本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種指紋識(shí)別的陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，基于半導(dǎo)體電容效應(yīng)的指紋識(shí)別技術(shù)已經(jīng)成熟，人們可通過(guò)使用硅傳感器來(lái)識(shí)別指紋信息。具體地，該硅感應(yīng)器包括一探測(cè)電極，當(dāng)手指置于探測(cè)電極上方時(shí)，探測(cè)電極與手指表面形成感應(yīng)電容，即探測(cè)電極作為感應(yīng)電容的一個(gè)極板，手指作為感應(yīng)電容另一極板。由于指紋紋路的凹部與探測(cè)電極之間形成的感應(yīng)電容的電容值較小，而凹部與探測(cè)電極之間形成的感應(yīng)電容的電容值較小，因此通過(guò)判斷感應(yīng)電容的電容值的大小即可判斷出對(duì)應(yīng)的指紋紋路為凹部或凸部。相較于其他的指紋識(shí)別技術(shù)，基于半導(dǎo)體電容效應(yīng)的指紋識(shí)別技術(shù)所對(duì)應(yīng)的識(shí)別裝置尺寸小、安全性高、獲取的指紋信息準(zhǔn)確。因此，基于半導(dǎo)體電容效應(yīng)的指紋識(shí)別技術(shù)非常適合在安全防范和高檔消費(fèi)類電子產(chǎn)品中使用。

同時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)作為一種高檔消費(fèi)類產(chǎn)品，是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、白發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域。OLED已經(jīng)開(kāi)始取代傳統(tǒng)的液晶顯示屏。倘若能成功將基于半導(dǎo)體電容效應(yīng)的指紋識(shí)別技術(shù)成功應(yīng)用到OLED技術(shù)中，則勢(shì)必會(huì)進(jìn)一步的提升OLED產(chǎn)品的使用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何將指紋識(shí)別技術(shù)運(yùn)用到OLED顯示器件中。

為此目的，本發(fā)明提出了一種指紋識(shí)別的陣列基板，包括集成在OLED背板上的光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元，所述光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元用于接收OLED發(fā)光單元發(fā)射的穿過(guò)背板經(jīng)由手指谷脊反射的光線，根據(jù)所述光線的光強(qiáng)確定手指的紋路信息。

優(yōu)選的，所述光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元包括光敏器件和與所述光敏器件連接的感測(cè)電路；

所述光敏器件用于接收所述OLED發(fā)光單元穿過(guò)背板經(jīng)由手指谷脊反射的光線，并將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)；

所述感測(cè)電路用于讀取所述電信號(hào)，并控制所述讀取的電信號(hào)的輸出。

優(yōu)選的，所述感測(cè)電路包括：

分別連接復(fù)位端、公共電壓輸入端和第一節(jié)點(diǎn)的復(fù)位模塊；所述復(fù)位模塊用于在所述復(fù)位端輸出低電平時(shí)向所述第一節(jié)點(diǎn)充電；

分別連接所述第一節(jié)點(diǎn)和公共電壓輸入端的存儲(chǔ)模塊；所述存儲(chǔ)模塊用于在所述復(fù)位模塊停止向所述第一節(jié)點(diǎn)充電時(shí)，使所述第一節(jié)點(diǎn)維持高電位；

分別連接所述第一節(jié)點(diǎn)和第一工作電壓端的放大模塊；所述放大模塊用于在所述第一節(jié)點(diǎn)為低點(diǎn)位時(shí)，將所述電信號(hào)進(jìn)行放大；其中，所述第一節(jié)點(diǎn)連接光敏器件，所述光敏器件接收到手指谷脊反射的光線時(shí)，將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，所述第一節(jié)點(diǎn)由所述高電位變?yōu)榈碗娢唬?/p>

分別連接所述放大模塊、信號(hào)輸出控制端和信號(hào)輸出端的讀取模塊；所述讀取模塊用于在所述信號(hào)輸出控制端輸出低點(diǎn)位時(shí)，控制放大后電信號(hào)的輸出。

優(yōu)選的，所述復(fù)位模塊包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述復(fù)位端，源極與漏極中的一個(gè)連接所述公共電壓輸入端，另一個(gè)連接所述第一節(jié)點(diǎn)。

優(yōu)選的，所述存儲(chǔ)模塊包括第一電容，所述第一電容的兩端分別連接所述第一節(jié)點(diǎn)和所述公共電壓輸入端。

優(yōu)選的，所述放大模塊包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極與漏極中的一個(gè)連接所述第一工作電壓端，另一個(gè)連接所述讀取模塊。

優(yōu)選的，所述讀取模塊包括第三晶體管，所述第三晶體管的柵極連接所述信號(hào)輸出控制端，源極與漏極中的一個(gè)連接所述放大模塊，另一個(gè)連接所述信號(hào)輸出端。

優(yōu)選的，所述信號(hào)輸出端連接放大電路，所述放大電路用于將所述信號(hào)輸出端輸出的電信號(hào)進(jìn)行放大。

優(yōu)選的，所述光敏器件包括：依次形成的N型摻雜半導(dǎo)體層、非晶硅層、P型摻雜半導(dǎo)體層；所述P型摻雜半導(dǎo)體層通過(guò)第一導(dǎo)電層連接所述第一節(jié)點(diǎn)；所述N型摻雜半導(dǎo)體通過(guò)第二導(dǎo)電層連接公共電壓輸入端。

優(yōu)選的，所述光敏器件包括：依次形成的P型摻雜半導(dǎo)體層、非晶硅層、N型摻雜半導(dǎo)體層；所述N型摻雜半導(dǎo)體通過(guò)第一導(dǎo)電層連接公共電壓輸入端；所述P型摻雜半導(dǎo)體層通過(guò)第二導(dǎo)電層連接所述第一節(jié)點(diǎn)。

優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電層與所述OLED發(fā)光單元的陽(yáng)極同層。

優(yōu)選的，所述第二導(dǎo)電層與所述復(fù)位模塊的第一晶體管的源漏金屬層同層。

優(yōu)選的，所述公共電壓輸入端與所述復(fù)位模塊的第一晶體管的柵極同層。

優(yōu)選的，所述OLED發(fā)光單元為底發(fā)光結(jié)構(gòu)。

另一方面，本發(fā)明還提供了上述任意一種指紋識(shí)別的陣列基板的制作方法，該方法包括：

在襯底上同時(shí)形成OLED器件和光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元。

優(yōu)選的，形成OLED器件的步驟包括：

在襯底上形成第四晶體管；

在所述第四晶體管上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一過(guò)孔；

在所述第一絕緣層依次形成第三導(dǎo)電層、發(fā)光層和第四導(dǎo)電層；所述第三導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔連接所述第四晶體管的源極或漏極。

優(yōu)選的，形成光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元包括：

在襯底上形成光敏器件和感測(cè)電路；

其中，所述感測(cè)電路的第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，與所述OLED器件的第四晶體管在相同的工藝中同步形成。

另一方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種指紋識(shí)別的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過(guò)在OLED背板上集成光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元，光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元接收OLED發(fā)光單元發(fā)射的經(jīng)由手指谷脊反射的光線，根據(jù)光線的光強(qiáng)確定手指的紋路信息，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)了將指紋識(shí)別技術(shù)應(yīng)用到有機(jī)發(fā)光顯示器領(lǐng)域，由于OLED的光學(xué)特性好，光強(qiáng)度大，且光路較LCD更為簡(jiǎn)單，所以實(shí)現(xiàn)指紋觸控的效果更具備優(yōu)勢(shì)。進(jìn)一步的，實(shí)現(xiàn)了在OLED顯示器件中新增指紋識(shí)別功能，提高了OLED顯示器件的產(chǎn)品附加值。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED背板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的手指脊反射光線路徑的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的手指谷反射光線路徑的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元的原理示意圖；

圖7為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元的原理示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元的工作時(shí)序圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的在OLED背板上集成光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的在OLED背板上集成光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別的陣列基板，該基板包括集成在OLED背板1上的光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2，光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2用于接收OLED發(fā)光單元發(fā)射的穿過(guò)背板經(jīng)由手指3谷脊反射的光線，根據(jù)光線的光強(qiáng)確定手指3的紋路信息。

需要說(shuō)明的是，如圖2所示，該OLED背板1可以采用底發(fā)光OLED模組，該OLED模組是由TFT背板11和OLED發(fā)光單元12兩部分組成，OLED發(fā)光單元12實(shí)現(xiàn)發(fā)光功能，OLED發(fā)光單元12包括陰極121、EL(電致發(fā)光)材料122、陽(yáng)極123。陰極121為反光材料鋁或銀，陽(yáng)極13為ITO(氧化銦錫)。其中，可以通過(guò)工藝兼容的方式在該OLED背板1的顯示區(qū)域，周期性植入光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2，并與OLED發(fā)光單元12的信號(hào)整合。具體的，如圖3、4所示，光線由EL發(fā)光經(jīng)過(guò)背板，用戶在背板側(cè)手指3接觸屏幕，光線會(huì)因?yàn)槭种?谷脊差異形成不同的反射路徑，經(jīng)過(guò)手指3谷脊反射的光線射向光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2，之后光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2根據(jù)手指3谷脊反射的光線的差異來(lái)確定手指3的紋路信息。從圖3和圖4中也可以看出，由于手指3谷、脊存在差異，光線經(jīng)過(guò)手指3谷、脊反射后形成不同的方式路徑，因此光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2接收到的經(jīng)過(guò)手指3谷脊反射的光強(qiáng)存在差異，根據(jù)光強(qiáng)的差異就可以形成手指3的紋路信息。

本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板，通過(guò)在OLED背板上集成光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元，光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元接收OLED發(fā)光單元發(fā)射的經(jīng)由手指谷脊反射的光線，根據(jù)光線的光強(qiáng)確定手指的紋路信息。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)了將指紋識(shí)別技術(shù)應(yīng)用到有機(jī)發(fā)光顯示器領(lǐng)域。由于OLED的光學(xué)特性好，光強(qiáng)度大，且光路較LCD更為簡(jiǎn)單，所以實(shí)現(xiàn)指紋觸控的效果更具備優(yōu)勢(shì)。進(jìn)一步的，實(shí)現(xiàn)了在OLED顯示器件中新增指紋識(shí)別功能，提高了OLED顯示器件的產(chǎn)品附加值。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，為了接收經(jīng)由手指3谷脊反射的光線，并根據(jù)接收的光線形成手指3紋路信息，如圖5所示，該光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2包括光敏器件21和與所述光敏器件連接的感測(cè)電路22；

光敏器件21用于接收所述OLED發(fā)光單元12穿過(guò)背板經(jīng)由手指3谷脊反射的光線，并將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)；

感測(cè)電路22用于讀取所述電信號(hào)，并控制所述讀取的電信號(hào)的輸出。

具體的，可以在原有的OLED背板1工藝的基礎(chǔ)上，通過(guò)工藝兼容的方式制作光敏器件21，該光敏器件21包括反接PN結(jié)(PIN)進(jìn)行光電特性轉(zhuǎn)換，PIN組成為P+Doping(高摻雜P型導(dǎo)電層)212→a+SiDoping(非晶硅層)213→N+Doping(高摻雜N型導(dǎo)電層)214。第一層有ITO作為P+的接觸層(211)，負(fù)責(zé)接收光線，最上層可以為Gate2層，作為N+接觸層(215)，再由SD Layer(源漏層)216作為信號(hào)線引出。信號(hào)線連接感測(cè)電路22，由感測(cè)電路22讀取電信號(hào)，并控制電信號(hào)的輸出。

如圖6所示，為了實(shí)現(xiàn)感測(cè)電路22讀取電信號(hào)，并控制電信號(hào)的輸出，該感測(cè)電路22包括：分別連接復(fù)位端Reset、公共電壓輸入端Vcom和第一節(jié)點(diǎn)N1的復(fù)位模塊221；復(fù)位模塊221用于在復(fù)位端Reset輸出低電平時(shí)向第一節(jié)點(diǎn)N1充電；

分別連接第一節(jié)點(diǎn)N1和公共電壓輸入端Vcom的存儲(chǔ)模塊222；存儲(chǔ)模塊222用于在復(fù)位模塊221停止向第一節(jié)點(diǎn)N1充電時(shí)，使第一節(jié)點(diǎn)N1維持高電位；

分別連接第一節(jié)點(diǎn)N1和第一工作電壓端Vdd的放大模塊223；放大模塊223用于在第一節(jié)點(diǎn)N1為低點(diǎn)位時(shí)，將電信號(hào)進(jìn)行放大；其中，第一節(jié)電N1連接光敏器件21，光敏器件21接收到手指3谷脊反射的光線時(shí)，將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，第一節(jié)點(diǎn)N1由高電位變?yōu)榈碗娢唬?/p>

分別連接放大模塊223、信號(hào)輸出控制端EM1和信號(hào)輸出端的讀取模塊224；讀取模塊224用于在信號(hào)輸出控制端EM1輸出低點(diǎn)位時(shí)，控制放大后電信號(hào)的輸出。

優(yōu)選的，如圖7所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，復(fù)位模塊221包括第一晶體管T1，第一晶體管T1的柵極連接復(fù)位端Reset，源極與漏極中的一個(gè)連接公共電壓輸入端Vcom，另一個(gè)連接第一節(jié)點(diǎn)N1。

其中，存儲(chǔ)模塊222可以包括第一電容C1，第一電容C1的兩端分別連接第一節(jié)點(diǎn)N1和公共電壓輸入端Vcom。

放大模塊223可以包括第二晶體管T2，第二晶體管T2的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)N1，源極與漏極中的一個(gè)連接第一工作電壓端Vdd，另一個(gè)連接讀取模塊224。

讀取模塊224包括第三晶體管T3，第三晶體管T3的柵極連接信號(hào)輸出控制端EM1，源極與漏極中的一個(gè)連接放大模塊223，另一個(gè)連接信號(hào)輸出端。

可見(jiàn)，該感測(cè)電路22可以包括3個(gè)TFT(薄膜晶體管)，T2屬于放大TFT(工作在線性區(qū))。下面對(duì)感測(cè)電路22的工作時(shí)序做說(shuō)明。

圖8為光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2的工作時(shí)序圖。如圖8所示，第一階段，為重置階段，此時(shí)，復(fù)位端Reset信號(hào)輸出低電平，信號(hào)輸出控制端EM1輸出高電平，T1導(dǎo)通，T2、T3斷開(kāi)，Vcom電壓對(duì)N1節(jié)點(diǎn)充電，使N節(jié)點(diǎn)穩(wěn)定為一個(gè)初始狀態(tài)。在第二階段，光存儲(chǔ)階段，復(fù)位端Reset信號(hào)輸出高電平，信號(hào)輸出控制端EM1輸出高電平，T1、T2、T3均斷開(kāi)，第一電容C1使N1節(jié)點(diǎn)維持高電位。此時(shí)光敏器件21如果接收到光線，會(huì)使得N1節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)降低，如果N1節(jié)點(diǎn)電勢(shì)降低至滿足T2導(dǎo)通條件，則T2導(dǎo)通并輸出進(jìn)行一次放大電信號(hào)。第三階段，光信號(hào)讀取階段，復(fù)位端Reset信號(hào)輸出高電平，信號(hào)輸出控制端EM1輸出低電平，此時(shí)，T1斷開(kāi)，T3導(dǎo)通，如果光敏器件21接收到光線，N1節(jié)點(diǎn)電勢(shì)降低至滿足T2導(dǎo)通條件，T2導(dǎo)通，此時(shí)T3輸出經(jīng)過(guò)T2放大后的電壓信號(hào)，因此，通過(guò)控制EM1信號(hào)為低電平，可以控制放大后電壓信號(hào)的輸出。

如圖6、7所示，為了將放大后的電信號(hào)進(jìn)行二次放大，信號(hào)輸出端連接放大電路225，放大電路225用于將信號(hào)輸出端輸出的電信號(hào)進(jìn)行放大。

其中，如圖7所示，該放大電路225可以包括運(yùn)算放大器、連接在運(yùn)算放大器的反向輸入端和輸出端之間的第二電容C2、并聯(lián)在第二電容C2兩端的開(kāi)關(guān)K1。運(yùn)算放大器的正向輸入端連接參考電壓輸入端Vref。

優(yōu)選的，如圖9所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，該光敏器件21包括：依次形成的N型摻雜半導(dǎo)體層214、非晶硅層213、P型摻雜半導(dǎo)體層212；P型摻雜半導(dǎo)體層212通過(guò)第一導(dǎo)電層211連接第一節(jié)點(diǎn)；N型摻雜半導(dǎo)體214通過(guò)第二導(dǎo)電層215連接公共電壓輸入端201。

其中，第一導(dǎo)電層211可以為ITO(銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜)，第一導(dǎo)電層211可以與OLED發(fā)光單元的陽(yáng)極123同層形成。第二導(dǎo)電層215可以與感測(cè)電路22的TFT的源漏金屬層同層形成。公共電壓輸入端201與所述復(fù)位模塊221的第一晶體管T1的柵極202同層。進(jìn)一步的，OLED背板1中的TFT可以與感測(cè)電路22中的TFT同時(shí)形成。感測(cè)電路22中的3個(gè)TFT可以同時(shí)形成。

如圖10所示，在其他實(shí)施方式中，該光敏器件21可以包括：依次形成的P型摻雜半導(dǎo)體層212、非晶硅層213、N型摻雜半導(dǎo)體層214；所述N型摻雜半導(dǎo)體214通過(guò)第一導(dǎo)電層211連接公共電壓輸入端201；所述P型摻雜半導(dǎo)體層212通過(guò)第二導(dǎo)電層215連接所述第一節(jié)點(diǎn)。同樣的，所述第一導(dǎo)電層211與所述OLED發(fā)光單元的陽(yáng)極123同層。所述第二導(dǎo)電層215與所述復(fù)位模塊221的第一晶體管T1的源漏金屬層同層。公共電壓輸入端201與所述復(fù)位模塊221的第一晶體管T1的柵極202同層。

進(jìn)一步的，為了保證光強(qiáng)損失度小，強(qiáng)度大，OLED發(fā)光單元優(yōu)選為底發(fā)光結(jié)構(gòu)。如下表1所示，給出了OLED背板1設(shè)計(jì)參數(shù)。底發(fā)光的結(jié)構(gòu)只需使AND(陽(yáng)極)為ITO。

表1 OLED背板設(shè)計(jì)參數(shù)表

其中，如圖11所示，在OLED背板1上集成了光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2，OLED背板1除了包括第四晶體管T4和OLED發(fā)光單元12外，還包括在襯底101上依次形成的Buffer(緩沖層)102、GI(柵極絕緣層)103、ILD(絕緣間隔層)104、PVX1(鈍化層)105、PLN(平坦化層)106、PDL(像素定義層)107。

另一方面，本發(fā)明還提供了一種上述實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板的制作方法，該方法包括：

在襯底101上同時(shí)形成OLED器件和光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2。

本發(fā)明實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板的制作方法，通過(guò)在襯底上同時(shí)形成OLED器件和光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元，光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元接收OLED發(fā)光單元發(fā)射的經(jīng)由手指谷脊反射的光線，根據(jù)光線的光強(qiáng)確定手指的紋路信息。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)了將指紋識(shí)別技術(shù)應(yīng)用到有機(jī)發(fā)光顯示器領(lǐng)域，由于OLED的光學(xué)特性好，光強(qiáng)度大，且光路較LCD更為簡(jiǎn)單，所以實(shí)現(xiàn)指紋觸控的效果更具備優(yōu)勢(shì)。進(jìn)一步的，在OLED顯示器件中新增指紋識(shí)別功能，提高了OLED顯示器件的產(chǎn)品附加值。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，形成OLED器件的步驟包括：

在襯底101上形成第四晶體管T4；

在所述第四晶體管T4上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一過(guò)孔110；

在所述第一絕緣層依次形成第三導(dǎo)電層、發(fā)光層和第四導(dǎo)電層；所述第三導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔110連接所述第四晶體管T4的源極或漏極。

需要說(shuō)明的是，該第四晶體管T4是指控制OLED發(fā)光單元發(fā)光的TFT。該第三導(dǎo)電層為OLED發(fā)光單元的陽(yáng)極123，發(fā)光層為EL材料122，第四導(dǎo)電層為OLED發(fā)光單元的陰極121。第一絕緣層可以包括鈍化層105和平坦化層106。

優(yōu)選的，形成光學(xué)感應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元2包括：

在襯底101上形成光敏器件21和感測(cè)電路22；

其中，所述感測(cè)電路22的第一晶體管T1、第二晶體管T2和第三晶體管T3，與所述OLED器件的第四晶體管T4在相同的工藝中同步形成。

再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種包括上述任意一個(gè)實(shí)施例提供的指紋識(shí)別的陣列基板。

本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中，說(shuō)明了大量具體細(xì)節(jié)。然而能夠理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在一些實(shí)例中，并未詳細(xì)示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對(duì)本說(shuō)明書(shū)的理解。類似地，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡(jiǎn)本發(fā)明公開(kāi)并幫助理解各個(gè)發(fā)明方面中的一個(gè)或多個(gè)，在上面對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的各個(gè)特征有時(shí)被一起分組到單個(gè)實(shí)施例、圖、或者對(duì)其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開(kāi)的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本發(fā)明要求比在每個(gè)權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說(shuō)，如權(quán)利要求書(shū)所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開(kāi)的單個(gè)實(shí)施例的所有特征。因此，遵循具體實(shí)施方式的權(quán)利要求書(shū)由此明確地并入該具體實(shí)施方式，其中每個(gè)權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。本發(fā)明并不局限于任何單一的方面，也不局限于任何單一的實(shí)施例，也不局限于這些方面和/或?qū)嵤├娜我饨M合和/或置換。而且，可以單獨(dú)使用本發(fā)明的每個(gè)方面和/或?qū)嵤├蛘吲c一個(gè)或更多其他方面和/或其實(shí)施例結(jié)合使用。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求和說(shuō)明書(shū)的范圍當(dāng)中。