技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種SOI?MOSFET總劑量模型參數(shù)確定方法，包括如下步驟：S1：獲取SOI?MOSFET在不同劑量輻照下開、關(guān)兩種工作狀態(tài)下的轉(zhuǎn)移特性數(shù)據(jù)與傳輸特性數(shù)據(jù)；S2：篩選步驟S1得到的數(shù)據(jù)，并導(dǎo)入測(cè)試數(shù)據(jù)到參數(shù)提取軟件；S3：提取上邊角等效晶體管參數(shù)及場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)；S4：導(dǎo)出總劑量集約模型卡文件；S5：導(dǎo)入各個(gè)單點(diǎn)的總劑量模型到所述參數(shù)提取軟件，生成全區(qū)域的總劑量Bin模型卡文件。本發(fā)明采用了與主晶體管分立的方式進(jìn)行參數(shù)提取，細(xì)化了物理模型中各個(gè)區(qū)域的敏感參數(shù)，提高了參數(shù)擬合的準(zhǔn)確度，可以準(zhǔn)確地?cái)M合出SOI?MOSFET受總劑量輻射效應(yīng)影響時(shí)在亞閾值區(qū)產(chǎn)生的hump效應(yīng)，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全區(qū)域尺寸器件總劑量效應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳靜;黃建強(qiáng);羅杰馨;柴展;呂凱;何偉偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.20
技術(shù)公布日：2017.07.28