本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，具體而言，涉及一種無(wú)源電子標(biāo)簽、無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法、裝置及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

在工業(yè)化和信息化融合的背景下，隨著電子信息技術(shù)的迅猛發(fā)展和制造水平的不斷提高，射頻識(shí)別(radiofrequencyidentification，簡(jiǎn)稱(chēng)為rfid)技術(shù)作為無(wú)線(xiàn)通信和自動(dòng)識(shí)別技術(shù)的結(jié)合，被認(rèn)為是21世紀(jì)最有前途的it技術(shù)之一，在諸多領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。rfid標(biāo)簽讀寫(xiě)器(interrogator)通常是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的空中接口協(xié)議讀取射頻場(chǎng)中的rfid電子標(biāo)簽(tag)id號(hào)碼等信息。無(wú)源電子標(biāo)簽因?yàn)椴恍枰鼡Q電池，便于安裝使用，應(yīng)用場(chǎng)景比有源電子標(biāo)簽更加廣泛。

超高頻rfid無(wú)源電子標(biāo)簽讀寫(xiě)功率一般為幾十微瓦，在現(xiàn)有技術(shù)中，基于近場(chǎng)電感耦合的原理，超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量有以下兩種方法：

一種方法是使超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽貼近標(biāo)簽讀寫(xiě)器天線(xiàn)，形成磁場(chǎng)近場(chǎng)耦合。但是，在這種情況下由于無(wú)源電子標(biāo)簽和標(biāo)簽讀寫(xiě)器的距離無(wú)法無(wú)限減小，因而將導(dǎo)致可以接收到的能量有限。

另一種方法是增加超高頻rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的無(wú)源電子標(biāo)簽卡板上天線(xiàn)的面積，以提高無(wú)源電子標(biāo)簽接收到的能量。但是，在上述第二種方法中，當(dāng)無(wú)源電子標(biāo)簽卡板的面積一定時(shí)，無(wú)源電子標(biāo)簽卡板上天線(xiàn)可增大的面積是有限的，這樣無(wú)源電子標(biāo)簽可接收的能量也是有限的。

也就是說(shuō)，無(wú)源電子標(biāo)簽通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)提供的方法接收能量時(shí)，接收的時(shí)間將比較長(zhǎng)，這將大大影響無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量時(shí)的接收效率。

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率低的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽、無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法、裝置及系統(tǒng)，以至少解決相關(guān)技術(shù)中無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率低的問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種包括：標(biāo)簽卡板和導(dǎo)線(xiàn)，其中，所述標(biāo)簽卡板包括：標(biāo)簽電路、天線(xiàn)及發(fā)光元件，其中，所述標(biāo)簽電路用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽執(zhí) 行控制指令，所述控制指令包括：由所述標(biāo)簽電路通過(guò)所述天線(xiàn)與標(biāo)簽讀寫(xiě)器交互得到的查詢(xún)指令、選擇指令、或者用于控制所述發(fā)光元件亮暗的指令，所述天線(xiàn)及所述發(fā)光元件分別與所述標(biāo)簽電路連接；所述導(dǎo)線(xiàn)與所述標(biāo)簽電路連接，所述導(dǎo)線(xiàn)用于接收所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰俊?/p>

可選地，所述天線(xiàn)包括：第一端口和第二端口，所述第一端口與所述標(biāo)簽電路連接，所述第二端口懸空；所述導(dǎo)線(xiàn)包括：第三端口和第四端口，所述第三端口與所述標(biāo)簽電路連接，所述第四端口懸空，其中，所述第二端口與所述第四端口之間的距離為預(yù)定閾值。

可選地，所述第二端口與所述第四端口之間的有效距離為所述無(wú)源電子標(biāo)簽的工作頻率的對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的四分之一，其中，所述有效距離為所述第二端口在所述標(biāo)簽卡板上的第一投影與所述第四端口在所述標(biāo)簽卡板上的第二投影之間的距離。

可選地，所述導(dǎo)線(xiàn)與所述天線(xiàn)設(shè)置在同一平面上。

可選地，所述標(biāo)簽卡板包括：供電電容，其中，所述供電電容與所述發(fā)光元件和所述標(biāo)簽電路連接，所述供電電容用于為所述發(fā)光元件供電。

可選地，所述標(biāo)簽卡板還包括：二極管，其中，所述二極管的正極與所述標(biāo)簽電路連接，所述二極管的負(fù)極分別與所述供電電容及所述發(fā)光元件連接，所述二極管用于隔離電壓。

可選地，所述標(biāo)簽電路包括：標(biāo)簽芯片和控制電路，其中，所述標(biāo)簽芯片用于根據(jù)與所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器交互得到的結(jié)果生成所述控制指令；所述控制電路與所述標(biāo)簽芯片連接，所述控制電路用于控制所述發(fā)光元件發(fā)光。

可選地，所述標(biāo)簽電路用于為所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器提供所述無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)和/或所述無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息，其中，所述身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)所述無(wú)源電子標(biāo)簽。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法，包括：通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；解析所述控制信號(hào)得到所述控制指令；控制所述發(fā)光元件按照所述控制指令發(fā)光。

可選地，在通過(guò)所述天線(xiàn)和/或所述導(dǎo)線(xiàn)接收所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的所述控制信號(hào)之后，所述方法還包括：通過(guò)所述天線(xiàn)和所述導(dǎo)線(xiàn)獲取所述控制信號(hào)的能量；通過(guò)供電電容轉(zhuǎn)化并存儲(chǔ)所述控制信號(hào)的所述能量。

可選地，控制所述發(fā)光元件按照所述控制指令發(fā)光包括：按照所述控制指令所指示的預(yù)設(shè)規(guī)則控制所述供電電容為所述發(fā)光元件供電，以使所述發(fā)光元件在所述供電的情況下發(fā)光。

可選地，在通過(guò)所述天線(xiàn)和/或所述導(dǎo)線(xiàn)接收所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的所述控制信號(hào)之前，所述方法還包括：根據(jù)接收到的所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器的所述查詢(xún)指令向所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)送所述無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)和/或所述無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息，其中，所述身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)所述無(wú)源電子標(biāo)簽。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法，包括：獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，所述身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)所述無(wú)源電子標(biāo)簽；從所述一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽；向所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令。

可選地，在從所述一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽之后，所述方法還包括：判斷標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量是否小于用于控制所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量；在判斷出所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量小于用于控制所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量的情況下，移動(dòng)所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器至第一區(qū)域，其中，所述第一區(qū)域是所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量大于或者等于用于控制所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量的區(qū)域。

可選地，判斷所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量是否小于用于控制所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量包括：獲取所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息，得到所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽所在的位置；計(jì)算所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽所在的位置與所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器所在的位置之間的距離；判斷所述距離是否大于預(yù)設(shè)距離，其中，所述預(yù)設(shè)距離是所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量等于用于控制所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需能量時(shí)，所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器與所述無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離；在判斷出所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量小于用于控制所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量的情況下，移動(dòng)所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器至所述第一區(qū)域包括：在判斷出所述距離大于所述預(yù)設(shè)距離的情況下，移動(dòng)所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器至與所述無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離小于或者等于所述預(yù)設(shè)距離的位置。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置，包括：接收模塊，用于通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；解析模塊，用于解析所述控制信號(hào)得到所述控制指令；控制模塊，用于控制所述發(fā)光元件按照所述控制指令發(fā)光。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置，包括：第一獲取模塊，用于獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，所述身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)所述無(wú)源電子標(biāo)簽；選擇模塊，用于從所述一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽；發(fā)送模塊，用于向所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú) 源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)，包括：標(biāo)簽讀寫(xiě)器和無(wú)源電子標(biāo)簽，其中，所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器用于獲取所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，所述身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽；從所述一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的所述無(wú)源電子標(biāo)簽；向所述無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；所述無(wú)源電子標(biāo)簽用于通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收所述標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的所述控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽上的所述發(fā)光元件的所述控制指令；解析所述控制信號(hào)得到所述控制指令；控制所述發(fā)光元件按照所述控制指令發(fā)光。

通過(guò)本發(fā)明，無(wú)源電子標(biāo)簽包括標(biāo)簽卡板和導(dǎo)線(xiàn)的，其中，標(biāo)簽卡板包括：標(biāo)簽電路、天線(xiàn)及發(fā)光元件，其中，標(biāo)簽電路用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽執(zhí)行控制指令，其中，控制指令由標(biāo)簽電路通過(guò)天線(xiàn)與標(biāo)簽讀寫(xiě)器交互得到，天線(xiàn)及發(fā)光元件分別與標(biāo)簽電路連接；導(dǎo)線(xiàn)與標(biāo)簽電路連接，導(dǎo)線(xiàn)用于接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰?，也就是說(shuō)，在標(biāo)簽卡板之外增加導(dǎo)線(xiàn)，相當(dāng)于增加了無(wú)源電子標(biāo)簽的天線(xiàn)的面積，從而使相同大小的無(wú)源電子標(biāo)簽可以接收到更多的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰?，解決了相關(guān)技術(shù)中無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率低的問(wèn)題，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率。進(jìn)一步，在通過(guò)標(biāo)簽電路控制無(wú)源電子標(biāo)簽執(zhí)行指令時(shí)，可以利用接收到的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰繛榘l(fā)光元件供電，使發(fā)光元件發(fā)光，從而可以精確地對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽進(jìn)行定位。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明可選示例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施方式的超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法的流程圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法的流程圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明可選的示例的一種超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法的流程圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明可選的示例的一種超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法的流程圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置的結(jié)構(gòu)框圖；

圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置的結(jié)構(gòu)框圖；

圖14是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖；

圖15是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖；

圖16是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的一種可選的操作無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的流程圖。

具體實(shí)施方式

下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類(lèi)似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。

實(shí)施例1

在本實(shí)施例中提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽，該裝置用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例及可選實(shí)施方式，已經(jīng)進(jìn)行過(guò)說(shuō)明的不再贅述。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖1所示，該無(wú)源電子標(biāo)簽包括：標(biāo)簽卡板12和導(dǎo)線(xiàn)14，其中，

1)標(biāo)簽卡板12包括：標(biāo)簽電路122、天線(xiàn)124及發(fā)光元件126，其中，標(biāo)簽電路122用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽執(zhí)行控制指令，控制指令包括：由標(biāo)簽電路122通過(guò)天線(xiàn)124與標(biāo)簽讀寫(xiě)器交互得到的查詢(xún)指令、選擇指令、或者用于控制所述發(fā)光元件亮暗的指令，天線(xiàn)124及發(fā)光元件126分別與標(biāo)簽電路122連接；

2)導(dǎo)線(xiàn)14與標(biāo)簽電路122連接，導(dǎo)線(xiàn)14用于接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰俊?/p>

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽可以但不限于應(yīng)用于射頻識(shí)別的場(chǎng)景中。例如：利用標(biāo)簽讀寫(xiě)器控制無(wú)源電子標(biāo)簽的場(chǎng)景中。

通過(guò)上述裝置，在標(biāo)簽卡板之外增加導(dǎo)線(xiàn)，相當(dāng)于增加了無(wú)源電子標(biāo)簽的天線(xiàn)的面 積，從而使相同大小的無(wú)源電子標(biāo)簽可以接收到更多的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰?，解決了相關(guān)技術(shù)中無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率低的問(wèn)題，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率。進(jìn)一步，在通過(guò)標(biāo)簽電路控制無(wú)源電子標(biāo)簽執(zhí)行指令時(shí)，可以利用接收到的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰繛榘l(fā)光元件供電，使發(fā)光元件發(fā)光，從而可以精確地對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽進(jìn)行定位。

此外，通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)增加了無(wú)源電子標(biāo)簽天線(xiàn)的面積，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收到的能量，同時(shí)也使標(biāo)簽卡板面積一定的無(wú)源電子標(biāo)簽更容易接收到標(biāo)簽讀寫(xiě)器能量時(shí)，增加了標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以?huà)呙璧綗o(wú)源電子標(biāo)簽的距離，從而也使標(biāo)簽讀寫(xiě)器更容易掃描到無(wú)源電子標(biāo)簽。

在本實(shí)施例中，標(biāo)簽卡板12可以但不限于是印制電路板(printedcircuitboard，簡(jiǎn)稱(chēng)為pcb)。pcb可以但不限于采用廉價(jià)的fr4材質(zhì)的印制電路板，以降低超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的成本。標(biāo)簽電路122、天線(xiàn)124和發(fā)光元件126安裝在pcb上。

在本實(shí)施例中，天線(xiàn)124可以是在pcb上的pcb天線(xiàn)，也可以是陶瓷天線(xiàn)或者其他材質(zhì)的天線(xiàn)，在本實(shí)施例中不做限定。天線(xiàn)124工作在超高頻(uhf)頻段，一端懸空，另一端連接標(biāo)簽電路122。

在本實(shí)施例中，發(fā)光元件126可以但不限于是led。led可以但不限于選用低功耗、低電壓、高亮度、可視角大的發(fā)光二極管。標(biāo)簽電路、供電電容和led可以共同連接同一個(gè)參考地平面。

在本實(shí)施例中，控制指令是由標(biāo)簽電路122通過(guò)天線(xiàn)124與標(biāo)簽讀寫(xiě)器交互得到的用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽的指令，例如：控制指令可以但不限于是用于查詢(xún)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)的查詢(xún)指令；控制指令也可以但不限于是用于指示標(biāo)簽讀寫(xiě)器選中該無(wú)源電子標(biāo)簽的選擇指令；控制指令還可以但不限于是用于控制發(fā)光元件亮暗的指令。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖2所示，可選地，天線(xiàn)124包括：第一端口124-2和第二端口124-4，第一端口124-2與標(biāo)簽電路122連接，第二端口124-4懸空；

導(dǎo)線(xiàn)14包括：第三端口140-2和第四端口140-4，第三端口140-2與標(biāo)簽電路122連接，第四端口140-4懸空，其中，第二端口124-4與第四端口140-4之間的距離為預(yù)定閾值。

可選地，第二端口124-4與第四端口140-4之間的有效距離可以但不限于為無(wú)源電子標(biāo)簽的工作頻率的對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的四分之一，其中，有效距離為第二端口124-4在標(biāo)簽卡板12上的第一投影與第四端口140-4在標(biāo)簽卡板12上的第二投影之間的距離。

通過(guò)上述裝置，將天線(xiàn)124和導(dǎo)線(xiàn)14分別和標(biāo)簽電路122連接，增加了無(wú)源電子標(biāo)簽的天線(xiàn)面積，從而提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰?。將天線(xiàn)124 和導(dǎo)線(xiàn)14的懸空端口的距離設(shè)置為預(yù)設(shè)距離，有效地提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率。進(jìn)一步，將懸空端口之間的有效距離設(shè)置為無(wú)源電子標(biāo)簽的工作頻率的對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的四分之一，可以使無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率達(dá)到最高。

可選地，導(dǎo)線(xiàn)14與天線(xiàn)124可以但不限于設(shè)置在同一平面上。進(jìn)一步，導(dǎo)線(xiàn)14與天線(xiàn)124之間的夾角可以但不限于是180度。

可選地，可以但不限于將導(dǎo)線(xiàn)14的中心線(xiàn)與天線(xiàn)124的中心線(xiàn)設(shè)置在同一直線(xiàn)上。

通過(guò)上述裝置，將導(dǎo)線(xiàn)14與天線(xiàn)124設(shè)置在同一平面上，可以減小相同能量接收效率下所需的導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度。進(jìn)一步，可以將導(dǎo)線(xiàn)14的中心線(xiàn)與天線(xiàn)124的中心線(xiàn)設(shè)置在同一直線(xiàn)上，以進(jìn)一步減小相同能量接收效率下所需的導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度，提高能量接收的效率。從而也達(dá)到了節(jié)省資源的效果。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖3所示，可選地，標(biāo)簽卡板12還包括：供電電容127，其中，供電電容127與發(fā)光元件126和標(biāo)簽電路122連接，供電電容127用于為發(fā)光元件126供電。

通過(guò)上述裝置，供電電容127可以但不限于轉(zhuǎn)化并儲(chǔ)存無(wú)源電子標(biāo)簽接收到的能量，并為發(fā)光元件供電。

在一個(gè)可選的示例中，供電電容127可以但不限于為無(wú)極性的陶瓷電容或者有極性的電解電容，作用為儲(chǔ)能和供電。超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽從空中電磁場(chǎng)中采集rfid讀寫(xiě)器發(fā)出的能量。因?yàn)槌哳l空中接口變化的幅移鍵控(amplitudeshiftkeying簡(jiǎn)稱(chēng)為ask)調(diào)制信號(hào)包絡(luò)，和標(biāo)簽部件的動(dòng)態(tài)功率消耗，可以采用一個(gè)旁路電容保持穩(wěn)定的供電電壓，該供電電壓大于標(biāo)簽部件最小工作電壓。電子標(biāo)簽的芯片因?yàn)楣牡停恍枰獛讉€(gè)nf的電容，一般集成在電子標(biāo)簽的芯片內(nèi)部。然而，當(dāng)在電子標(biāo)簽芯片外部增加控制電路和驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件(例如：led)時(shí)，可以采用外加的較大容值的電容收集并保持標(biāo)簽部件采集的能量。假設(shè)電子標(biāo)簽上的負(fù)載工作電壓為von，比如2v，不工作電壓為voff，比如1.5v。保持電子標(biāo)簽上的負(fù)載能量對(duì)供電電容要求可以但不限于為：

兩者差值為：

led的負(fù)載工作能量eload要求與負(fù)載功率pload和負(fù)載持續(xù)時(shí)間tload有關(guān)，如公式：

eload＝pload×tload

為了要達(dá)到穩(wěn)定的負(fù)載工作電壓，要求：

ediff≥eload

從上述公式可以推導(dǎo)出供電電容的電容值需要滿(mǎn)足：

考慮到電子標(biāo)簽芯片喚醒的時(shí)間常數(shù)τ＝rc，電容值不能無(wú)限大，一般可以但不限于選取電容值為幾十μf的供電電容。

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖4所示，可選地，標(biāo)簽卡板12還包括：二極管128，其中，二極管128的正極與標(biāo)簽電路122連接，二極管128的負(fù)極分別與供電電容127及發(fā)光元件126連接，二極管128用于隔離電壓。

通過(guò)上述裝置，在供電電容127及發(fā)光元件126組成的負(fù)載電路和標(biāo)簽電路122之間連接二極管128，可以有效地隔離負(fù)載電路和標(biāo)簽電路122之間的電壓，從而使無(wú)源電子標(biāo)簽中各元件的電壓更加穩(wěn)定。

在另一個(gè)可選的示例中提供了一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽。圖5是根據(jù)本發(fā)明可選示例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖5所示，為了避免電子標(biāo)簽系統(tǒng)混亂，在標(biāo)簽電路52和供電電容54之間連接了一個(gè)二極管56。二極管正端連接標(biāo)簽電路52的電源輸出，二極管負(fù)端連接供電電容的正端(如果是有極性的電解電容或者鉭電容)。在本可選的示例中，可以但不限于選用低正向?qū)妷旱男ぬ鼗鶆?shì)壘二極管(schottkybarrierdiode)，該二極管低功耗、超高速，正向?qū)妷阂话銥?.3v左右。二極管56的作用是隔離標(biāo)簽電路52的供給電壓和led等負(fù)載的電壓，使得后級(jí)的供電電容54不會(huì)影響到前級(jí)標(biāo)簽電路52。

圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖6所示，可選地，標(biāo)簽電路122包括：標(biāo)簽芯片122-2和控制電路122-4，其中，

標(biāo)簽芯片122-2用于根據(jù)與標(biāo)簽讀寫(xiě)器交互得到的結(jié)果生成控制指令；

控制電路122-4與標(biāo)簽芯片122-2連接，控制電路122-4用于控制發(fā)光元件126發(fā)光。

通過(guò)上述裝置，標(biāo)簽芯片122-2可以通過(guò)控制電路122-4控制發(fā)光元件126發(fā)光。

在另一個(gè)可選的示例中，標(biāo)簽電路122包括超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2和控制電路122-4。超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2通常有兩個(gè)管腳，一個(gè)管腳連接板上天線(xiàn)124， 另一個(gè)管腳連接標(biāo)簽卡板12外面的導(dǎo)線(xiàn)14，天線(xiàn)124和導(dǎo)線(xiàn)14可以但不限于分別在超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2的左右兩邊，并處于同一個(gè)平面。天線(xiàn)124的懸空端點(diǎn)和導(dǎo)線(xiàn)14的懸空端點(diǎn)之間的距離約為超高頻rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的工作頻率對(duì)應(yīng)的工作波長(zhǎng)的四分之一。考慮標(biāo)簽芯片122-2內(nèi)部實(shí)現(xiàn)原理不同，標(biāo)簽芯片122-2參考地大多數(shù)為

其中，vant_p和vant_n為標(biāo)簽芯片122-2兩個(gè)端子電壓。如果是單端口天線(xiàn)設(shè)計(jì)，把天線(xiàn)124接到標(biāo)簽芯片vant_p端子，標(biāo)簽卡板12上的地接到標(biāo)簽芯片vant_n端子。根據(jù)超高頻工作頻率的不同，需要設(shè)計(jì)合適的天線(xiàn)阻抗匹配來(lái)達(dá)到最大的功率傳輸。一般是通過(guò)天線(xiàn)仿真或者在天線(xiàn)和標(biāo)簽之間加無(wú)源匹配網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。無(wú)源匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)在本實(shí)施例中不再贅述。本實(shí)施例中，可以但不限于根據(jù)各個(gè)國(guó)家和地區(qū)當(dāng)?shù)氐囊?guī)定選擇無(wú)源電子標(biāo)簽的工作頻段和標(biāo)簽讀寫(xiě)器的最大發(fā)射功率。

根據(jù)所選用的超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2的不同，對(duì)應(yīng)的控制電路122-4也不同。有的超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2有輸出電源和控制管腳，控制電路122-4根據(jù)超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2控制管腳輸出的信號(hào)和電源控制led的亮滅。有的超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2只有控制管腳，沒(méi)有輸出電源管腳，控制電路122-4可以從天線(xiàn)上收到的無(wú)線(xiàn)載波信號(hào)整流恢復(fù)出直流電源，然后根據(jù)超高頻rfid標(biāo)簽芯片122-2控制管腳輸出的信號(hào)控制led的亮滅。

在本實(shí)施例的一個(gè)可選實(shí)施方式中，提供了一種可選的超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽。

圖7是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施方式的超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)框圖，如圖7所示，在本可選實(shí)施方式中，超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽包括印制電路板(printedcircuitboard，簡(jiǎn)稱(chēng)為pcb)部件72和導(dǎo)線(xiàn)74，導(dǎo)線(xiàn)74一端與pcb部件72連接，另一端懸空。

pcb部件72包括：pcb721、標(biāo)簽部件722、天線(xiàn)723、電容724和發(fā)光二極管(led)725。pcb721可以采用廉價(jià)的fr4材質(zhì)的印制電路板。標(biāo)簽部件722、天線(xiàn)723、電容724和led725安裝在pcb上。天線(xiàn)723可以是設(shè)計(jì)在pcb721上的pcb天線(xiàn)，也可以是焊接在pcb721上的陶瓷天線(xiàn)或者其他材質(zhì)的天線(xiàn)，天線(xiàn)723工作在超高頻(uhf)頻段，一端懸空，另一端連接標(biāo)簽部件722。電容724為無(wú)極性的陶瓷電容或者有極性的電解電容。led725可以但不限于選用低功耗、低電壓、高亮度、可視角大的發(fā)光二極管。

標(biāo)簽部件722包括標(biāo)簽芯片7221和控制電路7222。標(biāo)簽芯片7221可以但不限于有兩個(gè)天線(xiàn)管腳，一個(gè)天線(xiàn)管腳連接天線(xiàn)723，另一個(gè)天線(xiàn)管腳連接pcb部件72外面的 導(dǎo)線(xiàn)74，天線(xiàn)723和導(dǎo)線(xiàn)74分別在標(biāo)簽芯片7221的相對(duì)的兩邊，并處于同一個(gè)平面。天線(xiàn)723的懸空端點(diǎn)和pcb板外的導(dǎo)線(xiàn)74的懸空端點(diǎn)之間的距離約為超高頻工作頻率的四分之一波長(zhǎng)。根據(jù)所選用標(biāo)簽芯片7221不同，對(duì)應(yīng)的控制電路7222也不同。例如：如果標(biāo)簽芯片7221有輸出電源和控制管腳，控制電路7222根據(jù)標(biāo)簽芯片7221控制管腳輸出的信號(hào)和電源控制led725的亮滅。如果標(biāo)簽芯片7221只有控制管腳，沒(méi)有輸出電源管腳，控制電路7222可以從天線(xiàn)上收到的無(wú)線(xiàn)載波信號(hào)整流恢復(fù)出直流電源，然后根據(jù)標(biāo)簽芯片7221控制管腳輸出的信號(hào)控制led725的亮滅。

可選地，標(biāo)簽電路還可以但不限于用于為標(biāo)簽讀寫(xiě)器提供無(wú)源電子標(biāo)簽的用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽身份標(biāo)識(shí)和/或無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息。為標(biāo)簽讀寫(xiě)器提供無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)可以使標(biāo)簽讀寫(xiě)器識(shí)別出無(wú)源電子標(biāo)簽，為標(biāo)簽讀寫(xiě)器提供無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息可以使標(biāo)簽讀寫(xiě)器對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽進(jìn)行定位，從而使標(biāo)簽讀寫(xiě)器獲取到無(wú)源電子標(biāo)簽所在的位置。

在現(xiàn)有技術(shù)中的超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽實(shí)施，與rfid讀寫(xiě)器之間的空中接口距離要求近，或者要求無(wú)源電子標(biāo)簽pcb上天線(xiàn)孔徑面積大，導(dǎo)致無(wú)源電子標(biāo)簽整體面積大，不適合要求無(wú)源電子標(biāo)簽安裝空間小的應(yīng)用場(chǎng)景。

在本實(shí)施例中，超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，與現(xiàn)有的技術(shù)方法相比，采用pcb部件與導(dǎo)線(xiàn)結(jié)合的方法，使得無(wú)源電子標(biāo)簽硬pcb部分面積小，而軟導(dǎo)線(xiàn)部分可與所附著的物體結(jié)合、纏繞，方便安裝，擴(kuò)大了超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的應(yīng)用場(chǎng)景。本發(fā)明超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法遵循rfid行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，不需要定義開(kāi)發(fā)rfid私有協(xié)議，方便本發(fā)明技術(shù)推廣，形成標(biāo)準(zhǔn)。

此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，rfid讀寫(xiě)器通常只能判斷出在射頻場(chǎng)中的所有無(wú)源rfid電子標(biāo)簽id號(hào)碼，但是無(wú)法確定其中單個(gè)無(wú)源rfid電子標(biāo)簽所在的位置。已知可用到達(dá)時(shí)間(timeofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為toa)、到達(dá)時(shí)間差(timedifferenceofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為tdoa)、到達(dá)角度(angleofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為aoa)、到達(dá)方向(directionofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為doa)、接收信號(hào)強(qiáng)度指示器(receivedsignalstrengthindicator，簡(jiǎn)稱(chēng)為rssi)、到達(dá)相位(phaseofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為)poa、到達(dá)相位差(phasedifferenceofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為pdoa)等測(cè)量方法輔助確定其中單個(gè)無(wú)源rfid電子標(biāo)簽所在的粗略的位置，目前技術(shù)只能達(dá)到厘米級(jí)別的定位精度。為了增加超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽的視覺(jué)導(dǎo)引和更精確的位置定位功能，本實(shí)施例在超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽上增加了led等發(fā)光器件和控制電路。通過(guò)人眼可方便的識(shí)別出發(fā)光的超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽位置。利用通常分辨率的攝像頭拍攝發(fā)光的超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽，通過(guò)圖像對(duì)比，分析圖像中的發(fā)光led影象和對(duì)應(yīng)象素，可以達(dá)到毫米級(jí)別的定位精度。

實(shí)施例2

在本實(shí)施例中還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法，圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一 種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法的流程圖，如圖8所示，該流程包括如下步驟：

步驟s802，通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；

步驟s804，解析控制信號(hào)得到控制指令；

步驟s806，控制發(fā)光元件按照控制指令發(fā)光。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法可以但不限于應(yīng)用于射頻識(shí)別的場(chǎng)景中。例如：利用標(biāo)簽讀寫(xiě)器控制無(wú)源電子標(biāo)簽的場(chǎng)景中。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法可以但不限于應(yīng)用于無(wú)源電子標(biāo)簽，例如：無(wú)源電子標(biāo)簽可以但不限于是超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽。

通過(guò)上述步驟，利用天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，導(dǎo)線(xiàn)可以增加無(wú)源電子標(biāo)簽的天線(xiàn)面積，從而使相同大小的無(wú)源電子標(biāo)簽可以接收到更多的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰?，解決了相關(guān)技術(shù)中無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率低的問(wèn)題，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率。進(jìn)一步，在通過(guò)標(biāo)簽電路控制無(wú)源電子標(biāo)簽執(zhí)行指令時(shí)，可以利用接收到的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰繛榘l(fā)光元件供電，使發(fā)光元件發(fā)光，從而可以精確地對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽進(jìn)行定位。

此外，通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)增加了無(wú)源電子標(biāo)簽天線(xiàn)的面積，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收到的能量，同時(shí)也使標(biāo)簽卡板面積一定的無(wú)源電子標(biāo)簽更容易接收到標(biāo)簽讀寫(xiě)器能量時(shí)，增加了標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以?huà)呙璧綗o(wú)源電子標(biāo)簽的距離，從而也使標(biāo)簽讀寫(xiě)器更容易掃描到無(wú)源電子標(biāo)簽。

在本實(shí)施例中，可以但不限于通過(guò)無(wú)源電子標(biāo)簽的標(biāo)簽電路中的標(biāo)簽芯片解析控制信號(hào)得到控制指令，再由標(biāo)簽電路中的控制電路控制發(fā)光元件按照控制指令發(fā)光。

在本實(shí)施例中，發(fā)光元件可以但不限于是led。led可以但不限于選用低功耗、低電壓、高亮度、可視角大的發(fā)光二極管。標(biāo)簽電路、供電電容和led可以共同連接同一個(gè)參考地平面。

可選地，為了給發(fā)光元件提供穩(wěn)定的電壓，在上述步驟s802之后，可以但不限于通過(guò)天線(xiàn)和導(dǎo)線(xiàn)獲取控制信號(hào)的能量，通過(guò)供電電容轉(zhuǎn)化并存儲(chǔ)控制信號(hào)的能量。供電電容中存儲(chǔ)的能量可以但不限于用于為發(fā)光元件供電。

可選地，在上述步驟s806中，可以但不限于按照控制指令所指示的預(yù)設(shè)規(guī)則控制供電電容為發(fā)光元件供電，以使發(fā)光元件在供電的情況下發(fā)光。預(yù)設(shè)規(guī)則可以但不限于是常亮、閃爍、關(guān)閉、定時(shí)點(diǎn)亮等。

可選地，在上述步驟s802之前，可以根據(jù)接收到的標(biāo)簽讀寫(xiě)器的查詢(xún)指令向標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)送無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)和/或無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息，其中，身份標(biāo)識(shí) 用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽。通過(guò)上述步驟，可以使標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以根據(jù)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)選擇無(wú)源電子標(biāo)簽，也可以使標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以根據(jù)無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息定位無(wú)源電子標(biāo)簽。

在現(xiàn)有技術(shù)中的超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽實(shí)施，與rfid讀寫(xiě)器之間的空中接口距離要求近，或者要求無(wú)源電子標(biāo)簽pcb上天線(xiàn)孔徑面積大，導(dǎo)致無(wú)源電子標(biāo)簽整體面積大，不適合要求無(wú)源電子標(biāo)簽安裝空間小的應(yīng)用場(chǎng)景。

在本實(shí)施例中，超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，與現(xiàn)有的技術(shù)方法相比，采用pcb部件與導(dǎo)線(xiàn)結(jié)合的方法，使得無(wú)源電子標(biāo)簽硬pcb部分面積小，而軟導(dǎo)線(xiàn)部分可與所附著的物體結(jié)合、纏繞，方便安裝，擴(kuò)大了超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的應(yīng)用場(chǎng)景。本發(fā)明超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法遵循rfid行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，不需要定義開(kāi)發(fā)rfid私有協(xié)議，方便本發(fā)明技術(shù)推廣，形成標(biāo)準(zhǔn)。

此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，rfid讀寫(xiě)器通常只能判斷出在射頻場(chǎng)中的所有無(wú)源rfid電子標(biāo)簽id號(hào)碼，但是無(wú)法確定其中單個(gè)無(wú)源rfid電子標(biāo)簽所在的位置。已知可用到達(dá)時(shí)間(timeofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為toa)、到達(dá)時(shí)間差(timedifferenceofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為tdoa)、到達(dá)角度(angleofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為aoa)、到達(dá)方向(directionofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為doa)、接收信號(hào)強(qiáng)度指示器(receivedsignalstrengthindicator，簡(jiǎn)稱(chēng)為rssi)、到達(dá)相位(phaseofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為)poa、到達(dá)相位差(phasedifferenceofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為pdoa)等測(cè)量方法輔助確定其中單個(gè)無(wú)源rfid電子標(biāo)簽所在的粗略的位置，目前技術(shù)只能達(dá)到厘米級(jí)別的定位精度。為了增加超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽的視覺(jué)導(dǎo)引和更精確的位置定位功能，本實(shí)施例在超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽上增加了led等發(fā)光器件和控制電路。通過(guò)人眼可方便的識(shí)別出發(fā)光的超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽位置。利用通常分辨率的攝像頭拍攝發(fā)光的超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽，通過(guò)圖像對(duì)比，分析圖像中的發(fā)光led影象和對(duì)應(yīng)象素，可以達(dá)到毫米級(jí)別的定位精度。

實(shí)施例3

在本實(shí)施例中還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法，圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法的流程圖，如圖9所示，該流程包括如下步驟：

步驟s902，獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽；

步驟s904，從一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽；

步驟s906，向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法可以但不限于應(yīng)用于射頻識(shí)別的場(chǎng)景中。例如：利用標(biāo)簽讀寫(xiě)器控制無(wú)源電子標(biāo)簽的場(chǎng)景中。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制方法可以但不限于應(yīng)用于標(biāo)簽讀寫(xiě)器，例如：用于控制超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的標(biāo)簽讀寫(xiě)器。

通過(guò)上述步驟，從獲取的無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽，并向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送用于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的控制信號(hào)，目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽接收到控制信號(hào)后，可以根據(jù)控制信號(hào)中的控制指令發(fā)光，解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽位置的定位精度低的問(wèn)題，提高了對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽位置的定位精度。

在一個(gè)可選的示例中，提供了一種超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法，在本示例中，標(biāo)簽讀寫(xiě)器以rfid讀寫(xiě)器為例，無(wú)源電子標(biāo)簽以超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽為例，發(fā)光元件以led為例。圖10是根據(jù)本發(fā)明可選的示例的一種超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法的流程圖，如圖10所示，該流程包括如下步驟：

步驟s1002，rfid讀寫(xiě)器在讀寫(xiě)器產(chǎn)生的電磁場(chǎng)范圍內(nèi)掃描盤(pán)點(diǎn)(inventory)到至少一個(gè)超高頻發(fā)光rfid電子標(biāo)簽，并記錄下各個(gè)超高頻發(fā)光rfid電子標(biāo)簽的id號(hào)碼。其中，盤(pán)點(diǎn)到的多個(gè)超高頻發(fā)光rfid電子標(biāo)簽的id號(hào)碼是唯一、各不相同的。

步驟s1004，rfid讀寫(xiě)器根據(jù)需要操作的超高頻發(fā)光rfid電子標(biāo)簽中的id號(hào)碼選中(select)其中的一個(gè)超高頻發(fā)光rfid電子標(biāo)簽。

步驟s1006，rfid讀寫(xiě)器發(fā)出(write)控制led指令，被選中的這個(gè)超高頻發(fā)光rfid電子標(biāo)簽解析該指令，實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮、閃爍，或者熄滅led的操作。

在另一個(gè)可選的示例中，提供了超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法，在本示例中，標(biāo)簽讀寫(xiě)器以rfid讀寫(xiě)器為例，無(wú)源電子標(biāo)簽以超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽為例，發(fā)光元件以led為例。圖11是根據(jù)本發(fā)明可選的示例的一種超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法的流程圖，該流程可以應(yīng)用于查找光纖跳線(xiàn)端口的應(yīng)用場(chǎng)景中，光纖跳線(xiàn)(又稱(chēng)光纖連接器)是指光纖兩端都裝上光纖連接器插頭，用來(lái)實(shí)現(xiàn)光路活動(dòng)連接光纖適配器。如圖11所示，該流程包括如下步驟：

步驟s1102，超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽安裝在光纖兩端的光纖連接器插頭上面。

步驟s1104，超高頻rfid讀寫(xiě)器通過(guò)空中接口，控制點(diǎn)亮其中一端光纖連接器插頭上的rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，找到這個(gè)光纖端口，然后插入光纖適配器。

步驟s1106。超高頻rfid讀寫(xiě)器通過(guò)空中接口，控制點(diǎn)亮另一端光纖連接器插頭上的rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，找到另一個(gè)光纖端口，然后插入光纖適配器。

通過(guò)上述步驟，可以實(shí)現(xiàn)超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的精確定位，從而快速找到光纖兩個(gè)端口。

可選地，在上述步驟s904之后，為了確保標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰孔阋钥刂颇繕?biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光，可以但不限于判斷標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量是否小于用于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量，并在判斷出標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量小于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量的情況下，移動(dòng)標(biāo)簽讀寫(xiě)器至第一區(qū)域，其中，第一區(qū)域是標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量大于或者等于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需的能量的區(qū)域。

進(jìn)一步，可以通過(guò)判斷標(biāo)簽讀寫(xiě)器與目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離是否滿(mǎn)足控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光的條件來(lái)判斷標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰渴欠褡阋钥刂颇繕?biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光。

例如：可以獲取目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的位置信息，得到目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽所在的位置，通過(guò)計(jì)算得到目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽所在的位置與標(biāo)簽讀寫(xiě)器所在的位置之間的距離，再判斷距離是否大于預(yù)設(shè)距離，其中，預(yù)設(shè)距離是標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸給目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的能量等于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光所需能量時(shí)，標(biāo)簽讀寫(xiě)器與無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離，并在判斷出距離大于預(yù)設(shè)距離的情況下，移動(dòng)標(biāo)簽讀寫(xiě)器至與無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離小于或者等于預(yù)設(shè)距離的位置。

下面舉出一個(gè)示例對(duì)上述通過(guò)判斷標(biāo)簽讀寫(xiě)器與目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離是否滿(mǎn)足控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光的條件來(lái)判斷標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰渴欠褡阋钥刂颇繕?biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)光元件發(fā)光的過(guò)程進(jìn)行描述和說(shuō)明。

在本示例中，通過(guò)獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器q信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，從這些身份標(biāo)識(shí)中選出了目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p。為了確保標(biāo)簽讀寫(xiě)器q傳輸給目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p的能量e1足以用來(lái)控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p的發(fā)光元件發(fā)光，可以獲取目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p的位置信息，并定位出目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p所在的位置坐標(biāo)a。通過(guò)計(jì)算得到標(biāo)簽讀寫(xiě)器q所在的位置坐標(biāo)b與目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽之間的距離為b-a＝d1，標(biāo)簽讀寫(xiě)器q傳輸給目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p的能量e1等于用于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽p的發(fā)光元件發(fā)光所需能量e2時(shí)標(biāo)簽讀寫(xiě)器q與無(wú)源電子標(biāo)簽p之間的預(yù)設(shè)距離設(shè)置為d2。如果d1大于d2，則表示e1小于e2，可以將標(biāo)簽讀寫(xiě)器移動(dòng)至滿(mǎn)足d1小于或者等于d2的區(qū)域后，向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)。如果d1小于或者等于d2，則表示e1大于或者等于e2，則可以直接向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)。

實(shí)施例4

在本實(shí)施例中還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置，該裝置用于實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例及優(yōu)選實(shí)施方式，已經(jīng)進(jìn)行過(guò)說(shuō)明的不再贅述。如以下所使用的，術(shù)語(yǔ)“模塊”可以實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能的軟件和/或硬件的組合。盡管以下實(shí)施例所描述的裝置較佳地以軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是硬件，或者軟件和硬件的組合的實(shí)現(xiàn)也是可能并被構(gòu)想的。

圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置的結(jié)構(gòu)框圖，如圖12所示，該裝置包括：

1)接收模塊1202，用于通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；

2)解析模塊1204，耦合至接收模塊1202，用于解析控制信號(hào)得到控制指令；

3)控制模塊1206，耦合至解析模塊1204，用于控制發(fā)光元件按照控制指令發(fā)光。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置可以但不限于應(yīng)用于射頻識(shí)別的場(chǎng)景中。例如：利用標(biāo)簽讀寫(xiě)器控制無(wú)源電子標(biāo)簽的場(chǎng)景中。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置可以但不限于應(yīng)用于無(wú)源電子標(biāo)簽，例如：無(wú)源電子標(biāo)簽可以但不限于是超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽。

通過(guò)上述裝置，接收模塊1202利用天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，導(dǎo)線(xiàn)可以增加無(wú)源電子標(biāo)簽的天線(xiàn)面積，從而使相同大小的無(wú)源電子標(biāo)簽可以接收到更多的標(biāo)簽讀寫(xiě)器傳輸?shù)哪芰?，解決了相關(guān)技術(shù)中無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率低的問(wèn)題，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收能量的效率。進(jìn)一步，控制模塊1206通過(guò)解析模塊1204解析控制信號(hào)得到的控制指令可以控制發(fā)光元件發(fā)光，從而可以精確地對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽進(jìn)行定位。

此外，通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)增加了無(wú)源電子標(biāo)簽天線(xiàn)的面積，提高了無(wú)源電子標(biāo)簽接收到的能量，同時(shí)也使標(biāo)簽卡板面積一定的無(wú)源電子標(biāo)簽更容易接收到標(biāo)簽讀寫(xiě)器能量時(shí)，增加了標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以?huà)呙璧綗o(wú)源電子標(biāo)簽的距離，從而也使標(biāo)簽讀寫(xiě)器更容易掃描到無(wú)源電子標(biāo)簽。

在本實(shí)施例中，可以但不限于通過(guò)無(wú)源電子標(biāo)簽的標(biāo)簽電路中的標(biāo)簽芯片解析控制信號(hào)得到控制指令，再由標(biāo)簽電路中的控制電路控制發(fā)光元件按照控制指令發(fā)光。

在本實(shí)施例中，發(fā)光元件可以但不限于是led。led可以但不限于選用低功耗、低電壓、高亮度、可視角大的發(fā)光二極管。標(biāo)簽電路、供電電容和led可以共同連接同一個(gè)參考地平面。

可選地，該裝置還包括：

1)第二獲取模塊，耦合至接收模塊1202，用于接收通過(guò)天線(xiàn)和導(dǎo)線(xiàn)獲取控制信號(hào)的能量；

2)處理模塊，耦合至第二獲取模塊和控制模塊1206之間，用于通過(guò)供電電容轉(zhuǎn)化并存儲(chǔ)控制信號(hào)的能量。

可選地，控制模塊1206用于：按照控制指令所指示的預(yù)設(shè)規(guī)則控制供電電容為發(fā)光元件供電，以使發(fā)光元件在供電的情況下發(fā)光。

在現(xiàn)有技術(shù)中的超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽實(shí)施，與rfid讀寫(xiě)器之間的空中接口距離要求近，或者要求無(wú)源電子標(biāo)簽pcb上天線(xiàn)孔徑面積大，導(dǎo)致無(wú)源電子標(biāo)簽整體面積大，不適合要求無(wú)源電子標(biāo)簽安裝空間小的應(yīng)用場(chǎng)景。

在本實(shí)施例中，超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，與現(xiàn)有的技術(shù)方法相比，采用pcb部件與導(dǎo)線(xiàn)結(jié)合的方法，使得無(wú)源電子標(biāo)簽硬pcb部分面積小，而軟導(dǎo)線(xiàn)部分可與所附著的物體結(jié)合、纏繞，方便安裝，擴(kuò)大了超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的應(yīng)用場(chǎng)景。本發(fā)明超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的控制方法遵循rfid行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，不需要定義開(kāi)發(fā)rfid私有協(xié)議，方便本發(fā)明技術(shù)推廣，形成標(biāo)準(zhǔn)。

此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，rfid讀寫(xiě)器通常只能判斷出在射頻場(chǎng)中的所有無(wú)源rfid電子標(biāo)簽id號(hào)碼，但是無(wú)法確定其中單個(gè)無(wú)源rfid電子標(biāo)簽所在的位置。已知可用到達(dá)時(shí)間(timeofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為toa)、到達(dá)時(shí)間差(timedifferenceofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為tdoa)、到達(dá)角度(angleofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為aoa)、到達(dá)方向(directionofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為doa)、接收信號(hào)強(qiáng)度指示器(receivedsignalstrengthindicator，簡(jiǎn)稱(chēng)為rssi)、到達(dá)相位(phaseofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為)poa、到達(dá)相位差(phasedifferenceofarrival，簡(jiǎn)稱(chēng)為pdoa)等測(cè)量方法輔助確定其中單個(gè)無(wú)源rfid電子標(biāo)簽所在的粗略的位置，目前技術(shù)只能達(dá)到厘米級(jí)別的定位精度。為了增加超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽的視覺(jué)導(dǎo)引和更精確的位置定位功能，本實(shí)施例在超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽上增加了led等發(fā)光器件和控制電路。通過(guò)人眼可方便的識(shí)別出發(fā)光的超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽位置。利用通常分辨率的攝像頭拍攝發(fā)光的超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽，通過(guò)圖像對(duì)比，分析圖像中的發(fā)光led影象和對(duì)應(yīng)象素，可以達(dá)到毫米級(jí)別的定位精度。

需要說(shuō)明的是，上述各個(gè)模塊是可以通過(guò)軟件或硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)的，對(duì)于后者，可以通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)，但不限于此：上述模塊均位于同一處理器中；或者，上述模塊分別位于多個(gè)處理器中。

實(shí)施例5

在本實(shí)施例中還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置，該裝置用于實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例及優(yōu)選實(shí)施方式，已經(jīng)進(jìn)行過(guò)說(shuō)明的不再贅述。如以下所使用的，術(shù)語(yǔ)“模塊”可以實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能的軟件和/或硬件的組合。盡管以下實(shí)施例所描述的裝置較佳地以軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是硬件，或者軟件和硬件的組合的實(shí)現(xiàn)也是可能并被構(gòu)想的。

圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置的結(jié)構(gòu)框圖，如 圖13所示，該裝置包括：

1)第一獲取模塊1302，用于獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，所述身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)所述無(wú)源電子標(biāo)簽；

2)選擇模塊1304，耦合至第一獲取模塊1302，用于從所述一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽；

3)發(fā)送模塊1306，耦合至選擇模塊1304，用于向所述目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，所述控制信號(hào)攜帶有用于控制所述無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置可以但不限于應(yīng)用于射頻識(shí)別的場(chǎng)景中。例如：利用標(biāo)簽讀寫(xiě)器控制無(wú)源電子標(biāo)簽的場(chǎng)景中。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制裝置可以但不限于應(yīng)用于標(biāo)簽讀寫(xiě)器，例如：用于控制超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的標(biāo)簽讀寫(xiě)器。

通過(guò)上述裝置，選擇模塊1304從第一獲取模塊1302獲取的無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽，并由發(fā)送模塊1306向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送用于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的控制信號(hào)，目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽接收到控制信號(hào)后，可以根據(jù)控制信號(hào)中的控制指令發(fā)光，解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽位置的定位精度低的問(wèn)題，提高了對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽位置的定位精度。

需要說(shuō)明的是，上述各個(gè)模塊是可以通過(guò)軟件或硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)的，對(duì)于后者，可以通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)，但不限于此：上述模塊均位于同一處理器中；或者，上述模塊分別位于多個(gè)處理器中。

實(shí)施例6

在本實(shí)施例中還提供了一種無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)，圖14是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖，如圖14所示，該系統(tǒng)包括：標(biāo)簽讀寫(xiě)器1402和無(wú)源電子標(biāo)簽1404，其中，

標(biāo)簽讀寫(xiě)器1402用于獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器1402的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽；從一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的無(wú)源電子標(biāo)簽；向無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；

無(wú)源電子標(biāo)簽1404，與標(biāo)簽讀寫(xiě)器1402連接，用于通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射1402的控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽1404上的發(fā)光元件的控制指令；解析控制信號(hào)得到控制指令；控制發(fā)光元件按照控制指令發(fā)光。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)可以但不限于應(yīng)用于射頻識(shí)別的場(chǎng)景中。例如： 利用標(biāo)簽讀寫(xiě)器控制無(wú)源電子標(biāo)簽的場(chǎng)景中。

可選地，上述無(wú)源電子標(biāo)簽可以但不限于是超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，上述標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以但不限于是用于控制超高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的標(biāo)簽讀寫(xiě)器。上述無(wú)源電子標(biāo)簽可以是高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽，上述標(biāo)簽讀寫(xiě)器可以是用于控制高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的標(biāo)簽讀寫(xiě)器。例如：高頻發(fā)光rfid無(wú)源電子標(biāo)簽的發(fā)射頻率可以但不限于為13.56mhz。

通過(guò)上述系統(tǒng)，標(biāo)簽讀寫(xiě)器從獲取的無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽，并向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送用于控制目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)光的控制信號(hào)，目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽接收到控制信號(hào)后，可以根據(jù)控制信號(hào)中的控制指令發(fā)光，解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽位置的定位精度低的問(wèn)題，提高了對(duì)無(wú)源電子標(biāo)簽位置的定位精度。下面以一個(gè)可選實(shí)施例說(shuō)明和描述本實(shí)施例中的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)。

在本可選實(shí)施例中提供了一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)，圖15是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖，如圖15所示，該系統(tǒng)包括：標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502和無(wú)源電子標(biāo)簽集合1504中包括的多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽：無(wú)源電子標(biāo)簽1504-1～無(wú)源電子標(biāo)簽1504-n，n為正整數(shù)，其中，

標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502用于獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)，其中，身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽；從一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的無(wú)源電子標(biāo)簽；向無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令。由于無(wú)源電子標(biāo)簽1504上的發(fā)光元件功耗遠(yuǎn)大于無(wú)源電子標(biāo)簽1504上的電子標(biāo)簽芯片功耗，所以標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502讀寫(xiě)無(wú)源電子標(biāo)簽1504的距離大于標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502控制無(wú)源電子標(biāo)簽1504上的發(fā)光元件的距離。

首先，在位置1，標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502可以查詢(xún)到一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽。標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502可以獲取無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)(例如：id號(hào))和位置信息。讀到的所有無(wú)源電子標(biāo)簽組成一個(gè)標(biāo)簽空間集合1504。標(biāo)簽空間集合1504包括n個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽：無(wú)源電子標(biāo)簽1504-1到無(wú)源電子標(biāo)簽1504-n。

然后，如果標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502要控制點(diǎn)亮其中的一個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽，例如無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m。假定標(biāo)簽讀寫(xiě)器所在的位置與無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m所在的位置之間的距離為l1，標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502選中無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m，此時(shí)，由于在位置1處距離無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m的距離l1可能較遠(yuǎn)(例如：l1大于預(yù)設(shè)距離l)，無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m不能獲得足夠的能量點(diǎn)亮，或者不能被立刻點(diǎn)亮。

標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502可以根據(jù)獲取的無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m的位置信息移動(dòng)到無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m的大概位置附近(例如：移動(dòng)到與無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m之間的距離為l2的位置，此時(shí)，l2小于或者等于預(yù)設(shè)距離l)，再次向標(biāo)簽讀寫(xiě)器1502的信號(hào)覆蓋范圍 內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送查詢(xún)、選擇、點(diǎn)亮指令序列，點(diǎn)亮無(wú)源電子標(biāo)簽1504-m。

在本可選實(shí)施例中還提供了一種可選的無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的操作流程，圖16是根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的一種可選的操作無(wú)源電子標(biāo)簽控制系統(tǒng)的流程圖。在本操作流程中，標(biāo)簽讀寫(xiě)器1402以rfid讀寫(xiě)器為例，無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)以無(wú)源電子標(biāo)簽的id號(hào)為例，如圖16所示，該操作流程包括以下步驟：

步驟s1602，rfid讀寫(xiě)器在位置1處掃描其信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的無(wú)源電子標(biāo)簽。

步驟s1604，rfid讀寫(xiě)器發(fā)送查詢(xún)指令，獲得一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的id號(hào)和位置信息。

步驟s1606，rfid讀寫(xiě)器發(fā)送選擇指令，選中待發(fā)光的一個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽。

步驟s1608，rfid讀寫(xiě)器判斷被選中的無(wú)源電子標(biāo)簽是否能夠根據(jù)指令發(fā)光。如果判斷結(jié)果為否，則執(zhí)行步驟s1610，如果判斷結(jié)果為是，則執(zhí)行步驟s1612。

步驟s1610，rfid讀寫(xiě)器移動(dòng)到位置2處掃描其信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的無(wú)源電子標(biāo)簽，返回執(zhí)行步驟s1604。

步驟s1612，rfid讀寫(xiě)器向選中的待發(fā)光的一個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制發(fā)光指令，控制被選中的無(wú)源電子標(biāo)簽根據(jù)指令發(fā)光。

需要說(shuō)明的是，上述各個(gè)模塊是可以通過(guò)軟件或硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)的，對(duì)于后者，可以通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)，但不限于此：上述模塊均位于同一處理器中；或者，上述模塊分別位于多個(gè)處理器中。

實(shí)施例7

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種存儲(chǔ)介質(zhì)?？蛇x地，在本實(shí)施例中，上述存儲(chǔ)介質(zhì)可以被設(shè)置為存儲(chǔ)用于執(zhí)行以下步驟的程序代碼：

s1，通過(guò)天線(xiàn)和/或?qū)Ь€(xiàn)接收標(biāo)簽讀寫(xiě)器發(fā)射的控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令；

s2，解析控制信號(hào)得到控制指令；

s3，控制發(fā)光元件按照控制指令發(fā)光。

可選地，存儲(chǔ)介質(zhì)還被設(shè)置為存儲(chǔ)用于執(zhí)行以下步驟的程序代碼：

s1，獲取標(biāo)簽讀寫(xiě)器的信號(hào)覆蓋范圍內(nèi)的一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)， 其中，身份標(biāo)識(shí)用于唯一標(biāo)識(shí)無(wú)源電子標(biāo)簽；

s2，從一個(gè)或者多個(gè)無(wú)源電子標(biāo)簽的身份標(biāo)識(shí)中選擇預(yù)設(shè)身份標(biāo)識(shí)的目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽；

s3，向目標(biāo)無(wú)源電子標(biāo)簽發(fā)送控制信號(hào)，其中，控制信號(hào)攜帶有用于控制無(wú)源電子標(biāo)簽上的發(fā)光元件的控制指令。

可選地，在本實(shí)施例中，上述存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括但不限于：u盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(rom，read-onlymemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram，randomaccessmemory)、移動(dòng)硬盤(pán)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

可選地，本實(shí)施例中的具體示例可以參考上述實(shí)施例及可選實(shí)施方式中所描述的示例，本實(shí)施例在此不再贅述。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而，可以將它們存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中由計(jì)算裝置來(lái)執(zhí)行，并且在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。