一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法，屬于計(jì)算機(jī)檢測領(lǐng)域，將服務(wù)器滿配內(nèi)存，并置于溫度變化的老化環(huán)境中，開機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘。動(dòng)態(tài)調(diào)整服務(wù)器主板的內(nèi)存供電電壓值，在內(nèi)存槽layout走線附近，放置單端走線，其上加以高速階躍脈沖，增強(qiáng)系統(tǒng)的噪聲水平值。增大內(nèi)存自身的動(dòng)態(tài)刷新時(shí)間間隔，將內(nèi)存地址空間進(jìn)行隨機(jī)抽取，并對(duì)抽取區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的大塊讀寫，利用CPU的多核多線程特性，各內(nèi)存地址空間并行進(jìn)行讀寫，增大內(nèi)存的測試覆蓋度。
【專利說明】一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)檢測領(lǐng)域，具體是利用一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法，來解決當(dāng)前在服務(wù)器主板內(nèi)存系統(tǒng)存在老化強(qiáng)度小及老化測試覆蓋度低，無法實(shí)現(xiàn)真正全面有效的老化檢測問題。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前對(duì)服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)出廠老化檢測，成為影響服務(wù)器品質(zhì)穩(wěn)定性及運(yùn)算可靠性的關(guān)鍵因素，服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)出廠老化檢測是為了在服務(wù)器正式交付客戶使用之前，采用嚴(yán)苛的測試條件將功能或品質(zhì)薄弱內(nèi)存條及時(shí)剔除出來，防止存在故障隱患的內(nèi)存流向客戶使用環(huán)境。當(dāng)前的通常做法是在出廠前的老化室中，運(yùn)行內(nèi)存的加壓軟件，對(duì)主板上的內(nèi)存系統(tǒng)進(jìn)行功能實(shí)測，同時(shí)在主板工作過程中，拉偏AC交流供電電壓，實(shí)際查看對(duì)主板的影響，根據(jù)功能實(shí)測結(jié)果實(shí)現(xiàn)對(duì)主板質(zhì)量老化選擇控制。該方式存在老化強(qiáng)度小及老化測試覆蓋度低的問題，該方式下主板內(nèi)存系統(tǒng)老化強(qiáng)度即加壓的強(qiáng)度，依賴于加壓軟件，通常情況下僅為單一數(shù)據(jù)的反復(fù)讀寫操作，表現(xiàn)在信號(hào)波形上，信號(hào)波形單一，內(nèi)存系統(tǒng)的無法得到全面的測試，同時(shí)該方式的覆蓋程度很大程度上依靠測試時(shí)間，基于出廠檢測目的的老化測試覆蓋率無法得到保證，無法實(shí)現(xiàn)真正全面有效的老化控制。這種單一依靠加壓軟件及固定測試檢測時(shí)間的老化方式，無法快速有效檢測出主板內(nèi)存系統(tǒng)的薄弱環(huán)節(jié)，給主板內(nèi)存部分的質(zhì)量管控實(shí)現(xiàn)帶來很大難度，進(jìn)而使主板的內(nèi)存部分質(zhì)量可能出現(xiàn)波動(dòng)，進(jìn)而影響系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。在當(dāng)前的服務(wù)器主板上內(nèi)存的數(shù)量為12-24條不等，內(nèi)存部分的穩(wěn)定成為影響數(shù)據(jù)處理穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素；隨著對(duì)服務(wù)器系統(tǒng)運(yùn)行安全要求不斷增加，為了保證服務(wù)器系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，在實(shí)際主板的內(nèi)存系統(tǒng)出廠檢測操作過程中，如何實(shí)現(xiàn)服務(wù)器主板內(nèi)存系統(tǒng)加速老化檢測的高效設(shè)計(jì)尤為重要，并成為決定服務(wù)器質(zhì)量穩(wěn)定的關(guān)鍵要素之一。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)當(dāng)前服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)老化檢測中遇到的上述問題，結(jié)合傳輸眼圖等關(guān)鍵電氣因素，通過深入分析，我們總結(jié)了一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法。
[0004]本發(fā)明是以老化加速控制理論支撐點(diǎn)，具體是利用一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法，來解決當(dāng)前在服務(wù)器主板內(nèi)存系統(tǒng)存在老化強(qiáng)度小及老化測試覆蓋度低，無法實(shí)現(xiàn)真正全面有效的老化檢測問題。本方法保證了服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老換，在實(shí)際主板內(nèi)存系統(tǒng)的老化檢測操作過程中，實(shí)現(xiàn)服務(wù)器主板內(nèi)存系統(tǒng)加速老化檢測的高效設(shè)計(jì)，保證了服務(wù)器系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，對(duì)于服務(wù)器系統(tǒng)的質(zhì)量可靠性具有重要意義，具體
【發(fā)明內(nèi)容】
可以分為如下幾個(gè)方面:
①將服務(wù)器滿配內(nèi)存，并置于溫度變化的老化環(huán)境中，開機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘。
[0005]②動(dòng)態(tài)調(diào)整服務(wù)器主板的內(nèi)存供電電壓值，老化過程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)的調(diào)整，使內(nèi)存電壓值處于由高到低、由低到高反復(fù)的波動(dòng)狀態(tài)。
[0006]③在內(nèi)存槽layout走線附近，放置單端走線，其上加以高速階躍脈沖，增強(qiáng)系統(tǒng)的噪聲水平值。
[0007]④增大內(nèi)存自身的動(dòng)態(tài)刷新時(shí)間間隔，使內(nèi)存單元的充電時(shí)間間隔加長，內(nèi)存中存儲(chǔ)內(nèi)容即更依賴于內(nèi)存顆粒上存儲(chǔ)單元的自然放電速度。
[0008]⑤將內(nèi)存地址空間進(jìn)行隨機(jī)抽取，并對(duì)抽取區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的大塊讀寫，利用CPU的多核多線程特性，各內(nèi)存地址空間并行進(jìn)行讀寫，增大內(nèi)存的測試覆蓋度。
[0009]將服務(wù)器滿配內(nèi)存，并置于溫度變化的老化環(huán)境中，開機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘；在這30分鐘內(nèi)，溫度要求進(jìn)行三次溫變循環(huán)，即由20攝氏度升至50度，然后降至20攝氏度，往復(fù)三次，測試系統(tǒng)的溫度變化承受能力。
[0010]動(dòng)態(tài)調(diào)整服務(wù)器主板的內(nèi)存供電電壓值，即將內(nèi)存的供電電壓在標(biāo)準(zhǔn)值基礎(chǔ)往上調(diào)5%，然后逐漸的下調(diào)，直到在標(biāo)準(zhǔn)值基礎(chǔ)往下調(diào)5%，老化過程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)的上、下5%調(diào)整，使內(nèi)存電壓值處于由高到低、由低到高反復(fù)的波動(dòng)狀態(tài)，內(nèi)存的供電處于不穩(wěn)定狀態(tài)，對(duì)于質(zhì)量薄弱的內(nèi)存將無法容納此種工作條件。
[0011]在內(nèi)存槽layout走線附近,放置單端走線,該走線連接到板載的CPLD芯片,在老化測試環(huán)節(jié)其上加以上升時(shí)間為2ns以內(nèi)的高速階躍脈沖，使該單端走線的內(nèi)存信息受到串?dāng)_噪聲的影響，增強(qiáng)內(nèi)存系統(tǒng)的噪聲水平值，加速內(nèi)存老化問題的出現(xiàn)。
[0012]增大內(nèi)存自身的動(dòng)態(tài)刷新時(shí)間間隔，使內(nèi)存單元的充電時(shí)間間隔加長，此處由32ms增長為256ms，使內(nèi)存中存儲(chǔ)內(nèi)容即更依賴于內(nèi)存顆粒上存儲(chǔ)單元的自然放電速度，放電速度直接影響數(shù)據(jù)內(nèi)存的穩(wěn)定。
[0013]將內(nèi)存地址空間進(jìn)行隨機(jī)抽取，不再采用順序讀寫方式，即以100MB空間為基本單元，并對(duì)抽取的100MB區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的大塊隨機(jī)讀寫，利用CPU的多核多線程特性，各內(nèi)存地址空間并行進(jìn)行讀寫，整個(gè)老化測試時(shí)間設(shè)置為240分鐘，增大內(nèi)存的測試覆蓋度。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:
本方法保證了服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老換，在實(shí)際主板內(nèi)存系統(tǒng)的老化檢測操作過程中，實(shí)現(xiàn)服務(wù)器主板內(nèi)存系統(tǒng)加速老化檢測的高效設(shè)計(jì)，保證了服務(wù)器系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，對(duì)于服務(wù)器系統(tǒng)的質(zhì)量可靠性具有重要意義。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]附圖1是本發(fā)明的實(shí)施流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]下面對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行更加詳細(xì)的闡述:
①測試工程師將服務(wù)器滿配內(nèi)存，并置于溫度變化的老化環(huán)境中，開機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘，進(jìn)行三次溫變循環(huán)，即由20攝氏度升至50度，然后降至20攝氏度，往復(fù)三次。
[0017]②動(dòng)態(tài)調(diào)整服務(wù)器主板的內(nèi)存供電電壓值，將內(nèi)存的供電電壓在標(biāo)準(zhǔn)值基礎(chǔ)往上調(diào)5%，然后逐漸的下調(diào)，直到在標(biāo)準(zhǔn)值基礎(chǔ)往下調(diào)5%，老化過程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)的上、下5%調(diào)整，老化過程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)的調(diào)整，使內(nèi)存電壓值處于由高到低、由低到高反復(fù)的波動(dòng)狀態(tài)。
[0018]③研發(fā)工程師在內(nèi)存槽layout走線附近，放置單端走線，測試工程師其上加以上升時(shí)間為2ns的高速階躍脈沖，增強(qiáng)系統(tǒng)的噪聲水平值。
[0019]④增大內(nèi)存自身的動(dòng)態(tài)刷新時(shí)間間隔為256ms，使內(nèi)存單元的充電時(shí)間間隔加長。
[0020]⑤將內(nèi)存地址空間進(jìn)行隨機(jī)抽取，并對(duì)100MB的抽取區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的大塊讀寫測試。
[0021]經(jīng)過上面詳細(xì)的實(shí)施，我們可以很方便的實(shí)現(xiàn)服務(wù)器主板內(nèi)存系統(tǒng)老化檢測，不僅達(dá)到了可靠性要求，而且實(shí)現(xiàn)高效率要求，實(shí)現(xiàn)服務(wù)器主板內(nèi)存老化檢測的可靠性、穩(wěn)定性。
【權(quán)利要求】
1.一種服務(wù)器內(nèi)存系統(tǒng)的加速老化檢測方法，其特征在于包括以下幾個(gè)方面: ①將服務(wù)器滿配內(nèi)存，并置于溫度變化的老化環(huán)境中，開機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘； ②動(dòng)態(tài)調(diào)整服務(wù)器主板的內(nèi)存供電電壓值，老化過程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)的調(diào)整，使內(nèi)存電壓值處于由高到低、由低到高反復(fù)的波動(dòng)狀態(tài)； ③在內(nèi)存槽layout走線附近，放置單端走線，其上加以高速階躍脈沖，增強(qiáng)系統(tǒng)的噪聲水平值； ④增大內(nèi)存自身的動(dòng)態(tài)刷新時(shí)間間隔，使內(nèi)存單元的充電時(shí)間間隔加長，內(nèi)存中存儲(chǔ)內(nèi)容即更依賴于內(nèi)存顆粒上存儲(chǔ)單元的自然放電速度； ⑤將內(nèi)存地址空間進(jìn)行隨機(jī)抽取，并對(duì)抽取區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的大塊讀寫，利用CPU的多核多線程特性，各內(nèi)存地址空間并行進(jìn)行讀寫，增大內(nèi)存的測試覆蓋度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于將服務(wù)器滿配內(nèi)存，并置于溫度變化的老化環(huán)境中，開機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘；在這30分鐘內(nèi)，溫度要求進(jìn)行三次溫變循環(huán)，即由20攝氏度升至50度，然后降至20攝氏度，往復(fù)三次，測試系統(tǒng)的溫度變化承受能力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于動(dòng)態(tài)調(diào)整服務(wù)器主板的內(nèi)存供電電壓值，即將內(nèi)存的供電電壓在標(biāo)準(zhǔn)值基礎(chǔ)往上調(diào)5%，然后逐漸的下調(diào)，直到在標(biāo)準(zhǔn)值基礎(chǔ)往下調(diào)5%，老化過程中實(shí)現(xiàn)連續(xù)的上、下5%調(diào)整，使內(nèi)存電壓值處于由高到低、由低到高反復(fù)的波動(dòng)狀態(tài)，內(nèi)存的供電處于不穩(wěn)定狀態(tài)，對(duì)于質(zhì)量薄弱的內(nèi)存將無法容納此種工作條件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在內(nèi)存槽layout走線附近，放置單端走線，該走線連接到板載的CPLD芯片，在老化測試環(huán)節(jié)其上加以上升時(shí)間為2ns以內(nèi)的高速階躍脈沖，使該單端走線的內(nèi)存信息受到串?dāng)_噪聲的影響，增強(qiáng)內(nèi)存系統(tǒng)的噪聲水平值，加速內(nèi)存老化問題的出現(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于增大內(nèi)存自身的動(dòng)態(tài)刷新時(shí)間間隔，使內(nèi)存單元的充電時(shí)間間隔加長，此處由32ms增長為256ms，使內(nèi)存中存儲(chǔ)內(nèi)容即更依賴于內(nèi)存顆粒上存儲(chǔ)單元的自然放電速度，放電速度直接影響數(shù)據(jù)內(nèi)存的穩(wěn)定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于將內(nèi)存地址空間進(jìn)行隨機(jī)抽取，不再采用順序讀寫的方式，即以100MB空間為基本單元，并對(duì)抽取的100MB區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)的大塊隨機(jī)讀寫，利用CPU的多核多線程特性，各內(nèi)存地址空間并行進(jìn)行讀寫，整個(gè)老化測試時(shí)間設(shè)置為240分鐘，增大內(nèi)存的測試覆蓋度。
【文檔編號(hào)】G06F11/22GK104268043SQ201410497774
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日
【發(fā)明者】劉濤 申請(qǐng)人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司