技術(shù)特征：

1.一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，所述模型本征部分包含溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型的本征部分包含溝道高級(jí)寄生元件，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電阻R₁、本征電容C₁、本征電感L₁這三種元件中的任意一種或者組合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電阻R₁，溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體再與所述本征電阻R₁串聯(lián)；或者溝道電容C_ds與所述本征電阻R₁串聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds并聯(lián)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電感L₁，溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體再與所述本征電感L₁串聯(lián)；或者溝道電阻R_ds與所述本征電感L₁串聯(lián)的整體再與溝道電容C_ds并聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電阻R₁、本征電容C₁，所述本征電阻R₁與本征電容C₁并聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電阻R₁、本征電感L₁，所述本征電阻R₁與本征電感L₁并聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)；或者所述本征電阻R₁與本征電感L₁串聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)；或者所述本征電阻R₁與溝道電容C_ds串聯(lián)，該串聯(lián)與溝道電阻R_ds并聯(lián)后，再與本征電感L₁串聯(lián)；或者所述本征電阻R₁與溝道電容C_ds串聯(lián)的整體，再與所述本征電感L₁與溝道電阻R_ds串聯(lián)的整體并聯(lián)；或者所述本征電感L₁與溝道電阻R_ds串聯(lián)的整體與溝道電容C_ds并聯(lián)，該并聯(lián)整體再與所述本征電阻R₁串聯(lián)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電容C₁、本征電感L₁，所述本征電容C₁與本征電感L₁并聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)；或者所述本征電感L₁與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)，該串聯(lián)整體再與本征電容C₁并聯(lián)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電阻R₁、本征電容C₁、本征電感L₁，所述本征電阻R₁與本征電感L₁串聯(lián)的整體與本征電容C₁并聯(lián)，該并聯(lián)整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)；或者所述本征電阻R₁與本征電容C₁并聯(lián)的整體、溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體、本征電感L₁三者串聯(lián)；或者所述本征電阻R₁與本征電感L₁串聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)，該串聯(lián)整體再與本征電容C₁并聯(lián)；或者所述本征電阻R₁與本征電感L₁串聯(lián)的整體再與本征電容C₁并聯(lián)，該并聯(lián)整體再與溝道電阻R_ds串聯(lián)，該串聯(lián)整體再與溝道電容C_ds并聯(lián)；所述本征電容C₁與本征電感L₁并聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)，該串聯(lián)整體再與所述本征電阻R₁并聯(lián)；或者所述本征電感L₁與溝道電阻R_ds串聯(lián)的整體與溝道電容C_ds并聯(lián)，該并聯(lián)整體再與所述本征電阻R₁及所述本征電容C₁并聯(lián)的整體串聯(lián)；所述本征電阻R₁、本征電容C₁與本征電感L₁三者并聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)；所述本征電阻R₁與本征電容C₁并聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)，該串聯(lián)再與所述本征電感L₁并聯(lián)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述溝道高級(jí)寄生元件包括本征電阻R₁、本征電容C₁、本征電感L₁、本征高階電感L₂，所述本征電阻R₁與本征電感L₁串聯(lián)的整體再與本征電容C₁并聯(lián)，該并聯(lián)與溝道電阻R_ds、本征高階電感L₂三者串聯(lián)，該串聯(lián)整體再與溝道電容C_ds并聯(lián)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，其特征在于，所述的溝道高級(jí)寄生元件參數(shù)的提取方法是：對(duì)場效應(yīng)晶體管進(jìn)行測試，柵極作為輸入端，漏極作為輸出端，源極接地，掃描一組頻率，從而得到不同頻率點(diǎn)上的兩端口射頻散射參數(shù)(S參數(shù))，射頻阻抗參數(shù)(Z參數(shù))，射頻導(dǎo)納參數(shù)(Y參數(shù))，確定場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型的等效電路結(jié)構(gòu)，根據(jù)上述確定的模型等效電路結(jié)構(gòu)推導(dǎo)出包含所述溝道高級(jí)寄生元件的特征函數(shù)表達(dá)式，利用上述包括射頻阻抗參數(shù)(Z參數(shù))、射頻導(dǎo)納參數(shù)(Y參數(shù))的測試數(shù)據(jù)擬合出所述溝道高級(jí)寄生元件的初始值，上述確定的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型的柵極外節(jié)點(diǎn)作為輸入端，漏極外節(jié)點(diǎn)作為輸出端，源極外節(jié)點(diǎn)接地，進(jìn)行仿真，利用測試曲線與仿真結(jié)果之間數(shù)值擬合的方法，迭代優(yōu)化得到所述溝道高級(jí)寄生元件的參數(shù)值。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述，一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體再與所述本征電阻R₁串聯(lián)，其特征在于，所述本征電阻R₁參數(shù)的提取方法是：

對(duì)場效應(yīng)晶體管進(jìn)行測試，柵極作為輸入端，漏極作為輸出端，源極接地，掃描一組頻率，從而得到不同頻率點(diǎn)上的兩端口射頻散射參數(shù)(S參數(shù))，射頻阻抗參數(shù)(Z參數(shù))，射頻導(dǎo)納參數(shù)(Y參數(shù))，上述Z參數(shù)與Y參數(shù)分別剝離掉所述模型寄生部分后得到本征部分的Z參數(shù)或者Y參數(shù)，所述本征電阻R₁、溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds構(gòu)成的源漏路Y參數(shù)(Y_ds)可以通過本征部分Y參數(shù)的Y₁₂與Y₂₂相加得到，見下式，

Y_ds＝Y(jié)₁₂+Y₂₂ (1)

源漏路Z參數(shù)(Z_ds)見下式，

$Z_{ds}=1/Y_{ds}=\frac{R_{ds}}{1+{\mathrm{\ω}}^2{R}_{ds}^2{C}_{ds}^2}+R_1-j\frac{{\mathrm{\ωR}}_{ds}^2{C}_{ds}}{1+{\mathrm{\ω}}^2{R}_{ds}^2{C}_{ds}^2}---\left(2\right)$

根據(jù)所述模型本征部分源漏路的電路結(jié)構(gòu)推導(dǎo)出包含所述溝道高級(jí)寄生元件的特征函數(shù)表達(dá)式，設(shè)特征函數(shù)f₁(ω)＝Re[Z_ds]，其表達(dá)式如下式，

$f_1\left(\mathrm{\ω}\right)=\frac{R_{ds}}{1+{\mathrm{\ω}}^2{R}_{ds}^2{C}_{ds}^2}+R_1---\left(3\right)$

設(shè)特征函數(shù)f₂(ω)＝-ω/Im[Z_ds]，其表達(dá)式如下式，

$f_2\left(\mathrm{\ω}\right)=\frac{1}{R_{ds}^2{C}_{ds}^2}+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}---\left(4\right)$

設(shè)特征函數(shù)f₀(ω)＝Re[Y_ds]＝Re[Y₂₂+Y₁₂]，其表達(dá)式如下式，

$f_0\left(\mathrm{\ω}\right)=\frac{R_{ds}+R_1+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}^2{R}_1{R}_{ds}^2}{{(R_{ds}+R_1)}^2+{\mathrm{\ω}}^2{\left(C_{ds}{R}_{ds}{R}_1\right)}^2}---\left(5\right)$

利用上述源漏路Y參數(shù)的測試數(shù)據(jù)，通過特征函數(shù)f₂(ω)對(duì)ω²的線性擬合得到斜率(k₁＝C_ds)和截距溝道電阻R_ds可以通過下式計(jì)算得到，

$R_{ds}=1/\sqrt{b_1}{k}_1---\left(6\right)$

通過特征函數(shù)f₁(ω)對(duì)ω²的擬合，計(jì)算出R₁的參數(shù)初始值，然后再利用源漏路Y參數(shù)測試曲線與源漏路Y參數(shù)仿真結(jié)果之間數(shù)值擬合的方法，迭代優(yōu)化得到所述本征電阻R₁的參數(shù)值。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述，一種包含溝道高級(jí)寄生元件的場效應(yīng)晶體管小信號(hào)等效電路模型，所述本征電阻R₁與本征電感L₁串聯(lián)的整體再與溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds并聯(lián)的整體串聯(lián)，其特征在于，所述所述本征電阻R₁與本征電感L₁參數(shù)的提取方法是：

對(duì)場效應(yīng)晶體管進(jìn)行測試，柵極作為輸入端，漏極作為輸出端，源極接地，掃描一組頻率，從而得到不同頻率點(diǎn)上的兩端口射頻散射參數(shù)(S參數(shù))，射頻阻抗參數(shù)(Z參數(shù))，射頻導(dǎo)納參數(shù)(Y參數(shù))，上述Z參數(shù)與Y參數(shù)分別剝離掉所述模型寄生部分后得到本征部分的Z參數(shù)或者Y參數(shù)，所述本征電阻R₁、溝道電阻R_ds及溝道電容C_ds構(gòu)成的源漏路Y參數(shù)(Y_ds)可以通過本征部分Y參數(shù)的Y₁₂與Y₂₂相加得到，見下式，

Y_ds＝Y(jié)₁₂+Y₂₂ (1)

源漏路Z參數(shù)(Z_ds)見下式，

$Z_{ds}=1/Y_{ds}=\frac{R_{ds}}{1+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}^2{R}_{ds}^2}+R_1+j\mathrm{\ω}\[L_1-\frac{C_{ds}{R}_{ds}^2}{1+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}^2{R}_{ds}^2}\]---\left(2\right)$

根據(jù)所述模型本征部分源漏路的電路結(jié)構(gòu)推導(dǎo)出包含所述溝道高級(jí)寄生元件的特征函數(shù)表達(dá)式，設(shè)特征函數(shù)f₁(ω)＝1/Re[Z_ds]，其表達(dá)式如下式，

$f_1\left(\mathrm{\ω}\right)=\frac{1+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}^2{R}_{ds}^2}{R_{ds}+R_1(1+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}^2{R}_{ds}^2)}---\left(3\right)$

設(shè)特征函數(shù)f₂(ω)＝Im[Y_ds]＝Im[Y₂₂+Y₁₂]，其表達(dá)式如下式，

$f_2\left(\mathrm{\ω}\right)=\frac{{\mathrm{\ωC}}_{ds}{R}_{ds}^2-{\mathrm{\ω}}^3{C}_{ds}^2{L}_{ds}{R}_{ds}^2-{\mathrm{\ωL}}_1}{{(R_{ds}+R_1-{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}{L}_{ds}{R}_{ds})}^2+{\mathrm{\ω}}^2{(L_1+C_{ds}{R}_{ds}{R}_1)}^2}---\left(4\right)$

設(shè)特征函數(shù)f₀(ω)＝Re[Y_ds]＝Re[Y₂₂+Y₁₂]，其表達(dá)式如下式，

$f_0\left(\mathrm{\ω}\right)=\frac{R_{ds}+R_1+{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}^2{R}_1{R}_{ds}^2}{{(R_{ds}+R_1-{\mathrm{\ω}}^2{C}_{ds}{L}_1{R}_{ds})}^2+{\mathrm{\ω}}^2{(L_1+C_{ds}{R}_{ds}{R}_1)}^2}---\left(5\right)$

利用上述源漏路Y參數(shù)的測試數(shù)據(jù)，通過特征函數(shù)f₁(ω)的擬合，計(jì)算出R₁、R_ds，C_ds的參數(shù)初始值，從f₂(ω)的擬合，計(jì)算出L₁的參數(shù)初始值，然后再利用源漏路Y參數(shù)測試曲線與源漏路Y參數(shù)仿真結(jié)果之間數(shù)值擬合的方法，迭代優(yōu)化得到所述本征電阻R₁與本征電感L₁的參數(shù)值。