【技術領域】

本發(fā)明涉及輻射探測領域，尤其涉及正電子發(fā)射斷層成像系統(tǒng)探測器的晶體像素查找表生成的方法。

背景技術：

正電子發(fā)射斷層成像技術(Positron Emission Tomography，簡稱為PET)是一種在核醫(yī)學領域用放射性核素示蹤的方法顯示人體內部結構的新技術，目前已在腫瘤學、神經系統(tǒng)疾病研究和心血管疾病等研究領域顯示出很好的應用前景。其工作原理主要是正電子同位素衰變產生出的正電子與人體內負電子發(fā)生湮滅效應。目前常用的PET探測器主要采用晶體條組成的晶體陣列耦合光電轉換器件的設計方式。當伽馬光子入射到閃爍晶體時，伽馬光子與晶體相互作用發(fā)生能量沉積并產生可見光信號，光電倍增管接收產生的光信號并將其轉換成相應的電信號輸出，根據獲得的電信號可以計算出伽馬光子的入射位置，定位光子事件發(fā)生能量沉積所在晶體條單元的位置直方圖信息，從而得到湮滅事件響應線的位置。該信息由計算機進行重建組合運算，從而得到人體內標記化合物的三維斷層圖像。然而PET探測器在實際工作過程中的編碼和解碼是非線性的，并且晶體的制作工藝或物理特性會存在一定差異，這些因素都會導致光子事件位置直方圖信息發(fā)生桶形、蝶形、旋轉、壓縮和擴張等不規(guī)則的形變，若不做任何處理，數據獲取過程中，在線處理無法判斷晶體像素的行列坐標，直接導致圖像分辨率下降，更為嚴重的會導致圖像信息錯誤。

為解決上述問題，目前廣泛采用的方法是使用晶體像素查找表(Crystal Lookup Table，全文均簡稱為CLT)對獲得的圖像進行校正和糾偏。然而隨著時間的推移，CLT會產生漂移，且時間越長，產生的漂移越嚴重。因此，每隔一定時間，CLT都要被重新繪制。PET設備上有幾萬個晶體，如果手工繪制CLT，即使有經驗的工程師也需要工作一天以上。最常用的方法是半自動繪制CLT，這種方法不僅校正效果好，而且縮短儀器的維護時間，其具體步驟包括：對事件位置分布的二維直方圖進行晶體檢測得到晶體中心位置圖(Crystal Central Position Map，全文均簡稱為CCPM)；接著對CCPM做自動修正得到修正的CCPM；然后技師檢查修正的CCPM，最后對晶體邊緣進行分割。其中，自動修正的CCPM質量越好，技師檢查和修正所花費的時間越少。CLT生成過程中對CCPM做自動修正的方法主要有排序和配準兩類。排序法是按照一定的方向對探測到的晶體排定順序，通常采用從左到右，從上到下排序或者如文獻[1,2]將晶體投影到行列分別排序，判斷晶體實際排序與預期是否相同，以此推測可能的漏檢或錯檢，并進行自動修正。該方法對單個偽影點或粘連點有很強的矯正效果，但對晶體陣列的整齊程度依賴性強，一旦陣列排列不符合初始假設，一步出錯后往往容易導致累積錯誤，穩(wěn)定性差。配準法包括文獻[3]記載的基于訓練樣本方法，其首先對樣本做基于主成分分析的降維，然后利用訓練樣本晶體中心組成網絡模板，以該模板作為預期，對CCPM進行校正；另外配準法還包括文獻[4]報道的基于原圖的方法，其將原始圖像在傅里葉頻域濾波反變換后建立CCPM，并選擇原始圖像為模板。配準法對陣列形變的適應性強，然而這種方法易落入局部最優(yōu)解，易受偽影、粘連點等因素的影響，正確率低。生成高質量的CLT有利于PET系統(tǒng)獲得精確圖像信息。因此，有必要提出新的晶體像素查找表生成的方法。

[1]Zhihao Hu,Chien-Min Kao,Wei Liu,Yun Dong,Zhi Zhang,Qingguo Xie,Chin-Tu Chen,Semi-automatic position calibration for a dual-head small animal PET scanner,Nuclear Science Symposium Conference Record,IEEE,Vol.2,2007.

[2]Xinzeng Wang,Hui Zhang,Guangshu Hu,A simple and robust method for fast crystal identification,Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference(NSS/MIC),IEEE,2012.

[3]Abhijit J Chaudhari,Anand A Joshi,Spencer L Bowen,Richard M Leahy,Simon R Cherry,Ramsey D Badawi,Crystal identification in positron emission tomography using nonrigid registration to a Fourier-based template,Physics in medicine and biology,53(18),(2008).

[4]Breuer Johannes,Klaus Wienhard,PCA-Based Algorithm for Generation of Crystal Lookup Tables for PET Block Detectors,Nuclear Science,IEEE Transactions on 56(3),2009.

技術實現要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種穩(wěn)定性好、正確率高的晶體像素查找表生成的方法。

本發(fā)明解決上述技術問題所采用的技術方案為:一種晶體像素查找表生成的方法，其特征在于包括如下步驟：

①對入射光子事件位置信息進行二維統(tǒng)計，獲取光子事件位置直方圖；

②對光子事件位置直方圖進行晶體位置檢測，得到晶體中心位置圖；

③根據所述光子事件位置直方圖，獲取所述晶體中心位置圖的初始化位置，根據所述初始化位置遞推所述光子事件位置直方圖中其他晶體中心位置的行列，得到行列化晶體中心位置圖；

④根據所述行列化晶體中心位置圖建立網格模板，利用所述網格模板校正所述晶體中心位置圖，得到校正的晶體中心位置圖；步驟④包括：利用樣條串連行列化晶體中心位置圖生成網格模板，然后對網格模板進行規(guī)整化，并根據規(guī)整化后的網格模板校正所述晶體中心位置圖的行列值，依次迭代處理，直到生成規(guī)整的網格模板為止，再根據規(guī)整的網格模板得到校正的行列化晶體中心位置圖；

⑤根據所述校正的晶體中心位置圖劃分各相鄰晶體的分界線，生成晶體像素查找表。

優(yōu)選的，所述步驟③中根據所述光子事件位置直方圖，獲取所述晶體中心位置圖的初始化位置的具體步驟為：

③-1、令所述晶體中心位置圖中位置居中的任一點在所述光子事件位置直方圖中的對應位置為坐標原點，對所述光子事件位置直方圖進行極坐標變換得到光子事件位置變換域圖像；

③-2、對所述光子事件位置變換域圖像在水平方向上作投影得到光子事件位置變換域圖像投影圖，其中，橫坐標為光子事件位置變換域圖像在極坐標內的弧度值θ,0≤θ≤π，縱坐標為光子事件位置變換域圖像在對應弧度上的投影強度；

③-3、根據所述光子事件位置變換域圖像投影圖定位所述光子事件位置直方圖的中心行列；

③-4、根據所述光子事件位置直方圖的中心行列獲取所述晶體中心位置圖的初始化位置。

優(yōu)選的，所述步驟③-3的具體過程為：確定所述光子事件位置變換域圖像投影圖上縱坐標最小的兩個點的弧度值在所述光子事件位置變換域圖像上所對應的晶體行為所述光子事件位置變換域圖像的中心位置，將所述對應的晶體行的晶體中心位置映射到所述光子事件位置直方圖，得到所述光子事件位置直方圖的中心行列。

優(yōu)選的，所述步驟③中根據所述光子事件位置直方圖，獲取所述晶體中心位置圖的初始化位置的具體步驟為：

③-1、選擇中心相交的行列或其他任一幾何形態(tài)作為目標模板，對所述光子事件位置直方圖作霍夫變換得到霍夫空間圖，其中霍夫空間圖中每個點的值表示所述目標模板上的點在中心位置的概率；

③-2、在所述霍夫空間圖中選取數值最大的點所在的位置作為所述目標模板在所述光子事件位置直方圖中的位置；

③-3、令所述目標模板在所述光子事件位置直方圖中的位置為所述晶體中心位置圖的初始化位置。

優(yōu)選的，所述步驟③還包括，判斷行列化晶體中心位置圖是否有偽影存在，如果行列化晶體中心位置圖有偽影存在，則對行列化晶體中心位置圖作去偽影處理。

優(yōu)選的，所述判斷行列化晶體中心位置圖是否有偽影存在的具體步驟為：分別比較行列化晶體中心位置圖中晶體的行數與實際晶體行數以及行列化晶體中心位置圖中晶體的列數與實際晶體列數的關系，如果行列化晶體中心位置圖中晶體的行數大于實際晶體行數或者行列化晶體中心位置圖中晶體的列數大于實際晶體列數，則行列化晶體中心位置圖有偽影存在；否則，則判定行列化晶體中心位置圖沒有偽影存在。

優(yōu)選的，還包括對于校正的行列化晶體中心位置圖進行修正。

優(yōu)選的，根據所述校正的行列化晶體中心位置圖采用動態(tài)規(guī)劃方法劃分各相鄰晶體的分界線。

優(yōu)選的，所述步驟①還包括對獲得的光子事件位置直方圖進行預處理。

與現有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：1)根據光電倍增管共享技術得到的光子事件位置直方圖中心晶體較清晰，四邊較稠密，邊角處晶體粘連較常見，且邊界處容易有偽影的特點，采用極坐標變化和能量投影的方法或霍夫變換的方法定位光子事件位置直方圖的中心行列位置信息，并對應獲取晶體中心位置圖的初始化位置。根據此方法得到可信度高的初始化信息，然后以該位置為中心逐行逐列遞推周邊行列，并利用樣條擬合行列，有效降低不規(guī)則陣列形變的干擾，對中間行列的容錯性強，即使個別晶體點損壞，也不會影響其他晶體的映射關系，從而基于原圖建立了可靠的網格模板，穩(wěn)定性好；2)模擬人眼對行列信息的判斷方法，對遞推得到的晶體陣列中每列或每行晶體的加權能量和進行排序，保留能量穩(wěn)定的行或列，將能量不穩(wěn)定的行或者列作為偽影點去除，相較于單個晶格比較偽影排除法正確率更高。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明一種晶體像素查找表生成的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例獲取的光子事件位置直方圖；

圖3為本發(fā)明實施例晶體檢測得到的晶體中心位置圖；

圖4為本發(fā)明實施例根據圖2極坐標變換得到的光子事件位置變換域圖像；

圖5為本發(fā)明實施例根據圖4得到的光子事件位置變換域圖像投影圖；

圖6為本發(fā)明實施例根據圖5得到的光子事件位置變換域圖像的中心行列；

圖7為本發(fā)明實施例中根據圖6得到的光子事件位置直方圖的中心行列；

圖8a為本發(fā)明實施例中根據初始化位置遞推得到的行列化晶體中心位置圖的行信息；

圖8b為本發(fā)明實施例中根據初始化位置遞推得到的行列化晶體中心位置圖的列信息；

圖9為本發(fā)明實施例中樣條串連行列化晶體中心位置圖生成的網格模板；

圖10a為本發(fā)明實施例中與網格模板作點集配準得到的晶體中心位置的行信息；

圖10b為本發(fā)明實施例中與網格模板作點集配準得到的晶體中心位置的列信息；

圖11為本發(fā)明實施例的晶體分割示意圖。

【具體實施方式】

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖和實施例對本發(fā)明的具體實施方式做詳細的說明。

在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。

現有技術中為了保證圖像信息的準確性，通常采用半自動繪制的方法生成晶體像素查找表，對獲取的圖像進行矯正和糾偏，即計算機自動生成如圖3所示的晶體中心位置圖；然后人工檢查和修正晶體中心位置圖，經技師確認后實際上就得到了整個晶體陣列的拓撲結構，最后的晶體分割就相當于在一個有限的空間里對晶體邊緣定位作細化處理。然而，由于噪聲、偽影以及晶體形變的影響，自動生成的晶體中心位置圖通常會有錯誤。在整個過程中，自動生成的晶體中心位置圖的質量越高，人工檢查和修正所花費的時間越少。本發(fā)明提出了一種新的晶體像素查找表生成方法，基于原始圖像建立網格模板，對自動生成的晶體中心位置圖做自動修正的，增加自動化處理的效率，減少人工修改的需求。

一種晶體像素查找表生成的方法，具體包括以下步驟：

①對入射光子事件位置信息進行二維統(tǒng)計，獲得光子事件位置直方圖。如圖2為本實施例中獲取的光子事件位置直方圖，光子事件位置直方圖的圖像質量會影響晶體像素查找表的生成質量?，F代化的PET設備為了提高空間分辨率，探測器上往往分布大量的小尺寸晶體。然而，晶體尺寸小會降低單個晶體接收到光子的概率，由此造成光子事件位置直方圖中的噪聲會隨之增強，而晶體數量過多則會導致光子事件位置直方圖中晶體間分界不明顯，增加自動生成晶體像素查找表的難度。進一步的，對于空間分辨率高的PET，為了簡化后續(xù)晶體探測操作，對獲得的光子事件位置直方圖進行預處理，本實施例中的預處理包括基于局部結構保持的去噪和均衡化處理，在有效加深晶體邊界的同時將所有晶體的強度都均勻地增強。更具體地，本發(fā)明采用非局部平均方法對獲得的光子事件位置直方圖進行局部結構保持的處理，然后采用局部直方圖均衡方法對獲得的光子事件位置直方圖進行均衡化處理。

②采用通用的局部極大值提取方法對光子事件位置直方圖進行晶體位置檢測，得到晶體中心位置圖。

③根據光子事件位置直方圖，獲取晶體中心位置圖的初始化位置，如圖2所示，采用四光電倍增管共享技術得到的光子事件位置直方圖具有中心晶體清晰、四邊稠密，邊角處晶體多發(fā)生粘連現象，而且探測器還會受到鄰近晶體整列的光子事件的影響等特征。所以中心晶體發(fā)生錯檢、漏檢的概率極低，而邊角區(qū)域的信息可信度低。技師對晶體檢測結果進行修正時，通常會基于中心行列的信息去推測邊角區(qū)域信息的真?zhèn)?。因此，本實施例采用中心行列遞推周邊和四角晶體的方法建立網格模板，從而確保網格模板的正確性。在此具體實施例中，其具體過程為：

③-1、首先在晶體中心位置圖中選定位置居中的任一點，在光子事件位置直方圖中必定有其對應位置，在此實施例中，圖2中的標記區(qū)域就為自定義的坐標原點，這樣選擇的目的是確保后續(xù)選出的中心行列交匯于坐標原點。對光子事件位置直方圖進行極坐標變換得到光子事件位置變換域圖像。圖4為光子事件位置的變換域圖像，其縱坐標為光子事件位置變換域圖像在極坐標上的弧度值θ,0≤θ≤π。

③-2、對光子事件位置變換域圖像在水平方向上作投影得到光子事件位置變換域圖像投影圖，如圖5所示，其中橫坐標為光子事件位置變換域圖像在極坐標內的弧度值θ,0≤θ≤π，縱坐標為光子事件位置變換域圖像在對應弧度上的投影強度；對應弧度上的投影強度大的點為晶體數量多的投影方向，對應弧度上的投影強度小的點為晶體數量小的投影方向。

③-3、在光子事件位置變換域圖像投影圖中，橫坐標上的每個點為極坐標變換時相同弧度的晶體行或列，根據上述結果，選擇光子事件位置變換域圖像投影圖上縱坐標最小的兩個點所對應的弧度值(兩個點弧度值相隔在90±ε度的范圍內，ε為行列扭曲造成的誤差，本實施例取ε＝10度)，上述弧度值上投影線穿過的晶體數量最少。由于順著行與列的方向才能穿過最少的晶體，因此這兩個方向被定義為變換域圖像上的中心十字架方向，上述兩個方向在變換域圖像上也肯定存在兩個晶體行。具體地，如圖6所示，為了便于區(qū)分，光子事件位置變換域圖像中亮度增加的兩晶體行，即為所述兩個方向在變換域圖像中對應的兩晶體行，也是光子事件位置圖像的中心行列。如圖7所示的呈十字架型的光子事件位置直方圖的中心，該中心定位十字架有多個晶體的中心組成。以中心定位十字架為初始化位置，并參照光子事件位置直方圖中各晶體的位置，采用由內而外遞推的方法，分別遞推出中心十字架上、下、左、右位置的晶體中心位置，從而得到行列化晶體中心位置圖。

需要說明的是，本發(fā)明晶體像素查找表生成的方法中根據光子事件位置直方圖，獲取晶體中心位置圖的初始化位置還可采用現有圖形作為模板。首先選定一個目標模板，該目標模板可以為任意形狀，比如中心十字架形狀。然后對光子事件位置直方圖作霍夫變換得到霍夫空間圖，其中霍夫空間圖中每個點的值表示該點是處于中心的概率。該點的值越大說明這個點在中心位置的概率就越大。因此，我們在霍夫空間圖中選取數值最大的點所在的位置作為目標模板在光子事件位置直方圖中的位置。目標模板在光子事件位置直方圖中的位置即確定為晶體中心位置圖的初始化位置。

以上述確定的初始化位置為中心，采用最近鄰遞推的方法，遞推光子事件位置直方圖中其他晶體中心位置的行列，得到如8a和圖8b所示的行列化晶體中心位置圖。然而上述遞推出的行列化晶體中心位置圖由于受到偽影的影響，可能會出現錯檢現象，從而導致遞推得到的行或者列的數目大于實際晶體的行或者列的數目。因此，需要判斷行列化晶體中心位置圖是否有偽影存在。判斷的具體過程為：分別比較行列化晶體中心位置圖中晶體的行數與實際晶體行數以及行列化晶體中心位置圖中晶體的列數與實際晶體列數的關系，如果行列化晶體中心位置圖中晶體的行數大于實際晶體行數，則說明遞推行中有偽影存在；如果行列化晶體中心位置圖中晶體的列數大于實際晶體列數，則說明遞推列中有偽影存在；若行列化晶體中心位置圖中晶體的行數小于等于實際晶體行數且行列化晶體中心位置圖中晶體的列數小于等于實際晶體列數則行列化晶體中心位置圖沒有偽影存在。

偽影是晶體映射時的一個主要錯誤源，判斷單個晶體是否為偽影比較困難，因為偽影有時候無論從能量上還是形狀上都酷似真實的晶體。本發(fā)明采用能量加權整行或者整列的去除偽影。如果行列化晶體中心位置圖中晶體的列數大于實際晶體列數，則對行列化晶體中心位置圖中晶體列去偽影：a1、記遞行列化晶體中心位置圖中第i行，第j列的晶體點的圖像亮度值為I_(i,j)，記行列化晶體中心位置圖中第i行，第j列的晶體點所在的位置為P_(i,j)，記行列化晶體中心位置圖的中心位置為P_c，第i行，第j列的晶體點的權重為G_d(P_(i,j),P_c)，其中，G_d為自變量為距離的高斯函數；a2、記行列化晶體中心位置圖中第j列中所有晶體的加權能量和為Ey_j，其中，m為遞推出的行列化晶體中心位置圖中第j列的晶體點數目；a3、去除行列化晶體中心位置圖中加權能量和最小的列；a4、判斷行列化晶體中心位置圖中剩余的列數目是否等于實際晶體列的數目，如果條件不滿足則執(zhí)行a3，如果條件滿足，則結束對行列化晶體中心位置圖中晶體列去偽影；如果行列化晶體中心位置圖中晶體的行數大于實際晶體行數，對行列化晶體中心位置圖中晶體行去偽影的具體步驟為：b1、記行列化晶體中心位置圖中第i行，第j列的晶體點的圖像亮度值為I_(i,j)，記行列化晶體中心位置圖中第i行，第j列的晶體點的位置為P_(i,j)，記行列化晶體中心位置圖的中心位置為P_c，第i行，第j列的晶體點的權重為G_d(P_(i,j),P_c)，其中，G_d為以距離為自變量的高斯函數；b2、記行列化晶體中心位置圖中第i行中所有晶體的加權能量和為Ex_i，其中，n為行列化晶體中心位置圖中第i行的晶體點數目；b3、去除行列化晶體中心位置圖中加權能量和最小的行；b4、判斷行列化晶體中心位置圖中剩余的行數目是否等于實際晶體行的數目，如果條件不滿足則執(zhí)行b3，如果條件滿足則結束對行列化晶體中心位置圖中晶體行去偽影。

在此具體實施例中，如圖8b所示，遞推得到列數為17,大于實際晶體列的數目(16列)，因此需要對遞推出的列去偽影。記遞推出的行列化晶體中心位置圖中第i行，第j列的晶體點的圖像亮度值為I_(i,j)，記行列化晶體中心位置圖中第i行，第j列的晶體點所在的位置為P_(i,j)，記行列化晶體中心位置圖的中心位置為P_c，第i行，第j列的晶體點的權重為G_d(P_(i,j),P_c)，其中，G_d為自變量為距離的高斯函數；其次，記行列化晶體中心位置圖中第j列中所有晶體的加權能量和為Ey_j，其中，m為遞推出的行列化晶體中心位置圖中第j列的晶體點數目；然后，去除行列化晶體中心位置圖中加權能量和最小的列；此時行列化晶體中心位置圖中剩余的列數目等于實際晶體列的數目，則結束對行列化晶體中心位置圖中晶體列去偽影。

④利用樣條串連行列化晶體中心位置圖生成網格模板，然后對網格模板進行規(guī)整化，并根據規(guī)整化后的網格模板改變晶體中心位置圖的行列值，依次迭代處理，直到生成如圖9所示的規(guī)整的網格模板為止，通過網格模板與圖3所示的晶體中心位置圖作點集配準得到的晶體中心位置的行信息(圖10a)和列信息(圖10b)。在此過程中，由于去偽影操作而誤刪的晶體行或者列會被重新恢復出來。另外，個別缺失的晶體同樣也會在網絡模板建立過程中插值恢復出來。最后再對校正的行列化晶體中心位置圖進行修正，一般通過有經驗的技師對結果進一步確認，補充漏檢的位置，去掉檢錯的位置，以保證生成校正的晶體中心位置圖的準確性。

⑤根據晶體中心位置圖劃分各相鄰晶體條的分界線劃分各相鄰晶體的分界線，完成晶體像素查找表的生成。對于實際的晶體越到中間能量越大，像素值越大；而越到周邊，其能量越小。因此，分界線所在位置的像素值全局最小，以及分界線本身光滑連續(xù)的這兩個條件，這兩個條件互相制約，形成了傳統(tǒng)的內能和外能。本發(fā)明使用更精準的約束條件：由于晶體實際上是以行列形式排列的，因此一條連續(xù)的分界線應該是相鄰兩行或兩列晶體之間的分界線。由于在建立網絡模板時使用樣條把晶體中心點的行列都串了起來，這等于為分界線確立了范圍。而且，每條分界線從模型上來說就是一條最優(yōu)化路徑。

本實施例采用動態(tài)規(guī)劃確定各晶體條的分界線，對于一條相鄰兩行之間的分界線可以分為w段，其中w為晶體中心圖像的寬度。動態(tài)規(guī)劃中所需要的能量函數為E_n(x,x′)＝a×d(x,x′)+b×I(x)。其中，E_n(x,x′)為相鄰兩段之間的能量遞增,x和x'分別是相鄰兩段的位置，d為取距離差函數。由于我們要求分界線盡可能平滑，因此相鄰兩段之間的距離差被限制在2個像素以下。I(x)為0-1均衡化后的圖像像素值，a和b都是能量函數的權重，其數值大小根據實際需要可以調節(jié)，在此具體實施例中取a＝0.1，b＝1.5，由于圖像中心信息比較準確，我們采用從中間向左右兩邊的順序尋找最短路徑。

首先在校正的晶體中心位置圖上以兩條串起相鄰兩行晶體中心點的樣條為邊界線并將上述邊界線分為w段，令邊界線所圍的圖像中心位置為階段0，記階段0以左為階段1至階段e，記階段0以右為階段e+1至階段w-1，記E_i(x)為階段i的能量，1≤i≤w-1，令E₀(x)＝1.5I(x)。其次，獲取階段1至階段e所有階段累積能量最小值，并記錄其回朔位置x₁’，其中每一階段的累積能量E_i(x)＝E_i-1(x′)+E_n(x,x′)；同樣階段e+1至階段w-1所有階段累積能量最小值，并記錄其回朔位置x₂’。然后根據起始位置進行左右路徑連接的所有組合，計算總累積能量。最后總累積能量最小的路徑即為分界線。通過上述操作即可完成晶體分割，生成如圖11所示的最終的晶體像素查找表。

本發(fā)明在4臺不同的PET設備上測試性能。設備由上海聯影醫(yī)療科技有限公司生產，每臺設備有400到500個晶體陣列，每個陣列中有16×16共256個晶體。晶體的物理尺寸為2.3×2.3mm²。光子事件位置直方圖大小是256×256。結果如表1所示，在陣列最規(guī)整的設備上，全自動率可以達到99.31％。在陣列粘連，變形嚴重的設備PET1上，全自動率仍可以達到71.40％。

表1 利用本發(fā)明方法生產晶體查找表的結果統(tǒng)計

本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。