1.一種指紋辨識(shí)裝置，包括：
一基板，具有一第一側(cè)及一第二側(cè)及多個(gè)穿孔，這些穿孔連接該第一、二側(cè)；
一感應(yīng)電極層，設(shè)置于該基板的第一側(cè)，該感應(yīng)電極層具有多個(gè)第一電極及多個(gè)第二電極及一絕緣層，該第一、二電極及該絕緣層疊層設(shè)置，并且，該絕緣層部分設(shè)置于該第一、二電極之間，并且，部分絕緣層包附該第一、二電極；
一指紋辨識(shí)感測(cè)芯片，設(shè)于前述基板的第二側(cè)；
一導(dǎo)電層，具有多個(gè)導(dǎo)電體，這些導(dǎo)電體部分穿設(shè)于前述基板的這些穿孔內(nèi)部，這些該導(dǎo)電體部分設(shè)置于該基板的第二側(cè)，并且，通過(guò)這些導(dǎo)電體使該第一、二電極與該指紋辨識(shí)感測(cè)芯片電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的指紋辨識(shí)裝置，其特征在于，其還具有一軟性電路板，該軟性電路板選擇性的與感應(yīng)電極層或該指紋辨識(shí)感測(cè)芯片電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的指紋辨識(shí)裝置，其特征在于，所述第一電極為X方向電極，所述第二電極為Y方向電極，并且，兩者間由絕緣層隔絕絕緣，所述第一、二電極通過(guò)該導(dǎo)電層選擇性的與該指紋辨識(shí)感測(cè)芯片進(jìn)行電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的指紋辨識(shí)裝置，其特征在于，所述絕緣層為SiO2或OverCoated其中的任一種。
5.如權(quán)利要求1所述的指紋辨識(shí)裝置，其特征在于，所述這些穿孔直徑為1um~25um。
6.一種指紋辨識(shí)裝置制造方法，包括下列步驟：
提供一基板，并于該基板一側(cè)面披覆一第一金屬鍍膜；
通過(guò)黃光微影蝕刻對(duì)該第一金屬鍍膜蝕刻并形成多個(gè)第一電極；
于這些第一電極及該基板表面披覆一絕緣層；
于該絕緣層一側(cè)披覆一第二金屬鍍膜；
通過(guò)黃光微影蝕刻對(duì)該第二金屬鍍膜蝕刻并形成多個(gè)第二電極；
于該基板另一側(cè)向具有多個(gè)第一電極的一側(cè)進(jìn)行穿孔工藝，成型多個(gè)穿孔；
并于該基板具有多個(gè)穿孔的一側(cè)披覆一第三金屬鍍膜，并將該第三金屬鍍膜同時(shí)灌入這些穿孔內(nèi)；
通過(guò)黃光微影蝕刻對(duì)該第三金屬鍍膜蝕刻并形成具有多個(gè)導(dǎo)電體的一導(dǎo)電層；
將一指紋辨識(shí)感測(cè)芯片設(shè)置于該導(dǎo)電層上與該基板結(jié)合，并且，該指紋辨識(shí)感測(cè)芯片與該導(dǎo)電層電性連接。
7.如權(quán)利要求6所述的指紋辨識(shí)裝置制造方法，其特征在于，這些第一、二電極為透明或不透明特性其中的任一種。
8.如權(quán)利要求6所述的指紋辨識(shí)裝置制造方法，其特征在于，穿孔工藝可通過(guò)蝕刻或鉆孔或雷射穿孔等方式進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求6所述的指紋辨識(shí)裝置制造方法，其特征在于，指紋辨識(shí)感測(cè)芯片通過(guò)COG工藝方式結(jié)合在該基板的導(dǎo)電層上。