專利名稱：Bsimsoi4直流模型參數(shù)的確定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種確定SOI MOSFET器件模型參數(shù)的方法，尤其涉及一種BSIMS0I4 直流模型參數(shù)的確定方法，屬于微電子器件建模領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
MOSFET為一種四端口半導(dǎo)體器件，在各個(gè)端口施加不同的激勵(lì)，器件的漏極電流 也會(huì)相應(yīng)發(fā)生變化。通過對(duì)器件建立數(shù)學(xué)模型，得出輸入輸出的數(shù)學(xué)表達(dá)式，電路設(shè)計(jì)者使 用該模型進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的SPICE仿真。目前已提出多種關(guān)于MOSFET的數(shù)學(xué)模型，每種模型 都包含大量的參數(shù)。BSIM模型是器件模型的標(biāo)準(zhǔn)，被各大半導(dǎo)體生產(chǎn)商廣泛使用。SOI MOSFET器件因其內(nèi)部復(fù)雜的物理機(jī)制，相比體硅器件，其模型方程更復(fù)雜，模 型參數(shù)更多。對(duì)于浮體結(jié)構(gòu)器件，由于體區(qū)與外部不相連，處于電學(xué)“浮空”狀態(tài)，導(dǎo)致器件 在實(shí)際工作時(shí)，流入體區(qū)的各種電流成分(結(jié)電流、寄生三極管電流、柵至體電流、柵致漏 電流等)使得體區(qū)電荷積累，體區(qū)電位不恒定，引起Kink效應(yīng)和GIFBE效應(yīng)等。另外，由于 SOI MOSFET器件底部有一層低導(dǎo)熱率的埋氧層(BOX)，直流測(cè)試時(shí)，溫度來不及排除，使得 溝道溫度高于環(huán)境溫度，即出現(xiàn)“自熱效應(yīng)”。然而，在實(shí)際的數(shù)字電路應(yīng)用中，因器件工作 在高速開關(guān)狀態(tài)，熱量來不及積累，“自熱效應(yīng)”不明顯或消失。準(zhǔn)確的器件模型是電路仿真的可靠保證，只有準(zhǔn)確的提取與體區(qū)、自熱效應(yīng)相關(guān) 的所有參數(shù)，才能提高基于SOI工藝的IC設(shè)計(jì)成功率。BSIMS0I4模型體系包含了豐富的結(jié) 電流和寄生三極管等模型方程，能有效的描述上述效應(yīng)。BSIMS0I4擁有數(shù)十個(gè)描述SOI獨(dú) 特性能的參數(shù)，需要進(jìn)行特別的測(cè)試條件設(shè)定，以獲取準(zhǔn)確的參數(shù)。相比其他方案，本發(fā)明 提供了一種更為準(zhǔn)確有效的提取BSIMS0I4模型直流參數(shù)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，包括以下步驟(1)提供若干不同溝道長(zhǎng)度L和不同溝道寬度W的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體 結(jié)構(gòu) MOSFET 器件；其中，0. 85Lmin ^ W ^ Ιμπι,Ο. 85Lmin 彡 L 彡 1 μ m，Wmin 和 Lmin 為工藝決定 的最小值；(2)利用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量?jī)x測(cè)量所有器件在不同溫度下的電學(xué)特性數(shù)據(jù)；其中， 體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件所測(cè)量的電學(xué)特性包括=Id-Vg-Vp, Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、 Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件所測(cè)量的電學(xué)特性 包括Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg 及 Ig-Vg-Vd 特性；(3)測(cè)量所有體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的熱阻參數(shù)Rth，并 根據(jù)步驟(2)所測(cè)的電學(xué)特性數(shù)據(jù)獲取各個(gè)體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器 件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線；其中，體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線包括Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-VcU Ig_Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp 及 Id/Ip-Vp-Vd 曲線，浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線包括Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及 Ig-Vg-Vd 曲線；(4)依次按照下述步驟提取BSIMS0I4模型中的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件直流參數(shù) 和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件直流參數(shù)(a)計(jì)算 Vg = 0. 5Vgg,Vd = 0. IV，Vp = OV 的偏壓條件下的 W = 1 μ m 且 L = Lmin 的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件與浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id比值，記作ratio，取參數(shù)dwc = (l-ratioVnbc，其中nbc為器件的版圖參數(shù)；(b)根據(jù)W = Iym且L = 1 μ m的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的電學(xué)特性數(shù)據(jù)提取 BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的體效應(yīng)的相關(guān)參數(shù)；(c)根據(jù)W=Iym且L=Iym的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Is/Id-Vp曲線提取 BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的源體結(jié)和漏體結(jié)的相關(guān)參數(shù)；(d)根據(jù)W=Iym且L=Iym的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip/Id-Vp-Vd曲線 提取BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的寄生三極管的相關(guān)參數(shù)；通過調(diào)整參數(shù)In 優(yōu)化所有W=Iym的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip/Id-Vp-Vd曲線的擬合效果，從而確定 體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的參數(shù)In ；(e)根據(jù)W=Iym且L=Iym的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ig-Vp曲線和Ip-Vg 曲線提取BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的柵至體電流的相關(guān)參數(shù)；(f)根據(jù)W=Illm且L=Iym的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip-Vg-Vd曲線提取 BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的柵致漏電流的相關(guān)參數(shù)；(g)根據(jù)所有尺寸的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件電學(xué)特性數(shù)據(jù)提取BSIMS0I4模型中 體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的漏電流Id和柵電流Ig的相關(guān)參數(shù)；(h)根據(jù)W = 1 μ m且L = 1 μ m的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip-Vg-Vd曲線和 Ip-Vd-Vg曲線提取BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的碰撞電離電流的相關(guān)參數(shù)； 通過調(diào)整參數(shù)Iii和esatii，優(yōu)化所有W= 1 μ m的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip-Vg-Vd曲 線和Ip-Vd-Vg曲線的擬合效果，從而確定體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的參數(shù)Iii和esatii ；(i)提取BSIMS0I4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的與閾值電壓、遷移率、串聯(lián)電 阻、飽和速度、結(jié)電流、寄生三極管和碰撞電離電流的溫度相關(guān)參數(shù)，從而得到BSIMS0I4模 型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的所有直流參數(shù)；(j)先將提取好的所有體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的直流參數(shù)應(yīng)用于浮體結(jié)構(gòu) MOSFET器件模型，然后將nbc、pdbcp、psbcp置為零，保持體偏壓的相關(guān)參數(shù)，柵致漏電流、 柵至體電流、結(jié)電流及寄生三極管的相關(guān)參數(shù)均不更改，并微調(diào)其余BSIMS0I4模型中浮體 結(jié)構(gòu)MOSFET器件的直流參數(shù)，優(yōu)化浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線擬 合效果，從而確定BSIMS0I4模型中浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的所有直流參數(shù)。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟(2)測(cè)量體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id/Ip-Vd-Vg特 性時(shí)，掃描電壓取OV 1. IVddo作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟(2)測(cè)量體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip-Vg-Vd特性 時(shí)，掃描電壓取-IV 1. lVgg，且變值電壓取0V,0. 9Vdd、Vdd、l. IVddo作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟(2)測(cè)量體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id/Ip-Vp-Vd特性時(shí)，掃描電壓取0 0. 7V，且變值電壓取0V、0. 3V、Vdd0作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟(2)在三個(gè)不同溫度下測(cè)量所有器件的電學(xué)特性數(shù) 據(jù)，所述三個(gè)不同溫度分別為常溫(25°C )、高于常溫的溫度(125°C )和低于常溫的溫度 (-40 0C )。其中優(yōu)選地，步驟(4)中的步驟(a)-(h)利用常溫下的測(cè)試數(shù)據(jù)提取參數(shù)，步驟 (i)利用另外兩個(gè)溫度下的測(cè)試數(shù)據(jù)提取參數(shù)。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明通過在不同溫度和偏壓條件下，對(duì)多種尺寸的SOI MOSFET器件，包括體引 出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件，進(jìn)行電學(xué)性能的測(cè)試，并根據(jù)模型方程依次 選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試曲線，逐步確定各類參數(shù)，從而準(zhǔn)確有效的提取出BSIMS0I4模型的直流參數(shù)。其中，本發(fā)明利用體引出結(jié)構(gòu)器件和浮體結(jié)構(gòu)器件的測(cè)試數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)S0IM0SFET 體區(qū)的獨(dú)立、詳細(xì)的建模；并在采用無自熱效應(yīng)的特性曲線基礎(chǔ)上提取模型參數(shù)，以與器件 的實(shí)際情況相符。另外，由于SOI MOSFET器件模型具有大量的參數(shù)，這些模型參數(shù)之間互 相關(guān)聯(lián)，因此，每一步確定的模型參數(shù)會(huì)對(duì)其下一步要確定的模型參數(shù)有一定影響。為了使 最終確定的參數(shù)更加準(zhǔn)確，發(fā)明人充分分析了各參數(shù)之間的關(guān)系及實(shí)際器件特性之間的關(guān) 聯(lián)，在提取模型參數(shù)時(shí)，按照一定的次序步驟，根據(jù)特定的特性曲線，逐步地確定各類重要 參數(shù)，從而使提取的模型參數(shù)更加準(zhǔn)確，進(jìn)而保證了仿真模型的準(zhǔn)確性。準(zhǔn)確的SOI MOSFET器件模型有利于SOI電路設(shè)計(jì)仿真，從而對(duì)促進(jìn)SOI電路的發(fā) 展有重要意義。


圖1為實(shí)施例中涉及的測(cè)試器件相關(guān)尺寸定義示意圖；圖2為實(shí)施例中本發(fā)明涉及的測(cè)試器件尺寸范圍示意圖；圖3為實(shí)施例中本發(fā)明涉及的測(cè)試數(shù)據(jù)示意圖。圖4為實(shí)施例中本發(fā)明涉及的提取流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)，為了示出的方便附圖并未按照比例 繪制。本實(shí)施例以0. 13 μ m制作工藝的SOI MOSFET器件模型為例(這些MOSFET器件最 小溝道寬度設(shè)計(jì)值為0. 13 μ m)，提供一種BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，參看圖4，包 括以下步驟(1)提供若干不同溝道長(zhǎng)度L和不同溝道寬度W的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮 體結(jié)構(gòu) MOSFET 器件。其中，0. 85Lmin 彡 W 彡 1 μ m，0. 85Lmin ^ L ^ 1 μ m, Wmin 和 Lmin 為工藝 決定的最小值，一種優(yōu)選的器件尺寸范圍如圖2所示。體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu) MOSFET器件的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中1為源極，2為柵極，3為漏極，4為體引出，5為接觸孔； 并且每種器件都包括兩個(gè)類型n型MOSFET和ρ型MOSFET。(2)利用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量?jī)x(如 Agilent 4156、Agilent B1500A、Keithley4200等)測(cè)量所有器件在不同溫度下的電學(xué)特性的數(shù)據(jù)。其中優(yōu)選在三個(gè)不同溫度下測(cè)量所有 器件的電學(xué)特性數(shù)據(jù)，所述三個(gè)不同溫度分別為常溫、高于常溫的溫度和低于常溫的溫度， 這三個(gè)溫度優(yōu)選地分別為25°C、125°C和-40°C。本實(shí)施例中的一些測(cè)試數(shù)據(jù)如圖3所示。其中，體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件所測(cè)量的電學(xué)特性包括Id_Vg-Vp、Id/Ip-Vd_Vg、 Ig-Vg-VcU Ig-Vp、Ip-Vg-VcU I s/Id-Vp 及 Id/Ip-Vp-Vd 特性；浮體結(jié)構(gòu) MOSFET 器件所測(cè)量 的電學(xué)特性包括Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性。測(cè)量這些電學(xué)特性是本領(lǐng)域技術(shù) 人員公知的技術(shù)，在此不作贅述，各符號(hào)的含義如表1所示，本實(shí)施例中的優(yōu)選的具體測(cè)試 數(shù)據(jù)詳見表2。其中Vgg和Vdd由器件的工藝條件決定。表 權(quán)利要求
一種BSIMSOI4直流模型參數(shù)的確定方法，其特征在于，包括以下步驟(1)提供若干不同溝道長(zhǎng)度L和不同溝道寬度W的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件；其中，0.85Lmin≤W≤1μm，0.85Lmin≤L≤1μm，Wmin和Lmin為工藝決定的最小值；(2)利用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量?jī)x測(cè)量所有體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件在不同溫度下的電學(xué)特性數(shù)據(jù)；其中，體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件所測(cè)量的電學(xué)特性包括Id Vg Vp、Id/Ip Vd Vg、Ig Vg Vd、Ig Vp、Ip Vg Vd、Is/Id Vp及Id/Ip Vp Vd特性，浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件所測(cè)量的電學(xué)特性包括Id Vg Vp、Id Vd Vg及Ig Vg Vd特性；(3)測(cè)量所有體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的熱阻參數(shù)Rth，并根據(jù)步驟(2)所測(cè)的電學(xué)特性數(shù)據(jù)獲取各個(gè)體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線；其中，體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線包括Id Vg Vp、Id/Ip Vd Vg、Ig Vg Vd、Ig Vp、Ip Vg Vd、Is/Id Vp及Id/Ip Vp Vd曲線，浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線包括Id Vg Vp、Id Vd Vg及Ig Vg Vd曲線；(4)依次按照下述步驟提取BSIMSOI4模型中的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件直流參數(shù)和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件直流參數(shù)(a)計(jì)算Vg＝0.5Vgg，Vd＝0.1V，Vp＝0V的偏壓條件下的W＝1μm且L＝Lmin的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件與浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id比值，記作ratio，取參數(shù)dwc＝(1 ratio)/nbc，其中nbc為器件的版圖參數(shù)；(b)根據(jù)W＝1μm且L＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的電學(xué)特性數(shù)據(jù)提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的體效應(yīng)的相關(guān)參數(shù)；(c)根據(jù)W＝1μm且L＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Is/Id Vp曲線提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的源體結(jié)和漏體結(jié)的相關(guān)參數(shù)；(d)根據(jù)W＝1μm且L＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip/Id Vp Vd曲線提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的寄生三極管的相關(guān)參數(shù)；通過調(diào)整參數(shù)ln優(yōu)化所有W＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip/Id Vp Vd曲線的擬合效果，從而確定體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的參數(shù)ln；(e)根據(jù)W＝1μm且L＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的I g Vp曲線和Ip Vg曲線提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的柵至體電流的相關(guān)參數(shù)；(f)根據(jù)W＝1μm且L＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的I p Vg Vd曲線提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的柵致漏電流的相關(guān)參數(shù)；(g)根據(jù)所有尺寸的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件電學(xué)特性數(shù)據(jù)提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的漏電流Id和柵電流Ig的相關(guān)參數(shù)；(h)根據(jù)W＝1μm且L＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip Vg Vd曲線和Ip Vd Vg曲線提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的碰撞電離電流的相關(guān)參數(shù)；通過調(diào)整參數(shù)lii和esatii，優(yōu)化所有W＝1μm的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip Vg Vd曲線和Ip Vd Vg曲線的擬合效果，從而確定體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的參數(shù)lii和esatii；(i)提取BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的與閾值電壓、遷移率、串聯(lián)電阻、飽和速度、結(jié)電流、寄生三極管和碰撞電離電流的溫度相關(guān)參數(shù)，從而得到BSIMSOI4模型中體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的所有直流參數(shù)；(j)先將提取好的所有體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的直流參數(shù)應(yīng)用于浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件模型，然后將nbc、pdbcp、psbcp置為零，保持體偏壓的相關(guān)參數(shù)，柵致漏電流、柵至體電流、結(jié)電流及寄生三極管的相關(guān)參數(shù)均不更改，并微調(diào)其余BSIMSOI4模型中浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的直流參數(shù)，優(yōu)化浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線擬合效果，從而確定BSIMSOI4模型中浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的所有直流參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，其特征在于步驟(2) 測(cè)量體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id/Ip-Vd-Vg特性時(shí)，掃描電壓取OV 1. lVdd，其中Vdd為 漏極最大工作電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，其特征在于步驟(2) 測(cè)量體弓I出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Ip-Vg-Vd特性時(shí)，掃描電壓取-IV 1. IVgg,且變值電壓取 0V、0. 9Vdd、Vdd、l. lVdd，其中Vgg為柵極最大工作電壓，Vdd為漏極最大工作電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，其特征在于步驟(2) 測(cè)量體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id/Ip-Vp-Vd特性時(shí)，掃描電壓取0 0. 7V，且變值電壓取 0V、0. 3V、Vdd，其中Vdd為漏極最大工作電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，其特征在于步驟(2) 在三個(gè)不同溫度下測(cè)量所有器件的電學(xué)特性數(shù)據(jù)，所述三個(gè)不同溫度分別為常溫、高于常 溫的溫度和低于常溫的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的BSIMS0I4直流模型參數(shù)的確定方法，其特征在于步驟(4) 中的步驟(a)-(h)利用常溫條件下的電學(xué)特性數(shù)據(jù)提取參數(shù)，步驟(i)利用高于常溫的溫 度和低于常溫的溫度條件下的電學(xué)特性數(shù)據(jù)提取參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種BSIMSOI4直流模型參數(shù)的確定方法，該方法通過提供若干不同尺寸的體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件；測(cè)量所有體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并獲取各個(gè)體引出結(jié)構(gòu)MOSFET器件和浮體結(jié)構(gòu)MOSFET器件的無自熱效應(yīng)的電學(xué)特性曲線；然后依次按照特定步驟提取BSIMSOI4模型的直流參數(shù)。本發(fā)明根據(jù)模型方程依次選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試曲線，逐步確定各類參數(shù)，從而可準(zhǔn)確有效的提取出BSIMSOI4模型的直流參數(shù)。
文檔編號(hào)G06F17/50GK101976283SQ201010515128
公開日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者伍青青, 柴展, 王曦, 羅杰馨, 陳靜 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所