本發(fā)明涉及一種制造具有可從其分離的局部件的數(shù)據(jù)載體的方法，這種數(shù)據(jù)載體尤其是芯片卡，優(yōu)選是所謂的組合式SIM卡。

背景技術(shù)：

眾所周知的是，有各種尺寸的芯片卡，尤其是用于移動(dòng)通信終端的SIM卡型芯片卡。SIM卡的不同尺寸也是公知的，尤其是Mini SIM("2FF"，第二規(guī)格)、Micro SIM("3FF"，第三規(guī)格)和Nano SIM("4FF"，第四規(guī)格)，并且這些規(guī)格例如用于不同類型的移動(dòng)電話。移動(dòng)電話用戶收到的與其移動(dòng)電話相配的SIM卡通常是容納在信用卡式卡片(ID-1)上的芯片卡的局部件形式，以便分離出SIM卡。為了簡化制造和處理，可采用組合式SIM卡，其中，上述的多種規(guī)格預(yù)先沖壓在卡體上，以便分離出或按出SIM卡。

除了不同的長度和寬度尺寸外，不同規(guī)格還可具有不同的厚度。例如，在將Nano SIM制造為組合式SIM形式時(shí)，存在的一個(gè)問題是，Nano SIM的規(guī)范厚度比其它規(guī)格的厚度小。這種較小的厚度可通過銑削芯片卡的前面來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)楸仨氃谠撎庛娤鞒鲇糜诮邮招酒K的腔體。但是，在較大的SIM規(guī)格而不是Nano SIM所需的這種組合式SIM中，芯片模塊的接觸區(qū)處于卡的前面的凹陷區(qū)中。這可能導(dǎo)致移動(dòng)電話的觸點(diǎn)被卡在該凹陷區(qū)中。在為了避免前面有凹陷區(qū)而從背面減小卡體的厚度時(shí)(例如通過銑削來減小)，已經(jīng)印刷好的背面上的這個(gè)區(qū)域會(huì)被破壞，或者未印刷的卡體的這個(gè)區(qū)域無法正確印刷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的是提出一種具有縮減厚度的局部件的數(shù)據(jù)載體以及一種制造該數(shù)據(jù)載體的方法，從而改善數(shù)據(jù)載體的處理和制造。

此目的是通過一種制造數(shù)據(jù)載體的方法和一種具有由獨(dú)立權(quán)利要求所限定的特征的數(shù)據(jù)載體來實(shí)現(xiàn)的。在從屬權(quán)利要求中限定了本發(fā)明的有利的實(shí)施方式和進(jìn)一步改進(jìn)。

在一種制造數(shù)據(jù)載體(尤其是芯片卡)的方法中，首先制造具有第一厚度、前面和背面的卡狀數(shù)據(jù)載體主體。在數(shù)據(jù)載體主體的前面上的預(yù)定區(qū)域中將第一厚度減小為第二厚度，這可通過在該預(yù)定區(qū)域中消除前面的材料來實(shí)現(xiàn)，例如通過銑削來實(shí)現(xiàn)。在減小厚度之前或之后，可對(duì)數(shù)據(jù)載體主體的背面進(jìn)行印刷，并且可選地對(duì)前面也進(jìn)行印刷。

為了制造第一可分離局部件，在所述預(yù)定區(qū)域中切穿數(shù)據(jù)載體主體，使得第一局部件置于通過切割形成的數(shù)據(jù)載體主體的貫通開口中，并且可在該貫通開口中位移。切穿數(shù)據(jù)載體主體是在所述預(yù)定區(qū)域內(nèi)進(jìn)行的，但是優(yōu)選可沿邊緣進(jìn)行，使得所述預(yù)定區(qū)域具有與待制造的第一局部件相同的長度和寬度尺寸。可替代地，也可以采取相反的次序，首先切穿數(shù)據(jù)載體主體，隨后減小數(shù)據(jù)載體主體的厚度。

然后，使第一局部件在所述貫通開口中朝數(shù)據(jù)載體主體的前面的方向位移，使得第一局部件與數(shù)據(jù)載體主體的前面齊平。由于第一局部件在數(shù)據(jù)載體主體的貫通開口中布置為與數(shù)據(jù)載體主體的前面齊平，因此所獲得的數(shù)據(jù)載體具有平坦的前面，并在后面的第一局部件區(qū)域中具有凹陷區(qū)。與在前面上有凹陷區(qū)的形式相比，平坦的前面比較有利，因?yàn)橐苿?dòng)通信終端的觸點(diǎn)能在優(yōu)選布置有芯片模塊的接觸區(qū)的數(shù)據(jù)載體前面上滑動(dòng)，而不存在被卡在凹陷區(qū)中的危險(xiǎn)。但是，由于所述預(yù)定區(qū)域中的數(shù)據(jù)載體厚度不是從背面減小的，而是從前面減小然后使第一局部件朝前面的方向位移，因此背面的印刷內(nèi)容不會(huì)被損壞。

所述方法優(yōu)選包括在預(yù)定區(qū)域中減小數(shù)據(jù)載體主體厚度之前至少在數(shù)據(jù)載體主體的背面和/或前面進(jìn)行印刷的步驟。如上所述，由于厚度的減小是從前面實(shí)現(xiàn)的，因此背面上的印刷內(nèi)容不會(huì)被損壞。但是，損壞前面上的預(yù)定區(qū)域中的印刷內(nèi)容沒有影響，因?yàn)樵谠撎幱欣氖强偸且跀?shù)據(jù)載體主體中植入芯片模塊，該芯片模塊能完全遮蓋第一局部件的區(qū)域，或者，如果接觸區(qū)小于第一局部件的區(qū)域，那么只有在芯片模塊的接觸區(qū)周圍的很窄邊緣處沒有印刷內(nèi)容。

切穿數(shù)據(jù)載體主體以產(chǎn)生第一局部件的操作優(yōu)選從數(shù)據(jù)載體主體的前面進(jìn)行。這優(yōu)選利用專門的沖壓工具和沖壓裝置進(jìn)行，該沖壓裝置適合于在撤回沖刀時(shí)將產(chǎn)生的局部件保持在沖壓的貫通開口中，并將所述局部件朝數(shù)據(jù)載體主體的前面推動(dòng)。因此，可通過一個(gè)步驟就完成第一局部件的產(chǎn)生和位移。

所述數(shù)據(jù)載體優(yōu)選包括芯片模塊，該芯片模塊嵌入到第一局部件中。相應(yīng)地，所述制造方法優(yōu)選還包括在數(shù)據(jù)載體主體的前面的預(yù)定區(qū)域中產(chǎn)生用于容納芯片模塊的腔體并將芯片模塊嵌入到該腔體中的步驟。這優(yōu)選在使第一局部件朝數(shù)據(jù)載體主體的前面的方向位移之前進(jìn)行。換言之，第一局部件與植入的芯片模塊一起在數(shù)據(jù)載體主體的貫通開口中移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)芯片模塊的接觸區(qū)與數(shù)據(jù)載體的前面齊平。所述接觸區(qū)可占據(jù)第一局部件的整個(gè)表面，也可僅遮蓋其一部分。

在一種優(yōu)選的示例性實(shí)施方式中，所述預(yù)定區(qū)域中的數(shù)據(jù)載體主體的原有第一厚度按至多30％的比例減小，優(yōu)選該比例在15％和25％之間。換言之，第二厚度至少為第一厚度的70％，優(yōu)選在第一厚度的75％和85％之間。

優(yōu)選除了第一局部件之外還產(chǎn)生可從數(shù)據(jù)載體主體分離的第二和/或第三局部件，其中，第二局部件最好圍繞第一局部件，并且第三局部件最好圍繞第一局部件，并且在適用情況下可圍繞第二局部件。第二局部件優(yōu)選具有15.0毫米長度、12.0毫米寬度和0.80毫米厚度，而第三局部件優(yōu)選具有25.0毫米長度、15.0毫米寬度和0.80毫米厚度。第一局部件優(yōu)選具有12.30毫米長度、8.80毫米寬度和0.67毫米厚度，數(shù)據(jù)載體主體具有85.60毫米長度、53.98毫米寬度和0.80毫米厚度。所有尺寸都應(yīng)理解為包含+/-0.1毫米公差。

因此，優(yōu)選采用符合標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格，其中，數(shù)據(jù)載體優(yōu)選是符合ISO/IEC 7810:2003標(biāo)準(zhǔn)的ID-1式芯片卡，在第一局部件中是符合ETSI TS 102 221 V11.0.0標(biāo)準(zhǔn)的Nano SIM(4FF)。第二局部件優(yōu)選是符合ETSI TS 102 221 V9.0.0標(biāo)準(zhǔn)的Micro SIM(Mini UICC；3FF)，第三局部件是符合ISO/IEC 7810:2003標(biāo)準(zhǔn)的Mini SIM(UICC；ID-000；2FF)。所述數(shù)據(jù)載體優(yōu)選具有全部四種規(guī)格。但是，第二和/或第三局部件也可省略。在另一種比較便利的變化形式中，數(shù)據(jù)載體本身具有第三局部件的形狀，并包含第二和/或第一局部件；在此沒有構(gòu)成最大規(guī)格的局部件。

切穿數(shù)據(jù)載體主體以產(chǎn)生第一局部件的操作優(yōu)選通過沖壓進(jìn)行，可選地，產(chǎn)生可從數(shù)據(jù)載體主體分離的第二和/或第三局部件的操作也可通過沖壓進(jìn)行。在這些操作中，局部件可彼此精確地配裝在一起，或者可提供縫隙，然后通過連接板將局部件互連起來。優(yōu)選首先沖壓出較小的規(guī)格，換言之，沖壓由內(nèi)向外進(jìn)行，因?yàn)檫@有助于處理和符合公差。

附圖說明

下面將參照附圖以示例方式說明本發(fā)明。附圖的說明如下：

圖1是芯片卡形式的數(shù)據(jù)載體的平面圖；

圖2是圖1中的數(shù)據(jù)載體的截面圖；

圖3是圖1中的數(shù)據(jù)載體不帶芯片模塊時(shí)的平面圖；和

圖4a-4f以截面圖的形式示出了制造圖1中的數(shù)據(jù)載體的方法步驟。

具體實(shí)施方式

在圖1中，所示的數(shù)據(jù)載體1為芯片卡的形式，其主體2包括多個(gè)局部件3、4、5、6。數(shù)據(jù)載體主體2優(yōu)選由注模ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)制成，但是也通過其它方式和/或由其它材料制成，例如通過對(duì)多個(gè)層進(jìn)行層壓而制造。此示例性實(shí)施方式是一種組合式SIM卡，其中，局部件3、4、5、6形成標(biāo)準(zhǔn)化的規(guī)格。數(shù)據(jù)載體1是符合ISO/IEC 7810:2003標(biāo)準(zhǔn)的ID-1式全尺寸SIM卡6。此示例性實(shí)施方式中的第一局部件3是符合ETSI TS 102 221 V11.0.0標(biāo)準(zhǔn)的Nano SIM(4FF)。第二局部件4是符合ETSI TS 102 221 V9.0.0標(biāo)準(zhǔn)的Micro SIM(Mini UICC；3FF)，第三局部件5是符合ISO/IEC 7810:2003標(biāo)準(zhǔn)的Mini SIM(UICC；ID-000；2FF)。

第三局部件5可從卡片主體2中取出，為此，它通過具有預(yù)定的破壞點(diǎn)的連接板10連接至所述卡片主體，其中，在第三局部件5和其余卡片主體2之間布置有縫隙9，所述縫隙是利用相應(yīng)的沖孔工具產(chǎn)生的。Nano SIM 3、Micro SIM 4和Mini SIM5分別彼此配裝到一起。換言之，各個(gè)較大的規(guī)格包括貫通開口，各個(gè)較小的規(guī)格配裝到這些貫通開口中。用戶可從卡片主體2分離出與其終端相配的規(guī)格。分離出的較小規(guī)格最好能夠重新配裝到下一個(gè)較大規(guī)格的相應(yīng)貫通開口中，例如在意外地分離出尺寸過小的規(guī)格的情況中。尤其是，局部件3最好可重新置入到局部件4中，局部件4最好能夠重新置入到局部件5中。

Nano SIM形式的第一局部件3具有帶芯片8和接觸區(qū)7的芯片模塊。從圖2中的截面圖能夠看出，第一局部件3的表面(尤其是芯片模塊的接觸區(qū)7)與芯片卡1的前面15齊平。

但是，根據(jù)規(guī)范，允許芯片模塊的表面從芯片卡1的前面偏離+/-0.1毫米。相反，在背面16上，在第一局部件3的區(qū)域中有凹陷區(qū)17，因?yàn)樵跊_壓后第一局部件3已朝前面15的方向位移，如下文中所詳述。因此，與其它規(guī)格的厚度22相比，第一局部件3具有縮減的厚度23。第一厚度22為0.68毫米至0.84毫米，優(yōu)選為0.80毫米，而第二厚度23較小，為0.60毫米至0.70毫米，優(yōu)選為0.64毫米。在圖2中，以虛線示出了局部件3、4、5的邊界。

圖3是卡片主體2在厚度減小之后的俯視圖，其中還示出了用于容納芯片模塊7、8的雙層腔體11、12，但是，為了清楚起見，略去了芯片模塊7、8本身。在實(shí)際應(yīng)用中，最好在制備局部件3、4、5之前將芯片模塊7、8置入到腔體11、12中。此示例性實(shí)施方式中的腔體12具有比第一局部件3稍小的長度和寬度尺寸，但是也能占據(jù)局部件3的全部面積。而且，在前面能看到凹陷區(qū)13，產(chǎn)生所述凹陷區(qū)的目的是為了將卡片主體2的厚度22減小為第一局部件3的所需厚度23。從圖2能夠看出，凹陷區(qū)13稍稍超過第一局部件3的尺寸。優(yōu)選在與第一局部件3的尺寸精確對(duì)應(yīng)的區(qū)域中減少卡片主體2的厚度22(如圖2和圖4a-4f中所示的情況)，即，凹陷區(qū)13(以及預(yù)定區(qū)域14，參見圖4a)與第一局部件3是全等的?？ㄆ黧w2的厚度22的減小和腔體11、12的產(chǎn)生優(yōu)選通過銑削卡片主體2來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，消除卡片主體2的材料的其它方法也是能夠設(shè)想出的，例如激光消除。

在圖4a至4f中，示出了制造具有局部件3的芯片卡1的方法的步驟，所述局部件具有相對(duì)于卡片主體2的區(qū)域部分縮減的厚度23。在圖4a中，示出了具有前面15和前面16的卡片主體2的坯件。前面15和背面16已在之前步驟中進(jìn)行了印刷。在圖中示出了預(yù)定區(qū)域14，將在該區(qū)域中減小卡片主體2的厚度。如上所述，該預(yù)定區(qū)域的尺寸優(yōu)選與待制造的第一局部件3的尺寸對(duì)應(yīng)。

如圖4b所示，在優(yōu)選經(jīng)過雙面印刷處理的卡片主體2的前面15的預(yù)定區(qū)域14中，利用銑刀24銑削出凹陷區(qū)13，以便將卡片主體2的厚度22減小到待制造的局部件3的所需厚度23。在前面上的這個(gè)區(qū)域中的印刷內(nèi)容會(huì)被破壞，但是這不會(huì)損害最終產(chǎn)品的外觀，因?yàn)樵谠撎幰萌胄酒K7、8，它們的接觸區(qū)7能夠完全或幾乎完全遮蓋局部件3的前面。為此，要銑削出例如為雙層結(jié)構(gòu)的腔體11、12，以相應(yīng)地接收具有接觸區(qū)7和芯片8的芯片模塊(圖4c)。所述芯片模塊通過已知的方法植入在腔體11、12中(圖4d)。

圖4e示出了借助于沖壓工具19和沖壓裝置20產(chǎn)生第一局部件3的步驟?？ㄆ黧w2最好放置在基底21上。沖壓操作利用沖孔工具19從卡片主體2的前面15進(jìn)行。在沖壓時(shí)產(chǎn)生的貫通開口18中，使產(chǎn)生的局部件3朝卡片主體的前面15的方向位移。這是利用沖壓裝置20實(shí)現(xiàn)的。在撤回沖孔工具19時(shí)，在同一個(gè)方法步驟中借助于沖壓裝置20進(jìn)一步朝卡片主體2的前面15調(diào)整局部件3。從而可將第一局部件3對(duì)齊為與卡片主體2的前面15齊平，并同時(shí)在背面上產(chǎn)生凹陷區(qū)17。尤其是，這樣，芯片模塊的接觸區(qū)7也被對(duì)齊為與卡片主體2的前面15齊平。

圖4f中最終示出了與圖2類似的最終產(chǎn)品，其中，在產(chǎn)生第一局部件3之后，又以相應(yīng)的方式接連產(chǎn)生了局部件4、5。優(yōu)選從內(nèi)向外依次產(chǎn)生這些局部件，即，首先產(chǎn)生較小的局部件。也可同時(shí)沖壓出所有局部件3、4、5。芯片卡1的前面是平坦的，因此終端(例如移動(dòng)電話)的觸點(diǎn)不會(huì)被卡在凹陷區(qū)中。同時(shí)，由于從前面縮減卡片主體2的厚度22，因此在第一局部件3的區(qū)域中，背面16的印刷內(nèi)容保持完好，并且在沖壓過程后與第一局部件3一起被稍稍推入卡片主體2中。