片中對(duì)應(yīng)的地址清除，并將RAM芯片中該地址后面的數(shù)據(jù)和地址依次向前移動(dòng)一個(gè)地址。

作為優(yōu)選，在步驟(1-2-2)中，若有兩個(gè)以上扇區(qū)中的有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)相等，則按順時(shí)針?lè)较虿檎液笳业降牡谝粋€(gè)有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)最少的扇區(qū)作為要讀出所有有效的從節(jié)點(diǎn)的扇區(qū)。

作為優(yōu)選，在所述的5個(gè)扇區(qū)中的每個(gè)flash扇區(qū)都分別包括A存儲(chǔ)區(qū)、B存儲(chǔ)區(qū)、C存儲(chǔ)區(qū)和D存儲(chǔ)區(qū)，并且A存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量小于B存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量，C存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量小于D存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量；當(dāng)要向某個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，將數(shù)據(jù)存在B存儲(chǔ)區(qū)中或D存儲(chǔ)區(qū)中，將該flash扇區(qū)內(nèi)的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)的節(jié)點(diǎn)數(shù)信息存儲(chǔ)在A(yíng)存儲(chǔ)區(qū)中或C存儲(chǔ)區(qū)中。

作為優(yōu)選，若某個(gè)flash扇區(qū)的B存儲(chǔ)區(qū)出現(xiàn)磁導(dǎo)損壞，則將該對(duì)應(yīng)的B存儲(chǔ)區(qū)設(shè)為數(shù)據(jù)不可存儲(chǔ)區(qū)，當(dāng)有數(shù)據(jù)要申請(qǐng)使用數(shù)據(jù)不可存儲(chǔ)區(qū)時(shí)，則有磁導(dǎo)損壞的這個(gè)B存儲(chǔ)區(qū)拒絕存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)，并自動(dòng)將該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到與該B存儲(chǔ)區(qū)在同一個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)的D存儲(chǔ)區(qū)中去。

作為優(yōu)選，若某個(gè)flash扇區(qū)的A存儲(chǔ)區(qū)出現(xiàn)磁導(dǎo)損壞，則將該對(duì)應(yīng)的A存儲(chǔ)區(qū)設(shè)為節(jié)點(diǎn)數(shù)不可存儲(chǔ)區(qū)，當(dāng)要記錄節(jié)點(diǎn)數(shù)信息而要申請(qǐng)使用節(jié)點(diǎn)數(shù)不可存儲(chǔ)區(qū)時(shí)，則有磁導(dǎo)損壞的這個(gè)A存儲(chǔ)區(qū)拒絕存儲(chǔ)該節(jié)點(diǎn)數(shù)信息的記錄，并自動(dòng)將該節(jié)點(diǎn)數(shù)信息的記錄轉(zhuǎn)存到與該A存儲(chǔ)區(qū)在同一個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)的C存儲(chǔ)區(qū)中去。

作為優(yōu)選，當(dāng)同一個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)的A存儲(chǔ)區(qū)、B存儲(chǔ)區(qū)、C存儲(chǔ)區(qū)和D存儲(chǔ)區(qū)這四個(gè)存儲(chǔ)區(qū)中有三個(gè)存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)出現(xiàn)磁導(dǎo)損壞時(shí)，則將這四個(gè)存儲(chǔ)區(qū)所在的這個(gè)flash扇區(qū)設(shè)為不可用扇區(qū)，當(dāng)把某個(gè)flash扇區(qū)被設(shè)為不可用扇區(qū)時(shí)，則該flash扇區(qū)不再接受數(shù)據(jù)使用的申請(qǐng)和節(jié)點(diǎn)數(shù)記錄的申請(qǐng)，并將該不可用的flash扇區(qū)的地址信息存儲(chǔ)到RAM芯片中。

作為優(yōu)選，A存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量等于C存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量，B存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容等于D存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量。

作為優(yōu)選，預(yù)先設(shè)定不同數(shù)據(jù)類(lèi)型存儲(chǔ)所需要的安全存儲(chǔ)閾值；并設(shè)定高于安全存儲(chǔ)閾值的數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)時(shí)需要存儲(chǔ)在兩個(gè)扇區(qū)中，并設(shè)定高于安全存儲(chǔ)閾值的數(shù)據(jù)在一個(gè)扇區(qū)中被刪除后在另一個(gè)扇區(qū)中要延后并自動(dòng)刪除的時(shí)間長(zhǎng)度。

這種方法能夠保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，也讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更加靈活。對(duì)于不重要的數(shù)據(jù)就把安全存儲(chǔ)閾值設(shè)高點(diǎn)，對(duì)于重要的數(shù)據(jù)就把安全存儲(chǔ)閾值設(shè)低點(diǎn)，靈活性好，可靠性高。

作為優(yōu)選，當(dāng)要向flash芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，先判斷所要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)類(lèi)型，然后根據(jù)預(yù)先設(shè)定的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)類(lèi)型的安全存儲(chǔ)閾值來(lái)判斷是否需要將該要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在5個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)扇區(qū)中還是將該要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)同時(shí)存儲(chǔ)在5個(gè)扇區(qū)中的任一兩個(gè)扇區(qū)中；當(dāng)要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)閾值小于該數(shù)據(jù)類(lèi)型所對(duì)應(yīng)的安全存儲(chǔ)閾值時(shí)，則可將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到5個(gè)扇區(qū)中的任何一個(gè)扇區(qū)中；當(dāng)要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)閾值大于或等于該數(shù)據(jù)類(lèi)型所對(duì)應(yīng)的安全存儲(chǔ)閾值時(shí)，則需要將該數(shù)據(jù)同時(shí)存儲(chǔ)到5個(gè)扇區(qū)中的任一兩個(gè)扇區(qū)中；當(dāng)要?jiǎng)h除安全存儲(chǔ)閾值小于設(shè)定值的數(shù)據(jù)時(shí)，則將該數(shù)據(jù)直接從其所在扇區(qū)中完全刪除；當(dāng)要?jiǎng)h除安全存儲(chǔ)閾值在設(shè)定值以上的數(shù)據(jù)時(shí)，則先將該數(shù)據(jù)直接從兩個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)扇區(qū)中刪除，存儲(chǔ)在另一個(gè)扇區(qū)中的該數(shù)據(jù)需要人工干預(yù)才能刪除或者在設(shè)定時(shí)間后自動(dòng)刪除。

本發(fā)明能夠達(dá)到如下效果：

本發(fā)明采用多開(kāi)扇區(qū)，只將要修改的新數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到flash的新扇區(qū)中，不需要對(duì)整塊flash中的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移、擦除和存儲(chǔ)。有效的避免了大量數(shù)據(jù)搬移和頻繁擦除flash的問(wèn)題。靈活性好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，可靠性好，安全性高。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明使用時(shí)的一種使用狀態(tài)示意圖。

圖2是本發(fā)明flash的一種示意圖。

圖3是本發(fā)明使用時(shí)的另一種使用狀態(tài)示意圖。

圖4是本發(fā)明RAM芯片與flash芯片連接的一種示意框圖。

圖5是本發(fā)明flash芯片5個(gè)扇區(qū)的每個(gè)flash扇區(qū)都分別包括A存儲(chǔ)區(qū)、B存儲(chǔ)區(qū)、C存儲(chǔ)區(qū)和D存儲(chǔ)區(qū)這四個(gè)存儲(chǔ)區(qū)的一種連接結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說(shuō)明。

實(shí)施例1：基于norflash的寬帶載波從節(jié)點(diǎn)控制方法，參見(jiàn)圖1、圖2、圖3、圖4所示，包括flash芯片和與flash芯片連接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干個(gè)扇區(qū)，寬帶載波從節(jié)點(diǎn)控制方法如下：

(1)、初始化flash芯片；

步驟(1-1-1)、上電后讀取所有flash扇區(qū)的數(shù)據(jù)，查詢(xún)出有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)，將有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)保存在RAM芯片中，并同時(shí)將該有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)在flash中的地址也保存在RAM芯片中，以便刪除從節(jié)點(diǎn)時(shí)能確定該從節(jié)點(diǎn)在flash中的地址；

步驟(1-1-2)、每讀1個(gè)扇區(qū)就統(tǒng)計(jì)該扇區(qū)內(nèi)總的從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和有效的從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)，并將統(tǒng)計(jì)的該扇區(qū)總的從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)的數(shù)據(jù)保存在RAM芯片中；并查詢(xún)出當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址，并將該當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址也保存到RAM芯片中；

步驟(1-1-3)、確保有1個(gè)以上已經(jīng)擦除的備用扇區(qū)，第一次上電要擦除至少兩個(gè)扇區(qū)；

(2)、添加flash芯片的從節(jié)點(diǎn)

步驟(1-2-1)、將新的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址，計(jì)算下1個(gè)新的從節(jié)點(diǎn)的flash地址，當(dāng)前flash地址加上從節(jié)點(diǎn)信息長(zhǎng)度即可得到下1個(gè)從節(jié)點(diǎn)地址，若不跨扇區(qū)，則下1個(gè)新的從節(jié)點(diǎn)即可用這個(gè)地址；

步驟(1-2-2)、若跨扇區(qū)，比較所有扇區(qū)的有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)，選出有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)最少的扇區(qū)，將該扇區(qū)所有有效的從節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)讀出并存入備用扇區(qū)，并保存當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址到RAM芯片中；最后擦除該扇區(qū)作為下一次存入的一個(gè)備用扇區(qū)；

(3)刪除flash芯片的從節(jié)點(diǎn)；

根據(jù)從節(jié)點(diǎn)保存在RAM芯片中的flash地址，將該flash地址開(kāi)始的從節(jié)點(diǎn)信息長(zhǎng)度的flash區(qū)域?qū)憺?以判斷刪除該從節(jié)點(diǎn)，然后清除掉該從節(jié)點(diǎn)在RAM芯片中對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)和地址，并將RAM芯片中該地址后面的數(shù)據(jù)和地址依次向前移動(dòng)一個(gè)地址。

該方法采用多開(kāi)扇區(qū)，只將要修改的新數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到flash的新扇區(qū)中，不需要對(duì)整塊flash中的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移、擦除和存儲(chǔ)。有效的避免了大量數(shù)據(jù)搬移和頻繁擦除flash的問(wèn)題。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，可靠性好，安全性高。

設(shè)flash芯片共包括5個(gè)扇區(qū)，并設(shè)flash芯片的這5個(gè)扇區(qū)分別為flash_1、flash_2、flash_3、flash_4和flash_5；

設(shè)flash_1的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為8個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為3個(gè)；

設(shè)flash_2的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為8個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為2個(gè)；

設(shè)flash_3的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為2個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為2個(gè)；

設(shè)flash_4的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為0個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為0個(gè)；

設(shè)flash_5的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為8個(gè)、有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)為4個(gè)；

如果當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址為flash_3全FF的起始地址；

若flash_3寫(xiě)滿(mǎn)后比較所有flash有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)，因?yàn)閒lash_2中的有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)最少，則將flash_2中有效的從節(jié)點(diǎn)讀出寫(xiě)入flash_4，并保存當(dāng)前可直接寫(xiě)入的flash地址到RAM芯片；最后擦除flash_2新的做備用扇區(qū)；

假如當(dāng)前flash_5的第一個(gè)節(jié)點(diǎn)是有效從節(jié)點(diǎn)，若要?jiǎng)h除flash_5中的第一個(gè)有效從節(jié)點(diǎn)，則刪除將該flash地址開(kāi)始的從節(jié)點(diǎn)信息長(zhǎng)度的flash區(qū)域?qū)憺?以判斷刪除該從節(jié)點(diǎn)，然后將該從節(jié)點(diǎn)在RAM芯片中對(duì)應(yīng)的地址清除，并將RAM芯片中該地址后面的數(shù)據(jù)和地址依次向前移動(dòng)一個(gè)地址。

在步驟(1-2-2)中，若有兩個(gè)以上扇區(qū)中的有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)相等，則按順時(shí)針?lè)较虿檎液笳业降牡谝粋€(gè)有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)最少的扇區(qū)作為要讀出所有有效的從節(jié)點(diǎn)的扇區(qū)。

參見(jiàn)圖5所示，在所述的5個(gè)扇區(qū)中的每個(gè)flash扇區(qū)都分別包括A存儲(chǔ)區(qū)S1、B存儲(chǔ)區(qū)S2、C存儲(chǔ)區(qū)S3和D存儲(chǔ)區(qū)S4，并且A存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量小于B存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量，C存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量小于D存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量。A存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量等于C存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量，B存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容等于D存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)容量。當(dāng)要向某個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，將數(shù)據(jù)存在B存儲(chǔ)區(qū)中或D存儲(chǔ)區(qū)中，將該flash扇區(qū)內(nèi)的總節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)和有效從節(jié)點(diǎn)個(gè)數(shù)的節(jié)點(diǎn)數(shù)信息存儲(chǔ)在A(yíng)存儲(chǔ)區(qū)中或C存儲(chǔ)區(qū)中。

若某個(gè)flash扇區(qū)的B存儲(chǔ)區(qū)出現(xiàn)磁導(dǎo)損壞，則將該對(duì)應(yīng)的B存儲(chǔ)區(qū)設(shè)為數(shù)據(jù)不可存儲(chǔ)區(qū)，當(dāng)有數(shù)據(jù)要申請(qǐng)使用數(shù)據(jù)不可存儲(chǔ)區(qū)時(shí)，則有磁導(dǎo)損壞的這個(gè)B存儲(chǔ)區(qū)拒絕存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)，并自動(dòng)將該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到與該B存儲(chǔ)區(qū)在同一個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)的D存儲(chǔ)區(qū)中去。

若某個(gè)flash扇區(qū)的A存儲(chǔ)區(qū)出現(xiàn)磁導(dǎo)損壞，則將該對(duì)應(yīng)的A存儲(chǔ)區(qū)設(shè)為節(jié)點(diǎn)數(shù)不可存儲(chǔ)區(qū)，當(dāng)要記錄節(jié)點(diǎn)數(shù)信息而要申請(qǐng)使用節(jié)點(diǎn)數(shù)不可存儲(chǔ)區(qū)時(shí)，則有磁導(dǎo)損壞的這個(gè)A存儲(chǔ)區(qū)拒絕存儲(chǔ)該節(jié)點(diǎn)數(shù)信息的記錄，并自動(dòng)將該節(jié)點(diǎn)數(shù)信息的記錄轉(zhuǎn)存到與該A存儲(chǔ)區(qū)在同一個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)的C存儲(chǔ)區(qū)中去。

當(dāng)同一個(gè)flash扇區(qū)內(nèi)的A存儲(chǔ)區(qū)、B存儲(chǔ)區(qū)、C存儲(chǔ)區(qū)和D存儲(chǔ)區(qū)這四個(gè)存儲(chǔ)區(qū)中有三個(gè)存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)出現(xiàn)磁導(dǎo)損壞時(shí)，則將這四個(gè)存儲(chǔ)區(qū)所在的這個(gè)flash扇區(qū)設(shè)為不可用扇區(qū)，當(dāng)把某個(gè)flash扇區(qū)被設(shè)為不可用扇區(qū)時(shí)，則該flash扇區(qū)不再接受數(shù)據(jù)使用的申請(qǐng)和節(jié)點(diǎn)數(shù)記錄的申請(qǐng)，并將該不可用的flash扇區(qū)的地址信息存儲(chǔ)到RAM芯片中。

本實(shí)施例1采用多開(kāi)扇區(qū)，只將要修改的新數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到flash的新扇區(qū)中，不需要對(duì)整塊flash中的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移、擦除和存儲(chǔ)。有效的避免了大量數(shù)據(jù)搬移和頻繁擦除flash的問(wèn)題。靈活性好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，可靠性好。

實(shí)施例2，實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處在于，

預(yù)先設(shè)定不同數(shù)據(jù)類(lèi)型存儲(chǔ)所需要的安全存儲(chǔ)閾值；并設(shè)定高于安全存儲(chǔ)閾值的數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)時(shí)需要存儲(chǔ)在兩個(gè)扇區(qū)中，并設(shè)定高于安全存儲(chǔ)閾值的數(shù)據(jù)在一個(gè)扇區(qū)中被刪除后在另一個(gè)扇區(qū)中要延后并自動(dòng)刪除的時(shí)間長(zhǎng)度。

當(dāng)要向flash芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，先判斷所要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)類(lèi)型，然后根據(jù)預(yù)先設(shè)定的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)類(lèi)型的安全存儲(chǔ)閾值來(lái)判斷是否需要將該要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在5個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)扇區(qū)中還是將該要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)同時(shí)存儲(chǔ)在5個(gè)扇區(qū)中的任一兩個(gè)扇區(qū)中。

當(dāng)要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)閾值小于該數(shù)據(jù)類(lèi)型所對(duì)應(yīng)的安全存儲(chǔ)閾值時(shí)，則可將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到5個(gè)扇區(qū)中的任何一個(gè)扇區(qū)中。

當(dāng)要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的安全存儲(chǔ)閾值大于或等于該數(shù)據(jù)類(lèi)型所對(duì)應(yīng)的安全存儲(chǔ)閾值時(shí)，則需要將該數(shù)據(jù)同時(shí)存儲(chǔ)到5個(gè)扇區(qū)中的任一兩個(gè)扇區(qū)中。

當(dāng)要?jiǎng)h除安全存儲(chǔ)閾值小于設(shè)定值的數(shù)據(jù)時(shí)，則將該數(shù)據(jù)直接從其所在扇區(qū)中完全刪除。

當(dāng)要?jiǎng)h除安全存儲(chǔ)閾值在設(shè)定值以上的數(shù)據(jù)時(shí)，則先將該數(shù)據(jù)直接從兩個(gè)扇區(qū)中的一個(gè)扇區(qū)中刪除，存儲(chǔ)在另一個(gè)扇區(qū)中的該數(shù)據(jù)需要人工干預(yù)才能刪除或者在設(shè)定時(shí)間后自動(dòng)刪除。

例如，當(dāng)數(shù)據(jù)U的安全存儲(chǔ)閾值小于設(shè)定值時(shí)，則只需將數(shù)據(jù)U存儲(chǔ)到flash_1扇區(qū)中，在刪除flash_1扇區(qū)中的數(shù)據(jù)U時(shí)則將flash_1扇區(qū)中的數(shù)據(jù)U全部刪除。

當(dāng)數(shù)據(jù)U的安全存儲(chǔ)閾值在設(shè)定值以上時(shí)，則需要將數(shù)據(jù)U同時(shí)存儲(chǔ)到flash_1扇區(qū)中和flash_2扇區(qū)中，在刪除flash_1扇區(qū)中的數(shù)據(jù)U時(shí)，flash_2扇區(qū)中的數(shù)據(jù)U暫時(shí)不刪除，如果數(shù)據(jù)U在設(shè)定的時(shí)間內(nèi)沒(méi)有被用戶(hù)從flash_2扇區(qū)中主動(dòng)刪除，則該數(shù)據(jù)U在設(shè)定的時(shí)間后會(huì)自動(dòng)從flash_2扇區(qū)中刪除。

實(shí)施例2的這種方法能夠保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，也讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更加靈活。對(duì)于不重要的數(shù)據(jù)就把安全存儲(chǔ)閾值設(shè)高點(diǎn)，對(duì)于重要的數(shù)據(jù)就把安全存儲(chǔ)閾值設(shè)低點(diǎn)，靈活性好，可靠性高。

上面結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但實(shí)現(xiàn)時(shí)不受上述實(shí)施例限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變化或修改。