技術(shù)特征：

1.一種電容觸控軌跡噪聲類型的識別方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：平行于電容屏一邊進行一次直線觸控，對電容屏進行多次掃描，得到電容觸控軌跡數(shù)據(jù)；

S2：利用質(zhì)心法處理所述電容觸控軌跡數(shù)據(jù)，得到電容觸控軌跡中各個觸控點的位置坐標(biāo)，依次連接所述各個觸控點得到完整的電容觸控軌跡；

S3：將所述電容觸控軌跡分解為真實軌跡和噪聲軌跡，采用信號分解方法求解所述噪聲軌跡；

S4：根據(jù)數(shù)理統(tǒng)計分析方法，確定所述噪聲軌跡的噪聲類型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1中對電容屏進行多次掃描，每次掃描獲得的電容觸控軌跡數(shù)據(jù)單幀為

其中，k為掃描次數(shù)，m為電容屏的驅(qū)動電極的個數(shù)，n為電容屏的感應(yīng)電極的個數(shù)。

將多次掃描獲得的多個所述電容觸控軌跡數(shù)據(jù)單幀組成為多幀的電容觸控軌跡數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

S21：以直線觸控方向為x方向建立直角坐標(biāo)系，從而確定所述電容觸控軌跡數(shù)據(jù)單幀中電容值最大的采樣點的坐標(biāo)位置為

P_max(k)＝(P_maxx(k),P_maxy(k))

其中，P_maxx(k)為電容值最大的采樣點的x方向坐標(biāo)，P_maxy(k)為電容值最大的采樣點的y方向坐標(biāo)；

S22：將電容值最大的采樣點的電容值與預(yù)設(shè)的閾值進行比較，當(dāng)所述電容值大于所述閾值時，判定所述采樣點為電容觸控軌跡上的觸控點；

S23：確定所述觸控點的坐標(biāo)為所述電容觸控軌跡數(shù)據(jù)單幀中以所述電容值最大的采樣點為中心的觸控影響區(qū)域中的所有采樣點的電容值加權(quán)，所述觸控點的坐標(biāo)為

P(k)＝(P_x(k),P_y(k))

$P_x\left(k\right)=\frac{\underset{x\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}\underset{y\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}{C}_{xy}\×(P_{\max x}\left(k\right)+x)}{\underset{x\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}\underset{y\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}{C}_{xy}}$

$P_y\left(k\right)=\frac{\underset{x\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}\underset{y\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}{C}_{xy}\×(P_{\max y}\left(k\right)+y)}{\underset{x\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}\underset{y\∈\mathrm{\Ω}}{\Σ}{C}_{xy}}$

其中，C_xy為電容觸控軌跡數(shù)據(jù)單幀中坐標(biāo)為(x,y)的采樣點的電容值，Ω為觸控點的影響區(qū)域，P_x(k)為掃描時間t時觸控點的方向坐標(biāo)，P_y(k)為掃描時間t時觸控點的y方向坐標(biāo)；

S24：依次連接求得的各個觸控點的坐標(biāo)，得到電容觸控軌跡。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

S31：將電容觸控軌跡分解為真實軌跡與噪聲軌跡兩部分

P(t)＝P_D(t)+n(t)

t＝kT₀

其中，t為掃描時間，T₀為掃描間隔，P(t)為電容觸控軌跡，P_D(t)為真實軌跡，n(t)為噪聲軌跡；

S32：電容屏觸摸軌跡在y方向的真實軌跡為恒定值Y₀，則y方向上觸控軌跡在t時刻的軌跡為

P_y(t)＝Y(jié)₀+n_y(t)

其中，n_y(t)為t時刻疊加在真實軌跡y方向上的噪聲軌跡。

則真實軌跡為

$Y_0=\frac{1}{T+1}\underset{t=0}{\overset{T}{\Σ}}{P}_y\left(t\right)$

其中，T為直線觸控的時間長度。

則噪聲軌跡為

$n_y\left(t\right)=P_y\left(t\right)-Y_0=P_y\left(t\right)-\frac{1}{T+1}\underset{t=0}{\overset{T}{\Σ}}{P}_y\left(t\right)$

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S4采用直方圖和/或Q-Q圖確定所述噪聲軌跡的噪聲類型。