技術(shù)特征：

1.一種元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取電路板上待測(cè)元件的極性區(qū)域圖像和極性對(duì)稱區(qū)域圖像；其中，極性區(qū)域?yàn)榘惭b正確時(shí)所述待測(cè)元件的電極在所述電路板上的區(qū)域，極性對(duì)稱區(qū)域?yàn)榉醇r(shí)所述電極在電路板上的區(qū)域；

獲取所述極性區(qū)域圖像中像素值處于預(yù)選的像素值區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第一數(shù)量，將所述第一數(shù)量與預(yù)存的極性區(qū)域參考圖像中像素值處于所述像素區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第一參考數(shù)量進(jìn)行比較；

獲取所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像中像素值處于所述像素值區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第二數(shù)量，將所述第二數(shù)量與所述極性區(qū)域參考圖像中像素值處于所述像素區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第二參考數(shù)量進(jìn)行比較；

若所述第一數(shù)量與所述第一參考數(shù)量的差值大于預(yù)設(shè)的第一差值閾值，且所述第二數(shù)量與所述第二參考數(shù)量的差值小于預(yù)設(shè)的第二差值閾值，判定所述待測(cè)元件反件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，獲取元件的極性區(qū)域圖像的步驟包括：

從所述電路板的圖像中選取與所述極性區(qū)域參考圖像相匹配的圖像區(qū)域；

根據(jù)所述圖像區(qū)域與所述極性區(qū)域參考圖像中各個(gè)像素點(diǎn)的像素值，計(jì)算所述圖像區(qū)域與所述極性區(qū)域參考圖像的像素相似度；

將像素相似度大于或等于預(yù)設(shè)的像素相似度閾值的圖像區(qū)域設(shè)為所述極性區(qū)域圖像。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，還包括以下：

若所述相似度小于預(yù)設(shè)的相似度閾值，將所述電路板的圖像中與所述圖像區(qū)域相鄰的區(qū)域設(shè)為所述圖像區(qū)域；

其中，與所述圖像區(qū)域相鄰的區(qū)域是在所述電路板的圖像中將所述圖像區(qū)域向x軸和y軸分別移動(dòng)若干個(gè)像素點(diǎn)所得的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，計(jì)算所述圖像區(qū)域與所述極性區(qū)域參考圖像的像素相似度的步驟包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述像素相似度：

$R(x,y)=\frac{{\mathrm{\Σ}}_{x,y}T(x,y)\·I(x,y)}{\sqrt{{\mathrm{\Σ}}_{x,y}T{(x,y)}^2\·{\mathrm{\Σ}}_{x,y}I{(x,y)}^2}};$

式中，R(x,y)是所述圖像區(qū)域與所述極性區(qū)域參考圖像中坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)的像素相似度，T(x,y)為所述極性區(qū)域參考圖像中坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)的像素值，I(x,y)為所述圖像區(qū)域中坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)的像素值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，獲取所述極性區(qū)域圖像中像素值處于預(yù)選的像素值區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第一數(shù)量的步驟包括：

計(jì)算所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像像素的平均灰度值；

獲取所述極性區(qū)域圖像中像素值大于所述平均灰度值的像素點(diǎn)的第一數(shù)量。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，計(jì)算所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像的平均灰度值的步驟包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述平均灰度值：

m＝m₁+m₂；

其中，

$m_2=\underset{x=0}{\overset{w_2-1}{\Σ}}\underset{y=0}{\overset{h_2-1}{\Σ}}{f}_2(x,y);$

式中，m₁和m₂分別為所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像，w₁和h₁分別為所述極性區(qū)域圖像的寬和高，w₂和h₂分別為所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像的寬和高；f₁(x,y)和f₂(x,y)分別表示所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像中坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)的像素值。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，在計(jì)算所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像的平均灰度值之前，還包括以下步驟：

將所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像轉(zhuǎn)換為灰度圖像。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，將所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像轉(zhuǎn)換為灰度圖像的步驟包括：

根據(jù)如下公式將所述極性區(qū)域圖像和所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像轉(zhuǎn)換為灰度圖像：

Gray＝(R*30+G*59+B*11)/100；

式中，Gray為灰度圖像的灰度值，R、G、B為所述極性區(qū)域圖像在RGB空間的顏色分量。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件反件檢測(cè)方法，其特征在于，還包括以下步驟：

若所述第一數(shù)量與所述第一參考數(shù)量的差值小于預(yù)設(shè)的第一差值閾值，且所述第二數(shù)量與所述第二參考數(shù)量的差值大于預(yù)設(shè)的第二差值閾值，判斷所述待測(cè)元件未反件。

10.一種元件反件檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括：

獲取模塊，用于獲取電路板上待測(cè)元件的極性區(qū)域圖像和極性對(duì)稱區(qū)域圖像；其中，極性區(qū)域?yàn)榘惭b正確時(shí)所述待測(cè)元件的電極在所述電路板上的區(qū)域，極性對(duì)稱區(qū)域?yàn)榉醇r(shí)所述電極在電路板上的區(qū)域；

第一比較模塊，用于獲取所述極性區(qū)域圖像中像素值處于預(yù)選的像素值區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第一數(shù)量，將所述第一數(shù)量與預(yù)存的極性區(qū)域參考圖像中像素值處于所述像素區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第一參考數(shù)量進(jìn)行比較；

第二比較模塊，用于獲取所述極性對(duì)稱區(qū)域圖像中像素值處于所述像素值區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第二數(shù)量，將所述第二數(shù)量與所述極性區(qū)域參考圖像中像素值處于所述像素區(qū)間內(nèi)的像素點(diǎn)的第二參考數(shù)量進(jìn)行比較；

判斷模塊，用于若所述第一數(shù)量與所述第一參考數(shù)量的差值大于預(yù)設(shè)的第一差值閾值，且所述第二數(shù)量與所述第二參考數(shù)量的差值小于預(yù)設(shè)的第二差值閾值，判定所述待測(cè)元件反件。