本發(fā)明屬于圖像處理的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種消除圖像拼縫的方法。

背景技術(shù)：

在圖像成像拼接過程中，由于各通道電路偏置和增益的不一致，導致了通道間亮度不一致的問題，從而使圖像看上去有明顯的拼拼縫隙?，F(xiàn)有技術(shù)的改善方法是通過調(diào)整拼縫左右的AD增益(數(shù)值模擬增益)達到拼縫兩側(cè)亮度一致的效果。但是在實際過程中，由于無確定的調(diào)整數(shù)值，僅依靠經(jīng)驗和視覺多次調(diào)整，不僅耗時，而且操作起來很難調(diào)整到一致。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述缺陷，提出了一種消除圖像拼縫的方法，可以自動完成通道間亮度差別的彌補，優(yōu)化圖像效果。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種消除圖像拼縫的方法，具體包括以下步驟：

步驟S01：采集全黑圖對原始圖像做校正，得到新的圖像；

步驟S02：在新的圖像的拼縫處，選取拼縫左右各一定的寬度作為左側(cè)或右側(cè)的拼縫平均區(qū)，分別計算出拼縫左側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值和拼縫右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值；

步驟S03：根據(jù)拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值，計算出拼縫左右兩側(cè)的平均亮度差；

步驟S04：將拼縫左右兩側(cè)的平均亮度差彌補到拼縫一側(cè)的全部像素上。

優(yōu)選地，所述步驟S01中，通過關(guān)閉光圈采集所述全黑圖。

優(yōu)選地，所述步驟S01中，用原始圖像的各個像素的亮度減去全黑圖對應(yīng)的各個像素的亮度，得到所述新的圖像。

優(yōu)選地，所述步驟S02中，所述拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值等于拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的像素的亮度和除以拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的像素個數(shù)。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過采集全黑圖對原始圖像做校正，得到一張新的圖像，再在新的圖像的拼縫處，選取拼縫左右各一定的寬度作為左側(cè)或右側(cè)的拼縫平均區(qū)，分別計算出拼縫左右兩側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值，最后，求出拼縫左右兩側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度差并將其彌補到拼縫一側(cè)的所有像素上，以達到優(yōu)化圖像效果，達到消除圖像拼縫的目的。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種消除圖像拼縫的方法流程圖；

圖2為圖像拼縫左右兩邊像素差的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明作進一步詳細的描述。

需要說明的是，在下述的具體實施方式中，在詳述本發(fā)明的實施方式時，為了清楚地表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以便于說明，特對附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖，并進行了局部放大、變形及簡化處理，因此，應(yīng)避免以此作為對本發(fā)明的限定來加以理解。

下面根據(jù)圖1，圖1為本發(fā)明的一種消除圖像拼縫的方法流程圖，并結(jié)合圖2，圖2為圖像拼縫左右兩邊像素差的結(jié)構(gòu)示意圖，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的詳細說明。本發(fā)明的一種消除圖像拼縫的方法，包括以下步驟：

步驟S01：采集全黑圖對原始圖像做校正，得到新的圖像。

由于原始圖像在拼縫處的亮度差別較大，即使在拼縫左右一定寬度的區(qū)域內(nèi)采用平均亮度的方法，也會使誤差較大，不能達到滿意的效果，所以，本發(fā)明首先對原始圖像做校正，最大程度的弱化拼縫兩邊的亮度差，以提高消除拼縫的精度。在本實施例中，在采集圖像的時候，先關(guān)閉光圈，采集不透光情況下的全黑圖，然后用原始圖像的各個像素的亮度減去全黑圖對應(yīng)的各個像素的亮度，得到新的圖像。新的圖像與原始圖像有相同的像素分辨率。圖2所示的新的圖像的高度為h，即有h行像素。

步驟S02：在新的圖像的拼縫處，選取拼縫左右各一定的寬度作為左側(cè)或右側(cè)的拼縫平均區(qū)，分別計算出拼縫左側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值和拼縫右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值；

請參考圖2。如圖所示，在拼縫01的左側(cè)，選擇寬度為w_L、高度為h的條帶作為左側(cè)的拼縫平均區(qū)，同樣的，在拼縫01的右側(cè)，選擇寬度為w_R、高度為h的條帶作為左側(cè)的拼縫平均區(qū)。拼縫平均區(qū)的寬度應(yīng)較小，如果過大，會增加計算的誤差。然后分別計算出拼縫左側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值和拼縫右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值。

拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值等于拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的像素的亮度和除以拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的像素個數(shù)。用程序?qū)崿F(xiàn)平均亮度值的算法，可以采用以下具體步驟：

步驟S021：利用第i行左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)各像素的亮度計算拼縫第i行左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的行平均亮度值。具體地，將第i行左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)各像素的亮度求和后除以左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的寬度(列數(shù))，即得到拼縫第i行左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的行平均亮度值，如下式所示

其中I(i,k)是第i行第k列像素的亮度值，并假設(shè)緊鄰拼縫左側(cè)的單元為第j列，緊鄰拼縫右側(cè)的單元為第j+1列，j為定值，如圖2所示，M_L(i)和M_R(i)分別為拼縫第i行左側(cè)和右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的行平均亮度值。

步驟S022：重復步驟S011分別求出所有行的左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的行平均亮度值。

步驟S023：利用各行的左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的行平均亮度值計算拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值。具體地，將各行的左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的行平均亮度值求和后除以行數(shù)，得到拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值，即如下式所示。

其中M_LT和M_RT是拼縫左側(cè)和右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值，h為圖像的像素高度，也就是行數(shù)。

相似的，先求拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的列平均亮度值，再求出拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的所有列的列平均亮度值，然后將各列的左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)內(nèi)的列平均亮度值求和后除以列數(shù)，也可以求出拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值。當然，也可以有其它的具體程序來實現(xiàn)平均亮度值的計算，只要不背離本發(fā)明的思想，均屬于本發(fā)明的保護范圍。

在步驟S01的基礎(chǔ)上，再實施步驟S02，不僅可以保留原有圖像的所有圖像特征，而且可以提高消除拼縫的精度，達到更好的效果，以實現(xiàn)消除拼縫的目的。

步驟S03：根據(jù)拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值，計算出拼縫左右兩側(cè)的平均亮度差。

使用拼縫左側(cè)或右側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度值，計算出拼縫左右兩側(cè)的平均亮度差，即如下式所示

m＝M_LT-M_RT

其中m為拼縫左右兩側(cè)拼縫平均區(qū)平均亮度差。

步驟S04：將拼縫左右兩側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度差彌補到拼縫一側(cè)的所有像素上。

具體的，可以在像素高的拼縫一側(cè)的所有像素減去平均亮度值，或者在像素低的拼縫一側(cè)的所有像素加上平均亮度值，即實現(xiàn)拼縫兩側(cè)亮度的調(diào)節(jié)，使拼縫兩側(cè)的亮度相同，達到消除拼縫的目的。

綜上所述，本發(fā)明通過先弱化拼縫，再計算拼縫左右兩側(cè)拼縫平均區(qū)的平均亮度差并將其彌補到拼縫一側(cè)的所有像素上，可以自動識別亮度差，并對拼縫附近的亮度進行調(diào)節(jié)，即自動完成通道間亮度差別的彌補，達到了消除圖像拼縫的目的，優(yōu)化圖像的效果。

以上所述的僅為本發(fā)明的實施例，所述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護范圍，因此凡是運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。