一種on-cell觸摸液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種on-cell觸摸液晶顯示器,包括:下玻璃基板、下偏光片、下配向膜、上配向膜、液晶層、上偏光片、觸摸電極片、上玻璃基板以及數(shù)條屏蔽電極線;所述上配向膜與下配向膜上均設(shè)有數(shù)個配向突起,所述數(shù)條屏蔽電極線均電性連接至地線,所述上配向膜與下配向膜至少一個設(shè)置有所述屏蔽電極線,所述屏蔽電極線穿過每個顯示單元在上配向膜或者下配向膜上的投影區(qū)域。本發(fā)明on-cell觸摸液晶顯示器通過設(shè)置與地線電性連接的屏蔽電極線來減少了觸摸電極片對TFT的串?dāng)_,同時(shí)還能保證顯示屏的厚度不增加,提高on-cell觸摸液晶顯示器的品質(zhì)。
【專利說明】—種on-cel I觸摸液晶顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸摸液晶顯示器,尤其涉及一種on-cell觸摸液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]電子產(chǎn)品的發(fā)展,目前出現(xiàn)了觸摸與顯示相結(jié)合的On-cell觸摸液晶顯示器技術(shù),該顯示技術(shù)如圖1所示,主要是將觸摸電極片11由之前獨(dú)立于液晶顯示器改為設(shè)置在上偏光板12與玻璃基板13之間,并在玻璃基板13上通過真空濺射形成觸控電極。該種基本結(jié)構(gòu)能夠在保證顯示器硬度的基礎(chǔ)上使該顯示屏變得更薄。然而該on-cell由于觸摸電極片與TFT之間相互串?dāng)_,會出現(xiàn)TFT異常開關(guān)。另夕卜,圖1中,標(biāo)號14為液晶層,標(biāo)號15為下玻璃基板,標(biāo)號16為下偏振片,標(biāo)號17為背光模組。
[0003]圖2是針對串?dāng)_問題的另一種解決方案。主要的是在可視面一側(cè)的偏光片21上設(shè)置一層屏蔽電極層211,另一側(cè)設(shè)置觸摸電極層212,但是該屏蔽電極層211的設(shè)置由于離TFT的門電極比較遠(yuǎn),其抗串?dāng)_能力比較差。另外,僅僅通過簡單的連接接地端的屏蔽電極其抗串?dāng)_效果相對還是比較差的,特別是在TFT處于臨界導(dǎo)通或者截止?fàn)顟B(tài)時(shí),這種抗串?dāng)_的較差效果表現(xiàn)的更加突出。圖2中,標(biāo)號22為玻璃基板,標(biāo)號23為下偏光片,標(biāo)號24為液晶層。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種on-cell觸摸液晶顯不器,該一種on-cell觸摸液晶顯示器通過數(shù)條屏蔽電極線減少串?dāng)_。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明提供一種on-cell觸摸液晶顯示器,包括:下玻璃基板、設(shè)于所述下玻璃基板上的下偏光片、設(shè)于所述下偏光片上的下配向膜、設(shè)于所述下配向膜上的上配向膜、設(shè)于所述上配向膜與下配向膜之間液晶層、設(shè)于所述上配向膜上的上偏光片、設(shè)于所述上偏光片上的觸摸電極片、設(shè)于所述觸摸電極片上的上玻璃基板以及數(shù)條屏蔽電極線;所述上配向膜與下配向膜上均設(shè)有數(shù)個配向突起,所述數(shù)條屏蔽電極線均電性連接至地線,所述上配向膜與下配向膜至少一個設(shè)置有所述屏蔽電極線,所述屏蔽電極線穿過每個顯示單元在上配向膜或者下配向膜上的投影區(qū)域。
[0006]所述屏蔽電極線設(shè)于上配向膜或下配向膜的配向突起附近。
[0007]所述屏蔽電極線設(shè)于上配向膜或下配向膜中。
[0008]所述屏蔽電極線同時(shí)設(shè)于上配向膜及下配向膜中。
[0009]所述屏蔽電極線設(shè)于上配向膜與上偏光片的接觸面上。
[0010]所述屏蔽電極線設(shè)于下配向膜與下偏光片的接觸面上。
[0011]所述屏蔽電極線同時(shí)設(shè)于上配向膜與上偏光片的接觸面及下配向膜與下偏光片的接觸面上。
[0012]所述屏蔽電極線采用氣相沉淀、真空濺射或者激光刻蝕形成。
[0013]每一所述屏蔽電極線通過一吸收電容與地線連接。
[0014]采用上述方案,本發(fā)明的一種on-cell觸摸液晶顯示器中設(shè)置的屏蔽電極線通過與接地線的連接減少了觸摸電極片對TFT的串?dāng)_,同時(shí)還能保證顯示屏的厚度不增加,提聞on-cell觸摸液晶顯不器的品質(zhì)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]下面結(jié)合附圖,通過對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述,將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0016]附圖中,
圖1為一種常見on-cell觸摸液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為另一種on-cell觸摸液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3為本發(fā)明一種on-cell觸摸液晶顯不器實(shí)施方式一中一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0019]圖4為本發(fā)明一種on-cell觸摸液晶顯不器實(shí)施方式二中一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0020]圖5為本發(fā)明一種on-cell觸摸液晶顯不器實(shí)施方式三中一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0021]圖6為本發(fā)明一種on-cell觸摸液晶顯示器實(shí)施方式一至三中屏蔽電極線布線示意圖。
[0022]圖7為本發(fā)明一種on-cell觸摸液晶顯示器實(shí)施方式四中屏蔽電極線布線示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果,以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0024]實(shí)施方式一:
參閱圖3,本發(fā)明提供一種on-cell觸摸液晶顯示器,包括:下玻璃基板37、設(shè)于所述下玻璃基板37上的下偏光片38、設(shè)于所述下偏光片38上的下配向膜33、設(shè)于所述下配向膜32上的上配向膜32、設(shè)于所述上配向膜32與下配向膜33之間液晶層34、設(shè)于所述上配向膜32上的上偏光片36、設(shè)于所述上偏光片36上的觸摸電極片4、設(shè)于所述觸摸電極片4上的上玻璃基板35以及數(shù)條屏蔽電極線5。所述上配向膜32與下配向膜33上均設(shè)有數(shù)個配向突起31,所述數(shù)條屏蔽電極線5均電性連接至地線。
[0025]同時(shí)參閱圖6,所述屏蔽電極線5設(shè)于所述上配向膜32中,所述屏蔽電極線5穿過每個顯示單元在上配向膜32或者下配向膜33上的投影區(qū)域。然不限于此,所述屏蔽電極線設(shè)于所述下配向膜中(未圖示)。
[0026]通過該屏蔽電極線5可以使該顯示單元X在受到觸摸電極片4電容改變帶來的電場變化時(shí),將減弱變化的強(qiáng)度及速度,從而降低該觸摸電極片4對TFT的影響。
[0027]實(shí)施方式二:
參閱圖4,與實(shí)施方式一相比,本實(shí)施方式在上配向膜32和下配向膜33中同時(shí)設(shè)置了屏蔽電極線5,這樣的設(shè)置方式可以進(jìn)一步的降低觸摸電極片4對TFT的串?dāng)_。
[0028]但是這樣的設(shè)置,也同時(shí)降低了驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)電場。針對這一問題可以適當(dāng)?shù)脑龃篁?qū)動電壓,該驅(qū)動電壓的增加本身也可以克服觸摸電極片4的串?dāng)_。
[0029]實(shí)施方式三:
參閱圖5,在本實(shí)施方式中,所述屏蔽電極線5設(shè)于上配向膜32與上偏光片36的接觸面上,且所述屏蔽電極線5—般通過氣相沉淀、真空濺射或者激光刻蝕形成。在上配向膜32表面設(shè)置屏蔽電極線5在制作工藝上相對比較簡單,實(shí)現(xiàn)方便,成本也相對較低。然不限于此,所述屏蔽電極線還可以單獨(dú)或同時(shí)設(shè)于下配向膜與下偏光片的接觸面上(未圖示)。
[0030]實(shí)施方式四:
參閱圖7,本實(shí)施方式與上述實(shí)施方式的不同之處僅僅在于,所述屏蔽電極線5通過一個吸收電容6與接地端GND連接。該吸收電容6可以降低觸摸電極片4電容變化帶來的變化電場的瞬變,減少串?dāng)_突刺。
[0031]綜上所述,本發(fā)明提供一種on-cell觸摸液晶顯示器中設(shè)置的屏蔽電極線通過與接地線的連接減少了觸摸電極片對TFT的串?dāng)_,同時(shí)還能保證顯示屏的厚度不增加,提高on-cell觸摸液晶顯示器的品質(zhì)。
[0032]以上所述,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形,而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,包括:下玻璃基板、設(shè)于所述下玻璃基板上的下偏光片、設(shè)于所述下偏光片上的下配向膜、設(shè)于所述下配向膜上的上配向膜、設(shè)于所述上配向膜與下配向膜之間液晶層、設(shè)于所述上配向膜上的上偏光片、設(shè)于所述上偏光片上的觸摸電極片、設(shè)于所述觸摸電極片上的上玻璃基板以及數(shù)條屏蔽電極線;所述上配向膜與下配向膜上均設(shè)有數(shù)個配向突起,所述數(shù)條屏蔽電極線均電性連接至地線,所述上配向膜與下配向膜至少一個設(shè)置有所述屏蔽電極線,所述屏蔽電極線穿過每個顯示單元在上配向膜或者下配向膜上的投影區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線設(shè)于上配向膜或下配向膜的配向突起附近。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線設(shè)于上配向膜或下配向膜中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線同時(shí)設(shè)于上配向膜及下配向膜中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線設(shè)于上配向膜與上偏光片的接觸面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線設(shè)于下配向膜與下偏光片的接觸面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線同時(shí)設(shè)于上配向膜與上偏光片的接觸面及下配向膜與下偏光片的接觸面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,所述屏蔽電極線采用氣相沉淀、真空濺射或者激光刻蝕形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的on-cell觸摸液晶顯示器,其特征在于,每一所述屏蔽電極線通過一吸收電容與地線連接。
【文檔編號】G06F3/044GK104267864SQ201410556236
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】駱志峰, 陳小軍, 萬鋒, 鐘小平 申請人:深圳同興達(dá)科技股份有限公司