本發(fā)明的實(shí)施例涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種觸控基板消影檢測(cè)方法、觸控基板制造方法、觸控基板以及觸控裝置。

背景技術(shù)：

目前，電容觸控屏已成為很普遍的電子產(chǎn)品，OGS(One Glass Solution，單玻璃觸控)成為其中一種主流技術(shù)方案。OGS是指在觸控屏的保護(hù)玻璃上直接形成ITO(indium tin oxide，氧化銦錫)導(dǎo)電膜及傳感器的一種技術(shù)。在OGS觸控屏的可視區(qū)域有由ITO形成的通道圖案，ITO通道圖案的可見程度(在專業(yè)術(shù)語(yǔ)中稱為消影等級(jí))關(guān)乎著用戶的使用感受，因此需要在觸控屏的制造過程中對(duì)其消影等級(jí)進(jìn)行檢測(cè)。目前對(duì)于OGS觸控屏的消影等級(jí)的檢測(cè)方法為：生產(chǎn)至小片產(chǎn)品時(shí)，采用目視檢測(cè)判級(jí)。此種檢測(cè)方法有兩個(gè)弊端：1)不能對(duì)制程中的消影不良產(chǎn)品進(jìn)行及時(shí)攔截和改善，從而造成不必要的生產(chǎn)損失；2)目視檢測(cè)判級(jí)誤差較大，不能準(zhǔn)確地進(jìn)行消影等級(jí)判定。在諸如On-cell等其他觸控屏技術(shù)中也存在著類似的問題。

可見，本領(lǐng)域中需要一種能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)的改進(jìn)的消影檢測(cè)技術(shù)方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)方面，提供了一種觸控基板消影檢測(cè)方法，包括：使用光學(xué)測(cè)試設(shè)備測(cè)試位于觸控基板的觸控區(qū)域之外的區(qū)域中的具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊的光反射率的差異；以及根據(jù)所述差異判定所述觸控基板的消影效果；其中，所述具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊中的每個(gè)測(cè)試塊包括與觸控區(qū)域中的不同結(jié)構(gòu)分別相同的結(jié)構(gòu)。

在另一個(gè)方面，提供了一種觸控基板制造方法，包括：在觸控基板的制造過程中，在觸控基板的觸控區(qū)域之外的區(qū)域中形成具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊，其中，所述具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊中的每個(gè)測(cè)試塊包括與觸控區(qū)域中的不同結(jié)構(gòu)分別相同的結(jié)構(gòu)。

在又一個(gè)方面，提供了一種觸控基板，包括：位于其觸控區(qū)域之外的區(qū)域中的具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊，其中，所述具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊中的每個(gè)測(cè)試塊包括與觸控區(qū)域中的不同結(jié)構(gòu)分別相同的結(jié)構(gòu)。

在再一個(gè)方面，提供了一種觸控裝置，其包括根據(jù)本發(fā)明的任何一個(gè)實(shí)施例所述的觸控基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的技術(shù)方案能夠在觸控基板的制造過程中及時(shí)地對(duì)觸控基板的消影等級(jí)進(jìn)行檢測(cè)，及時(shí)地對(duì)消影不良產(chǎn)品進(jìn)行攔截，避免了不必要的生產(chǎn)損失；此外，由于可以采用光學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行消影檢測(cè)，因而能夠更為準(zhǔn)確地進(jìn)行消影等級(jí)判定；再者，在一些實(shí)施例中，由于所述至少兩個(gè)測(cè)試塊可以在對(duì)應(yīng)的疊層結(jié)構(gòu)形成的同時(shí)形成，不需要增加額外的工藝步驟，因此是一種簡(jiǎn)單和低成本的技術(shù)方案。

附圖說明

圖1示出了單個(gè)OGS觸控基板的內(nèi)部觸控可視區(qū)域；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種觸控基板消影檢測(cè)方法；

圖3示意性地示出了觸控基板的制造過程；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一類實(shí)施例的至少兩個(gè)測(cè)試塊的設(shè)置；以及

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二類實(shí)施例的至少兩個(gè)測(cè)試塊的設(shè)置。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的解決方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例所提供的觸控基板消影檢測(cè)方法、觸控基板制造方法、觸控基板以及觸控裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。顯然，所描述和圖示的實(shí)施例及其中的各種具體特征僅是對(duì)本發(fā)明的示例性說明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制?；谒鍪纠哉f明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例及其具體特征，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

現(xiàn)參照?qǐng)D1，其示出了單個(gè)OGS觸控基板的內(nèi)部觸控可視區(qū)域。如圖1中所示，所述內(nèi)部觸控可視區(qū)域包括如下三種不同的疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域：區(qū)域1、區(qū)域2、以及區(qū)域3。其中，區(qū)域1可包括由導(dǎo)電的ITO材料構(gòu)成的ITO導(dǎo)通塊，其用作觸控電極；區(qū)域2可包括ITO蝕刻線，其將相鄰的ITO導(dǎo)通塊分割開；區(qū)域3為橋點(diǎn)區(qū)域，其通過金屬或ITO材料的橋狀結(jié)構(gòu)將相對(duì)的兩個(gè)ITO導(dǎo)通塊相連接。區(qū)域1、2、3對(duì)光的反射率存在差異，如果這三個(gè)區(qū)域的反射率差異大，則消影等級(jí)差。由于ITO蝕刻線很窄，通常只有30-300μm，ITO橋點(diǎn)一般也只有100μm，因此很難通過光學(xué)測(cè)試設(shè)備來測(cè)試消影等級(jí)，目前大多通過人眼判斷。

現(xiàn)參照?qǐng)D2，其示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種觸控基板消影檢測(cè)方法。如圖2中所示，該方法包括以下步驟：

在步驟201，使用光學(xué)測(cè)試設(shè)備測(cè)試位于觸控基板的觸控區(qū)域之外的區(qū)域中的至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率的差異；

在步驟202，根據(jù)所測(cè)試的所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率的差異，判定所述觸控基板的消影效果，其中，所述具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊中的每個(gè)測(cè)試塊包括與觸控區(qū)域中的不同結(jié)構(gòu)分別相同的結(jié)構(gòu)。

也就是說，在觸控基板的制造過程中，在觸控基板的觸控區(qū)域之外的區(qū)域中形成專門用于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的至少兩個(gè)測(cè)試塊，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊分別具有與對(duì)應(yīng)的疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域相同的疊層結(jié)構(gòu)(這里，相同的疊層結(jié)構(gòu)是指測(cè)試塊具有與疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域的疊層結(jié)構(gòu)完全相同或部分相同的疊層結(jié)構(gòu)，也可稱為相同或相似的疊層結(jié)構(gòu))，從而分別具有與對(duì)應(yīng)的疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域相同或相似的光反射率，并且具有適合于光學(xué)測(cè)試的大小，這樣，就可以通過使用光學(xué)測(cè)試設(shè)備測(cè)試所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率的差異來估計(jì)觸控基板的觸控區(qū)域中的不同疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域之間的光反射率的差異，克服了由于觸控基板的觸控區(qū)域中的不同單個(gè)疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域尺寸過小而不適合直接使用光學(xué)測(cè)試設(shè)備測(cè)試其光反射率差異的缺點(diǎn)，從而可以準(zhǔn)確地判定消影等級(jí)。此外，由于所述至少兩個(gè)測(cè)試塊分別具有與對(duì)應(yīng)的疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域相同或相似的疊層結(jié)構(gòu)，因此可以在觸控基板的制造過程中，在形成所述疊層結(jié)構(gòu)區(qū)域的同時(shí)形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊(例如，通過簡(jiǎn)單地添加用于形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的掩膜圖案)，因而可以方便和低成本地形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊，且可以在制造過程中及時(shí)地判定產(chǎn)品的消影等級(jí)。

在一些實(shí)施例中，所述觸控基板可以為OGS面板。在其他實(shí)施例中，所述觸控基板也可以為其他類型的觸控基板，例如On-cell觸控基板等。

圖3示意性地示出了觸控基板的制造過程。如圖3中所示，該制造過程包括如下步驟：

在步驟301，大板進(jìn)料；此后，可對(duì)大板執(zhí)行相關(guān)的工藝步驟

在步驟302，在產(chǎn)品可視區(qū)形成第一道膜層；此后，可在產(chǎn)品可視區(qū)順序形成其他膜層。

在步驟303，在產(chǎn)品可視區(qū)形成最后一道膜層；

在步驟304，在產(chǎn)品可視區(qū)形成最后一道膜層之后，執(zhí)行本發(fā)明的消影判定；此后，可對(duì)形成有膜層的大板執(zhí)行本領(lǐng)域中所知的相關(guān)工藝步驟。

在步驟305，大板制程結(jié)束；

在步驟306，對(duì)大板進(jìn)行切割；此后，可對(duì)切割形成的小片執(zhí)行本領(lǐng)域中所知的相關(guān)工藝步驟。

在步驟307，小片制程結(jié)束。

也就是說，該觸控基板的制造過程可分為兩個(gè)階段，分別稱為大板制程和小片制程。在大板制程中，在具有適當(dāng)尺寸的大塊裸玻璃上依次形成若干道膜層及其結(jié)構(gòu)，例如依次形成黑矩陣(BM)層、ITO層、絕緣層、橋點(diǎn)、保護(hù)層等，從而形成上述區(qū)域1、區(qū)域2和區(qū)域3。

如本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知的，每道膜層及其結(jié)構(gòu)的形成通常包括如下步驟：在基板上鍍膜，涂覆光阻劑，使用掩膜圖案進(jìn)行曝光，使用顯影液顯影，使用蝕刻液進(jìn)行蝕刻，使用去光阻液去除剩余光阻劑等。

在小片制程中，將大板切割為小片(可稱為單元面板)，磨邊，并進(jìn)行綁定，從而形成單片觸控基板。

本發(fā)明的觸控基板消影檢測(cè)方法可以具有兩類實(shí)施例。在第一類實(shí)施例中，在單元面板的周邊區(qū)域形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊。而在第二類實(shí)施例中，在所述大板的空白區(qū)域形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊。應(yīng)注意的是，在任何一個(gè)實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊都是在大板制程中形成的，且可以通過在形成相應(yīng)膜層及其結(jié)構(gòu)的同時(shí)通過添加用于所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的掩膜圖案而形成。這樣，就可以在大板制程中，具體地，可以在產(chǎn)品可視區(qū)最后一道膜層形成(從而至少兩個(gè)測(cè)試塊也形成)之后，通過對(duì)至少兩個(gè)測(cè)試塊進(jìn)行反射率測(cè)試來判定產(chǎn)品的消影效果，從而及時(shí)發(fā)現(xiàn)和攔截消影效果差的產(chǎn)品，而不必像傳統(tǒng)的消影檢測(cè)方法中那樣，在小片制程結(jié)束后通過人眼判定產(chǎn)品的消影效果，從而造成不必要的生產(chǎn)損失。

第一類實(shí)施例

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一類實(shí)施例的至少兩個(gè)測(cè)試塊的設(shè)置。如圖4中所示，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊可設(shè)置在單個(gè)觸控基板的周邊區(qū)域，具體可設(shè)置在所述周邊區(qū)域的BM層上。

在一些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊中可包括塊1、塊2和塊3。其中，塊1可以為在BM層上形成的同上述區(qū)域1一樣或類似的疊層結(jié)構(gòu)，例如可包括ITO層和保護(hù)層。塊2可以為在BM層上形成的同上述區(qū)域2一樣或類似的疊層結(jié)構(gòu)，例如可僅包括保護(hù)層。塊3可以為在BM層上形成的同上述區(qū)域3一樣或類似的疊層結(jié)構(gòu)，例如可包括絕緣層和橋，所述橋例如為金屬橋或ITO橋。

在其他一些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊也可以僅包括塊1和塊2。

所述至少兩個(gè)測(cè)試塊可以設(shè)置為任何相同或不同的形狀，如設(shè)置為矩形、正方形、多邊形、圓形等。所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的尺寸可以設(shè)置為任何便于光學(xué)儀器進(jìn)行測(cè)量且便于容納在觸控基板的周邊區(qū)域中的尺寸。由于光學(xué)設(shè)備的光斑一般為1mm左右，為了便于光學(xué)測(cè)試，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的最短邊長(zhǎng)或直徑通常>＝1mm。

在一些實(shí)施例中，在所述至少兩個(gè)測(cè)試塊附近還形成有定位標(biāo)志，用于由所述光學(xué)測(cè)試設(shè)備定位所述至少兩個(gè)測(cè)試塊。所述定位標(biāo)志可以是任何便于光學(xué)測(cè)試設(shè)備定位的光學(xué)標(biāo)志，例如可以是一個(gè)十字。所述定位標(biāo)志可以通過任何能夠形成與背景區(qū)域相區(qū)別的光學(xué)圖案的方法形成，例如可以通過在BM膜層或其他膜層之上進(jìn)行鍍膜、蝕刻等方法形成。

在一些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊是在所述觸控基板的制造過程中在用于形成相應(yīng)膜層的掩膜上增加用于形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的圖案、并在形成相應(yīng)膜層的同時(shí)形成的。這樣，在相應(yīng)膜層制作完畢后，測(cè)試塊也就形成了。以此方式，測(cè)試塊就具有了與觸控區(qū)域的相應(yīng)膜層結(jié)構(gòu)區(qū)域相同或相似的膜層，從而可以通過測(cè)試至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率的差異來獲得觸控區(qū)域的不同膜層結(jié)構(gòu)區(qū)域之間的光反射率的差異，以便判定消影等級(jí)。而且，測(cè)試塊的這種形成方式并沒有增加額外的工藝步驟，因此是低成本的。

例如，對(duì)于塊1來說，可以在大板制程中形成BM層之后的形成ITO層的過程中，在用于形成觸控區(qū)域的ITO結(jié)構(gòu)的掩膜圖案之外添加與塊1的大小和位置對(duì)應(yīng)的掩膜圖案，這樣，經(jīng)過曝光、顯影、蝕刻等步驟，就會(huì)在形成觸控區(qū)域的ITO結(jié)構(gòu)的同時(shí)形成塊1的ITO層。對(duì)于塊2來說，由于其對(duì)應(yīng)于包括ITO蝕刻線的區(qū)域2，即對(duì)應(yīng)于ITO層已被蝕刻掉的區(qū)域，因此可以在形成ITO層、絕緣層和橋點(diǎn)的過程中不做任何特殊處理，這樣，塊2的疊層結(jié)構(gòu)將僅包括在BM層上的一層保護(hù)層。對(duì)于塊3來說，可以在大板制程中形成區(qū)域3的絕緣層的過程中，在用于形成區(qū)域3的絕緣層的掩膜圖案之外，添加對(duì)應(yīng)于塊3的位置和大小的掩膜圖案，這樣，經(jīng)過曝光、顯影、蝕刻等步驟，就會(huì)在形成區(qū)域3的絕緣層之外，形成塊3的絕緣層。此外，可以在大板制程中形成區(qū)域3的橋點(diǎn)的過程中，在用于形成區(qū)域3的橋點(diǎn)的掩膜圖案之外，添加對(duì)應(yīng)于塊3的位置和大小的掩膜圖案，這樣，經(jīng)過曝光、顯影、蝕刻等步驟，就會(huì)在形成區(qū)域3的橋點(diǎn)之外，形成塊3的橋點(diǎn)層。

當(dāng)在大板制程中在單元面板的周邊區(qū)域中形成了所述至少兩個(gè)測(cè)試塊之后(即在觸控區(qū)域的最后一道膜層形成之后)，就可以使用光學(xué)測(cè)試設(shè)備測(cè)試所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的不同光反射率。為此，可以首先借助于所述定位標(biāo)志使所述光學(xué)測(cè)試設(shè)備定位所述至少兩個(gè)測(cè)試塊，從而抓取并測(cè)試所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率。所述光學(xué)測(cè)試設(shè)備可以是任何具有光反射率測(cè)試功能的光學(xué)測(cè)試設(shè)備。

在這類實(shí)施例中，由于所述至少兩個(gè)測(cè)試塊形成在單元面板的周邊區(qū)域的BM層上，而BM層是不透光的，因此，對(duì)光反射率的測(cè)試應(yīng)當(dāng)在觸控基板的膜面(即玻璃基板的具有膜層的一面)進(jìn)行，而不應(yīng)在觸控基板的玻璃面(即玻璃基板的與膜面相對(duì)的一面)進(jìn)行。與觸控基板的觸控區(qū)域相比，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊多了BM層，因此其光反射效果與當(dāng)觸控基板與LCD面板全貼合之后的光反射效果相近，因此，可以通過測(cè)試所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率來較準(zhǔn)確地判定OGS面板與LCD面板全貼合后的消影效果。

當(dāng)測(cè)試了所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的不同光反射率后，就可以通過比較所述不同光反射率來獲得至少兩個(gè)測(cè)試塊之間的光反射率的差異，從而可判斷觸控基板的消影效果。例如，如果塊1與塊2之間的反射率的差值的絕對(duì)值大于閾值a，則可判定消影效果差；如果塊1與塊2之間的反射率的差值的絕對(duì)值小于閾值b，則可判定消影效果好。其中，閾值a、b為可以根據(jù)終端客戶的品質(zhì)要求設(shè)定的值。

此外，還可以進(jìn)一步根據(jù)塊1與塊3之間的反射率的差異來判定消影效果。例如，如果塊1與塊2之間的反射率的差值的絕對(duì)值大于閾值a，或者塊1與塊3之間的反射率的差值的絕對(duì)值大小閾值c，則可判定消影效果差。如果塊1與塊2之間的反射率的差值的絕對(duì)值小于閾值b，且塊1與塊3之間的反射率的差值的絕對(duì)值小于閾值d，則可判定消影效果好。

在一些實(shí)施例中，所述根據(jù)至少兩個(gè)測(cè)試塊之間的光反射率之間的差異來判定觸控基板的消影效果可以人工完成。在另一些實(shí)施例中，所述根據(jù)至少兩個(gè)測(cè)試塊之間的光反射率之間的差異來判定觸控基板的消影效果可以由處理設(shè)備自動(dòng)完成。

在一些實(shí)施例中，可以僅在大板中的某一個(gè)單元面板的周邊區(qū)域形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊，通過測(cè)試所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率的差異來判定整個(gè)大板中所有單元面板的消影等級(jí)。在另一些實(shí)施例中，也可以在大板中的多個(gè)單元面板(甚至全部單元面板)中每個(gè)單元面板的周邊區(qū)域都形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊，通過測(cè)試所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的光反射率的差異來判定整個(gè)大板中的所有單元面板的消影等級(jí)，或者來判定所述至少兩個(gè)測(cè)試塊所在的單元面板的消影等級(jí)。

以上測(cè)試至少兩個(gè)測(cè)試塊的反射率并進(jìn)行比較從而判定產(chǎn)品消影效果的步驟可以在大板制程結(jié)束之前進(jìn)行，因而可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)和攔截消影效果差的產(chǎn)品，避免了不必要的后續(xù)生產(chǎn)過程的成本。

第二類實(shí)施例

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二類實(shí)施例的至少兩個(gè)測(cè)試塊的設(shè)置。如圖5中所示，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊可設(shè)置在大板的空白區(qū)域。該類實(shí)施例適合于測(cè)試整個(gè)大板中的所有單元面板的消影等級(jí)。

由于所述至少兩個(gè)測(cè)試塊設(shè)置在大板的空白區(qū)域，而大板的空白區(qū)域沒有BM層，因此所述至少兩個(gè)測(cè)試塊反射率從大板的膜面和玻璃面均能測(cè)試，且測(cè)試出的消影效果與觸控基板單體的消影效果一致。此外，由于大板的空白區(qū)域較大，因此適合于當(dāng)單元面板的周邊區(qū)域大小不夠設(shè)置所述至少兩個(gè)測(cè)試塊時(shí)的情況。

除此之外，第二類實(shí)施例中所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的種類、形狀、大小、形成方式和形成時(shí)機(jī)、測(cè)試方法以及消影效果判斷方法等均與第一類實(shí)施例中相同或類似，因此可參照以上描述獲得更詳細(xì)的了解，在此不再贅述。

以上參照附圖描述了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的觸控基板消影檢測(cè)方法，應(yīng)指出的是，以上描述中的大量細(xì)節(jié)僅為示例，而不是對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以沒有上述細(xì)節(jié)中的一些。

在本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種觸控基板制造方法，包括以下步驟：

在觸控基板的制造過程中，在觸控基板的觸控區(qū)域之外的區(qū)域中形成具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊，所述具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊中的每個(gè)測(cè)試塊包括與觸控區(qū)域中的不同結(jié)構(gòu)分別相同的結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，該方法還包括以及步驟：

在觸控基板的制造過程中，在觸控基板的觸控區(qū)域之外的區(qū)域中形成定位標(biāo)志，所述定位標(biāo)志用于由光學(xué)測(cè)試設(shè)備定位所述至少兩個(gè)測(cè)試塊。

在一些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊是在所述觸控基板的制造過程中在形成所述觸控區(qū)域中的結(jié)構(gòu)區(qū)域的同時(shí)形成的。

在一些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊是通過在用于形成所述觸控區(qū)域中的結(jié)構(gòu)區(qū)域的相應(yīng)膜層的掩膜上增加用于形成所述至少兩個(gè)測(cè)試塊的圖案形成的。

在一些實(shí)施例中，所述觸控基板的制造過程包括大板制程，其中在大板上形成至少兩個(gè)單元面板，以及小片制程，其中將所述大板切割成為至少兩個(gè)單元面板，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊在所述大板制程中形成在大板的空白區(qū)域。

在一些實(shí)施例中，所述觸控基板的制造過程包括大板制程，其中在大板上形成多個(gè)單元面板，以及小片制程，其中將所述大板切割成為多個(gè)單元面板，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊在所述大板制程中形成在單元面板周邊的黑矩陣層之上。

如本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知的，關(guān)于該觸控基板制造方法的更多細(xì)節(jié)，可以從以上關(guān)于本發(fā)明的觸控基板消影檢測(cè)方法的描述中以及從本領(lǐng)域的現(xiàn)有知識(shí)中獲得，因此不再贅述。

在本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種觸控基板，其包括：位于其觸控區(qū)域之外的區(qū)域中的具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊，其中，所述具有不同結(jié)構(gòu)的測(cè)試塊中的每個(gè)測(cè)試塊包括與觸控區(qū)域中的不同結(jié)構(gòu)分別相同的結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊包括對(duì)應(yīng)于所述觸控區(qū)域中的導(dǎo)通塊的測(cè)試塊，以及對(duì)應(yīng)于所述觸控區(qū)域中的蝕刻線的測(cè)試塊。

在一些進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)測(cè)試塊還包括對(duì)應(yīng)于所述觸控區(qū)域中的橋點(diǎn)區(qū)域的測(cè)試塊。

在一些實(shí)施例中，所述測(cè)試塊為矩形或正方形，且其最短邊長(zhǎng)大于或等于1毫米。

在一些實(shí)施例中，所述觸控基板還包括：定位標(biāo)志，所述定位標(biāo)志用于由光學(xué)測(cè)試設(shè)備定位所述至少兩個(gè)測(cè)試塊。

如本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知的，關(guān)于該觸控基板的更多細(xì)節(jié)，可以從以上關(guān)于本發(fā)明的觸控基板消影檢測(cè)方法的描述中以及從本領(lǐng)域的現(xiàn)有知識(shí)中獲得，因此不再贅述。

在本發(fā)明的再一個(gè)方面，還提供了一種觸控裝置，其包括根據(jù)本發(fā)明的任何一個(gè)實(shí)施例所述的觸控基板。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知的，該觸控裝置還可包括其他部件，例如LCD面板、控制板、背光模組等等，由于所述其他部件可以是現(xiàn)有技術(shù)的部件，因此不再贅述。

可以理解的是，本發(fā)明的以上各實(shí)施例僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施例，本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍僅由所附權(quán)利要求書的語(yǔ)言表述的含義及其等同含義所限定。