1.一種輸入設(shè)備，包括：
具有底部的外殼；
以圖案設(shè)置在基板上的多個(gè)傳感器電極；
耦合到所述傳感器電極的多個(gè)路由跡線；
導(dǎo)電屏蔽物，其具有近似等于或大于傳感器電極的圖案的展布范圍的展布范圍，所述導(dǎo)電屏蔽物和所述基板是設(shè)置在所述外殼中的顯示膜堆疊的部分；以及
可壓縮層，其設(shè)置在所述顯示膜堆疊與外殼之間，所述可壓縮層被配置成允許所述顯示膜堆疊朝向所述外殼的底部偏轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，其中所述導(dǎo)電屏蔽物是電氣浮動(dòng)的。
3.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，進(jìn)一步包括：
處理系統(tǒng)，其耦合到所述導(dǎo)電屏蔽物。
4.如權(quán)利要求3所述的輸入設(shè)備，其中所述處理系統(tǒng)被配置成將屏蔽信號(hào)驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。
5.如權(quán)利要求3所述的輸入設(shè)備，其中所述處理系統(tǒng)被配置成：
將經(jīng)調(diào)制的屏蔽信號(hào)驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。
6.如權(quán)利要求3所述的輸入設(shè)備，其中所述處理系統(tǒng)被配置成：
將恒定電壓驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。
7.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，其中所述顯示膜堆疊包括：
偏振膜層，其上設(shè)置有所述導(dǎo)電屏蔽物。
8.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，其中所述顯示膜堆疊包括：
背面照明模塊，其被設(shè)置在所述多個(gè)路由跡線與所述外殼的底部之間，其中所述導(dǎo)電屏蔽物被設(shè)置在所述背面照明模塊的層上。
9.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，其中所述顯示膜堆疊包括：
TFT基板，其上設(shè)置有所述導(dǎo)電屏蔽物。
10.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，其中傳感器電極的圖案被布置成矩陣陣列。
11.如權(quán)利要求1所述的輸入設(shè)備，其中所述可壓縮層包括：
氣隙，其被限定在所述顯示膜堆疊與所述外殼的底部之間。
12.一種輸入設(shè)備，包括：
顯示膜堆疊，其被配置成顯示圖像，所述顯示膜堆疊具有觀看側(cè)和非觀看側(cè)，所述顯示膜堆疊包括：
導(dǎo)電屏蔽物；
多個(gè)傳感器電極，其被設(shè)置在所述導(dǎo)電屏蔽物的觀看側(cè)上；以及
耦合到所述傳感器電極的多個(gè)路由跡線，所述導(dǎo)電屏蔽物被設(shè)置在所述路由跡線與所述顯示膜堆疊的非觀看側(cè)之間；以及
可壓縮層，其被設(shè)置在所述顯示膜堆疊的非觀看側(cè)與所述輸入設(shè)備的接地表面之間，所述可壓縮層被配置成允許所述顯示膜堆疊響應(yīng)于垂直于所述顯示膜堆疊的觀看側(cè)施加的力而朝向所述輸入設(shè)備的接地表面偏轉(zhuǎn)。
13.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，其中所述導(dǎo)電屏蔽物是電氣浮動(dòng)的。
14.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，其中所述導(dǎo)電屏蔽物具有近似等于或大于多個(gè)傳感器電極的展布范圍的展布范圍。
15.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，進(jìn)一步包括：
處理系統(tǒng)，其耦合到所述導(dǎo)電屏蔽物且被配置成將經(jīng)調(diào)制的保護(hù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。
16.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，進(jìn)一步包括：
處理系統(tǒng)，其耦合到所述導(dǎo)電屏蔽物且被配置成將非調(diào)制的屏蔽信號(hào)驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。
17.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，其中所述顯示膜堆疊包括：
偏振膜層，其上設(shè)置有所述導(dǎo)電屏蔽物。
18.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，其中所述顯示膜堆疊包括：
背面照明模塊，其中所述導(dǎo)電屏蔽物被設(shè)置在所述背面照明模塊的層上。
19.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，其中所述顯示膜堆疊包括：
TFT基板，其上設(shè)置有所述導(dǎo)電屏蔽物。
20.如權(quán)利要求12所述的輸入設(shè)備，其中所述多個(gè)傳感器電極被布置成矩陣陣列。
21.一種輸入設(shè)備，包括：
被配置成通過(guò)頂面顯示圖像的顯示膜堆疊，所述顯示膜堆疊包括：
設(shè)置成矩陣陣列的多個(gè)傳感器電極；以及
耦合到傳感器電極的多個(gè)路由跡線；以及
導(dǎo)電屏蔽物，其具有近似等于或大于所述多個(gè)傳感器電極的有效面積的展布范圍，所述導(dǎo)電屏蔽物相對(duì)于所述頂面設(shè)置在所述矩陣陣列和路由跡線下面；
可壓縮層，其被設(shè)置在所述顯示膜堆疊下面，所述可壓縮層被配置成允許所述顯示膜堆疊響應(yīng)于對(duì)顯示膜堆疊的頂面施加的垂直力而偏轉(zhuǎn)；以及
處理系統(tǒng)，其耦合到所述多個(gè)路由跡線和所述導(dǎo)電屏蔽物，所述處理系統(tǒng)被配置成操作所述多個(gè)傳感器電極以用于觸摸感測(cè)，并利用減輕隨著經(jīng)位移的堆疊彎曲的跨所述多個(gè)傳感器電極的本底電容的改變的信號(hào)來(lái)操作所述導(dǎo)電屏蔽物。
22.一種輸入設(shè)備，包括：
被設(shè)置成矩陣陣列的多個(gè)傳感器電極，所述多個(gè)傳感器電極被配置成當(dāng)利用感測(cè)信號(hào)加以驅(qū)動(dòng)時(shí)提供指示貼近所述矩陣陣列的感測(cè)區(qū)中輸入對(duì)象的存在的度量；
可壓縮層，其與所述感測(cè)區(qū)相對(duì)地設(shè)置在膜堆疊下面，所述可壓縮層被配置成允許顯示膜堆疊響應(yīng)于沿導(dǎo)電屏蔽物的方向?qū)δざ询B施加的垂直力而偏轉(zhuǎn)；
耦合到傳感器電極的多個(gè)路由跡線；以及
導(dǎo)電屏蔽物，其具有近似等于或大于所述多個(gè)傳感器電極、所述矩陣陣列、路由跡線和膜堆疊的導(dǎo)電屏蔽物部分的有效面積的展布范圍，其中與所述導(dǎo)電屏蔽物相比，所述矩陣陣列更接近于所述感測(cè)區(qū)，其中所述導(dǎo)電屏蔽物被配置成減輕隨著膜堆疊彎曲的跨所述多個(gè)傳感器電極的本底電容的改變。
23.一種處理系統(tǒng)，包括：
觸摸控制模塊，其具有被配置成執(zhí)行下述操作的電路：
操作設(shè)置在基板上的多個(gè)傳感器電極以用于觸摸感測(cè)；以及
利用屏蔽信號(hào)來(lái)操作設(shè)置在所述基板與輸入設(shè)備的接地表面之間的導(dǎo)電屏蔽物，所述屏蔽信號(hào)減輕隨著基板響應(yīng)于在觸摸事件期間對(duì)傳感器電極施加的力而彎曲的跨所述多個(gè)傳感器電極的本底電容的改變。
24.如權(quán)利要求23所述的處理系統(tǒng)，其中所述觸摸控制模塊的電路當(dāng)利用屏蔽信號(hào)來(lái)操作導(dǎo)電屏蔽物時(shí)被配置成：
將被調(diào)制的屏蔽信號(hào)驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。
25.如權(quán)利要求23所述的處理系統(tǒng)，其中所述觸摸控制模塊的電路當(dāng)利用信號(hào)來(lái)操作導(dǎo)電屏蔽物時(shí)被配置成：
將恒定的屏蔽信號(hào)驅(qū)動(dòng)到所述導(dǎo)電屏蔽物上。