一種sram型大規(guī)模fpga抗單粒子裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，包括反熔絲PROM模塊、反熔絲FPGA模塊以及SRAM型FPGA模塊，反熔絲PROM模塊向反熔絲FPGA模塊發(fā)送配置數(shù)據(jù)，反熔絲FPGA模塊接收配置數(shù)據(jù)后發(fā)送至SRAM型FPGA模塊，回讀和計(jì)算SRAM型FPGA模塊的配置信息。同時(shí)還提供了該裝置的工作方法。本發(fā)明采用反熔絲PROM模塊和反熔絲FPGA模塊監(jiān)控刷新配置程序的方案，對于SRAM型FPGA模塊內(nèi)部不能通過反熔絲FPGA回讀校驗(yàn)的某些重要狀態(tài)信息仍采用TMR技術(shù)，進(jìn)一步提高設(shè)備的可靠性；TMR和反熔絲FPGA監(jiān)控相結(jié)合的技術(shù)，減少軟件刷新重配的次數(shù)，有效地解決單粒子事件累積效應(yīng)。
【專利說明】—種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及航天飛行器設(shè)計(jì)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體為一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置及方法。

【背景技術(shù)】
[0002]單粒子效應(yīng)是空間的高能帶電粒子在穿過微電子器件的靈敏結(jié)時(shí)，沉積能量，產(chǎn)生足夠數(shù)量的電荷，這些電荷被器件電極收集后，造成器件邏輯狀態(tài)的非正常改變或器件損壞。
[0003]對于中低軌的太陽同步軌道衛(wèi)星，每一軌都要經(jīng)過南北極，大部分軌道都經(jīng)過南大西洋輻射異常帶，比較容易受空間異常輻射帶單粒子的影響。在空間環(huán)境較惡劣的情況下，常規(guī)手段的抗輻射措施已不能有效解決空間環(huán)境對星載SRAM型FPGA的影響。
[0004]為保證系統(tǒng)在復(fù)雜空間環(huán)境中當(dāng)局部出現(xiàn)故障時(shí)屏蔽和容忍錯(cuò)誤，把錯(cuò)誤造成的損失降到最低，在硬件上比較常用的可靠性措施包括選用抗干擾等級高的元器件、屏蔽設(shè)計(jì)和冗余設(shè)計(jì)等，但是這些措施都無法絕對預(yù)防故障的發(fā)生，為了滿足衛(wèi)星可靠性的要求，軟件上也需采取相應(yīng)的可靠性措施，盡量降低如空間單粒子事件等故障等造成的危害，使故障能及時(shí)檢測、隔離或自主恢復(fù)。
[0005]隨著對空間單粒子認(rèn)識(shí)的加深，航天器星載設(shè)備的設(shè)計(jì)越來越重視抗單粒子設(shè)計(jì)，除了常規(guī)手段外，必須采取更主動(dòng)有效的方式解決空間單粒子的影響，以確保飛行任務(wù)的正常和可靠。
[0006]目前沒有發(fā)現(xiàn)同本發(fā)明類似技術(shù)的說明或報(bào)道，也尚未收集到國內(nèi)外類似的資料。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供了一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置及方法，以解決空間單粒子故障造成的危害。
[0008]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，包括依次連接的反熔絲PR0M模塊、反熔絲FPGA模塊以及SRAM型FPGA模塊，所述反熔絲PR0M模塊與反熔絲FPGA模塊交互信號連接，并向反熔絲FPGA模塊發(fā)送配置數(shù)據(jù)，所述反熔絲FPGA模塊接收配置數(shù)據(jù)后發(fā)送至SRAM型FPGA模塊，并回讀和計(jì)算SRAM型FPGA模塊的配置信肩、Ο
[0010]優(yōu)選地，所述SRAM型FPGA模塊設(shè)有配置寄存器，所述反熔絲FPGA模塊設(shè)有與配置寄存器相連接的Select Map (并行)接口，所述Select Map接口用于回讀配置寄存器中SRAM型FPGA模塊的配置信息。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述反熔絲FPGA模塊包括如下模塊:
[0012]-控制模塊，用于控制反熔絲FPGA模塊的配置加載流程和回讀流程，并進(jìn)行單粒子事件判斷。
[0013]優(yōu)選地，所述反熔絲FPGA模塊還包括如下模塊:
[0014]-本地時(shí)鐘管理模塊，用于產(chǎn)生配置加載和配置回讀的時(shí)鐘。
[0015]優(yōu)選地，所述反熔絲FPGA模塊包括如下六種工作狀態(tài):
[0016]-配置；
[0017]-第一次回讀；
[0018]-空閑；
[0019]-回讀；
[0020]-等待；
[0021]-停止。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置的工作方法，包括如下步驟:
[0023]步驟1，反熔絲FPGA模塊啟動(dòng)配置加載流程，讀取反熔絲PR0M模塊中的配置程序，并發(fā)送至SRAM型FPGA模塊的配置寄存器；
[0024]步驟2，反熔絲FPGA模塊啟動(dòng)回讀流程，回讀SRAM型FPGA模塊的配置寄存器中的配置數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)，同時(shí)，將第一次成功回讀計(jì)算的校驗(yàn)值作為后續(xù)回讀對比的標(biāo)準(zhǔn)值；
[0025]步驟3，反熔絲FPGA模塊連續(xù)回讀配置寄存器中的配置數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較，判斷單粒子事件發(fā)生情況；
[0026]步驟4，當(dāng)單粒子事件發(fā)生時(shí)，反熔絲FPGA模塊刷新SRAM型FPGA模塊的配置寄存器，并重復(fù)執(zhí)行步驟1至步驟4。
[0027]優(yōu)選地，所述步驟3中，反熔絲FPGA模塊通過本地時(shí)鐘管理模塊，定時(shí)回讀配置寄存器中數(shù)據(jù)。
[0028]優(yōu)選地，所述定時(shí)時(shí)間間隔為1 s。
[0029]優(yōu)選地,所述步驟3中，單粒子事件發(fā)生判斷條件為:連續(xù)三次回讀計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值不一致，則判斷發(fā)生了單粒子事件。
[0030]優(yōu)選地，所述步驟4中，還包括如下步驟:
[0031]對刷新條件進(jìn)行優(yōu)化，增加判別鎖定指示條件:
[0032]-當(dāng)鎖定指示為錯(cuò)誤發(fā)生在配置寄存器的非重要區(qū)域，即屬于任務(wù)正常情況，則關(guān)閉觸發(fā)配置條件，不對配置寄存器進(jìn)行刷新；
[0033]-當(dāng)鎖定指示為錯(cuò)誤發(fā)生在配置寄存器的重要區(qū)域，即屬于任務(wù)異常情況，則觸發(fā)配置條件，對配置寄存器進(jìn)行刷新。
[0034]優(yōu)選地，所述SRAM型FPGA模塊的配置寄存器中的重要區(qū)域數(shù)據(jù)采用TMR(TripleModular Redundancy,三重模件冗余)技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0035]本發(fā)明提供的一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置及方法，在傳統(tǒng)TMR或周期性重配置等相對單一的傳統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上，提出了增加反熔絲FPGA定時(shí)回讀配置程序進(jìn)行校驗(yàn)比對的方法，專門用于提高航天飛行器中使用的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子能力，進(jìn)而提高設(shè)備的可靠性。經(jīng)過某衛(wèi)星型號中繼終端在軌飛行試驗(yàn)多次驗(yàn)證，本發(fā)明明顯改善了單粒子事件對SRAM型Xilinx FPGA的影響，有效保證了在軌飛行任務(wù)的順利完成。
[0036]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)和積極效果:
[0037]1)本發(fā)明提出了采用反熔絲PR0M模塊和反熔絲FPGA模塊監(jiān)控刷新配置程序的方案，另外對于SRAM型FPGA模塊內(nèi)部不能通過反熔絲FPGA回讀校驗(yàn)的某些重要狀態(tài)信息仍采用TMR技術(shù)，進(jìn)一步提高設(shè)備的可靠性；
[0038]2)本發(fā)明采用TMR和增加高可靠反熔絲FPGA監(jiān)控相結(jié)合的技術(shù)，一方面可以減少軟件刷新重配的次數(shù)，另一方面可以有效地解決單粒子事件累積效應(yīng)；
[0039]3)本發(fā)明在某型號衛(wèi)星中繼終端上飛行驗(yàn)證，在軌工作正常，有效地解決了太陽同步軌道衛(wèi)星單粒子事件，保證了與中繼衛(wèi)星通信的可靠性；
[0040]4)本發(fā)明對其它空間環(huán)境較為惡劣的航天器星載設(shè)備研制也具有重要意義；
[0041]5)本發(fā)明的應(yīng)用可以推廣至其它衛(wèi)星型號、載人飛船等，能夠縮短研制時(shí)間、降低設(shè)計(jì)與試驗(yàn)成本、提高航天飛行器研制效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0043]圖1為本發(fā)明裝置組成框圖；
[0044]圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施案例組成框圖；
[0045]圖3為本發(fā)明反熔絲FPGA模塊監(jiān)控流程圖；
[0046]圖4為本發(fā)明的SRAM型FPGA模塊內(nèi)部數(shù)據(jù)TMR實(shí)現(xiàn)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0047]下面對本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說明:本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程。應(yīng)當(dāng)指出的是，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0048]請同時(shí)參閱圖1至圖4。
[0049]本實(shí)施例提供了一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，包括依次連接的反熔絲PR0M模塊、反熔絲FPGA模塊以及SRAM型FPGA模塊，所述反熔絲PR0M模塊與反熔絲FPGA模塊交互信號連接，并向反熔絲FPGA模塊發(fā)送配置數(shù)據(jù)，所述反熔絲FPGA模塊接收配置數(shù)據(jù)后發(fā)送至SRAM型FPGA模塊，并回讀和計(jì)算SRAM型FPGA模塊的配置信息。
[0050]進(jìn)一步地，所述SRAM型FPGA模塊設(shè)有配置寄存器，所述反熔絲FPGA模塊設(shè)有與配置寄存器相連接的Select Map (并行)接口，所述Select Map接口用于回讀配置寄存器中SRAM型FPGA模塊的配置信息。
[0051 ] 進(jìn)一步地，所述反熔絲FPGA模塊包括如下模塊:
[0052]-控制模塊，用于控制反熔絲FPGA模塊的配置加載流程和回讀流程，并進(jìn)行單粒子事件判斷。
[0053]進(jìn)一步地，所述反熔絲FPGA模塊還包括如下模塊:
[0054]-本地時(shí)鐘管理模塊，用于產(chǎn)生配置加載和配置回讀的時(shí)鐘。
[0055]進(jìn)一步地，所述反熔絲FPGA模塊包括如下六種工作狀態(tài):
[0056]-配置；
[0057]-第一次回讀；
[0058]-空閑；
[0059]-回讀；
[0060]-等待；
[0061]-停止。
[0062]本實(shí)施例提供的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，其工作方法，包括如下步驟:
[0063]步驟1，反熔絲FPGA模塊啟動(dòng)配置加載流程，讀取反熔絲PR0M模塊中的配置程序，并發(fā)送至SRAM型FPGA模塊的配置寄存器；
[0064]步驟2，反熔絲FPGA模塊啟動(dòng)回讀流程，回讀SRAM型FPGA模塊的配置寄存器中的配置數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)，同時(shí)，將第一次成功回讀計(jì)算的校驗(yàn)值作為后續(xù)回讀對比的標(biāo)準(zhǔn)值；
[0065]步驟3，反熔絲FPGA模塊連續(xù)回讀配置寄存器中的配置數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較，判斷單粒子事件發(fā)生情況；
[0066]步驟4，當(dāng)單粒子事件發(fā)生時(shí)，反熔絲FPGA模塊刷新SRAM型FPGA模塊的配置寄存器，并重復(fù)執(zhí)行步驟1至步驟4。
[0067]進(jìn)一步地，所述步驟3中，反熔絲FPGA模塊通過本地時(shí)鐘管理模塊，定時(shí)回讀配置寄存器中數(shù)據(jù)。
[0068]進(jìn)一步地，所述定時(shí)時(shí)間間隔為Is。
[0069]進(jìn)一步地,所述步驟3中，單粒子事件發(fā)生判斷條件為:連續(xù)三次回讀計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值不一致，則判斷發(fā)生了單粒子事件。
[0070]進(jìn)一步地，所述步驟4中，還包括如下步驟:
[0071]對刷新條件進(jìn)行優(yōu)化，增加判別鎖定指示條件:
[0072]-當(dāng)鎖定指示為錯(cuò)誤發(fā)生在配置寄存器的非重要區(qū)域，即屬于任務(wù)正常情況，則關(guān)閉觸發(fā)配置條件，不對配置寄存器進(jìn)行刷新；
[0073]-當(dāng)鎖定指示為錯(cuò)誤發(fā)生在配置寄存器的重要區(qū)域，即屬于任務(wù)異常情況，則觸發(fā)配置條件，對配置寄存器進(jìn)行刷新。
[0074]進(jìn)一步地，所述SRAM型FPGA模塊的配置寄存器中的重要區(qū)域數(shù)據(jù)采用TMR (Triple Modular Redundancy,三重模件冗余)技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0075]在本實(shí)施例中:增加反熔絲FPGA模塊讀取反熔絲PR0M中的配置程序；定時(shí)回讀SRAM型FPGA模塊的配置存儲(chǔ)區(qū)數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)和，判斷發(fā)生單粒子事件時(shí)刷新修復(fù)；對SRAM型FPGA模塊內(nèi)部的重要區(qū)域數(shù)據(jù)進(jìn)行TMR設(shè)計(jì)。
[0076]下面結(jié)合附圖對本實(shí)施例在衛(wèi)星中繼終端上的具體案例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0077]如圖2所示，在本案例中，反熔絲FPGA模塊采用Actel反熔絲FPGA (監(jiān)控FPGA)，SRAM型FPGA模塊采用Xi linx FPFA (功能FPGA)，反熔絲PROM模塊用于存儲(chǔ)Xi linx FPFA配置程序。
[0078]工作時(shí)，反熔絲FPGA模塊通過Select Map接口回讀Xi linx FPGA的配置寄存器，并將第一次成功回讀計(jì)算的校驗(yàn)值作為以后回讀對比的標(biāo)準(zhǔn)值。工作期間，每隔Is觸發(fā)定時(shí)器進(jìn)行一次回讀，并與標(biāo)準(zhǔn)值比較，若連續(xù)三次回讀計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值不一致，則判斷發(fā)生了單粒子事件，觸發(fā)刷新修復(fù)。監(jiān)控FPGA設(shè)計(jì)了六種工作狀態(tài):配置，第一次回讀，空閑，回讀，等待，停止，其實(shí)現(xiàn)流程如圖3所示。
[0079]Xi linx FPGA的有些狀態(tài)信息不能通過反熔絲FPGA回讀校驗(yàn)，如BRAM，SRL16和在CLB中存在的分布式SRAM，因此在增加回讀校驗(yàn)功能的同時(shí)，還需要對Xi linx FPGA重要區(qū)域(程序關(guān)鍵模塊)進(jìn)行三模冗余設(shè)計(jì)進(jìn)一步提高設(shè)備抗單粒子效應(yīng)。如附圖4所示。
[0080]增加反熔絲FPGA模塊，按幀格式要求定時(shí)回讀配置區(qū)數(shù)據(jù)，并計(jì)算每一幀回讀數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和，如發(fā)現(xiàn)配置程序代碼異常，則觸發(fā)相應(yīng)電路刷新SRAM型FPGA模塊內(nèi)部配置區(qū)數(shù)據(jù)。
[0081]SRAM型FPGA模塊內(nèi)部關(guān)鍵模塊采用TMR技術(shù)，外圍增加監(jiān)控反熔絲FPGA定時(shí)回讀配置程序。
[0082]本地時(shí)鐘管理，產(chǎn)生配置加載和配置回讀的時(shí)鐘，回讀SRAM型FPGA的配置存儲(chǔ)區(qū)將回讀數(shù)據(jù)計(jì)算累加校驗(yàn)和，若連續(xù)三次回讀計(jì)算校驗(yàn)值與第一次回讀校驗(yàn)值不一致，則判斷發(fā)生了單粒子事件，進(jìn)行刷新修復(fù)。
[0083]完成控制模塊功能，控制加載流程和回讀流程，并進(jìn)行單粒子事件判斷，判斷發(fā)生錯(cuò)誤后再刷新SRAM型FPGA的配置存儲(chǔ)區(qū)。需要考慮的是，會(huì)出現(xiàn)某些情況，雖然發(fā)生了單粒子事件，但被打翻的是不重要的區(qū)域，不影響正常任務(wù)的繼續(xù)進(jìn)行，此時(shí)，若判斷發(fā)生錯(cuò)誤并刷新SRAM型FPGA的存儲(chǔ)區(qū)反而會(huì)影響正常任務(wù)。因此，為防止任務(wù)正常時(shí)不必要的刷新，需要對刷新條件進(jìn)行優(yōu)化，即增加判別鎖定指示條件，如果鎖定指示為正常鎖定，則關(guān)閉觸發(fā)配置條件，不對程序進(jìn)行刷新。通過優(yōu)化，能達(dá)到在不影響正常任務(wù)的前提下，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并有效解決單粒子事件對星載SRAM型FPGA模塊的影響。
[0084]本案例已經(jīng)過在軌飛行試驗(yàn)驗(yàn)證，有效地解決了單粒子事件，保證了通信任務(wù)的可靠進(jìn)行。
[0085]以上對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，其特征在于，包括依次連接的反熔絲PROM模塊、反熔絲FPGA模塊以及SRAM型FPGA模塊，所述反熔絲PROM模塊與反熔絲FPGA模塊交互信號連接，并向反熔絲FPGA模塊發(fā)送配置數(shù)據(jù)，所述反熔絲FPGA模塊接收配置數(shù)據(jù)后發(fā)送至SRAM型FPGA模塊，并回讀和計(jì)算SRAM型FPGA模塊的配置信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，其特征在于，所述SRAM型FPGA模塊設(shè)有配置寄存器，所述反熔絲FPGA模塊設(shè)有與配置寄存器相連接的Select Map接口，所述Select Map接口用于回讀配置寄存器中SRAM型FPGA模塊的配置信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，其特征在于，所述反熔絲FPGA模塊包括如下模塊: -控制模塊，用于控制反熔絲FPGA模塊的配置加載流程和回讀流程，并進(jìn)行單粒子事件判斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，其特征在于，所述反熔絲FPGA模塊還包括如下模塊: -本地時(shí)鐘管理模塊，用于產(chǎn)生配置加載和配置回讀的時(shí)鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、3或4所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置，其特征在于，所述反熔絲FPGA模塊包括如下六種工作狀態(tài): -配置； -第一次回讀； -空閑； -回讀； -等待； _停止。
6.一種SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置的工作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1，反熔絲FPGA模塊啟動(dòng)配置加載流程，讀取反熔絲PROM模塊中的配置程序，并發(fā)送至SRAM型FPGA模塊的配置寄存器； 步驟2，反熔絲FPGA模塊啟動(dòng)回讀流程，回讀SRAM型FPGA模塊的配置寄存器中的配置數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)，同時(shí)，將第一次成功回讀計(jì)算的校驗(yàn)值作為后續(xù)回讀對比的標(biāo)準(zhǔn)值；步驟3，反熔絲FPGA模塊連續(xù)回讀配置寄存器中的配置數(shù)據(jù)，并計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較，判斷單粒子事件發(fā)生情況； 步驟4，當(dāng)單粒子事件發(fā)生時(shí)，反熔絲FPGA模塊刷新SRAM型FPGA模塊的配置寄存器，并重復(fù)執(zhí)行步驟I至步驟4。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置的工作方法，其特征在于，所述步驟3中，反熔絲FPGA模塊通過本地時(shí)鐘管理模塊，定時(shí)回讀配置寄存器中數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置的工作方法，其特征在于，所述步驟3中，單粒子事件發(fā)生判斷條件為:連續(xù)三次回讀計(jì)算校驗(yàn)值與標(biāo)準(zhǔn)值不一致，則判斷發(fā)生了單粒子事件。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置的工作方法，其特征在于，所述步驟4中，還包括如下步驟: 對刷新條件進(jìn)行優(yōu)化，增加判別鎖定指示條件: -當(dāng)鎖定指示為錯(cuò)誤發(fā)生在配置寄存器的非重要區(qū)域，即屬于任務(wù)正常情況，則關(guān)閉觸發(fā)配置條件，不對配置寄存器進(jìn)行刷新； -當(dāng)鎖定指示為錯(cuò)誤發(fā)生在配置寄存器的重要區(qū)域，即屬于任務(wù)異常情況，則觸發(fā)配置條件，對配置寄存器進(jìn)行刷新。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的SRAM型大規(guī)模FPGA抗單粒子裝置的工作方法，其特征在于，所述SRAM型FPGA模塊的配置寄存器中的重要區(qū)域數(shù)據(jù)采用TMR技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
【文檔編號】G06F17/50GK104281742SQ201410461355
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月11日
【發(fā)明者】郜蓓, 章英杰, 饒啟龍, 許銀生 申請人:上海衛(wèi)星工程研究所