觸控模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種觸控模塊在此揭露。觸控模塊包括一基板、至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、至少一電極通道以及至少一架橋。第一觸控電極、第二觸控電極以及電極通道皆嵌入于基板中。電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接。架橋跨越電極通道，用以令第一觸控電極彼此電性連接。第一觸控電極與第二觸控電極彼此電性絕緣。
【專(zhuān)利說(shuō)明】觸控模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種電子裝置。特別是有關(guān)于一種觸控模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子科技的快速進(jìn)展，觸控模塊已被廣泛地應(yīng)用在各式電子裝置中，如移動(dòng)電話、平板電腦等。
[0003]典型的觸控模塊例如可設(shè)置于顯示屏幕上，包括多個(gè)觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示屏幕時(shí)，相應(yīng)的觸控電極產(chǎn)生電信號(hào)，借此達(dá)成觸控感測(cè)。
[0004]在制造過(guò)程中，一般是利用蝕刻方式將觸控電極之間的導(dǎo)電物質(zhì)移除，以圖案化觸控電極，并使觸控電極間彼此絕緣。然而，將部分導(dǎo)電物質(zhì)移除的做法，以及僅移除部分導(dǎo)電物質(zhì)所形成的結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)致觸控模塊的光折射率不均勻，而影響觸控模塊外觀的光學(xué)一致性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]是以，為避免觸控模塊的光折射率不均勻，本實(shí)用新型的一方面提供一種觸控模塊。根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例，該觸控模塊包括一基板、至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、至少一電極通道、以及至少一架橋。該至少二第一觸控電極嵌入于該基板中。該至少二第二觸控電極嵌入于該基板中。該至少一電極通道嵌入于該基板中，用以令所述第二觸控電極彼此電性連接。至少一架橋跨越該至少一電極通道，用以令所述第一觸控電極彼此電性連接。所述第一觸控電極與所述第二觸控電極彼此電性絕緣。
[0006]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，該基板還包括一底層以及一活化層，該活化層設(shè)置于該底層上，且所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及該電極通道是嵌入于該活化層中。
[0007]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極相對(duì)于該基板的一第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度彼此不同。
[0008]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度的高度差大于50納米。
[0009]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極相對(duì)于該基板的一第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度彼此相同。
[0010]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述的觸控模塊還包括:
[0011]—導(dǎo)電殘料，其中該導(dǎo)電殘料在該基板的一第一表面所產(chǎn)生的正投影是位于所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及所述電極通道在該第一表面所產(chǎn)生的正投影之間；
[0012]其中該導(dǎo)電殘料相對(duì)于該第一表面的高度與所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及該電極通道相對(duì)于該第一表面的高度不同，以令該導(dǎo)電殘料絕緣于所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及該電極通道。
[0013]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道以及該導(dǎo)電殘料在該基板的該第一表面上的正投影之間不重疊。[0014]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述的觸控模塊還包括:一絕緣層，設(shè)置于該導(dǎo)電殘料與該架橋之間，用以阻隔該導(dǎo)電殘料與該架橋。
[0015]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，該導(dǎo)電殘料相對(duì)于該第一表面的高度與所述第一觸控電極相對(duì)于該第一表面的高度的高度差大于50納米,或該導(dǎo)電殘料相對(duì)于該第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該第一表面的高度的高度差大于50納米。
[0016]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，該電極通道相對(duì)于該基板的一第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度相同。
[0017]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，該基板包括:至少二接觸孔分別位于所述第一觸控電極上，該架橋透過(guò)所述接觸孔電性連接所述第一觸控電極。
[0018]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極或所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的一第二表面的嵌入深度介于10納米至500納米之間，其中該第二表面相對(duì)于該第一表面。
[0019]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極是沿一第一方向設(shè)置，所述第二觸控電極是沿一第二方向設(shè)置，且該第一方向不同于該第二方向。
[0020]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，所述第一觸控電極與所述第二觸控電極皆為菱形。
[0021]綜上所述，透過(guò)應(yīng)用上述一實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)一種觸控模塊。通過(guò)將觸控電極嵌入于基板中的方式圖案化觸控電極，可使觸控電極間彼此絕緣。如此一來(lái)，即可避免透過(guò)蝕刻方式圖案化觸控電極，并避免造成觸控模塊的光折射率不均勻，而影響觸控模塊外觀的光學(xué)一致性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；
[0023]圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B與圖6B分別為圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0024]圖7A為根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的一個(gè)步驟的示意圖；
[0025]圖7B為圖7A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0026]圖8A為根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的一個(gè)步驟的示意圖；
[0027]圖8B為圖8A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0028]圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；
[0029]圖9B、圖10B、圖11B、圖12B、圖13B與圖14B分別為圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0030]圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；
[0031]圖15B、圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖20B與圖21B分別為圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；[0032]圖22A與圖23A分別為根據(jù)本實(shí)用新型一變化的實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的兩個(gè)步驟的示意圖；
[0033]圖22B與圖23B分別為圖22A與圖23A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0034]圖24A、圖25A與圖26A分別為根據(jù)本實(shí)用新型一變化的實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的三個(gè)步驟的示意圖；
[0035]圖24B、圖25B與圖26B分別為圖24A、圖25A與圖26A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0036]圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A為根據(jù)本實(shí)用新型一變化的實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；
[0037]圖27B、圖28B、圖29B、圖30B、圖31B與圖32B分別為圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0038]圖33A與圖34A分別為根據(jù)本實(shí)用新型一變化的實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的兩個(gè)步驟的示意圖；
[0039] 圖33B與圖34B分別為圖33A與圖34A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0040]圖35A、圖36A與圖37A分別為根據(jù)本實(shí)用新型一變化的實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的三個(gè)步驟的示意圖；以及
[0041]圖35B、圖36B與圖37B分別為圖35A、圖36A與圖37A中的觸控模塊沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；
[0042]圖38為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的流程圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0043]以下將以附圖及詳細(xì)敘述清楚說(shuō)明本實(shí)用新型的精神，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在了解本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例后，當(dāng)可由本實(shí)用新型所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本實(shí)用新型的精神與范圍。
[0044]關(guān)于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特別指稱(chēng)次序或順位的意思，亦非用以限定本實(shí)用新型，其僅為了區(qū)別以相同技術(shù)用語(yǔ)描述的元件或操作。
[0045]關(guān)于本文中所使用的方向用語(yǔ)，例如:上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加附圖的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用來(lái)說(shuō)明并非用來(lái)限制本創(chuàng)作。
[0046]關(guān)于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均為開(kāi)放性的用語(yǔ)，SP意指包含但不限于。
[0047]關(guān)于本文中所使用的“及/或”，是包括所述事物的任一或全部組合。
[0048]關(guān)于本文中所使用的用詞(terms)，除有特別注明外，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中、在此揭露的內(nèi)容中與特殊內(nèi)容中的平常意義。某些用以描述本揭露的用詞將于下或在此說(shuō)明書(shū)的別處討論，以提供本領(lǐng)域技術(shù)人員在有關(guān)本揭露的描述上額外的引導(dǎo)。
[0049]本實(shí)用新型的一實(shí)施方式為一種觸控模塊的制造方法。在以下段落中，本實(shí)用新型將用以下第一實(shí)施例至第六實(shí)施例為例說(shuō)明本實(shí)用新型細(xì)節(jié)，然而本實(shí)用新型不以下述實(shí)施例中的細(xì)節(jié)為限，其它的實(shí)施方式亦在本實(shí)用新型范圍之中。[0050]第一實(shí)施例
[0051]圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B與圖6B分別為圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A中的觸控模塊100沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
[0052]首先，特別參照?qǐng)D1A及圖1B，在一第一步驟中，嵌入第一導(dǎo)電材料層120于基板110中相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度Hl。第一導(dǎo)電材料層120包括第一保留部分120a與第一嵌入部分120b。
[0053]在本實(shí)施例中，例如是通過(guò)提供含導(dǎo)電添加物(conducting additive)的嵌入液(embedded ink)于基板110上，以令導(dǎo)電添加物嵌入基板110中，形成第一導(dǎo)電材料層120。在一實(shí)施例中，基板110例如是由聚酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)、環(huán)狀烯烴單體共聚合物(cyclo olefin polymer,COP)等適當(dāng)高分子材料實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，基板110的厚度(即HO)大致介于50微米至550微米。在一實(shí)施例中，含導(dǎo)電添加物的嵌入液例如是通過(guò)將導(dǎo)電添加物溶解于特定溶劑中實(shí)現(xiàn)，其中所述的特定溶劑的溶解參數(shù)(solubility parameter)接近于基板110的材料的溶解參數(shù)，以使溶解于所述的特定溶劑中的導(dǎo)電添加物滲透進(jìn)入基板110之中，以達(dá)成嵌入的效果。在一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電添加物例如是納米碳管、納米金屬線、導(dǎo)電膠、導(dǎo)電高分子、石墨稀、納米金屬等適當(dāng)導(dǎo)電材料。
[0054]即是，通過(guò)提供含導(dǎo)電添加物的嵌入液于以高分子材料形成的基板110的第二表面SF2上，可使基板110中鄰近第二表面SF2的部分膨脹，以使導(dǎo)電添加物滲透到基板110之中，以達(dá)到內(nèi)嵌的效果。
[0055]接著，特別參照?qǐng)D2A及圖2B，在一第二步驟中，進(jìn)一步嵌入第一導(dǎo)電材料層120中的第一嵌入部分120b (參圖1B)于基板110中相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度H2，以形成第二導(dǎo)電材料層130，并使第一導(dǎo)電材料層120中的第一保留部分120a保留于高度Hl0第二導(dǎo)電材料層130包括第二保留部分130a與第二嵌入部分130b。高度H2與高度Hl彼此不同。在一實(shí)施例中，高度H2與高度Hl的高度差大致大于50納米，以使具有高度Hl的第一保留部分120a與具有高度H2的第二導(dǎo)電材料層130彼此絕緣。
[0056]在本實(shí)施例中，例如是通過(guò)對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)電材料層120中的第一嵌入部分120b，提供不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于基板110的第二表面SF2上，以嵌入第一導(dǎo)電材料層120中的第一嵌入部分120b于基板110中相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度H2。此處所謂不含導(dǎo)電添加物的嵌入液例如是由前述的具有特定溶解參數(shù)的特定溶劑所實(shí)現(xiàn)。
[0057]另外，當(dāng)注意到，在本實(shí)用新型中提供含導(dǎo)電添加物或不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于基板110中的操作，是可透過(guò)涂布(spray)或印刷(print)的方式所實(shí)現(xiàn),但不以此為限。
[0058]接著，特別參照?qǐng)D3A及圖3B，在一第三步驟中，進(jìn)一步嵌入第二導(dǎo)電材料層130中的第二嵌入部分130b于基板110中相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度H3，以形成第三導(dǎo)電材料層140，并使第二導(dǎo)電材料層130中的第二保留部分130a保留于第二高度H2。高度H3與高度Hl及高度H2彼此不同。在一實(shí)施例中，高度H3與高度H2的高度差大致大于50納米，以使具有高度H2的第二保留部分130a與具有高度H3的第三導(dǎo)電材料層140彼此絕緣。[0059]在本實(shí)施例中，進(jìn)一步嵌入第二導(dǎo)電材料層130中的第二嵌入部分130b于基板110中相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度H3的具體做法可參照前述第二步驟中的說(shuō)明，在此不贅述。
[0060]在本實(shí)用新型一些實(shí)施例中，第一保留部分120a包括觸控模塊100中的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的組合、以及導(dǎo)電殘料RM中的一者。第二保留部分130a包括觸控模塊100中的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的組合、以及導(dǎo)電殘料RM中的另一者。第三導(dǎo)電材料層140包括觸控模塊100中的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的組合、以及導(dǎo)電殘料RM中的最后一者。舉例而言，在本實(shí)施例中，第一保留部分120a包括觸控模塊100中的第一觸控電極El，第二保留部分130a包括觸控模塊100中的第二觸控電極E2與電極通道EC的組合，且第三導(dǎo)電材料層140包括觸控模塊100中的導(dǎo)電殘料RM。
[0061]此處所謂導(dǎo)電殘料RM，是指在制程中，并未用以制作第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電殘料RM在基板110的第一表面SFl所產(chǎn)生的正投影是位于第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC在基板110的第一表面SFl所產(chǎn)生的正投影之間。在本實(shí)施例中，由于導(dǎo)電殘料RM相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度(如高度H3)與第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度(如高度H1、H2)不同，故導(dǎo)電殘料RM絕緣于第一觸控電極El、第二觸控電極E2以及電極通道EC。而通過(guò)令導(dǎo)電殘料RM絕緣于第一觸控電極El、第二觸控電極E2以及電極通道EC，即可使第一觸控電極El與第二觸控電極E2彼此絕緣。
[0062]接著，特別參照?qǐng)D4A及圖4B，在一第四步驟中，提供一遮罩MSK于基板110的第一表面SFl或第二表面SF2上(在本實(shí)施例中以第二表面SF2為例)，并暴露基板110的至少二預(yù)開(kāi)孔部分HLE。
[0063]接著，特別參照?qǐng)D5A及圖5B，在一第五步驟中，移除(例如是透過(guò)蝕刻方式)基板110的預(yù)開(kāi)孔部分HLE，以形成至少二接觸孔CTH。這些接觸孔CTH分別位于第一觸控電極El上，用以暴露出部分嵌入于基板110中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板110的預(yù)開(kāi)孔部分HLE的步驟中，亦可一并移除(例如是透過(guò)蝕刻方式)基板110上的遮罩MSK。
[0064]接著，特別參照?qǐng)D6A及圖6B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設(shè)置，用以令相鄰的第一觸控電極EI彼此電性連接。在一實(shí)施例中，架橋BG是透過(guò)接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極El。
[0065]透過(guò)上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過(guò)蝕刻方式，即可避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。
[0066]換言之，通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，使得第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導(dǎo)電殘料RM在基板110的第一表面SFl上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。如此一來(lái)，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。
[0067]當(dāng)注意到，在本實(shí)用新型中的用語(yǔ)“大致”，是用以修飾可些微變化的數(shù)量以及因制造過(guò)程所造成的些微誤差，但這種些微變化及些微誤差并不會(huì)改變其本質(zhì)。舉例而言，通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，可能因擠壓而造成誤差，使得第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導(dǎo)電殘料RM在基板110的第一表面SFl上的正投影之間存在些微間隙或些微重疊。然而，這些因制造過(guò)程所造成的些微誤差，亦在本實(shí)用新型范圍之中。
[0068]在本實(shí)施例，第二觸控電極E2例如是沿圖6A中y軸方向設(shè)置。相鄰的兩個(gè)第二觸控電極E2之間是透過(guò)電極通道EC彼此連接，故第二觸控電極E2與電極通道EC具有相對(duì)于基板110的第一表面SFl的相同高度。
[0069]此外，第一觸控電極El例如是沿圖6A中X軸方向(垂直于y軸方向)設(shè)置。相鄰的兩個(gè)第一觸控電極El之間是透過(guò)架橋BG彼此連接。由于第一觸控電極El與第二觸控電極E2皆不同于導(dǎo)電殘料RM相對(duì)于基板110的第一表面SFl的高度,故第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導(dǎo)電殘料RM之間彼此絕緣。
[0070]再者，于本實(shí)施例中，第一觸控電極El與第二觸控電極E2皆為菱形。
[0071]再一方面,于本實(shí)施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導(dǎo)電殘料RM皆完全嵌入基板110之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導(dǎo)電殘料RM皆未暴露于基板110的第一表面SFl或第二表面SF2。如此一來(lái)，則觸控模塊100不需額外的保護(hù)層(passive layer)以保護(hù)或阻隔暴露于基板110上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC及/或?qū)щ姎埩蟁M，而可減少觸控模塊100的制造時(shí)間與成本。并且，由于第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導(dǎo)電殘料RM皆完全嵌入基板110之中，使得觸控模塊100更具整體性，更便于后續(xù)加工或與其他設(shè)備組裝，如顯示模塊。
[0072]在一實(shí)施例中，為避免第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導(dǎo)電殘料RM中任一者暴露于基板110的第二表面SF2，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導(dǎo)電殘料RM中最接近基板110的第二表面SF2者(例如第一觸控電極El)相對(duì)于基板110的第二表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介于10納米至500納米之間。
[0073]參照?qǐng)D7A以及圖7B，在本實(shí)用新型的一變化的實(shí)施例中，前述對(duì)應(yīng)于圖1A、圖1B的第一步驟，另可由以下步驟達(dá)成。首先，提供基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層150于基板110的第二表面SF2上,而后提供不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于基板110的第二表面SF2上，以令基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層150嵌入于基板110中，形成第一導(dǎo)電材料層120。
[0074]基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層150例如可以是以與上述導(dǎo)電添加物相同的材料形成。另外，不含導(dǎo)電添加物的嵌入液的具體細(xì)節(jié)可參照前述段落，在此不贅述。
[0075]另一方面，參照?qǐng)D8A以及圖8B，在本實(shí)用新型的一變化的實(shí)施例中，基板110可包括一活化層IlOa以及一底層110b?；罨瘜覫lOa設(shè)置于底層IlOb之上，且前述的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導(dǎo)電殘料RM皆嵌入于基板110的活化層IlOa中。
[0076]在一實(shí)施例中，底層IlOb可以是剛性或軟性材質(zhì)，例如可用玻璃、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)及 / 或聚碳酸酯(polycarbonate, PC)所制作。在一實(shí)施例中，底層IlOb的厚度大致介于50微米至500微米之間?；罨瘜覫IOa例如可用聚酸甲酯、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)及/或聚苯乙烯(polystyrene)等適當(dāng)高分子材料實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，活化層IlOa的厚度大致介于0.1微米至50微米之間。[0077]第二實(shí)施例
[0078]以下將透過(guò)第二實(shí)施例，提供一種觸控模塊200的制造方法。觸控模塊200的制造方法與前述觸控模塊100的制造方法大致相同，差異之處僅在于第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的組合、以及導(dǎo)電殘料RM的形成順序。故在以下說(shuō)明中，重復(fù)的部分將不贅述。
[0079]圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊200的制造方法的示意圖。圖9B、圖10B、圖11B、圖12B、圖13B與圖14B分別為圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A中的觸控模塊200沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
[0080]首先，特別參照?qǐng)D9A及圖9B，在一第一步驟中，嵌入第一導(dǎo)電材料層220于基板210中相對(duì)于基板210的第一表面SFl的高度Hl。第一導(dǎo)電材料層220包括第一保留部分220a與第一嵌入部分220b。
[0081]接著，特別參照?qǐng)D1OA及圖10B，在一第二步驟中，進(jìn)一步嵌入第一導(dǎo)電材料層220中的第一嵌入部分220b于基板210中相對(duì)于基板210的第一表面SFl的高度H2，以形成第二導(dǎo)電材料層230,并使第一導(dǎo)電材料層220中的第一保留部分220a保留于高度Hl。第二導(dǎo)電材料層230包括第二保留部分230a與第二嵌入部分230b。
[0082]接著，特別參照?qǐng)D1lA及圖11B，在一第三步驟中，進(jìn)一步嵌入第二導(dǎo)電材料層230中的第二嵌入部分230b于基板210中相對(duì)于基板210的第一表面SFl的高度H3，以形成第三導(dǎo)電材料層240，并使第二導(dǎo)電材料層230中的第二保留部分230a保留于第二高度H2。在本實(shí)施例中，第一保留部分220a包括觸控模塊200中的導(dǎo)電殘料RM，第二保留部分230a包括觸控模塊200中的第二觸控電極E2與電極通道EC，且第三導(dǎo)電材料層240包括觸控模塊200中的第一觸控電極El。
[0083]接著，特別參照?qǐng)D12A及圖12B，在一第四步驟中，提供一遮罩MSK于基板210的第一表面SFl或第二表面SF2上(在本實(shí)施例中以第二表面SF2為例)，并暴露基板210的至少二預(yù)開(kāi)孔部分HLE。
[0084]接著，特別參照?qǐng)D13A及圖13B，在一第五步驟中，移除基板210的預(yù)開(kāi)孔部分HLE,以形成至少二接觸孔CTH。這些接觸孔CTH分別位于第一觸控電極El上，用以暴露出部分嵌入于基板210中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板210的預(yù)開(kāi)孔部分HLE的步驟中，亦可一并移除基板210上的遮罩MSK。
[0085]在本實(shí)施例中，相較于第一實(shí)施例中的觸控模塊100，由于第一觸控電極El在基板210中的嵌入深度較深，故本實(shí)施例中的接觸孔CTH較第一實(shí)施例中的接觸孔CTH深。
[0086]接著，特別參照?qǐng)D14A及圖14B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設(shè)置，用以令相鄰的第一觸控電極EI彼此電性連接。在一實(shí)施例中，架橋BG是透過(guò)接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極El。
[0087]透過(guò)上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊200。通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊200中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過(guò)蝕刻方式，即可避免影響觸控模塊200外觀的光學(xué)一致性。
[0088]當(dāng)注意到，在此一實(shí)施例的第一步驟中，亦可采用如圖7A及圖7B中所示的方式嵌入第一導(dǎo)電材料層220于基板210中。另外,在此一實(shí)施例,基板210亦可為如圖8A及圖SB中所示，包括底層及活化層。
[0089]另一方面，當(dāng)注意到，形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的組合、以及導(dǎo)電殘料RM的順序可依實(shí)際需求進(jìn)行變換，而不以上述實(shí)施例中所述為限。
[0090]第三實(shí)施例
[0091]以下將透過(guò)第三實(shí)施例，提供一種觸控模塊300的制造方法。觸控模塊300的制造方法與前述觸控模塊100的制造方法大致相似，故在以下說(shuō)明中，重復(fù)的部分將不贅述。
[0092]圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊300的制造方法的示意圖。圖15B、圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖20B與圖21B分別為圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A中的觸控模塊300沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
[0093]首先，特別參照?qǐng)D15A及圖15B，在第一步驟中，提供基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350于基板310的第二表面SF2上。基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350包括基礎(chǔ)保留部分350a與基礎(chǔ)嵌入部分350b。
[0094]在一實(shí)施例中，基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350例如可以是以與前述導(dǎo)電添加物相同的材料形成，在此不贅述。
[0095]接著，特別參照?qǐng)D16A及圖16B，于第二步驟中，嵌入基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350中的基礎(chǔ)嵌入部分350b于基板310中相對(duì)于基板310的第一表面SFl的高度Hl,以形成第一導(dǎo)電材料層320，并令位于基板310的第二表面SF2上的基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350中的基礎(chǔ)保留部分350a形成導(dǎo)電殘料RM。第一導(dǎo)電材料層320包括第一保留部分320a以及第一嵌入部分320b。在一實(shí)施例中，高度Hl與基板310的高度HO之間的高度差例如是大致大于50納米，以使位于基板310的第二表面SF2上的基礎(chǔ)保留部分350a與具有高度Hl的第一導(dǎo)電材料層320彼此絕緣。
[0096]在本實(shí)施例中，例如是通過(guò)對(duì)應(yīng)于基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350中的基礎(chǔ)嵌入部分350b，提供不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于基板310的第二表面SF2上，以嵌入基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層350中的基礎(chǔ)嵌入部分350b于基板310中相對(duì)于基板310的第一表面SFl的高度Hl。
[0097]當(dāng)注意到，上述導(dǎo)電殘料RM以及不含導(dǎo)電添加物的嵌入液的相關(guān)細(xì)節(jié)可參照前述實(shí)施例，在此不贅述。
[0098]接著，特別參照?qǐng)D17A及圖17B，于第三步驟中，進(jìn)一步嵌入第一導(dǎo)電材料層320中的第一嵌入部分320b于基板310中相對(duì)于基板310的第一表面SFl的高度H2,以形成第二導(dǎo)電材料層330，并使第一導(dǎo)電材料層320中的第一保留部分320a保留于高度Hl。高度H2與高度Hl彼此不同。在一實(shí)施例中，高度H2與高度Hl的高度差大致大于50納米，以使具有高度Hl的第一保留部分320a與具有高度H2的第二導(dǎo)電材料層330彼此絕緣。
[0099]在本實(shí)施例中，例如是通過(guò)對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)電材料層320中的第一嵌入部分320b，提供不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于基板310的第二表面SF2上，以嵌入第一導(dǎo)電材料層320中的第一嵌入部分320b于基板310中相對(duì)于基板310的第一表面SFl的高度H2。
[0100]在本實(shí)用新型一些實(shí)施例中，第一保留部分320a包括第一觸控電極El，且第二導(dǎo)電材料層330第二觸控電極E2以及電極通道EC，或第一保留部分320a包括第二觸控電極E2以及電極通道EC，且第二導(dǎo)電材料層330包括第一觸控電極E1。在本實(shí)施例中，第一保留部分320a是包括第二觸控電極E2以及電極通道EC，且第二導(dǎo)電材料層330是包括第一觸控電極El。[0101]接著，特別參照?qǐng)D18A及圖18B，在一第四步驟中，提供一遮罩MSK于基板310的第一表面SFl或第二表面SF2上(在本實(shí)施例中以第二表面SF2為例)，并暴露基板310的至少二預(yù)開(kāi)孔部分HLE。
[0102]接著，特別參照?qǐng)D19A及圖19B，在一第五步驟中，移除基板310的預(yù)開(kāi)孔部分HLE,以形成至少二接觸孔CTH。這些接觸孔CTH分別位于第一觸控電極El上，用以暴露出部分嵌入于基板310中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板310的預(yù)開(kāi)孔部分HLE的步驟中，亦可一并移除基板310上的遮罩MSK。
[0103]接著，特別參照?qǐng)D20A及圖20B，在一第六步驟中，提供絕緣層INS覆蓋于導(dǎo)電殘料RM上。絕緣層INS是用以阻隔架橋BG與導(dǎo)電殘料RM。
[0104]接著，特別參照?qǐng)D2IA及圖21B，在一第七步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設(shè)置，用以令相鄰的第一觸控電極EI彼此電性連接。在一實(shí)施例中，架橋BG是透過(guò)接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極El。
[0105]透過(guò)上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊300。通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊300中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過(guò)蝕刻方式，即可避免影響觸控模塊300外觀的光學(xué)一致性。
[0106]類(lèi)似地，在本實(shí)施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導(dǎo)電殘料RM在基板310的第一表面SFl上的正投影之間大致不具間隙且不重疊，以避免影響觸控模塊300外觀的光學(xué)一致性。
[0107]此外，在本實(shí)施例中，第一觸控電極El、第二觸控電極E2與導(dǎo)電殘料RM相對(duì)于基板310的第一表面SFl的高度皆不相同，故第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導(dǎo)電殘料RM之間彼此絕緣。
[0108]另一方面，在本實(shí)施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆完全嵌入基板310之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆未暴露于基板310的第一表面SFl或第二表面SF2。如此一來(lái)，則觸控模塊300不需額外的保護(hù)層以保護(hù)或阻隔暴露于基板310上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2及/或電極通道EC，而可減少觸控模塊300的制造時(shí)間與成本。
[0109]再者，當(dāng)注意到，在本實(shí)施例中，基板310亦可為如圖8A及圖SB中所示，包括底層及活化層，但不以此為限。
[0110]另一方面，當(dāng)注意到，形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的組合的順序可依實(shí)際需求進(jìn)行變換，而不以上述實(shí)施例中所述為限。
[0111]參照?qǐng)D22A與圖23A以及圖22B與圖23B，在本實(shí)用新型的一變化的實(shí)施例中，可通過(guò)提供絕緣層INS’以阻隔多個(gè)架橋BG與導(dǎo)電殘料RM，以簡(jiǎn)化觸控模塊300’制程。
[0112]特別參照?qǐng)D22A及圖22B，在前述的第六步驟中，可提供沿y軸方向延伸的絕緣層INS’覆蓋于同一行的導(dǎo)電殘料RM上。
[0113]接著，特別參照?qǐng)D23A及圖23B，在前述的第七步驟中，提供至少二架橋BG橫跨絕緣層INS’，其中至少二架橋BG是跨越不同的電極通道EC設(shè)置。每一架橋BG是透過(guò)接觸孔CTH電性連接相鄰的兩個(gè)第一觸控電極E1，以令相鄰的兩個(gè)第一觸控電極El彼此電性連接。
[0114]在此變化的一實(shí)施例中，由于絕緣層INS’可用以阻隔導(dǎo)電殘料RM與至少二個(gè)架橋BG，而非僅用以阻隔導(dǎo)電殘料RM與單個(gè)架橋BG，故透過(guò)上述變化的制造方法，可簡(jiǎn)化觸控模塊300’制程。
[0115]參照?qǐng)D24A、圖25A與圖26A以及圖24B、圖25B與圖26B，在本實(shí)用新型的另一變化的實(shí)施例中，可通過(guò)提供絕緣層INS’’取代前述第四步驟中的遮罩MSK，以簡(jiǎn)化觸控模塊300’’制程。
[0116]特別參照?qǐng)D24A及圖24B，在前述的第四步驟中，可提供一相對(duì)較厚的絕緣層INS’ ’(例如是較絕緣層INS厚)于基板310上，覆蓋基板310，并暴露基板310的至少二預(yù)開(kāi)孔部分HLE。
[0117]接著，特別參照?qǐng)D25A及圖25B，在一第五步驟中，蝕刻部分的絕緣層INS’’并移除基板310的預(yù)開(kāi)孔部分HLE，以形成至少二接觸孔CTH。這些接觸孔CTH分別位于第一觸控電極El上，用以暴露出部分嵌入于基板310中的第一觸控電極E1。當(dāng)注意到，在此步驟中，基板310上的絕緣層INS’’因蝕刻而變薄，然仍覆蓋于導(dǎo)電殘料RM上，以阻隔導(dǎo)電殘料RM與架橋BG。
[0118]接著，特別參照?qǐng)D26A及圖26B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設(shè)置，用以令相鄰的第一觸控電極El彼此電性連接。
[0119]在此變化的一實(shí)施例中，由于不需使用遮罩MSK進(jìn)行蝕刻，故更可減少觸控模塊300’’的制造時(shí)間與成本。
[0120]第四實(shí)施例
[0121]以下將透過(guò)第四實(shí)施例，提供一種觸控模塊400的制造方法。觸控模塊400的制造方法與前述觸控模塊400的制造方法大致相似，故在以下說(shuō)明中，重復(fù)的部分將不贅述。
[0122]圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊400的制造方法的示意圖。圖27B、圖28B、圖29B、圖30B、圖31B與圖32B分別為圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A中的觸控模塊400沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
[0123]首先，特別參照?qǐng)D27A及圖27B，在第一步驟中，提供基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層450于基板410的第二表面SF2上?；A(chǔ)導(dǎo)電材料層450包括基礎(chǔ)保留部分450a與基礎(chǔ)嵌入部分450b。
[0124]接著，特別參照?qǐng)D28A及圖28B，于第二步驟中，嵌入基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層450中的基礎(chǔ)嵌入部分450b于基板410中相對(duì)于基板410的第一表面SFl的高度Hl，以分別形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，并令位于基板410的第二表面SF2上的基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層450中的基礎(chǔ)保留部分450a形成導(dǎo)電殘料RM。在一實(shí)施例中，高度Hl與基板410的高度HO之間的高度差例如是大致大于50納米，以使位于基板410的第二表面SF2上的基礎(chǔ)保留部分450a與具有高度Hl的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC彼此絕緣。
[0125]在一實(shí)施例中，例如是通過(guò)對(duì)應(yīng)于基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層450中的基礎(chǔ)嵌入部分450b，提供不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于基板410的第二表面SF2上，以嵌入基礎(chǔ)導(dǎo)電材料層450中的基礎(chǔ)嵌入部分450b于基板410中相對(duì)于基板410的第一表面SFl的高度Hl。
[0126]接著，特別參照?qǐng)D29A及圖29B，于第三步驟中，提供一遮罩MSK于基板410的第一表面SFl或第二表面SF2上(在本實(shí)施例中以第二表面SF2為例)，并暴露基板410的至少二預(yù)開(kāi)孔部分HLE。[0127]接著，特別參照?qǐng)D30A及圖30B，在一第四步驟中，移除基板410的預(yù)開(kāi)孔部分HLE,以形成至少二接觸孔CTH。這些接觸孔CTH分別位于第一觸控電極El上，用以暴露出部分嵌入于基板410中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板410的預(yù)開(kāi)孔部分HLE的步驟中，亦可一并移除基板410上的遮罩MSK。
[0128]接著，特別參照?qǐng)D31A及圖31B，在一第五步驟中，提供絕緣層INS覆蓋于導(dǎo)電殘料RM上。絕緣層INS是用以阻隔架橋BG與導(dǎo)電殘料RM。
[0129]接著，特別參照?qǐng)D32A及圖32B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設(shè)置，用以令相鄰的第一觸控電極EI彼此電性連接。在一實(shí)施例中，架橋BG是透過(guò)接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極El。
[0130]透過(guò)上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊400。通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊400中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過(guò)蝕刻方式，即可避免影響觸控模塊400外觀的光學(xué)一致性。
[0131]類(lèi)似地，在本實(shí)施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導(dǎo)電殘料RM在基板410的第一表面SFl上的正投影之間大致不具間隙且不重疊，以避免影響觸控模塊400外觀的光學(xué)一致性。
[0132]此外，在本實(shí)施例中，第一觸控電極El與第二觸控電極E2相對(duì)于基板410的第一表面SFl的高度(例如是高度Hl)彼此相同，但不同于導(dǎo)電殘料RM相對(duì)于基板410的第一表面SFl的高度，且第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導(dǎo)電殘料RM之間彼此絕緣。
[0133]通過(guò)減少進(jìn)一步嵌入第一觸控電極El或第二觸控電極E2于基板410中的步驟，觸控模塊400的制程可較觸控模塊300的制程簡(jiǎn)化。
[0134]另一方面，在本實(shí)施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆完全嵌入基板410之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆未暴露于基板410的第一表面SFl或第二表面SF2。如此一來(lái)，則觸控模塊400不需額外的保護(hù)層以保護(hù)或阻隔暴露于基板410上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2及/或電極通道EC，而可減少觸控模塊400的制造時(shí)間與成本。
[0135]再者，當(dāng)注意到，在本實(shí)施例中，基板410亦可為如圖8A及圖8B中所示，包括底層及活化層，但不以此為限。
[0136]參照?qǐng)D33A與圖34A以及圖33B與圖34B，在本實(shí)用新型的一變化的實(shí)施例中，可通過(guò)提供絕緣層INS’以阻隔多個(gè)架橋BG與導(dǎo)電殘料RM，以簡(jiǎn)化觸控模塊400’制程。
[0137]特別參照?qǐng)D33A及圖33B，在前述的第五步驟中，可提供沿y軸方向延伸的絕緣層INS’覆蓋于同一行的導(dǎo)電殘料RM上。
[0138]接著，特別參照?qǐng)D34A及圖34B，在前述的第六步驟中，提供至少二架橋BG橫跨絕緣層INS’，其中至少二架橋BG是跨越不同的電極通道EC設(shè)置。每一架橋BG是透過(guò)接觸孔CTH電性連接相鄰的兩個(gè)第一觸控電極E1，以令相鄰的兩個(gè)第一觸控電極El彼此電性連接。
[0139]在此變化的一實(shí)施例中，由于絕緣層INS’可用以阻隔導(dǎo)電殘料RM與至少二個(gè)架橋BG，而非僅用以阻隔導(dǎo)電殘料RM與單個(gè)架橋BG，故透過(guò)上述變化的制造方法，可簡(jiǎn)化觸控模塊400’制程。
[0140]參照?qǐng)D35A、圖36A與圖37A以及圖35B、圖36B與圖37B，在本實(shí)用新型的另一變化的實(shí)施例中，可通過(guò)提供絕緣層INS’’取代前述第三步驟中的遮罩MSK，以簡(jiǎn)化觸控模塊400’’制程。
[0141]特別參照?qǐng)D35A及圖35B，在前述的第三步驟中，可提供一相對(duì)較厚的絕緣層INS’ ’(例如是較絕緣層INS厚)于基板410上，覆蓋基板410，并暴露基板410的至少二預(yù)開(kāi)孔部分HLE。當(dāng)注意到，在此步驟中，基板410上的絕緣層INS’’因蝕刻而變薄，然仍覆蓋于導(dǎo)電殘料RM上，以阻隔導(dǎo)電殘料RM與架橋BG。
[0142]接著，特別參照?qǐng)D36A及圖36B，在一第四步驟中，蝕刻部分的絕緣層INS’’并移除基板410的預(yù)開(kāi)孔部分HLE，以形成至少二接觸孔CTH。這些接觸孔CTH分別位于第一觸控電極El上，用以暴露出部分嵌入于基板410中的第一觸控電極E1。
[0143]接著，特別參照?qǐng)D37A及圖37B，在一第五步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設(shè)置，用以令相鄰的第一觸控電極El彼此電性連接。
[0144]在此變化的一實(shí)施例中，由于不需使用遮罩MSK進(jìn)行蝕刻，故更可減少觸控模塊400’’的制造時(shí)間與成本。
[0145]圖38為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法500的流程圖。制造方法500可用以制作上述第一實(shí)施例至第六實(shí)施例中的觸控模塊100、200、300、400、400’、400’’，然不以此為限。在以下段落，將用第一實(shí)施例中的觸控模塊100為例進(jìn)行制造方法500的說(shuō)明，然本實(shí)用新型不以此為限。制造方法500包括以下步驟。
[0146]在步驟SI中，提供基板110。
[0147]在步驟S2中，嵌入至少兩個(gè)第一觸控電極E1、至少兩個(gè)第二觸控電極E2、以及至少一個(gè)電極通道EC于基板110中。電極通道EC用以令第二觸控電極E2彼此電性連接。
[0148]在步驟S3中，提供至少一個(gè)架橋BG。架橋BG用以令第一觸控電極El彼此電性連接。其中，第一觸控電極El與第二觸控電極E2彼此電性絕緣。
[0149]透過(guò)上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。通過(guò)嵌入的方式圖案化觸控模塊100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過(guò)蝕刻方式，即可避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。
[0150]綜上所述，本實(shí)用新型的一實(shí)施例揭露一種觸控模塊。觸控模塊包括一基板、至少二個(gè)第一觸控電極、至少二個(gè)第二觸控電極、至少一電極通道以及至少一架橋。第一觸控電極、第二觸控電極以及電極通道皆嵌入于基板中。電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接。架橋跨越電極通道，用以令第一觸控電極彼此電性連接。第一觸控電極與第二觸控電極彼此電性絕緣。
[0151]本實(shí)用新型的另一實(shí)施例揭露一種觸控模塊的制造方法。制造方法包括:提供基板；嵌入至少二個(gè)第一觸控電極、至少二個(gè)第二觸控電極、以及至少一電極通道于基板中，其中電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接；以及，提供至少一架橋，以令第一觸控電極彼此電性連接；其中第一觸控電極與第二觸控電極彼此電性絕緣。
[0152]透過(guò)應(yīng)用上述的實(shí)施例，即可避免透過(guò)蝕刻方式圖案化觸控電極，并避免造成觸控模塊的光折射率不均勻，而影響觸控模塊外觀的光學(xué)一致性。
[0153]雖然本實(shí)用新型已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉此技藝者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控模塊，其特征在于，包括: 一基板； 至少二第一觸控電極，嵌入于該基板中； 至少二第二觸控電極，嵌入于該基板中； 至少一電極通道，嵌入于該基板中，用以令所述第二觸控電極彼此電性連接；以及 至少一架橋，跨越該至少一電極通道，用以令所述第一觸控電極彼此電性連接； 其中所述第一觸控電極與所述第二觸控電極彼此電性絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，該基板還包括一底層以及一活化層，該活化層設(shè)置于該底層上，且所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及該電極通道是嵌入于該活化層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極相對(duì)于該基板的一第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度彼此不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度的高度差大于50納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極相對(duì)于該基板的一第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度彼此相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，還包括: 一導(dǎo)電殘料，其中該導(dǎo)電殘料在該基板的一第一表面所產(chǎn)生的正投影是位于所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及所述電極通道在該第一表面所產(chǎn)生的正投影之間； 其中該導(dǎo)電殘料相對(duì)于該第一表面的高度與所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及該電極通道相對(duì)于該第一表面的高度不同，以令該導(dǎo)電殘料絕緣于所述第一觸控電極、所述第二觸控電極以及該電極通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道以及該導(dǎo)電殘料在該基板的該第一表面上的正投影之間不重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸控模塊，其特征在于，還包括: 一絕緣層，設(shè)置于該導(dǎo)電殘料與該架橋之間，用以阻隔該導(dǎo)電殘料與該架橋。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸控模塊,其特征在于,該導(dǎo)電殘料相對(duì)于該第一表面的高度與所述第一觸控電極相對(duì)于該第一表面的高度的高度差大于50納米,或該導(dǎo)電殘料相對(duì)于該第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該第一表面的高度的高度差大于50納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，該電極通道相對(duì)于該基板的一第一表面的高度與所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的該第一表面的高度相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，該基板包括: 至少二接觸孔分別位于所述第一觸控電極上，該架橋透過(guò)所述接觸孔電性連接所述第一觸控電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極或所述第二觸控電極相對(duì)于該基板的一第二表面的嵌入深度介于10納米至500納米之間，其中該第二表面相對(duì)于該第一表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極是沿一第一方向設(shè)置，所述第二觸控電極是沿一第二方向設(shè)置，且該第一方向不同于該第二方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模塊，其特征在于，所述第一觸控電極與所述第二觸控電極皆為菱 形。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK203759665SQ201420098331
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月5日
【發(fā)明者】劉振宇, 李祿興, 張振杰, 顧懷三 申請(qǐng)人:宸鴻光電科技股份有限公司