便攜式數(shù)據(jù)載體的制造方法
【專利摘要】為了制造卡片式數(shù)據(jù)載體(1)，基體(11)的區(qū)域被穩(wěn)定層(12)遮蓋，并且這樣安置電子導(dǎo)體電路(13)，使得導(dǎo)體電路從穩(wěn)定層(12)的背向基體的一側(cè)向著基體(11)的未被穩(wěn)定層(12)遮蓋的區(qū)域延伸。然后，將電子元件(21)安置在穩(wěn)定層(12)上并且與導(dǎo)體電路(13)導(dǎo)電連接。最后，層壓遮蓋層(32)，從而使得遮蓋層經(jīng)過電子元件地延伸。穩(wěn)定層(12)被這樣地設(shè)計，并且導(dǎo)體電路(130)這樣地從穩(wěn)定層(12)向著基體(11)延伸，即在層壓遮蓋層(32)時電子元件(21)與導(dǎo)體電路(13)保持導(dǎo)電連接。
【專利說明】便攜式數(shù)據(jù)載體的制造
[0001]本發(fā)明涉及一種用于制造卡片式數(shù)據(jù)載體的基體裝置、這種呈層壓的層復(fù)合件形式的卡片式數(shù)據(jù)載體以及用于這種基體裝置和數(shù)據(jù)載體的制造方法。
[0002]已知，在制造卡片式數(shù)據(jù)載體時將多個層相互層壓。尤其已知，將呈電子導(dǎo)體電路(Leiterbahn)形式的天線敷設(shè)在基體上,這種天線與微芯片導(dǎo)電連接，并且在層壓時為這種裝置設(shè)置遮蓋層。
[0003]在這種層壓過程中，芯片能夠被壓入基體中，并且電子導(dǎo)體電路受到剪切力作用，這種剪切力使導(dǎo)體電路受到損害或者使得導(dǎo)體電路完全地被撕裂。這樣制造的數(shù)據(jù)載體在功能上不可靠或者完全失去作用。
[0004]因此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，在這種制造過程中保證無故障地正常運行的卡片式數(shù)據(jù)載體的較高的產(chǎn)率。
[0005]所述技術(shù)問題根據(jù)獨立權(quán)利要求通過根據(jù)獨立權(quán)利要求的基體裝置、卡片式數(shù)據(jù)載體以及相應(yīng)的制造方法而被解決。在從屬權(quán)利要求中給出本發(fā)明有利的設(shè)計方案和改進(jìn)方案。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的基體裝置包括穩(wěn)定層，該穩(wěn)定層遮蓋要制造的數(shù)據(jù)載體的基體的區(qū)域。之后，導(dǎo)體電路從穩(wěn)定層背向基體的一側(cè)向基體未被穩(wěn)定層遮蓋的區(qū)域延伸。在以這種基體裝置為基礎(chǔ)制造數(shù)據(jù)載體的過程中，將電子元件安置在穩(wěn)定層上，與導(dǎo)體電路導(dǎo)電連接，并且最后層壓經(jīng)過電子元件延伸的遮蓋層。在此，穩(wěn)定層被這樣設(shè)計，并且導(dǎo)體電路這樣從穩(wěn)定層向著基體延伸，即電子元件在層壓遮蓋層的情況下保持與導(dǎo)體電路的導(dǎo)電連接。
[0007]在制造基體裝置時，將穩(wěn)定層敷設(shè)在基體的區(qū)域上，并且將導(dǎo)體電路這樣安置，使得導(dǎo)體電路從穩(wěn)定層背向基體的一側(cè)向著基體未被穩(wěn)定層遮蓋的區(qū)域延伸。在此，將穩(wěn)定層和導(dǎo)體電路這樣安置在基體上，使得在導(dǎo)體電路與在之后制造數(shù)據(jù)載體時安置在穩(wěn)定層上的電子元件之間的導(dǎo)電連接不會由于在層壓遮蓋層情況下所形成的壓力而受到損害或者完全不被拉扯。
[0008]在本發(fā)明中，穩(wěn)定層和經(jīng)穩(wěn)定層延伸的導(dǎo)體電路避免了在制造數(shù)據(jù)載體的過程中由于電子元件層壓在基體上所形成的壓力而使得導(dǎo)電連接中斷，這是通過穩(wěn)定層避免了導(dǎo)體電路由于這種壓力發(fā)生變形進(jìn)而致使導(dǎo)體電路損毀而實現(xiàn)的。
[0009]穩(wěn)定層優(yōu)選相對于基體稍微突出，從而在將導(dǎo)體電路從穩(wěn)定層導(dǎo)入基體的未被穩(wěn)定層遮蓋的區(qū)域內(nèi)時，在穩(wěn)定層和基體之間的過渡部位上需要比沒有穩(wěn)定層時更多的導(dǎo)體電路材料。這種在導(dǎo)體電路材料上的“過剩”促使或者完善之前所述的根據(jù)本發(fā)明的作用，由此使得導(dǎo)體電路在剪切力作用下只在穩(wěn)定層和基體之間的過渡部位的區(qū)域內(nèi)發(fā)生變形，而不是被撕裂。
[0010]在這種優(yōu)選的實施方式中，穩(wěn)定層相應(yīng)地被這樣設(shè)計，并且導(dǎo)體電路這樣地從穩(wěn)定層向著基體延伸，從而在制造數(shù)據(jù)載體時通過層壓遮蓋層而使產(chǎn)生的穩(wěn)定層作用在基體上的壓力基本上只是使導(dǎo)體電路被鐓鍛(鐓粗)和/或彎曲。這能夠例如由此實現(xiàn)，即穩(wěn)定層的至少一個邊緣區(qū)域相應(yīng)地成型，導(dǎo)體電路通過所述邊緣區(qū)域從穩(wěn)定層向著基體延伸。
[0011]特別優(yōu)選的是這樣設(shè)計和成型穩(wěn)定層，使得導(dǎo)體電路在層壓時只是被彎曲，并且由此只是承受較小的機(jī)械負(fù)載。這能夠例如由此實現(xiàn)，即一個或者多個邊緣區(qū)域從穩(wěn)定層朝向基體漸減地延伸，亦即朝向基體的方向楔形地縮窄或持續(xù)變薄。
[0012]可選地或者附加地能夠這樣地設(shè)計穩(wěn)定層，并將穩(wěn)定層這樣在基體上安置，使得在制造數(shù)據(jù)載體時通過層壓遮蓋層而產(chǎn)生的電子元件對基體的壓力被平面地分布并且由此被減少。這會導(dǎo)致，與直接安置在基體上的電子元件相比，穩(wěn)定層在層壓時被較淺地壓入基體中，并且由此減少作用在導(dǎo)體電路上的力。為了易于通過平面分布壓力而實現(xiàn)上述壓力降低，尤其優(yōu)選地是，朝向基體的穩(wěn)定層的表面比朝向基體的可安置在穩(wěn)定層上的且可與導(dǎo)體電路連接的電子元件的表面更大。
[0013]此外，優(yōu)選穩(wěn)定層的材料比基體的材料更硬。這會導(dǎo)致，電子元件在這種層壓過程中比與直接將電子元件安置在基體上的情況相比，電子元件在層壓過過程中被更淺地壓入穩(wěn)定層中。
[0014]穩(wěn)定層的材料優(yōu)選具有比要將遮蓋層層壓在基體裝置上所需溫度更高的熔點，因此穩(wěn)定層在層壓過程中沒有軟化。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的卡片式數(shù)據(jù)載體包括之前所述的基體裝置和層壓在該基體裝置上的遮蓋層以及安置在穩(wěn)定層上且與導(dǎo)體電路導(dǎo)電連接的電子元件，遮蓋層沿電子元件延伸。
[0016]在基于根據(jù)本發(fā)明的基體裝置制造根據(jù)本發(fā)明的數(shù)據(jù)載體時，將電子元件安置在穩(wěn)定層上并且與導(dǎo)體電路導(dǎo)電連接。在層壓過程的范圍內(nèi)，遮蓋層隨后相應(yīng)地被層壓在基體裝置上。
[0017]在根據(jù)本發(fā)明的數(shù)據(jù)載體中，朝向基體的穩(wěn)定層的表面優(yōu)選比朝向基體的電子元件的表面要大，以便通過壓力的平面分布來實現(xiàn)上述在基體上的壓力降低。
[0018]遮蓋層能夠被直接地層壓在基體上。對此可選地是，數(shù)據(jù)載體尤其還能夠包括在基體和遮蓋層之間設(shè)置的中間層，該中間層至少空出上述電子元件的空間。
[0019]所述電子元件可以是微芯片。根據(jù)優(yōu)選實施方式，導(dǎo)體電路構(gòu)成與這種微芯片連接的天線。在優(yōu)選實施方式中，電子元件和與電子元件相連接的導(dǎo)體電路(例如呈天線形式的導(dǎo)體電路)能夠共同位于穩(wěn)定層上。這能夠隨后以有利的方式不僅用于穩(wěn)定電子元件和天線，還能夠被用作在導(dǎo)體電路(例如天線)的橋接區(qū)域內(nèi)的絕緣體。特別優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明的卡片式數(shù)據(jù)載體是芯片卡、智能卡、SIM手機(jī)卡、安全的多媒體卡或者類似數(shù)據(jù)載體。
[0020]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點由下面對根據(jù)本發(fā)明的實施例以及其他實施備選方案結(jié)合附圖給出，附圖為:
[0021]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的卡片式數(shù)據(jù)載體的俯視圖，
[0022]圖2A示出根據(jù)本發(fā)明的基體裝置和其他用于構(gòu)成圖1所示的卡片式數(shù)據(jù)載體的構(gòu)件的剖面圖，
[0023]圖2B示出由圖2A所示構(gòu)件形成的圖1所示的卡片式數(shù)據(jù)載體的剖面圖，
[0024]圖3示出用于制造圖1和2B所示卡片式數(shù)據(jù)載體的相應(yīng)方法的步驟流程圖，
[0025]圖4A示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于制造卡片式數(shù)據(jù)載體的基體裝置和其他構(gòu)件的剖面圖，
[0026]圖4B示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的由圖4A所示的構(gòu)件制成的有缺陷的卡片式數(shù)據(jù)載體的剖面圖。
[0027]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的卡片式數(shù)據(jù)載體I的俯視圖，并且在圖2B中示出其剖面圖。圖2A示出基體裝置10和用于形成圖1和2B所示卡片式數(shù)據(jù)載體I的其它部件21、31、32的剖面圖。根據(jù)本發(fā)明，基體裝置10包括穩(wěn)定層12。在圖3中示出用于制造作為半成品的基體裝置10的方法步驟和隨后用于利用該基體裝置10形成數(shù)據(jù)載體的方法步驟。
[0028]為了與圖2A作對比，圖4A示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基體裝置10’的剖面圖，和用于形成根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于形成在圖4B中以剖面圖示出的卡片式數(shù)據(jù)載體I’的其他部件21’、31’、32’的剖面圖。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基體裝置10’和由該基體裝置形成的數(shù)據(jù)載體I’不包括圖1、2A和2B所不的穩(wěn)定層。
[0029]在根據(jù)本發(fā)明的方法中，如圖3所示，首先在步驟SI中提供基體11。隨后，在步驟S2中在基體11上敷設(shè)穩(wěn)定層12，以及隨后在步驟S3中在基體11上敷設(shè)導(dǎo)體電路13，由此利用這種基體11形成作為用于卡片式數(shù)據(jù)載體I的半成品的基體裝置10。
[0030]導(dǎo)體電路13從基體表面經(jīng)過穩(wěn)定層12的邊緣區(qū)域12b延伸至穩(wěn)定層12的中央?yún)^(qū)域12a。導(dǎo)體電路13當(dāng)前被壓在基體上并且構(gòu)成天線線圈，該天線線圈在圖1中被示意性地示出為一個天線線圈，但是在實際中還能夠具有多個線圈。
[0031]然后，在方法步驟S4中，將微芯片21安置在穩(wěn)定層12上，并且在步驟S5中，根據(jù)倒裝芯片(Flip-Chip)技術(shù)借助接觸件22將微芯片與導(dǎo)體電路13導(dǎo)電連接。相應(yīng)地，在此所述的數(shù)據(jù)載體I是具有非接觸功能的芯片。除微芯片21之外，原則上還任意的電子元件都能夠被敷設(shè)并且與導(dǎo)體電路13導(dǎo)電連接。然后，在方法步驟S6中，為了完成卡片式數(shù)據(jù)載體1，在基體11上層壓經(jīng)過微芯片21延伸的中間層31和遮蓋層32。因此，導(dǎo)體電路13相應(yīng)地位于基體11和中間層31之間。
[0032]在根據(jù)方法步驟S6的層壓中，微芯片21被遮蓋層32朝基體11的方向按壓。因此，如在圖2B中所示，穩(wěn)定層12連同安置在該穩(wěn)定層上面的微芯片21 —起被壓入基體11內(nèi)，但是其中導(dǎo)體電路13由于適當(dāng)配置的穩(wěn)定層12而未斷裂。
[0033]與此相對地，在圖4A中所示的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的基體裝置10’沒有在基體10’上安置穩(wěn)定層，而是僅設(shè)有導(dǎo)體電路13’。相應(yīng)地，在這種基體裝置10’中，微芯片21’直接地安置在基體11’上，并且借助接觸件22’與導(dǎo)體電路13’導(dǎo)電連接。隨后，在基體11’上層壓中間層31’和經(jīng)過芯片21’延伸的遮蓋層32’。在這種層壓中，芯片21’被塞入基體11’中，在層壓過程中所采用的較高溫度使基體11’軟化，并且因此使基體11’在層壓中變形，也就是說例如被拉伸或延展。如圖4B所示，由此導(dǎo)體電路13’的兩個端部段13a’被撕裂，并且在芯片21’和導(dǎo)體電路13’之間的接觸發(fā)生斷裂，因此制造完成的數(shù)據(jù)載體I’不能工作。同樣地還可能導(dǎo)致的是，導(dǎo)體電路13’出現(xiàn)裂紋，并且由此使數(shù)據(jù)載體I’不能可靠地工作。
[0034]相對于以上所述，在本發(fā)明中，穩(wěn)定層12以下面所述的方法和方式防止導(dǎo)體電路13出現(xiàn)這種斷裂和/或裂紋。
[0035]穩(wěn)定層12比基體11更硬，穩(wěn)定層優(yōu)選具有比基體11更高的肖氏硬度A和/或肖氏硬度D。因此，安置在穩(wěn)定層12上的芯片21不會壓入穩(wěn)定層12，或者不會像根據(jù)如圖4A和4B所示現(xiàn)有技術(shù)的芯片21’壓入基體11’那么深地壓入穩(wěn)定層12。更確切地說，芯片21連同整個穩(wěn)定層12 —起壓入基體11。但是，穩(wěn)定層12的朝向基體11的一側(cè)明顯地比芯片21的朝向基體11的一側(cè)更大。因此，芯片21連同穩(wěn)定層12還是要比根據(jù)圖4B所示的現(xiàn)有技術(shù)的沒有穩(wěn)定層12的設(shè)計更淺地壓入基體11。總之，在根據(jù)圖1、2A和2B所示的裝置中的導(dǎo)體電路13由此要比根據(jù)圖4B所示的現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)體電路更少地變形。通過這種作用，導(dǎo)體電路13(在適當(dāng)配置穩(wěn)定層12的結(jié)構(gòu)設(shè)計中、也就是說尤其當(dāng)這種穩(wěn)定層足夠大時)已經(jīng)可以可靠地免受由于層壓過程所造成的上述損害。
[0036]但是，導(dǎo)體電路13在此還額外地被保護(hù)，以防該導(dǎo)體電路在芯片21連同穩(wěn)定層12壓入基體11時出現(xiàn)與根據(jù)圖4A和4B所示現(xiàn)有技術(shù)將芯片21’塞入基體11’相比不同的變形。在現(xiàn)有技術(shù)中，力、尤其剪切力在層壓過程中作用在導(dǎo)體電路13’上，這種力導(dǎo)致導(dǎo)體電路材料的拉伸。因此，這種導(dǎo)體電路在層壓時輕微地被撕裂或者出現(xiàn)裂紋。但是與之相反地，圖2A所示的穩(wěn)定層12相對于基體11外凸。通過將導(dǎo)體電路13從與基體11相比稍微外凸的穩(wěn)定層12導(dǎo)入未被穩(wěn)定層12遮蓋的基體11的區(qū)域內(nèi)，貝U在從穩(wěn)定層12與基體11之間的過渡部位內(nèi)比沒有穩(wěn)定層12的設(shè)計需要更多的導(dǎo)體電路材料。另外，這種“過?！笔沟脤?dǎo)體電路13既未被剪切也未以任何其它方式被撕開。此外，穩(wěn)定層12具有邊緣區(qū)域12b，該邊緣區(qū)域朝指向基體一側(cè)的邊緣形成斜坡。總之，導(dǎo)體電路13在層壓過程中以圖2A和2B所示的方式和方法彎曲，并且在此被輕微鐓鍛。通過避免導(dǎo)體電路13被拉伸，從而使得導(dǎo)體電路得到額外地保護(hù)。
[0037]在根據(jù)圖1、2A和2B所示的實施例中，導(dǎo)體電路13不僅通過將芯片21和穩(wěn)定層12比在沒有穩(wěn)定層12的情況下更淺地壓入基體11內(nèi)，而且通過將導(dǎo)體電路13在壓入時以有利的方式變形，從而得到保護(hù)。由此，即使在設(shè)置較大的過程窗口(Prozessfenster)時，也即是說過程參數(shù)的公差、例如數(shù)據(jù)載體I的部件的尺寸、層壓溫度、層壓壓力等的公差較大時，在層壓過程中導(dǎo)體電路13也不被撕裂或者出現(xiàn)較少的或者根本就不出現(xiàn)裂紋，。但是原則上，導(dǎo)體電路3還能夠通過兩個之前所述的作用之一在層壓過程中得到足夠的保護(hù)以免于受到損害。
[0038]除了圖2A所示的具有斜坡的邊緣區(qū)域12b之外，該邊緣區(qū)域12b還能夠不朝向邊緣形成斜坡，也就是說而在邊緣上構(gòu)成階梯。隨后，導(dǎo)體電路13在穩(wěn)定層12被壓入基體11時基本上只是被鐓鍛。這使得導(dǎo)體電路13通?？偸鞘艿奖雀鶕?jù)圖4A和4B所示的現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)體電路13的拉伸更輕微的損害，但是，這使得導(dǎo)體電路13比之前所述的優(yōu)選大多數(shù)情況下的彎曲過程更容易受到損害。
[0039]在根據(jù)圖2B所示的實施例中，穩(wěn)定層12幾乎不變形的壓入基體11中。在此備選地是，穩(wěn)定層12還能夠被這樣設(shè)計，該穩(wěn)定層12的邊緣區(qū)域12b在穩(wěn)定層12被壓入基體11中時相對于基體11反向彎曲。
[0040]穩(wěn)定層12包括印制好的漆、尤其在絲網(wǎng)印刷方法中涂覆的漆。例如，所示漆可以是含有溶劑的、水溶性的、通過紫外線輻射硬化的、電子射線硬化和/或是傳統(tǒng)漆。同樣地，穩(wěn)定層12可以包括兩個材料組分，所述材料組分在相互接觸后或者在混合情況下硬化。此夕卜，穩(wěn)定層12可以包括以粘貼方式固定在基體11上的層(“Patch”，補丁)、例如雙軸向PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜。穩(wěn)定層12優(yōu)選不能導(dǎo)電，并且優(yōu)選這樣調(diào)整穩(wěn)定層的材料厚度，從而使導(dǎo)體電路13在層壓過程中基本上只是被鐓鍛和/或彎曲。
[0041]卡片式數(shù)據(jù)載體I不僅可以是上述任意芯片卡(例如，智能卡、SIM手機(jī)卡、身份證、證件等)，而且原則上還能夠是任意的具有或者沒有非接觸功能的卡片式數(shù)據(jù)載體。同樣地，卡片式數(shù)據(jù)載體還可以是相應(yīng)地用于引入上述數(shù)據(jù)載體中或者引入其他任意卡片式或者非卡片式數(shù)據(jù)載體中的嵌體(Inlay)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造卡片式數(shù)據(jù)載體(I)的基體裝置(10)，所述基體裝置包括基體(11)以及至少一個安置在所述基體(11)上的電子導(dǎo)體電路(13)，其特征在于， 所述基體裝置(10)包括遮蓋所述基體(11)的區(qū)域的穩(wěn)定層(12)，和 所述導(dǎo)體電路(13)從所述穩(wěn)定層(12)的背向所述基體(11)的一側(cè)向著未被所述穩(wěn)定層(12)遮蓋的基體(11)的區(qū)域延伸，其中， 所述穩(wěn)定層(12)被這樣地設(shè)計，并且所述導(dǎo)體電路(13)這樣地從所述穩(wěn)定層(12)向著所述基體(11)延伸，即在制造所述數(shù)據(jù)載體(I)時安置在所述穩(wěn)定層(12)上且與上述導(dǎo)體電路(13)導(dǎo)電連接的電子元件(21)在層壓經(jīng)過所述電子元件(21)延伸的遮蓋層(32)時保持與所述導(dǎo)體電路(13)的導(dǎo)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基體裝置(10)，其特征在于，所述穩(wěn)定層(12)被這樣地設(shè)計，并且所述導(dǎo)體電路(13)這樣地從所述穩(wěn)定層(12)向著所述基體(11)延伸，即所述導(dǎo)體電路(13)在制造所述數(shù)據(jù)載體(I)時由于層壓遮蓋層(32)而產(chǎn)生的穩(wěn)定層(12)對基體(11)的壓力作用下基本上只是被鐓鍛和/或彎曲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基體裝置(10)，其特征在于，所述穩(wěn)定層(12)的至少一個邊緣區(qū)域被這樣地設(shè)計，即所述導(dǎo)體電路(13)在制造所述數(shù)據(jù)載體(I)時由于層壓遮蓋層(32)而產(chǎn)生的穩(wěn)定層(12)對基體(11)的壓力作用下基本上只是被鐓鍛和/或彎曲，所述導(dǎo)體電路(13)通過所述至少一個邊緣區(qū)域從所述穩(wěn)定層(12)朝向基體(11)延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基體裝置(10)，其特征在于，所述穩(wěn)定層(12)的至少一個邊緣區(qū)域(12b)從所述穩(wěn)定層(12)向著所述基體(11)漸減地延伸。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的基體裝置(10)，其特征在于，所述穩(wěn)定層(12)被這樣地設(shè)計并且安置在所述基體(11)上，即所述穩(wěn)定層使在制造所述數(shù)據(jù)載體(I)時由于層壓遮蓋層(32)而產(chǎn)生的電子元件(21)對基體(11)的壓力平面地分散并且因此降低。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的基體裝置(10)，其特征在于，所述穩(wěn)定層(12)的材料要比所述基體(11)的材料更硬。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的基體裝置(10)，其特征在于，所述穩(wěn)定層(12)的材料具有比在制造所述數(shù)據(jù)載體(I)時用于將遮蓋層(32)層壓在所述基體裝置(10)上所需溫度更高的熔點。
8.—種呈層壓式層復(fù)合件形式的卡片式數(shù)據(jù)載體(I)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體(I)包括根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的基體裝置(10)和層壓在所述基體裝置上的遮蓋層(32)，以及安置在穩(wěn)定層(12)上的且和導(dǎo)體電路(13)導(dǎo)電連接的電子元件(21)，所述遮蓋層(32)經(jīng)過所述電子元件延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的卡片式數(shù)據(jù)載體(I)，其特征在于，穩(wěn)定層(12)的朝向所述基體(11)的表面比電子元件(21)朝向所述基體(11)的表面更大。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的卡片式數(shù)據(jù)載體(I)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體(I)包括在所述基體(11)和遮蓋層(32)之間設(shè)置的中間層(31)，所述中間層至少空出所述電子元件(21)的空間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10之一所述的卡片式數(shù)據(jù)載體(I)，其特征在于，所述電子元件(21)是微芯片和/或所述導(dǎo)體電路(13)構(gòu)成天線。
12.一種制造用于卡片式數(shù)據(jù)載體(I)的基體裝置(10)的方法，所述方法包括準(zhǔn)備(SI)基體(11)和電子導(dǎo)體電路(13)，其特征在于下面的步驟， 將穩(wěn)定層(12)安置(S2)在所述基體(11)的區(qū)域上，和 這樣地安置(S3)所述導(dǎo)體電路(13)，使得所述導(dǎo)體電路從穩(wěn)定層(12)的背向基體(11)的一側(cè)向著未被所述穩(wěn)定層(12)遮蓋的基體(11)的區(qū)域延伸， 其中，所述穩(wěn)定層(12)被這樣地配置，并且所述導(dǎo)體電路(13)這樣地從所述穩(wěn)定層(12)向著所述基體(11)延伸地布置，即在制造所述數(shù)據(jù)載體(I)時安置在所述穩(wěn)定層(12)上且與上述導(dǎo)體電路(13)導(dǎo)電連接的電子元件(21)在層壓經(jīng)過所述電子元件(21)延伸的遮蓋層(32)時保持與所述導(dǎo)體電路(13)的導(dǎo)電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，這樣實施配置所述穩(wěn)定層(12)的步驟和安置從穩(wěn)定層(12)向著基體(11)延伸的導(dǎo)體電路(13)的步驟，從而形成根據(jù)權(quán)利要求2至7之一所述的基體裝置(I)。
14.一種用于制造呈層壓的層復(fù)合件形式的卡片式數(shù)據(jù)載體(I)的方法，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求12或13的方法的制造基體裝置(10)的步驟、將電子元件(21)安置(S4)在穩(wěn)定層(12)上的步驟、電子元件(21)與導(dǎo)體電路(13)的導(dǎo)電連接(S5)的步驟和在所述基體裝置(10)上層壓(S6)遮蓋層(32)的步驟，從而使得所述遮蓋層(32)經(jīng)過所述電子元件(21)延伸。
15.一種用于制造卡片式數(shù)據(jù)載體(I)的方法，其特征在于，制造根據(jù)權(quán)利要求9至11之一所述的卡片式數(shù)據(jù)載體(I)。
【文檔編號】G06K19/077GK104137124SQ201380011239
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月26日
【發(fā)明者】A.布朗 申請人:德國捷德有限公司