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指紋辨識裝置及其制造方法與流程

文檔序號:11831525閱讀:203來源:國知局
指紋辨識裝置及其制造方法與流程

一種指紋辨識裝置及其制造方法,尤指一種可改善現(xiàn)有復雜指紋辨識結(jié)構(gòu)的指紋辨識裝置及其制造方法。



背景技術(shù):

現(xiàn)行指紋辨識功能為搭載于移動裝置上的一種基本安全機制,現(xiàn)有指紋辨識裝置分為獨立式與整合式兩大類,其中獨立式又分為接觸式及非接觸式兩種,接觸式通過感應電極直接對所接觸的指紋進行辨識,通常設(shè)置于觸控區(qū)域或獨立設(shè)置于非觸控區(qū)域,另外,非接觸式的指紋辨識裝置則通過超音波的方式進行指紋辨識,非接觸式的指紋辨識則不限于所設(shè)置之處是否為觸控區(qū)域或非觸控區(qū)域。

雖然,現(xiàn)行指紋辨識技術(shù)已發(fā)展成熟,但對于指紋辨識裝置的整體結(jié)構(gòu)設(shè)計上仍在不斷改進求新求變,并且,因為移動裝置日漸輕薄化,故如何設(shè)計符合狹窄空間使用的指紋辨識裝置也成為一首要目標。

并且,現(xiàn)行指紋辨識裝置工藝以及結(jié)構(gòu)如何使用戶使用時更便利,辨識率更高,則為現(xiàn)階段最為首重的目標。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

因此,為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有較為簡化結(jié)構(gòu)的指紋辨識裝置。

本發(fā)明另一目的是提供一種具有較為簡化結(jié)構(gòu)的指紋辨識裝置的制造方法。

為達上述目的,本發(fā)明提供一種指紋辨識裝置,包括:一基板、一感應電極層、一指紋辨識感測芯片、多個導電層;

所述基板具有一第一側(cè)及一第二側(cè)及多個穿孔,這些穿孔連接該第一、二側(cè);所述感應電極層設(shè)置于該基板的第一側(cè),該感應電極層具有多個第一電極及多個第二電極及一絕緣層,該第一、二電極及該絕緣層疊層設(shè)置,并且,該絕緣層部分設(shè)置于該第一、二電極之間,并且,部分絕緣層包附該第一、二電極;所述指紋辨識感測芯片設(shè)于前述基板的第二側(cè);所述多個導電層部分穿設(shè)于前述基板的這些穿孔內(nèi)部,部分設(shè)置于該基板的第二側(cè),并且,通過這些導電體使該第一、二電極與該指紋辨識感測芯片電性連接。

其中,該指紋辨識裝置還具有一軟性電路板,該軟性電路板選擇性的與感應電極層或該指紋辨識感測芯片電性連接。

其中,所述第一電極為X方向電極,所述第二電極為Y方向電極,并且,兩者間由絕緣層隔絕絕緣,所述第一、二電極通過該導電層選擇性的與該指紋辨識感測芯片進行電性連接。

其中,所述絕緣層為SiO2或OverCoated其中的任一種。

其中,所述該穿孔直徑為1um~25um。

為達上述目的本發(fā)明提供一種指紋辨識裝置制造方法,包括下列步驟:

提供一基板,并于該基板一側(cè)面披覆一第一金屬鍍膜;

通過黃光微影蝕刻對該第一金屬鍍膜蝕刻并形成多個第一電極;

于這些第一電極及該基板表面披覆一絕緣層;

于該絕緣層一側(cè)披覆一第二金屬鍍膜;

通過黃光微影蝕刻對該第二金屬鍍膜蝕刻并形成多個第二電極;

于該基板另一側(cè)向具有多個第一電極的一側(cè)進行穿孔工藝,成型多個穿孔;

并于該基板具有多個穿孔的一側(cè)披覆一第三金屬鍍膜,并將該第三金屬鍍膜同時灌入這些穿孔內(nèi);

通過黃光微影蝕刻對該第三金屬鍍膜蝕刻并形成具有多個導電體的一導電層;

將一指紋辨識感測芯片設(shè)置于該導電層上與該基板結(jié)合,并且,該指紋辨識感測芯片與該導電層電性連接。

其中,該第一、二電極為透明或不透明的特性其中的任一種。

其中,穿孔工藝可通過蝕刻或鉆孔或雷射穿孔等方式進行。

其中,指紋辨識感測芯片通過COG(chip on glass)工藝方式結(jié)合在該基板的導電層上。

并且,通過本發(fā)明的指紋辨識裝置及其制造方法可改善現(xiàn)有指紋辨識裝置過于復雜的結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1:為本發(fā)明指紋辨識裝置第一實施例的立體分解圖。

圖2:為本發(fā)明指紋辨識裝置第一實施例的組合剖面圖。

圖3:為本發(fā)明指紋辨識裝置第二實施例的組合剖面圖。

圖4:為本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法的步驟流程圖。

圖5:為本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法的工藝示意圖。

圖6:為本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法的工藝示意圖。

圖7:為本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法的工藝示意圖。

圖8:為本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法的工藝示意圖。

附圖標記說明

指紋辨識裝置1

基板11

第一側(cè)111

第二側(cè)112

穿孔113

第一金屬鍍膜11a

第二金屬鍍膜11b

第三金屬鍍膜11c

感應電極層12

第一電極121

第二電極122

絕緣層123

指紋辨識感測芯片13

腳位131

導電層14

導電體141

軟性電路板2。

具體實施方式

本發(fā)明的上述目的及其結(jié)構(gòu)與功能上的特性,將依據(jù)所附附圖的較佳實施例予以說明。

請參閱圖1、2,為本發(fā)明指紋辨識裝置第一實施例的立體分解及組合剖面圖,所述指紋辨識裝置1,包括:一基板11、一感應電極層12、一指紋辨識感測芯片13、一導電層14;

所述基板11具有一第一側(cè)111、一第二側(cè)112及多個穿孔113,所述第一、二側(cè)111、112分別設(shè)置于該基板11的上、下兩側(cè),這些穿孔113貫穿該基板11的第一、二側(cè)111、112并連接該第一、二側(cè)111、112,這些穿孔113直徑為1um~25um。

所述感應電極層12設(shè)置于該基板11的第一側(cè)111,該感應電極層12具有多個第一電極121、多個第二電極122及一絕緣層123,該第一、二電極121、122及該絕緣層123疊層設(shè)置,并且,該絕緣層123部分設(shè)置于該第一、二電極121、122之間,并且,部分絕緣層123包覆該第一、二電極121、122。

所述第一電極121為X方向電極,所述第二電極122為Y方向電極,并且,兩者間由絕緣層123隔絕絕緣,所述第一、二電極121、122通過該導電層14選擇性的與該指紋辨識感測芯片13進行電性連接,所述絕緣層123為SiO2或OverCoated其中的任一種。

所述指紋辨識感測芯片13設(shè)于前述基板11的第二側(cè)112,并且,該指紋辨識感測芯片13具有多個腳位131,該導電層14具有多個導電體141,這些導電體141部分穿設(shè)于前述基板11的穿孔113內(nèi)部,部分導電體141設(shè)置于該基板11的第二側(cè)112,并且,通過這些導電體141使該第一、二電極121、122與該指紋辨識感測芯片13的腳位131電性連接。

請參閱圖3,為本發(fā)明指紋辨識裝置第二實施例的組合剖面圖,如圖所示,本實施例部分結(jié)構(gòu)與前述第一實施例相同故在此將不再贅述,本實施例與前述第一實施例的不同之處在于其還具有一軟性電路板2,該軟性電路板2選擇性的與感應電極層12或該指紋辨識感測芯片13電性連接。

請參閱圖4、5、6、7、8,為本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法的步驟流程圖及工藝示意圖,并且,一并參閱前述圖1~3,如圖所示,本發(fā)明指紋辨識裝置制造方法包括下列步驟:

S1:提供一基板,并于該基板一側(cè)面披覆一第一金屬鍍膜;

提供一基板11作為基材使用,該基板11可為硅材質(zhì)或玻璃材質(zhì)其中的任一種,并且,該基板11具有上、下兩側(cè)面(第一、二側(cè)111、112),選擇于上側(cè)面(第一側(cè)111)以披覆鍍膜的方式披覆一第一金屬鍍膜11a。

S2:通過黃光微影蝕刻對該第一金屬鍍膜蝕刻并形成多個第一電極;

對該第一金屬鍍膜11a進行黃光微影蝕刻,并通過黃光微影蝕刻將該第一金屬鍍膜11a蝕刻并形成多個第一電極121。

S3:于這些第一電極及該基板表面披覆一絕緣層;

通過披覆鍍膜的方式于這些第一電極121及這些基板11上不具有第一電極121之處披覆一層絕緣層123作為絕緣使用。

S4:于該絕緣層一側(cè)披覆一第二金屬鍍膜;

于前述絕緣層123的一側(cè)通過披覆鍍層的方式披覆一第二金屬鍍膜11b。

S5:通過黃光微影蝕刻對該第二金屬鍍膜蝕刻并形成多個第二電極;

通過黃光微影蝕刻將該第二金屬鍍膜11b蝕刻形成多個第二電極122。

S6:于該基板另一側(cè)向具有多個第一電極的一側(cè)進行穿孔工藝,成型多個穿孔;

于該基板11的第二側(cè)112表面向該第一側(cè)111的方向進行鉆孔工作形成多個穿孔113,并且,這些穿孔113連通該基板第一、二側(cè)111、112,使該基板11的第一、二側(cè)111、112相互連通,穿孔113工藝可通過蝕刻或鉆孔或雷射穿孔等方式進行。

S7:并于該基板具有多個穿孔的一側(cè)披覆一第三金屬鍍膜,并將該第三金屬鍍膜同時灌入這些穿孔內(nèi);

通過披覆鍍膜的方式于該基板11的第二側(cè)112披覆一第三金屬鍍膜11c,并且,同時使該第三金屬鍍膜11c同時灌入該基板11先前所成型的穿孔113內(nèi),該第三金屬鍍膜11c與這些第一、二電極121、122電性連接。

S8:通過黃光微影蝕刻對該第三金屬鍍膜蝕刻并形成具有多個導電體的一導電層;

通過黃光微影蝕刻工藝對該第三金屬鍍膜11c進行蝕刻,其后使該第三金屬鍍膜11c形成具有多個導電體141的一導電層14,這些導電體141為金屬走線并設(shè)置于前述穿孔113內(nèi)的線路。

S9:將一指紋辨識感測芯片設(shè)置于該導電層上與該基板結(jié)合,并且,該指紋辨識感測芯片與該導電層電性連接。

將一指紋辨識感測芯片13通過COG(chip on glass)工藝方式結(jié)合在該基板11的導電層14上,并且,使該指紋辨識感測芯片13的多個腳位131與前述導電層14電性連接。

本發(fā)明指紋辨識裝置及其制造方法中的這些第一、二電極111、112為透明或不透明特性其中的任一種。

通過本發(fā)明指紋辨識裝置及其制造方法可改善現(xiàn)有指紋辨識裝置的缺點,借此大幅改善指紋辨識精確度以及降低制造成本。

雖然本發(fā)明已利用上述較佳實施例進行說明,然其并非用以限定本發(fā)明的保護范圍,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi),相對上述實施例進行各種變動與修改仍屬本發(fā)明所保護的范圍,因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求書所界定的為準。

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