一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，尤指一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)。該超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)包括一介質(zhì)基板，所述介質(zhì)基板包括四個連續(xù)且首尾相接的第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面，通過薄膜標(biāo)簽包覆于所述第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面形成諧振回路。采用本實用新型超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)可以在工藝和生產(chǎn)上節(jié)省成本，同時在性能上能夠達(dá)到很高的增益。
【專利說明】一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，尤指一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻識別(Radio Frequency Identification, RFID)技術(shù)是一種利用射頻通信實現(xiàn)的非接觸式自動識別技術(shù)。RFID標(biāo)簽具有體積小、容量大、壽命長、可重復(fù)使用等特點，可支持快速讀寫、非可視識別、移動識別、多目標(biāo)識別、地位及長期跟蹤管理。RFID在物流管理、防偽、交通信息化、工業(yè)自動化中都有重要的應(yīng)用，該技術(shù)與互聯(lián)網(wǎng)、通訊等技術(shù)相結(jié)合，可實現(xiàn)全球范圍內(nèi)物品的跟蹤與信息共享，RFID已成為IT業(yè)界的熱點。
[0003]RFID系統(tǒng)主要由電子標(biāo)簽、閱讀器和天線組成。電子標(biāo)簽是RFID系統(tǒng)的重要組成部分，各式各樣的電子標(biāo)簽已成為RFID的研究熱點。
[0004]普通RFID電子標(biāo)簽直接貼附于金屬表面上，由于金屬表面對入射電磁波的反射作用，將會有較強(qiáng)的反方向電磁波也穿過電子標(biāo)簽。入射波與反射波相位疊加后相互會抵消，RF強(qiáng)度大大削弱，嚴(yán)重地影響讀寫器對RFID標(biāo)簽的讀取距離，甚至無法讀取RFID標(biāo)簽上的數(shù)據(jù)。同時，讀寫器與RFID標(biāo)簽間產(chǎn)生的磁通量在金屬表面感應(yīng)渦流，根據(jù)楞次定律，渦流對讀寫器的磁場起反作用，致使金屬表面上的磁場再次被強(qiáng)烈地衰減。從而導(dǎo)致普通電子標(biāo)簽在金屬表面無法被正確識別，針對帶有各種金屬表面的識別物的管理，如金屬資產(chǎn)、大型壓力容器鋼瓶、大型鋼材等，就需要采用抗金屬標(biāo)簽。
[0005]抗金屬標(biāo)簽是用一種特殊的防磁性吸波材料封裝成的電子標(biāo)簽，從技術(shù)上解決了電子標(biāo)簽不能附著于金屬表面使用的難題。產(chǎn)品可防水、防酸、防堿、防碰撞，可在戶外使用。
[0006]將抗金屬電子標(biāo)簽貼在金屬上能獲得良好的讀取性能，甚至比在空氣中讀的距離更遠(yuǎn)。采用特殊的電路設(shè)計，該型號電子標(biāo)簽?zāi)苡行Х乐菇饘賹ι漕l信號的干擾，更突出的特點是貼在金屬上的讀取距離比不貼金屬上讀得更遠(yuǎn)。
[0007]為了提供最大的實用性，適應(yīng)目前RFID產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，抗金屬標(biāo)簽的設(shè)計應(yīng)該考慮以下因素:(I)制作成本低廉(2)外形小巧美觀(3)制作工藝步驟簡單(4)性能實現(xiàn)高增益。在本實用新型中的這種革新將滿足以上提到的全部要求。
實用新型內(nèi)容
[0008]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，可以在工藝和生產(chǎn)上節(jié)省成本，同時在性能上能夠達(dá)到很高的增益，該超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)還具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)。
[0009]實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是:
[0010]本實用新型的一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，包括一介質(zhì)基板，所述介質(zhì)基板包括四個連續(xù)且首尾相接的第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面，通過薄膜標(biāo)簽包覆于所述第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面形成諧振回路。[0011]采用上述技術(shù)方案，直接將薄膜標(biāo)簽包覆于介質(zhì)基板上，省去了基板印刷的步驟，由于薄膜標(biāo)簽在成本上的優(yōu)勢，其在工藝和生產(chǎn)上很大程度的節(jié)省了成本。并且該標(biāo)簽在性能上面可以達(dá)到很高的增益，當(dāng)本實用新型的標(biāo)簽整體尺寸在75mm*25mm*lmm的情況下，可以做到2.5-4Dbi的增益值。
[0012]本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述薄膜標(biāo)簽包括一第一分段、一第二分段、一第三分段、一第四分段以及一第五分段，其中:
[0013]所述第五分段貼合于所述第一工作面，所述第五分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第五金屬圖案；
[0014]所述第一分段貼合于所述第一工作面，且部分貼合于所述第五分段，所述第一分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第一金屬圖案；
[0015]所述第二分段貼合于所述第二工作面，且連接所述第一分段，所述第二分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第二金屬圖案；
[0016]所述第三分段貼合于所述第三工作面，且連接所述第二分段，所述第三分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第三金屬圖案；
[0017]所述第四分段貼合于所述第四工作面，且連接所述第三分段與所述第五分段，所述第四分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第四金屬圖案。
[0018]本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述第一金屬圖案進(jìn)一步包括一第一線路圖案和一環(huán)形圖案，且所述第一線路圖案與所述環(huán)形圖案之間連接有一射頻芯片；所述環(huán)形圖案由依次連接的一第二線路圖案、一第三線路圖案、一第五線路圖案以及一第四線路圖案組成。
[0019]本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述射頻芯片的第一引腳連接所述第二線路圖案，所述射頻芯片的第二引腳連接所述第一線路圖案。
[0020]本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述第一線路圖案與所述第五金屬圖案相互耦合形成一第一電容；所述第三金屬圖案與所述諧振回路的接地點耦合形成一第二電容；所述第二線路圖案與所述第三線路圖案、第五線路圖案、第四線路圖案依次首尾連接形成電感。
[0021]本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述射頻芯片與所述第一電容、所述第二電容以及所述電感連接形成所述諧振回路，所述第二電容連接所述接地點。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的爆炸分解示意圖；
[0023]圖2為本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0024]圖3為本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的薄膜標(biāo)簽展開示意圖；
[0025]圖4為本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的第一分段的放大示意圖；
[0026]圖5為本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的薄膜標(biāo)簽中的金屬圖案連接示意圖；
[0027]圖6為本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。[0029]請參閱圖1、圖2所示，公開了本實用新型一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的一較佳實施例，該超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)包括一介質(zhì)基板Jl和薄膜標(biāo)簽。
[0030]該薄膜標(biāo)簽包括5個部分，分別是第一分段Al (第二分段A2 (第三分段A3 (第四分段A4 (第五分段A5。薄膜標(biāo)簽的各個部分按圖所示貼附在介質(zhì)基板Jl表面。
[0031]該介質(zhì)基板Jl包括至少4個連續(xù)且首尾相接的面，分別是第一工作面F1，第二工作面F2，第三工作面F3，第四工作面F4，首先第五分段A5貼合于第一分段Fl上，第四分段A4貼合于第四工作面F4上，第三分段A3貼合于第三工作面F3上，第二分段A2貼合于第二工作面F2上，第一分段Al再貼到第一工作面Fl上，其中第一分段Al有一部分會貼到第五分段A5的上面。上述的第一分段Al連接第二分段A2，第二分段A2連接第三分段A3，第三分段A3連接第四分段A4，第四分段A4連接第五分段A5，第五分段A5連接第一分段Al，形成一個閉合的諧振回路。
[0032]請參閱圖3所示，為薄膜標(biāo)簽的展開圖，圖中的斜線填充部分表示金屬圖案，金屬圖案是導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電圖案；黑色填充部分為射頻芯片P1。薄膜標(biāo)簽中的第一分段Al包括薄膜BI，射頻芯片Pl和第一金屬圖案D1，第一金屬圖案Dl覆于薄膜BI上；第二分段A2包括薄膜B2和第二金屬圖案D2，第二金屬圖案D2覆于薄膜B2上；第三分段A3包括薄膜B3和第三金屬圖案D3，第三金屬圖案D3覆于薄膜B3上；第四分段A4包括薄膜B4和第四金屬圖案D4，第四金屬圖案D4覆于薄膜B4上；第五分段A5包括薄膜B5和第五金屬圖案D5，第五金屬圖案D5覆于薄膜B5上；第一金屬圖案D1、第二金屬圖案D2、第三金屬圖案D3、第四金屬圖案D4、第五金屬圖案D5之間依次相連導(dǎo)通，形成閉合的電路回路。
[0033]請參閱圖4所示，為第一分段Al的放大示意圖，第一分段Al的第一金屬圖案Dl包括第一線路圖案AlOl和環(huán)形圖案，該環(huán)形圖案包括依次連接形成回路的第二線路圖案A102，第三線路圖案A103，第五線路圖案A105，第四線路圖案A104 ;第一線路圖案AlOl和環(huán)形圖案覆于薄膜BI上。
[0034]請參閱圖5所示，本實用新型超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)的等效電路圖。包括射頻芯片Pl，第一電容Cl，第二電容C2，電感LI，金屬接地點GND，
[0035]其中第一電容Cl由第一線路圖案AlOl和第五分段A5中的第五金屬圖案D5相互耦合形成。電感LI是由第二線路圖案A102 (第三線路圖案A103 (第四線路圖案A104 (第五線路圖案A105組成的閉合環(huán)形圖案形成的，也相當(dāng)于第三線路圖案A103和第四線路圖案A104兩個微帶線電感并聯(lián)形成的一個電感LI。在第二電容C2下方設(shè)有一個金屬接地點GND。
[0036]請參閱圖6所示，射頻芯片Pl的一個引腳連接到第二線路圖案A102，然后分別通過第四線路圖案A104和第三線路圖案A103連接到第五線路圖案A105，然后連接到第二金屬圖案D2，第二金屬圖案D2連接到第三金屬圖案D3，第三金屬圖案D3連接到第四金屬圖案D4,第四金屬圖案D4連接到第五金屬圖案D5,第五金屬圖案D5形成的第一電容Cl f禹合到第一線路圖案A101，第一電路圖案AlOl連接到射頻芯片Pl的另一個引腳從而形成諧振回路。第三金屬圖案D3需要和安裝環(huán)境的接地點GND產(chǎn)生一個耦合第二電容C2。諧振回路工作在射頻識別芯片的頻率上。
[0037]其中:第一金屬圖案Dl隨著薄膜BI貼合于介質(zhì)基板Jl的第一工作面Fl上，第二金屬圖案D2隨著薄膜B2貼合于介質(zhì)基板Jl的第一工作面F2上，第三金屬圖案D3隨著薄膜B3貼合于介質(zhì)基板Jl的第一工作面F3上，第四金屬圖案D4隨著薄膜B4貼合于介質(zhì)基板Jl的第一工作面F4上，第五金屬圖案D5隨著薄膜B5貼合于介質(zhì)基板Jl的第一工作面F5上。
[0038]本實用新型利用薄膜標(biāo)簽形成電路，然后在貼附到介質(zhì)基板Jl上形成可以工作的諧振回路。介質(zhì)基板不需要印刷或者做任何處理。由于薄膜標(biāo)簽在成本上的優(yōu)勢，使本實用新型的抗金屬標(biāo)簽在工藝和成本上節(jié)省了很多成本。并且標(biāo)簽性能上面達(dá)到了很高增益。當(dāng)標(biāo)簽整體尺寸在75mm*25mm*lmm的情況下，可以做到2.5)4Dbi的增益值。同時因為標(biāo)簽諧振頻率帶寬比較大，使得本實用新型的超薄抗金屬標(biāo)簽具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)。
[0039]以上結(jié)合附圖實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說明對本實用新型做出種種變化例。因而，實施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對本實用新型的限定，本實用新型將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本實用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，包括一介質(zhì)基板，其特征在于:所述介質(zhì)基板包括四個連續(xù)且首尾相接的第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面，通過薄膜標(biāo)簽包覆于所述第一工作面、第二工作面、第三工作面以及第四工作面形成諧振回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述薄膜標(biāo)簽包括一第一分段、一第二分段、一第三分段、一第四分段以及一第五分段，其中: 所述第五分段貼合于所述第一工作面，所述第五分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第五金屬圖案； 所述第一分段貼合于所述第一工作面，且部分貼合于所述第五分段，所述第一分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第一金屬圖案； 所述第二分段貼合于所述第二工作面，且連接所述第一分段，所述第二分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第二金屬圖案； 所述第三分段貼合于所述第三工作面，且連接所述第二分段，所述第三分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第三金屬圖案； 所述第四分段貼合于所述第四工作面，且連接所述第三分段與所述第五分段，所述第四分段包括一薄膜以及覆于所述薄膜上的第四金屬圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所記載的一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一金屬圖案進(jìn)一步包括一第一線路圖案和一環(huán)形圖案，且所述第一線路圖案與所述環(huán)形圖案之間連接有一射頻芯片；所述環(huán)形圖案由依次連接的一第二線路圖案、一第三線路圖案、一第五線路圖案以及一第四線路圖案組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所記載的一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述射頻芯片的第一引腳連接所述第二線路圖案，所述射頻芯片的第二引腳連接所述第一線路圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所記載的一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一線路圖案與所述第五金屬圖案相互耦合形成一第一電容；所述第三金屬圖案與所述諧振回路的接地點耦合形成一第二電容；所述第二線路圖案與所述第三線路圖案、第五線路圖案、第四線路圖案依次首尾連接形成電感。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所記載的一種超薄抗金屬標(biāo)簽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述射頻芯片與所述第一電容、所述第二電容以及所述電感連接形成所述諧振回路，所述第二電容連接所述接地點。
【文檔編號】G06K19/077GK203596031SQ201320727527
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月18日
【發(fā)明者】史紀(jì)元 申請人:群淂數(shù)碼科技（上海）有限公司